奈米銀微粒溶膠製程與應用技術開發
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文奈米銀微粒溶膠製程與應用技術開發的執行單位是中科院化學所, 產出年度是93, 計畫名稱是功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫, 技術規格是建立50公升批式先導工廠產能，經離心過濾與乾燥製備奈米銀微粉，配合矽烷偶合劑開發各式材料鍍膜技術，奈米銀微粒塗佈在無光照環境以(NH4)m－1(Ag)n(OH)m＋n－1＋1銀錯離子殺菌，殺菌能力較Ag＋1銀離子強，有光照時利用光觸媒產生還原作用，將銀錯離子或銀離子還原於光觸梅表面，並產生(‧OH)..., 潛力預估是約新台幣1.0億元/年.

序號	592
產出年度	93
技術名稱-中文	奈米銀微粒溶膠製程與應用技術開發
執行單位	中科院化學所
產出單位	(空)
計畫名稱	功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	採用奈米光觸媒溶膠與AgNO3溶液進行光還原反應，得奈米銀微粒溶膠，其結構為TiO2 Anatase－核/Ag－殼奈米微粒，塗佈於材料表面，於空氣中抗菌能力較純奈米銀強1000倍
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	建立50公升批式先導工廠產能，經離心過濾與乾燥製備奈米銀微粉，配合矽烷偶合劑開發各式材料鍍膜技術，奈米銀微粒塗佈在無光照環境以(NH4)m－1(Ag)n(OH)m＋n－1＋1銀錯離子殺菌，殺菌能力較Ag＋1銀離子強，有光照時利用光觸媒產生還原作用，將銀錯離子或銀離子還原於光觸梅表面，並產生(‧OH)氫氧自由基殺菌，故具有長效抗菌能力
技術成熟度	試量產
可應用範圍	應用於玻璃、陶瓷、金屬、塑膠及紙製品鍍膜，具抗菌能力，目前加工於鞋墊具除臭功效，加工於空氣濾網，具殺菌空氣清淨之能力
潛力預估	約新台幣1.0億元/年
聯絡人員	王偉洪
電話	(03)4458267
傳真	(03)4719940
電子信箱	lcc36@tsrp.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	奈米銀微粒溶膠製備設備，塗佈設備
需具備之專業人才	化學、化工及微生物等

序號

592

產出年度

技術名稱-中文

奈米銀微粒溶膠製程與應用技術開發

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

採用奈米光觸媒溶膠與AgNO3溶液進行光還原反應，得奈米銀微粒溶膠，其結構為TiO2 Anatase－核/Ag－殼奈米微粒，塗佈於材料表面，於空氣中抗菌能力較純奈米銀強1000倍

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

建立50公升批式先導工廠產能，經離心過濾與乾燥製備奈米銀微粉，配合矽烷偶合劑開發各式材料鍍膜技術，奈米銀微粒塗佈在無光照環境以(NH4)m－1(Ag)n(OH)m＋n－1＋1銀錯離子殺菌，殺菌能力較Ag＋1銀離子強，有光照時利用光觸媒產生還原作用，將銀錯離子或銀離子還原於光觸梅表面，並產生(‧OH)氫氧自由基殺菌，故具有長效抗菌能力

技術成熟度

試量產

可應用範圍

應用於玻璃、陶瓷、金屬、塑膠及紙製品鍍膜，具抗菌能力，目前加工於鞋墊具除臭功效，加工於空氣濾網，具殺菌空氣清淨之能力

潛力預估

約新台幣1.0億元/年

聯絡人員

王偉洪

電話

(03)4458267

傳真

(03)4719940

電子信箱

lcc36@tsrp.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

奈米銀微粒溶膠製備設備，塗佈設備

需具備之專業人才

化學、化工及微生物等

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TiO2 Anatase溶膠鍍膜應用技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍍膜空氣中有機物分解能力：乙酸丁酯分解能力0.1～1.0μg / min.×W×cm2 \| 潛力預估: 應用於玻璃、陶瓷、金屬、塑膠及紙製品光觸媒鍍膜產品開發，具親水性、自潔性及抗菌能力，用於環境、空氣及水質品質改 @ 技術司可移轉技術資料集
液晶混成溶膠技術開發－電子窗簾試製	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小～1μm，電子窗簾元件具有控制透明度之功能，經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)＞30%，耐用性＞10,000 cycle \| 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年 @ 技術司可移轉技術資料集
酸性TiO2 Anatase溶膠應用技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍍膜空氣中有機物分解能力：乙酸丁酯分解能力0.1～1.0μg/min.×W ×cm2；鍍膜品質：1.附?性：膠帶實驗不脫落；2.硬度≧H；3.耐刮力≧100g。 \| 潛力預估: 約新台幣30億元/年。 @ 技術司可移轉技術資料集
電激光液晶混成溶膠技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小～1μm，電子窗簾元件具有控制透明度之功能，經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)＞30%，耐用性＞10,000 cycle。 \| 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年。 @ 技術司可移轉技術資料集
合成纖維光觸媒鍍膜技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光觸媒鍍膜合成纖維經切短與靜電劑加工，於窗簾布進行靜電植絨製得光觸媒鍍膜植絨窗簾布，光觸媒空氣清淨能力較以往光觸媒鍍膜窗簾布強10倍。 \| 潛力預估: 光觸媒鍍膜合成纖維用於光觸媒鍍膜植絨窗簾布，以200NT$/m2為單價，預估市場需求約105 m2，年產值約兩千萬元。若用於衣著紡織品，年產值約三千萬元。 @ 技術司可移轉技術資料集
奈米多孔箔材料結構控制技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米多孔箔材料孔洞結構鑑測控制，孔洞孔徑範圍2nm ~ 300nm \| 潛力預估: 奈米多孔鋁箔，為製作鋁電容器的主要材料，普遍應用於消費性電子產品。目前多孔鋁箔大部份由國外進口，提昇多孔鋁箔研製品質技術，可降低產業對國外的依存度，增進產品的國際市場競爭力。 @ 技術司可移轉技術資料集
奈米多孔箔材料結構控制技術精進	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米多孔箔材料孔洞結構鑑測控制，孔洞孔徑範圍2nm ~ 300nm。 \| 潛力預估: 奈米多孔鋁箔，為製作鋁電容器的主要材料，普遍應用於消費性電子產品。目前多孔鋁箔大部份由國外進口，提昇多孔鋁箔研製品質技術，可降低產業對國外的依存度，增進產品的國際市場競爭力。 @ 技術司可移轉技術資料集
玻璃抗反射鍍膜技術精進	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 此奈米SiO2溶膠，鍍膜溫度需在20℃，鍍膜燒結溫度450～550℃，鍍膜耐刮力可達500g。 \| 潛力預估: 目前抗反射鍍膜玻璃用於櫥窗玻璃與平面顯視器，其中平面顯視器面板表面加裝之抗反射玻璃，市場潛力大預估產值可達10億元/年。 @ 技術司可移轉技術資料集

