Multi-service Access Platform
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技術名稱-中文Multi-service Access Platform的執行單位是工研院電通所, 產出年度是93, 計畫名稱是寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫, 技術規格是NG SDH STM-1/4塞取多工平台, 潛力預估是非常有潛力.

序號189
產出年度93
技術名稱-中文Multi-service Access Platform
執行單位工研院電通所
產出單位(空)
計畫名稱寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文已完成雛形驗證並與技轉廠商合作開發
技術現況敘述-英文(空)
技術規格NG SDH STM-1/4塞取多工平台
技術成熟度雛形
可應用範圍NG SDH多重服務接取平台
潛力預估非常有潛力
聯絡人員張大郎
電話03-5914615
傳真03-5820240
電子信箱talo@itri.org.tw
參考網址http://www.ccl.itri.org.tw
所須軟硬體設備FPGA、Embedded System
需具備之專業人才數位積體電路及線路設計,軟體設計

序號

189

產出年度

93

技術名稱-中文

Multi-service Access Platform

執行單位

工研院電通所

產出單位

(空)

計畫名稱

寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

已完成雛形驗證並與技轉廠商合作開發

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

NG SDH STM-1/4塞取多工平台

技術成熟度

雛形

可應用範圍

NG SDH多重服務接取平台

潛力預估

非常有潛力

聯絡人員

張大郎

電話

03-5914615

傳真

03-5820240

電子信箱

talo@itri.org.tw

參考網址

http://www.ccl.itri.org.tw

所須軟硬體設備

FPGA、Embedded System

需具備之專業人才

數位積體電路及線路設計,軟體設計

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Mobile NFC 行動服務與安全技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 98 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: "‧OTA USIM management技術: 1.符合Global Platform smart card management (SCM)規範。 2.Card lifecycle managem... | 潛力預估: 舉凡目前提供接觸式IC卡及Contactless IC卡應用服務業者與各電信業者及金融業者均是潛在客戶,因卡片共用不僅降低發卡成本,利用手機上網即時申請安裝使用服務,同時一卡多用途更增加消費者申請使用...

@ 技術司可移轉技術資料集

雲端桌面服務技術V1.0

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 雲端運算科技及產業技術發展計畫 | 領域: 其他 | 技術規格: 1. Web化虛擬桌面使用者介面 (雲端桌面環境)。 2. 可執行於瀏覽器中的通訊協定用戶端播放程式 (遠端桌面通訊協定 )。 3. Web Desktop Control (web-based 的虛... | 潛力預估: PC2之目標市場的企業應用,其中47%的大型企業將「提供員工移動性支援」列為主要目的,有21.9%的企業將企業行動化視為未來發展策略,更有17.4%的企業已經意識到需提供員工在不同網路之間的無縫隙轉移...

@ 技術司可移轉技術資料集

多重人機互動之電子看板應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 智慧生活科技運用計畫 | 領域: 研發服務 | 技術規格: .藉由電子看板之多元服務與服務置入性行銷,由使用者互動過程中達到廣告效果之傳遞 .透過人流辨識技術,可判別路人之注視程度,提供廣告主媒體效益分析之相關參考資訊 .做為戶外服務遞送之主要通路,各種數位內... | 潛力預估: 本平台可提供產業以電子看板平台做為服務上下之基礎,有利於未來依App Store模式,提供不同種類之服務運作,整理點擊、影像、感應、聲音等多元互動機制,使電子看板的應用利大為提昇,同步管理多點機台,便...

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智慧互動看板應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 101 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 智慧生活科技運用計畫 | 領域: 研發服務 | 技術規格: 1.機台環控監控技術 2.人臉人流辨識技術 3.廣告分群撥放控制技術 4.公共交通資訊發布技術 5.互動遊戲技術 6.互動景點明信片 | 潛力預估: 電子看板在區域媒體經營中佔有重要地位,運用電子看板串連起地區性之服務,提供在地訊息,經營長尾效應中的中小型商店之廣告、宣傳、折扣與服務,打造新的經營模式。

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智慧互動看板應用平台

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通用多重通訊協定標籤交換技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Link Management Protocol:_x000D_IETF Draft(draft-ietf-ccamp-lmp-03.txt).OSPF-TE:IETF Draft(draft-iet... | 潛力預估: GMPLS為目前光通訊領域最重要的通訊協定,其訓令(signaling)涵蓋範圍包括 Packet、Time Slot、Wavelength 與 Fiber四種不同階層。目前我們已建立GMPLS相關通...

