WLAN SOC 技術
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技術名稱-中文WLAN SOC 技術的執行單位是工研院晶片中心, 產出年度是93, 計畫名稱是晶片系統關鍵技術發展四年計畫, 技術規格是1. Clock 40MHz, Data Rate 6, 9, 12, 18, 24, 36, 48, or 54 Mbps 2. Customize MAC layer Interface 3. Customize RF/ADC/DAC/RSSI Interface, 潛力預估是可與 SOC 整合,有更多獲利空間.

序號338
產出年度93
技術名稱-中文WLAN SOC 技術
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱晶片系統關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用 OFDM 技術,建構 802.11a/g Wireless Baseband 傳輸模組,經 FPGA 實驗可達到正確資料傳送接收,並容易搭配客製類比前端及 RF
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1. Clock 40MHz, Data Rate 6, 9, 12, 18, 24, 36, 48, or 54 Mbps 2. Customize MAC layer Interface 3. Customize RF/ADC/DAC/RSSI Interface
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍Digital home WLAN SOC
潛力預估可與 SOC 整合,有更多獲利空間
聯絡人員朱元華
電話03-5919032
傳真(空)
電子信箱yhchu@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備高頻模擬軟體,高頻訊號產生器,頻譜儀,網路分析儀
需具備之專業人才無線通訊理論及設計

序號

338

產出年度

93

技術名稱-中文

WLAN SOC 技術

執行單位

工研院晶片中心

產出單位

(空)

計畫名稱

晶片系統關鍵技術發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用 OFDM 技術,建構 802.11a/g Wireless Baseband 傳輸模組,經 FPGA 實驗可達到正確資料傳送接收,並容易搭配客製類比前端及 RF

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1. Clock 40MHz, Data Rate 6, 9, 12, 18, 24, 36, 48, or 54 Mbps 2. Customize MAC layer Interface 3. Customize RF/ADC/DAC/RSSI Interface

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

Digital home WLAN SOC

潛力預估

可與 SOC 整合,有更多獲利空間

聯絡人員

朱元華

電話

03-5919032

傳真

(空)

電子信箱

yhchu@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

高頻模擬軟體,高頻訊號產生器,頻譜儀,網路分析儀

需具備之專業人才

無線通訊理論及設計

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WCDMA IP Verification Platform

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: Porting資策會開發之WCDMA R4 L2/L3 Protocol於CCL ARM target board、整合WCDMA R4 L2/L3 Protocol+L1 Software+第一版符... | 潛力預估: 建立Layer 1 軟體與上層protocol軟體整合驗證之技術、建立TTCN Test Cases 開發之技術

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CMOS功率放大器

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: CMOS功率電晶體大訊號與可靠度量測資料庫 2).新型CMOS功率放大器功率結合匹配電路 3).CMOS功率放大器可靠度保護電路 | 潛力預估: CMOS PA 設計符合國際RF FEM整合趨勢,應用潛力高

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WCDMA IP Verification Platform

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: Porting資策會開發之WCDMA R4 L2/L3 Protocol於CCL ARM target board、整合WCDMA R4 L2/L3 Protocol+L1 Software+第一版符... | 潛力預估: 建立Layer 1 軟體與上層protocol軟體整合驗證之技術、建立TTCN Test Cases 開發之技術

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CMOS功率放大器

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: CMOS功率電晶體大訊號與可靠度量測資料庫 2).新型CMOS功率放大器功率結合匹配電路 3).CMOS功率放大器可靠度保護電路 | 潛力預估: CMOS PA 設計符合國際RF FEM整合趨勢,應用潛力高

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Low Power Circuit Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... | 潛力預估: 可應用於各種時脈產生,及數位濾波器,及資料暫存設計

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Low Power Circuit Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... | 潛力預估: 可應用於各種時脈產生,及數位濾波器,及資料暫存設計

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磁性聯軸器設計開發技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m | 潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面,由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加,則本產品之市場潛力亦日益提升。

半導體前段設備標準通標模組

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準 | 潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準,本產品為標準通訊模組,目前此類標準通訊模組多使用國外產品,國內市場廣大,可配合未來國內自製機台使用,潛力無窮。

300mm×300mm電子迴旋共振高密度電漿奈米碳管機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板大小:300mm×300mm,製程溫度低於450℃,均勻度為3% | 潛力預估: 奈米碳管可用於場發射元件、奈米導線、奈米探針、儲能材料、結構複合材料等領域,為本世紀最具應用潛力的新材料,世界先進國家均積極投入研發,並列為各該國家奈米計畫研究重點項目。因此,開發大面積、高密度電漿源...

