鈦鋯合金熔鑄技術
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技術名稱(中文)鈦鋯合金熔鑄技術的執行單位是中科院材料所, 產出年度是93, 計畫名稱是功能性材料應用研究發展四年計畫, 技術規格是非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l), 潛力預估是藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術,可創造年產值新台幣1.5億元。.

序號

450

產出年度

93

技術名稱(中文)

鈦鋯合金熔鑄技術

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

功能性材料應用研究發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述(中文)

塊狀非晶質合金製程技術包括:Ti/Zr塊狀非晶材料的真空熔鑄製程技術及機械合金非晶粉末製程技術及熱壓成形技術。目前已完成3mm厚Zr系非晶合金板材鑄造技術建立,非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)*70mm(l),ΔTx(Tx-Tg)=75K以上,微硬度可達Hv500。

技術現況敘述(英文)

(空)

技術規格

非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l)

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

可應用運動器材、微機電、磁性裝置等相關產品

潛力預估

藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術,可創造年產值新台幣1.5億元。

聯絡人員

鄭榮瑞

電話

03-4712201轉357221

傳真

03-4111334

電子信箱

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參考網址

(空)

所須軟硬體設備

真空熔煉爐

需具備之專業人才

材料、冶金相關背景

與鈦鋯合金熔鑄技術同分類的經濟部技術處–可移轉技術資料集

  1. 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

    執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

  2. 無鉛製程技術資訊平台建立

    執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義)與分析標準(分析方法與可靠度驗證)等,說明建立標準之過程與何以定義這些標準之方法與根據,最後將可優先提供國內廠商認證服務。所有包含銲錫接點之電子類產品(資訊、通訊、消費性、家電)皆有必要進行無鉛之認證,範圍與市場之大,透過共同合作訂立標準測試方法,建立無鉛產品驗證標準並進而執行認證工作。 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、桌上型電腦,筆記型電腦、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊家電產品等等,影響非常之大。也因為如此,相關市場規模與潛力之大無庸置疑。誰能儘早準備就緒,提高自身競爭力,誰就能掌握市場先機,增加增取訂單之籌碼。

  3. 基板內藏元件整合設計與模型庫技術

    執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38; embedded into BT or other Substrate)與壓合製程驗證;2.4GHz 內藏被動元件的射頻模組為載具之設計量測驗證 ;內藏被動元件高頻模型與模型程式庫建立. | 潛力預估: 資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據評估統計無論是手機或是單晶片的藍芽模組等射頻模組,其被動元件數量約佔系統全部元件的75%以上;將為數眾多之被動元件整合在印刷電路板(PCB)中,藉以大幅提升印刷電路板之密度,深具市場應用潛力。

  4. 射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

    執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specification Tolerance_x000D_ Embedded inductor 1nH ~27nH | 潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高密度封裝整合之一有效技術及必然趨勢。應用傳統PCB整合高介電係數基板來內藏被動元件,可以達到在同一基板上整合一般射頻模組及數位系統,可提昇傳統PCB產業之附加價值與競爭力。

  5. 3D基板式堆疊構裝技術

    執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Package的效益。

  6. 迴路型熱管散熱技術

    執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

  7. 無鉛製程技術

    執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊家電產品等,影響非常之大。相關市場規模與潛力之大無庸置疑。誰能儘早準備就緒,提高自身競爭力,誰就能掌握市場先機,增加增取訂單之籌碼。

  8. 增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

    執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or 8" Si wafer_x000D_;Design: Fan-i | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應力緩衝層(2nd compliant layer)則主要用作應力緩衝,其厚度亦較1st compliant layer為厚。此架構可有效釋放因FR4基板與晶片間,因熱膨係數之差異(CTE mismatch)造成之應力,從而提升模組組裝後之可靠性。

  9. 銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

    執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni/Au | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內下游相關業者 ,目前尚未有明顯因應之道。 值此以銅代鋁的關鍵時刻,電光所構裝技術組發展以銅代鋁的銅晶片構裝技術,以銅為導體,可減少訊號延遲、降低electro-migration產生、增加構裝密度,並提高積體電路整體的速度,是未來構裝產業需投注高度研究的技術。

  10. 銅晶片打線接合構裝技術

    執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同 | 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond quality 經HTS Reliability驗證_x000D_

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