LTPS TFT Display相關電路設計技術
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技術名稱-中文LTPS TFT Display相關電路設計技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 技術規格是開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等), 潛力預估是以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區複雜多元之今日,其市場價值明顯可見。.

序號635
產出年度93
技術名稱-中文LTPS TFT Display相關電路設計技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文開發LTPS DAC/Scan Driver/Controller設計技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等)
技術成熟度其他
可應用範圍攜帶型電子顯示裝置
潛力預估以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區複雜多元之今日,其市場價值明顯可見。
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才具備顯示器零組件支相關經驗
同步更新日期2023-07-22

序號

635

產出年度

93

技術名稱-中文

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

開發LTPS DAC/Scan Driver/Controller設計技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等)

技術成熟度

其他

可應用範圍

攜帶型電子顯示裝置

潛力預估

以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區複雜多元之今日,其市場價值明顯可見。

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

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(空)

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wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備

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需具備之專業人才

具備顯示器零組件支相關經驗

同步更新日期

2023-07-22

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# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號972
產出年度94
技術名稱-中文4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源,開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV之背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 972
產出年度: 94
技術名稱-中文: 4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源,開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV之背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
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需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號973
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板,以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture ratio: 30%;Brightness:> 100 nits;Gray level:4 bits;Top emission AMOLED;Strong light readable
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
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需具備之專業人才電子相關背景
序號: 973
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板,以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture ratio: 30%;Brightness:> 100 nits;Gray level:4 bits;Top emission AMOLED;Strong light readable
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力
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# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號974
產出年度94
技術名稱-中文輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於TFT液晶顯示技術已相當成熟,各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板,再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度雛型
可應用範圍(空)
潛力預估可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力
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所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 974
產出年度: 94
技術名稱-中文: 輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 由於TFT液晶顯示技術已相當成熟,各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板,再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (空)
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: (空)
潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
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需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號975
產出年度94
技術名稱-中文20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Size:20”;均勻度
技術成熟度雛型
可應用範圍戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 975
產出年度: 94
技術名稱-中文: 20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Size:20”;均勻度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
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# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號976
產出年度94
技術名稱-中文CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文(空)
技術規格20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV等背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 976
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV等背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號977
產出年度94
技術名稱-中文CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度雛型
可應用範圍自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
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參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 977
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號978
產出年度94
技術名稱-中文10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術,開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術,具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度雛型
可應用範圍車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 978
產出年度: 94
技術名稱-中文: 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術,開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術,具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
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參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號979
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30%_x000D_;Brightness:> 300 nits;Gray level:4 bits;Vth compensation circuit
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器。_x000D_
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 979
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30%_x000D_;Brightness:> 300 nits;Gray level:4 bits;Vth compensation circuit
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器。_x000D_
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力
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與LTPS TFT Display相關電路設計技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

高分子奈微米結構成型技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: feature size between 200-300nm,deviation | 潛力預估: 在高容量光儲存媒體上到2008年具有十億美金的市場,微光學元件與平面顯示器光學模組

高結晶性PE於PPTC之應用技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.合成HDPE材料10Kg或同等級商品規格(混練後Delta H需達165 J/g) 2.押出平板(12*12 cm)* 5 m與金屬片貼合技術之建立,所試作之元件其PTC值大於3.5 | 潛力預估: 美金五億產值

介孔二氧化矽表面改質技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 比表面積:151~661m2/g,孔徑:4.6~8.2nm | 潛力預估: 本計畫將改質的介孔二氧化矽作為軟板(Polyimides)的填充材料,使得高頻通訊用軟板的介電常數值小於2.8(測試頻率為1MHz),且其介電常數值可藉由低介電填充材料的添加量加以控制,此結果優於美國...

透濕防水TPU樹脂合成技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 樹脂之延伸率:500%、耐水壓:8000 mmH2O、透濕度:6000 g/m2/D。 | 潛力預估: 本技術所開發的透濕防水TPU材料,兼具環保、技術升級與自主性之特色,連結上(樹脂廠)/中(薄膜加工廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力,加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用,預估可促進投...

