微波吸收材應用開發
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技術名稱-中文微波吸收材應用開發的執行單位是中科院軍民通用中心, 產出年度是93, 計畫名稱是材料與化工領域資源釋商科專計畫, 技術規格是可量產製作,長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用。, 潛力預估是生產所需機具成本較高。.

序號416
產出年度93
技術名稱-中文微波吸收材應用開發
執行單位中科院軍民通用中心
產出單位(空)
計畫名稱材料與化工領域資源釋商科專計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本項技術係利用電子架橋導電PE為基材加工製作微波吸收材。技術內容包括PE材料之選定、微波吸收材料設計、加工方法與材料性能驗證。合作廠商須具備PE電子(X ray)架橋設備與加工生產經驗,以配合後續之技術發展與承接。 本電子架橋PE微波吸收材為耐候性之環保材料,可應用於室內或戶外之微波吸收;其中包括武器載具之雷達截面積( Radar Cross Section ,RCS)減降、雷達旁瓣雜訊消除、電磁輻射干擾與雷達輻射防護等應用。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格可量產製作,長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用。
技術成熟度技術已成熟
可應用範圍本項技術係生產電子架橋PE能量之延伸
潛力預估生產所需機具成本較高。
聯絡人員沈堅昇
電話03-4712201 分機 358298
傳真03-4458233
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備
需具備之專業人才材料、物理相關背景

序號

416

產出年度

93

技術名稱-中文

微波吸收材應用開發

執行單位

中科院軍民通用中心

產出單位

(空)

計畫名稱

材料與化工領域資源釋商科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本項技術係利用電子架橋導電PE為基材加工製作微波吸收材。技術內容包括PE材料之選定、微波吸收材料設計、加工方法與材料性能驗證。合作廠商須具備PE電子(X ray)架橋設備與加工生產經驗,以配合後續之技術發展與承接。 本電子架橋PE微波吸收材為耐候性之環保材料,可應用於室內或戶外之微波吸收;其中包括武器載具之雷達截面積( Radar Cross Section ,RCS)減降、雷達旁瓣雜訊消除、電磁輻射干擾與雷達輻射防護等應用。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

可量產製作,長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用。

技術成熟度

技術已成熟

可應用範圍

本項技術係生產電子架橋PE能量之延伸

潛力預估

生產所需機具成本較高。

聯絡人員

沈堅昇

電話

03-4712201 分機 358298

傳真

03-4458233

電子信箱

(空)

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

需具備之專業人才

材料、物理相關背景

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微波吸收材應用開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作,長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用. | 潛力預估: 生產所須機具成本較高

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微波吸收材應用開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作,長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用. | 潛力預估: 生產所須機具成本較高

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人體/人臉掃描量測

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧掃描範圍:高:1900mm,寬:1000mm,深度:850mm。 ‧掃描速度:8秒完成全身掃描。 ‧ 解析度:4mm(垂直),1mm(深度)。 ‧ 樑測精度:1mm。 | 潛力預估: 此技術可以廣泛應用在醫療、美容及服飾相關領域,作為其服務的前端輸入及後端驗證,並可藉此技術建立所需之資料庫,供更多領域應用。目前已經可以作小型輕量化的產品設計,更適合ㄧ般門市商店的科技服務應用。

3D照相機

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 量測面積:360mm * 240mm ‧ 量測精度:±0.15mm ‧ 量測解析度:1.2mm ‧ 取像速度:0.2 sec/frame | 潛力預估: 由於價格極具競爭力,可成為製作客製化商品之廠商(例如雷射內雕、人像雕刻等)之快速建模工具,降低廠商成本負擔。另外可運用於數位典藏,輔助建構擬真模型,可用於虛擬博物館中典藏品展示。

3D模型建構技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧視窗操作介面:平移、放大、縮小及任意視角顯示。 ‧3D資料編輯工具:如資料平滑化、雜訊濾除、破洞填補、細分割、特徵強化等 ‧資料壓縮與重整。 ‧3D資料疊合與整合。 ‧材質整合與編輯:色彩整合、調整... | 潛力預估: 相較於ㄧ般價格昂貴的3D點群處理套裝軟體,TriD提供物超所值的功能,例如可擴充的特徵線處理功能,絕非大型套裝軟體所及,更可針對各產業的需求發展出特有功能,不失為小而美的CAD精品。

可攜式3D掃描器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧量測面積:200mm×200mm~300mm×300mm。 ‧量測精度:±0.1mm。 ‧掃描速度:60lines/sec。 | 潛力預估: 從傳統工業應用到最熱門之3D遊戲、動畫、製作,可攜式3D掃描器應用範圍廣泛,是目前彩色3D量測中最具精確度的系統。尤其多台組合後,可以同步控制作特殊的量測用途。