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Virtual Concatenatio

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Low Order VC Virtual Concatenatio | 潛力預估: 非常有潛力

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光通道性能監視新技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 多波道WDM訊號量測, OSNR監視模組可量動態範圍約5~35dB,誤差值在0.5dB以內。 | 潛力預估: 本技術可用來協助國內 光通訊系統廠商, 測試儀器廠及建立”光通道性能監控量測模組”或運用於光通量測儀器設計, 並可協助元件廠商提昇光元件檢測的品質指標。

@ 技術司可移轉技術資料集

下世代多業務光都會接取網路技術驗測技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 符合 Telcordia 標準 Physical、Framing、Synchronous、Jitter及SDH OAM等 功能測試驗證流程 | 潛力預估: 提供國內相關都會接取光通訊產業功能/效能驗測服務,以提昇光通訊產品品質

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GFP-Based Ethernet over SDH測試技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ITU-T G.7041 155.52 Mbps GFP 功能測試驗證流程 | 潛力預估: 以目前的都會網路架構而言,利用NG SDH提供Multi-service Transport是最經濟快速的做法,IDC 更預測2008年時NG SDH based MSPP 之產值將達到約$3.5 B...

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Burst Mode CDR量測技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2.5 Gbps CDR (Clock Data Recovery) 的Locking Time 及 Jitter | 潛力預估: PON技術在目前全球FTTx寬頻服務推動下成為最新熱門技術之一,IDC 估計2008年時,相關產值約可達到$2.4 Billion USD。國內部分都會接取光通訊廠商也相繼投入此相關領域的研發投資如...

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嵌入式簡易網路管理通訊協定 管理代理者(SNMP agent)

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1,Net-SNMP -5.0 2, Linux Kernel 2.4 based on GPL(General Public License) License. | 潛力預估: 能成功應用於網路的各種設備之嵌入式作業系統,可技轉給國內多家廠商,技術掌握度高,可以提高產品的附加價值。

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高速突爆型光接受器處理電路

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Burst locking time : 40 ns_x000D_; Burst setting time : 40 ns | 潛力預估: 能成功應用於PON網路系統,可技轉給國內多家廠商,技術掌握度高,可以提高產品的附加價值。

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通用多重通訊協定標籤交換技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Link Management Protocol:_x000D_IETF Draft(draft-ietf-ccamp-lmp-03.txt).OSPF-TE:IETF Draft(draft-iet... | 潛力預估: GMPLS為目前光通訊領域最重要的通訊協定,其訓令(signaling)涵蓋範圍包括 Packet、Time Slot、Wavelength 與 Fiber四種不同階層。目前我們已建立GMPLS相關通...

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Virtual Concatenatio

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Low Order VC Virtual Concatenatio | 潛力預估: 非常有潛力

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光通道性能監視新技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 多波道WDM訊號量測, OSNR監視模組可量動態範圍約5~35dB,誤差值在0.5dB以內。 | 潛力預估: 本技術可用來協助國內 光通訊系統廠商, 測試儀器廠及建立”光通道性能監控量測模組”或運用於光通量測儀器設計, 並可協助元件廠商提昇光元件檢測的品質指標。

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下世代多業務光都會接取網路技術驗測技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 符合 Telcordia 標準 Physical、Framing、Synchronous、Jitter及SDH OAM等 功能測試驗證流程 | 潛力預估: 提供國內相關都會接取光通訊產業功能/效能驗測服務,以提昇光通訊產品品質

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GFP-Based Ethernet over SDH測試技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ITU-T G.7041 155.52 Mbps GFP 功能測試驗證流程 | 潛力預估: 以目前的都會網路架構而言,利用NG SDH提供Multi-service Transport是最經濟快速的做法,IDC 更預測2008年時NG SDH based MSPP 之產值將達到約$3.5 B...

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Burst Mode CDR量測技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2.5 Gbps CDR (Clock Data Recovery) 的Locking Time 及 Jitter | 潛力預估: PON技術在目前全球FTTx寬頻服務推動下成為最新熱門技術之一,IDC 估計2008年時,相關產值約可達到$2.4 Billion USD。國內部分都會接取光通訊廠商也相繼投入此相關領域的研發投資如...

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嵌入式簡易網路管理通訊協定 管理代理者(SNMP agent)

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1,Net-SNMP -5.0 2, Linux Kernel 2.4 based on GPL(General Public License) License. | 潛力預估: 能成功應用於網路的各種設備之嵌入式作業系統,可技轉給國內多家廠商,技術掌握度高,可以提高產品的附加價值。

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高速突爆型光接受器處理電路

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Burst locking time : 40 ns_x000D_; Burst setting time : 40 ns | 潛力預估: 能成功應用於PON網路系統,可技轉給國內多家廠商,技術掌握度高,可以提高產品的附加價值。

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電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質:矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格:3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質:矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格:3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

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執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

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原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

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