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維修自動檢測技術	執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 系統產品為圖形化介面，包含 (1)具流程步驟指引與知識管理之系統架構 (2)快速e化失效排除與修復流程整合 (3)配合不同系統應用需求可模組擴充 (4)前端具行動通訊與維修輔助功能 (5)資訊傳輸符合... \| 潛力預估: 提高航機維修及其延伸應用之維修效率，極具市場潛力。
機艙服務電腦開發	執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 航電系統技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)可攜觸控式平板電腦 (2)802.11b 無線網路 (3)視訊攝影機 / 麥克風 (4)血氧濃度（血氧值量測範圍 : 60~70% \| 潛力預估: 航空公司之航空服務，且相關技術亦可應用於地面遠距醫療系統設計開發。
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微感測元件製程開發技術	執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.六道光罩及八道光罩設計 2.元件尺寸皆＜5mm×5mm 3.SMART標準製程 \| 潛力預估: 具備低成本、小尺寸、構型簡單、較高靈敏度之功能。極具市場潛力。
微粒子取樣技術	執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 系統工程整合應用技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (l)取樣流量50~500L/min (2)蒐集粒徑1~10μml (3)尺寸大小15×15×15cm \| 潛力預估: 微粒子取樣應用於目前各項精密產業，應用範圍廣市場潛力大。
微型電容式超音波換能器結構設計分析與特性模擬	執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 航機結構與關鍵系統件技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 利用分析機電耦合特性及等效電路模型，設計參數化模擬分析資料庫，可經由元件薄膜以下特性的最佳化表現找出包含材料機械性質、直流偏壓、交流訊號、結構尺寸與製程預應力等最佳設計參數：（1）最大位移（2）等效機... \| 潛力預估: 此項結構分析最佳化設計可降低產品研發成本與提升構型性能，極具競爭潛力。
WLAN SOC 技術	執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Clock 40MHz, Data Rate 6, 9, 12, 18, 24, 36, 48, or 54 Mbps 2. Customize MAC layer Interface 3. C... \| 潛力預估: 可與 SOC 整合，有更多獲利空間
Optical Electronics SOC-PMD&PMA 技術	執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Laser driver：10-100mA bias moudlation TIA：-15dBm sensitivity, 8GHz BW LA：230mV limiting BER \| 潛力預估: 國內自製之晶片在10Gbps處於高獲利期即佔有市場
HD-DVD SOC技術	執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Group delay variation \| 潛力預估: 國內尚未有廠商開發成功，且藍光光碟機尚未普及，現在投入可及早佔有市場，提昇競爭力
DTV RF Tuner IC技術	執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Frequency Range：50~860MHz Input Resistance：75Ohm Min. Input power：-80dBm Max. Input power：-20dBm Tot... \| 潛力預估: 國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner，藉由掌握此關鍵技術，可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能，並由顧採用的是CMOS技術，因此可降低IC設...
DSP Architecture&RTL Design技術	執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Process (Hard IP demo design) : 130 nm – Generic logic process Architecture : Scalar + 4-way VLIW Da... \| 潛力預估: 提昇國內關鍵元組件的技術能力與自製率
PAC Architecture&Integration技術	執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Asymmetric dual core architecture 2.Three-layer AHB bus structure (Basic) 3.Flexible and scalable... \| 潛力預估: 1. Low-power SoC Platform for portable applications 2. Bi-product: DVFS low-power design solution pa...
Low Power Design Methodology&Environment 技術	執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Design Methodology：Multi-Vth,Multi-VDD,DVFS Design, Implementation,and Verification Methodology 2.... \| 潛力預估: 廣泛應用於可攜式電子產品SoC，將大幅提升國內IC廠商產品在國際市場之競爭力
Low Power Circuit Design技術	執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... \| 潛力預估: 可應用於各種時脈產生，及數位濾波器，及資料暫存設計
高密度通道光譜影像量測技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm \| 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足，但製程良率偏低，且檢測速度遠不及產出率，需求快速光譜檢測新一代技術，本技術可直接針對此需求提供服務。