高速光傳接模組技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧1.25Gigabit Ethernet Transceiver:單模/Output Power>-11dBm.Sensitivity-10dBm.Sensitivity-8dBm.Sensitiv... | 潛力預估: 將可與國際模組廠商作技術競爭並符合國際系統廠商規格同時將參與國際光通訊規格制定。

高速光電元件技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 符合2.5Gigabit Ethernet要求。 ‧ 符合Bellcore 468元件環測要求。 | 潛力預估: 因應將來FTTX時機的到來,會對LD與PIN的市場需求量大增,故應提昇培養技術成熟度與量產的技巧,以符合未來市場或技轉的要求。

摻鉺光纖放大器製作技術 (Erbium-Doped Fiber Amplifier Assembling Technology)

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Operation Wavelength:1530~1560nm. ‧ Input Power:-20dBm*16chs. ‧ Gain:>22Db. ‧ Gain Stability: | 潛力預估: 將開發寬頻光放大器及小型化技術以增加放大頻寬,強化光放大器產業,支援關鍵性技術開發,以發展Metro/Access網路環境技術。

微光機電技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 1x2/2x2 MEMS Switch Insertion Loss:0.8dB max. Switching time | 潛力預估: 具高精密、批量生產及低成本之優勢,為未來製程發展之趨勢。

高速光發射、接收次模組封裝技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Low cost TO-Can Package ‧ Uncooled 1310nm DFB TOSA ‧ 10km transmission ‧ SC/LC receptacle package ... | 潛力預估: 由於TO-Can 封裝為國內光通訊光電元件封裝技術中最成熟之技術,本技術若結合廠商生產能力,將可大幅降低10Gb/s光電元件封裝製作成本。

平面光波導對準封裝技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Single Fiber/Fiber Array Block (FAB) to Waveguide Alignment ‧ Automatic Search and Optimization ‧ ... | 潛力預估: 本技術可快速且精準的完成耦光對準及填膠固化,並可通過環境測試,極具市場潛力。

波長鎖定器製作技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Channel Spacing : 50 or 100 GHz ‧ Center Wavelength : ITU grid (1520nm~1570nm) ‧ Wavelength stabil... | 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時,此元件將為不可或缺之關鍵元件。

高功率Pump雷射耦合器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Center Wavelength : 1480nm ‧ Center Wavelength Range : ±40nm ‧ Insertion Loss : 55dB ‧ Directivity... | 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時,此元件將為不可或缺之關鍵元件。

光纖陣列接頭製作及測試技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Fiber Array Block ‧ FAB Pitch Accuracy ≦ ±0.5 mm ‧ FAB Height Accuracy ≦ ±0.5 mm ‧ Fiber Number: 1, ... | 潛力預估: 以多芯束光纖輸出之光通訊元件封裝為未來趨勢,而光纖陣列接頭為其主要原件,具有不可取代之地位。

非溫控高速雷射技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: FP LD ‧ BW>10Gb/s. ‧ Low threshold6mW(bais at 35mA) ‧ To>85K DFB LD ‧ SMSR>30dB. ‧ BW>10Gb/s ‧ To>... | 潛力預估: 高速非溫控FP LD可廣泛的應用在10Gb Ethernet access端,而DFB雷射則可應用在metro端。由於其不需溫度控制器,使得設置費大幅下降,故有利於市場拓展,此項技術亦為目前市場上積...

1.31/1.49/1.55mm三網合一光傳接模組技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧1.25Gigabit PON Burst modeTransceiver:單模10Km/Output Power>1dBm. Sensitivity2.5dBm. Sensitivity | 潛力預估: 將可以與國際模組廠商作技術競爭,並且符合國際系統廠商規格,同時將參與國際光通訊規格制定。

人體/人臉掃描量測

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧掃描範圍:高:1900mm,寬:1000mm,深度:850mm。 ‧掃描速度:8秒完成全身掃描。 ‧ 解析度:4mm(垂直),1mm(深度)。 ‧ 樑測精度:1mm。 | 潛力預估: 此技術可以廣泛應用在醫療、美容及服飾相關領域,作為其服務的前端輸入及後端驗證,並可藉此技術建立所需之資料庫,供更多領域應用。目前已經可以作小型輕量化的產品設計,更適合ㄧ般門市商店的科技服務應用。

3D照相機

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 量測面積:360mm * 240mm ‧ 量測精度:±0.15mm ‧ 量測解析度:1.2mm ‧ 取像速度:0.2 sec/frame | 潛力預估: 由於價格極具競爭力,可成為製作客製化商品之廠商(例如雷射內雕、人像雕刻等)之快速建模工具,降低廠商成本負擔。另外可運用於數位典藏,輔助建構擬真模型,可用於虛擬博物館中典藏品展示。