抗靜電織物應用技術開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 織物之表面電阻可達到2.0x108W/cm2,。水洗染色堅牢度可達4至5級。 | 潛力預估: 本技術所開發的新型抗靜電效果之織物,兼具環保、技術升級與自主性之特色,連結上(樹脂廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力,加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用開發,預估可具有7億元以上之市...

液晶純化試製技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 純化後阻值> 1.0 x 1013Ωcm | 潛力預估: 在液晶顯示器的製作上,對於液晶的純度要求相當高,所以極易因微量的污染而廢棄。然液晶為高單價特用化學品,因此、廢棄液晶的回收純化再利用是液晶產業重要的關鍵技術。工研院化工所目前已建立液晶不純物分析技術與...

製程整合分析技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.具備製程超結構最適化分析方法 2.在儘量不更動製程核心單元的情況下,達到製程減廢、節水及省能等目標 | 潛力預估: 利績市場為化學工廠的熱整合分析及汽電共生廠最佳化分析

微粒化分散技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 利用此技術已成功製備出與球磨法相同等級之氧化鋁漿料,並且減少溶劑消耗達50%以上。再者,由於製程效率高,氧化鋁漿料置備時程由原先之48小時大幅縮減至12小時以內,收率亦因無漿料附著於研磨介質上之因素而... | 潛力預估: 利績市場為陶瓷積板及陶瓷電容器製程

先進製程控制系統資訊整合平臺核心應用模組

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: APCSuite系統資訊整合平台包括APC基礎核心技術與應用函數模組(APCSuite-kernel)、線上即時統計製程管制監控應用技術模組(SPCXpert,rt-SPC)、即時製程/設備變數監視應... | 潛力預估: APCSuite 為整合性APC解決方案,可應用於製程與設備操作狀態的即時管理,有助於安全、穩定與高效率的操作生產,提升產業競爭力

ERIC應變技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.ERIC提供緊急聯絡電話(0800-055119)列於物質安全資料表中之緊急聯絡電話欄中,但僅限於說明該化學品洩漏、火災或人員中毒時使用;2. ERIC至少四位人員組成二十四小時待命諮詢(於67館... | 潛力預估: 成立國內化災緊急應變諮詢中心,並結合相關危害性化學物質運作廠址與業界,於會員廠設立支援應變隊,並給予會員廠每廠定期應變處理訓練,建置協助災害應變處理能量。儲備應變諮詢專家群,提供專業處理方式

風險評估技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.後果分析的主要目的係在找出設備失效後危害物的洩漏狀況(瞬間或連續)、其後續的演化過程(火災、爆炸、毒氣外洩)、可能對人員、設備所造成之危害及其影響範圍 2.一般後果分析必須運用許多不同的數學模式來... | 潛力預估: 因應開發案的環境影響評估要求,此技術可提供其安全性評估的量化指標 ,因此除了配合業界進行量化風險評估外,並擁有廣大新興開發案件安全性評估的市場

廢電池回收處理技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可回收鐵、錳、鋅等金屬,回收率約為80﹪ | 潛力預估: 電池/環保…等相關產業皆可應用

支撐式液態膜分離系統

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 金屬選擇率達99%以上,金屬回收率達85%以上 | 潛力預估: 電子/電鍍產業之線上回收,環保產業有價金屬回收皆可應用

微量有機物質去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: TOC≦0.6 ppb, total SiO2≦1ppb, partiale≦1counts/ml, bacteria<1cfu/ml, ion | 潛力預估: 透過專利技術授權扶植國內水處理廠商,提升其能力,進而切入超純水系統設計與施工之廣大市場

含乙烯基矽氧烷主鏈劑合成

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 乙烯基:0.01~1.1mmole/g,粘度:0.001~4.0kp(25℃),比重:0.7~1.1,揮發度:<2%,顏色:透明 | 潛力預估: LSR可取代HTV,節省人工、可大量生產,隨著汽車安全氣囊之發展,市場潛力很大

