高介電塗層噴覆製作技術
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技術名稱-中文高介電塗層噴覆製作技術的執行單位是中科院材料所, 產出年度是93, 計畫名稱是功能性材料應用研究發展四年計畫, 技術規格是下電極為TFT生產設備中重要之零組件,需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性,並需能耐酸之腐蝕,以往下電極板表層僅以陽極處理,使用壽命僅有三個月,文獻顯示,若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁,壽命將可達一年以上。, 潛力預估是完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。.

序號453
產出年度93
技術名稱-中文高介電塗層噴覆製作技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱功能性材料應用研究發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文建立高介電塗層噴覆技術,目前已完成TFT-LCD製程設備不電極板製作開發,除光電產業外,未來可應用於通訊業,半導體、生醫材料、航空材料等產業,更可配合開發高附加價值之產品,可協助國內業界達成材料自主化之目標。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格下電極為TFT生產設備中重要之零組件,需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性,並需能耐酸之腐蝕,以往下電極板表層僅以陽極處理,使用壽命僅有三個月,文獻顯示,若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁,壽命將可達一年以上。
技術成熟度試量產
可應用範圍光電產業、半導體產業、紡織業、鋼鐵業、運動器材、生醫材料、噴覆業及特殊加工機具之用。
潛力預估完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。
聯絡人員楊振
電話03-4712201轉357050
傳真03-4111334
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備電漿噴覆系統
需具備之專業人才材料、機械相關背景

序號

453

產出年度

93

技術名稱-中文

高介電塗層噴覆製作技術

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

功能性材料應用研究發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

建立高介電塗層噴覆技術,目前已完成TFT-LCD製程設備不電極板製作開發,除光電產業外,未來可應用於通訊業,半導體、生醫材料、航空材料等產業,更可配合開發高附加價值之產品,可協助國內業界達成材料自主化之目標。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

下電極為TFT生產設備中重要之零組件,需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性,並需能耐酸之腐蝕,以往下電極板表層僅以陽極處理,使用壽命僅有三個月,文獻顯示,若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁,壽命將可達一年以上。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

光電產業、半導體產業、紡織業、鋼鐵業、運動器材、生醫材料、噴覆業及特殊加工機具之用。

潛力預估

完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。

聯絡人員

楊振

電話

03-4712201轉357050

傳真

03-4111334

電子信箱

(空)

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

電漿噴覆系統

需具備之專業人才

材料、機械相關背景

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真空電漿噴覆技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結,結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。

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真空電漿噴覆技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結,結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。

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儲存系統整合技術

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執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 符合ATSC標準之地面廣播電視機與機上盒

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多重標準視音訊解碼晶片設計技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MPEG2/4視音訊標準 | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場淺力

DVB-T Set-Top-Box 系統技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 具Embedded Liux | 潛力預估: 符合DVB標準

Digital Home共通應用程式介面研發

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H.264視訊編解碼系統

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術符合視訊壓縮標準ITU-T Rec. H.264 Baseline Profile Level 1.3 | 潛力預估: 根據工研院IEK (2004.10)的資料,2003年全球MPEG IC的產值為1,838百萬美元,而到2007年,由於數位電視產業的興起,使得整體MPEG IC產值高達3,149百萬美元,其中MPE...

支援多重輸入輸出之智慧型無線模式交換器

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 符合不同無線通訊系統之介面規格。 | 潛力預估: 預期藉由多模產品的多樣性,可擴大系統廠商的客層,並藉由可重置系統降低硬體成本,預期可大幅提升廠商的獲利空間。

光通道性能監視新技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 多波道WDM訊號量測, OSNR監視模組可量動態範圍約5~35dB,誤差值在0.5dB以內。 | 潛力預估: 本技術可用來協助國內 光通訊系統廠商, 測試儀器廠及建立”光通道性能監控量測模組”或運用於光通量測儀器設計, 並可協助元件廠商提昇光元件檢測的品質指標。

AiP (Antenna in Package) 技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 天線模組尺寸小於20 × 20 × 3 mm3,天線頻寬於2.4 GHz達到70 MHz。 | 潛力預估: 小型化無線區域網路Dongle卡、高整合度之完整前端模組設計

多頻帶車用系統天線技術

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螺旋字串比對法/字元間距分群法

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 字串比對技術 | 潛力預估: 可套用至廠商原有產品之內,提昇系統效能以提高產品競爭力

錄音語料庫壓縮合成技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 壓縮位元率1200 bps。 | 潛力預估: 在產值達新台幣40億電子字典產業上,可提升電子字典IC產業單晶片系統( SOC)的發展。

儲存系統整合技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: iSCSI介面、SATA磁碟陣列、Volume Management | 潛力預估: 有潛力

TCP/IP協定卸載引擎IP

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1Gbps Ethernet TCP/IP offloading | 潛力預估: 非常有潛力

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執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: Channel bandwidth: 6, 7, 8 MHz; External 10-bit A/D; Automatic transmission parameter detection; AFC... | 潛力預估: 可搶攻DVB-T/DTV市場,極具市場潛力

ATSC/8-VSB Demodulator & FEC設計技術

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多重標準視音訊解碼晶片設計技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MPEG2/4視音訊標準 | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場淺力

DVB-T Set-Top-Box 系統技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 具Embedded Liux | 潛力預估: 符合DVB標準

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光通道性能監視新技術

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螺旋字串比對法/字元間距分群法

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執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 壓縮位元率1200 bps。 | 潛力預估: 在產值達新台幣40億電子字典產業上,可提升電子字典IC產業單晶片系統( SOC)的發展。

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