3D模型建構技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧視窗操作介面:平移、放大、縮小及任意視角顯示。 ‧3D資料編輯工具:如資料平滑化、雜訊濾除、破洞填補、細分割、特徵強化等 ‧資料壓縮與重整。 ‧3D資料疊合與整合。 ‧材質整合與編輯:色彩整合、調整... | 潛力預估: 相較於ㄧ般價格昂貴的3D點群處理套裝軟體,TriD提供物超所值的功能,例如可擴充的特徵線處理功能,絕非大型套裝軟體所及,更可針對各產業的需求發展出特有功能,不失為小而美的CAD精品。

可攜式3D掃描器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧量測面積:200mm×200mm~300mm×300mm。 ‧量測精度:±0.1mm。 ‧掃描速度:60lines/sec。 | 潛力預估: 從傳統工業應用到最熱門之3D遊戲、動畫、製作,可攜式3D掃描器應用範圍廣泛,是目前彩色3D量測中最具精確度的系統。尤其多台組合後,可以同步控制作特殊的量測用途。

高速光傳接模組技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧1.25Gigabit Ethernet Transceiver:單模/Output Power>-11dBm.Sensitivity-10dBm.Sensitivity-8dBm.Sensitiv... | 潛力預估: 將可與國際模組廠商作技術競爭並符合國際系統廠商規格同時將參與國際光通訊規格制定。

高速光電元件技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 符合2.5Gigabit Ethernet要求。 ‧ 符合Bellcore 468元件環測要求。 | 潛力預估: 因應將來FTTX時機的到來,會對LD與PIN的市場需求量大增,故應提昇培養技術成熟度與量產的技巧,以符合未來市場或技轉的要求。

摻鉺光纖放大器製作技術 (Erbium-Doped Fiber Amplifier Assembling Technology)

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Operation Wavelength:1530~1560nm. ‧ Input Power:-20dBm*16chs. ‧ Gain:>22Db. ‧ Gain Stability: | 潛力預估: 將開發寬頻光放大器及小型化技術以增加放大頻寬,強化光放大器產業,支援關鍵性技術開發,以發展Metro/Access網路環境技術。

微光機電技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 1x2/2x2 MEMS Switch Insertion Loss:0.8dB max. Switching time | 潛力預估: 具高精密、批量生產及低成本之優勢,為未來製程發展之趨勢。

高速光發射、接收次模組封裝技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Low cost TO-Can Package ‧ Uncooled 1310nm DFB TOSA ‧ 10km transmission ‧ SC/LC receptacle package ... | 潛力預估: 由於TO-Can 封裝為國內光通訊光電元件封裝技術中最成熟之技術,本技術若結合廠商生產能力,將可大幅降低10Gb/s光電元件封裝製作成本。

平面光波導對準封裝技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Single Fiber/Fiber Array Block (FAB) to Waveguide Alignment ‧ Automatic Search and Optimization ‧ ... | 潛力預估: 本技術可快速且精準的完成耦光對準及填膠固化,並可通過環境測試,極具市場潛力。

波長鎖定器製作技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Channel Spacing : 50 or 100 GHz ‧ Center Wavelength : ITU grid (1520nm~1570nm) ‧ Wavelength stabil... | 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時,此元件將為不可或缺之關鍵元件。

高功率Pump雷射耦合器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Center Wavelength : 1480nm ‧ Center Wavelength Range : ±40nm ‧ Insertion Loss : 55dB ‧ Directivity... | 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時,此元件將為不可或缺之關鍵元件。

光纖陣列接頭製作及測試技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Fiber Array Block ‧ FAB Pitch Accuracy ≦ ±0.5 mm ‧ FAB Height Accuracy ≦ ±0.5 mm ‧ Fiber Number: 1, ... | 潛力預估: 以多芯束光纖輸出之光通訊元件封裝為未來趨勢,而光纖陣列接頭為其主要原件,具有不可取代之地位。

非溫控高速雷射技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: FP LD ‧ BW>10Gb/s. ‧ Low threshold6mW(bais at 35mA) ‧ To>85K DFB LD ‧ SMSR>30dB. ‧ BW>10Gb/s ‧ To>... | 潛力預估: 高速非溫控FP LD可廣泛的應用在10Gb Ethernet access端,而DFB雷射則可應用在metro端。由於其不需溫度控制器,使得設置費大幅下降,故有利於市場拓展,此項技術亦為目前市場上積...

1.31/1.49/1.55mm三網合一光傳接模組技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧1.25Gigabit PON Burst modeTransceiver:單模10Km/Output Power>1dBm. Sensitivity2.5dBm. Sensitivity | 潛力預估: 將可以與國際模組廠商作技術競爭,並且符合國際系統廠商規格,同時將參與國際光通訊規格制定。

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