300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 沉積率:2,500A/min,沉積溫度低於350℃,沉積均勻度為3% | 潛力預估: 為我國從民國87年起,投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元,LCD全球市場在民國94年將達390億美元,而全球設備產業將達61億美元,其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...

300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線;蝕刻速率為2,500 A /min ;蝕刻均勻度小於3 % | 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗

精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 定位精度:0.5μm;馬達最快速度: 120m/min;馬達最快加速度: 1.5g;切割速度:~4000 Aperture/Hour;具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm | 潛力預估: 預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機研製能力,生產...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 供油壓力:20 bar;潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃);切削力:Fa:1,000N,Ft:300N;滑軌長度:1,500mm;工作行程:750mm;工作台上最大荷重:750kg;最大運動速... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

有機奈米導電樹脂研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 覆膜厚度50-250nm、表面電阻104~109Ω/sq、透光率>70%(550nm) | 潛力預估: 因應EMI管制措施等,市場年成長率可達34%。

環保型耐燃熱熔膠研製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg)>80℃、軟化點>150℃、黏度(180℃)8000~11500mPas、接著剪斷強度(25℃)>2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-10℃)>0.3 N/mm2 | 潛力預估: 目前世界上尚未有廠家成功開發出無鹵環保型耐燃熱熔膠,但都已積極投入開發中;然而各大電子廠受限於歐美環保法規限制,對於環保型耐燃熱熔膠之需求十分殷切。

矽酮壓克力改質技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: OH/NCO=2:1~2.3:1,NCO-Siloxane/acrylic acid/OH-acrylate=1:0.6:0.4~1:0.4:0.6 | 潛力預估: 提升壓克力產品性能、增加其副加價值增進產品應用換範圍。

氟西汀原料藥微粒化製程精進

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 比表面積:>1 m2/g。 | 潛力預估: 原料藥之微粒化可提升人體之吸收率,促進藥效,市場需求日益增加。

磁性聯軸器設計開發技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m | 潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面,由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加,則本產品之市場潛力亦日益提升。

半導體前段設備標準通標模組

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準 | 潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準,本產品為標準通訊模組,目前此類標準通訊模組多使用國外產品,國內市場廣大,可配合未來國內自製機台使用,潛力無窮。

300mm×300mm電子迴旋共振高密度電漿奈米碳管機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板大小:300mm×300mm,製程溫度低於450℃,均勻度為3% | 潛力預估: 奈米碳管可用於場發射元件、奈米導線、奈米探針、儲能材料、結構複合材料等領域,為本世紀最具應用潛力的新材料,世界先進國家均積極投入研發,並列為各該國家奈米計畫研究重點項目。因此,開發大面積、高密度電漿源...

300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 沉積率:2,500A/min,沉積溫度低於350℃,沉積均勻度為3% | 潛力預估: 為我國從民國87年起,投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元,LCD全球市場在民國94年將達390億美元,而全球設備產業將達61億美元,其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...

300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線;蝕刻速率為2,500 A /min ;蝕刻均勻度小於3 % | 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗

精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 定位精度:0.5μm;馬達最快速度: 120m/min;馬達最快加速度: 1.5g;切割速度:~4000 Aperture/Hour;具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm | 潛力預估: 預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機研製能力,生產...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 供油壓力:20 bar;潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃);切削力:Fa:1,000N,Ft:300N;滑軌長度:1,500mm;工作行程:750mm;工作台上最大荷重:750kg;最大運動速... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

有機奈米導電樹脂研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 覆膜厚度50-250nm、表面電阻104~109Ω/sq、透光率>70%(550nm) | 潛力預估: 因應EMI管制措施等,市場年成長率可達34%。

環保型耐燃熱熔膠研製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg)>80℃、軟化點>150℃、黏度(180℃)8000~11500mPas、接著剪斷強度(25℃)>2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-10℃)>0.3 N/mm2 | 潛力預估: 目前世界上尚未有廠家成功開發出無鹵環保型耐燃熱熔膠,但都已積極投入開發中;然而各大電子廠受限於歐美環保法規限制,對於環保型耐燃熱熔膠之需求十分殷切。

矽酮壓克力改質技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: OH/NCO=2:1~2.3:1,NCO-Siloxane/acrylic acid/OH-acrylate=1:0.6:0.4~1:0.4:0.6 | 潛力預估: 提升壓克力產品性能、增加其副加價值增進產品應用換範圍。

氟西汀原料藥微粒化製程精進

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 比表面積:>1 m2/g。 | 潛力預估: 原料藥之微粒化可提升人體之吸收率,促進藥效,市場需求日益增加。

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