高分子奈微米結構成型技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: feature size between 200-300nm,deviation | 潛力預估: 在高容量光儲存媒體上到2008年具有十億美金的市場,微光學元件與平面顯示器光學模組

高結晶性PE於PPTC之應用技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.合成HDPE材料10Kg或同等級商品規格(混練後Delta H需達165 J/g) 2.押出平板(12*12 cm)* 5 m與金屬片貼合技術之建立,所試作之元件其PTC值大於3.5 | 潛力預估: 美金五億產值

介孔二氧化矽表面改質技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 比表面積:151~661m2/g,孔徑:4.6~8.2nm | 潛力預估: 本計畫將改質的介孔二氧化矽作為軟板(Polyimides)的填充材料,使得高頻通訊用軟板的介電常數值小於2.8(測試頻率為1MHz),且其介電常數值可藉由低介電填充材料的添加量加以控制,此結果優於美國...

透濕防水TPU樹脂合成技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 樹脂之延伸率:500%、耐水壓:8000 mmH2O、透濕度:6000 g/m2/D。 | 潛力預估: 本技術所開發的透濕防水TPU材料,兼具環保、技術升級與自主性之特色,連結上(樹脂廠)/中(薄膜加工廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力,加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用,預估可促進投...

抗靜電織物應用技術開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 織物之表面電阻可達到2.0x108W/cm2,。水洗染色堅牢度可達4至5級。 | 潛力預估: 本技術所開發的新型抗靜電效果之織物,兼具環保、技術升級與自主性之特色,連結上(樹脂廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力,加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用開發,預估可具有7億元以上之市...

液晶純化試製技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 純化後阻值> 1.0 x 1013Ωcm | 潛力預估: 在液晶顯示器的製作上,對於液晶的純度要求相當高,所以極易因微量的污染而廢棄。然液晶為高單價特用化學品,因此、廢棄液晶的回收純化再利用是液晶產業重要的關鍵技術。工研院化工所目前已建立液晶不純物分析技術與...

製程整合分析技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.具備製程超結構最適化分析方法 2.在儘量不更動製程核心單元的情況下,達到製程減廢、節水及省能等目標 | 潛力預估: 利績市場為化學工廠的熱整合分析及汽電共生廠最佳化分析

微粒化分散技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 利用此技術已成功製備出與球磨法相同等級之氧化鋁漿料,並且減少溶劑消耗達50%以上。再者,由於製程效率高,氧化鋁漿料置備時程由原先之48小時大幅縮減至12小時以內,收率亦因無漿料附著於研磨介質上之因素而... | 潛力預估: 利績市場為陶瓷積板及陶瓷電容器製程

先進製程控制系統資訊整合平臺核心應用模組

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: APCSuite系統資訊整合平台包括APC基礎核心技術與應用函數模組(APCSuite-kernel)、線上即時統計製程管制監控應用技術模組(SPCXpert,rt-SPC)、即時製程/設備變數監視應... | 潛力預估: APCSuite 為整合性APC解決方案,可應用於製程與設備操作狀態的即時管理,有助於安全、穩定與高效率的操作生產,提升產業競爭力

ERIC應變技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.ERIC提供緊急聯絡電話(0800-055119)列於物質安全資料表中之緊急聯絡電話欄中,但僅限於說明該化學品洩漏、火災或人員中毒時使用;2. ERIC至少四位人員組成二十四小時待命諮詢(於67館... | 潛力預估: 成立國內化災緊急應變諮詢中心,並結合相關危害性化學物質運作廠址與業界,於會員廠設立支援應變隊,並給予會員廠每廠定期應變處理訓練,建置協助災害應變處理能量。儲備應變諮詢專家群,提供專業處理方式

風險評估技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.後果分析的主要目的係在找出設備失效後危害物的洩漏狀況(瞬間或連續)、其後續的演化過程(火災、爆炸、毒氣外洩)、可能對人員、設備所造成之危害及其影響範圍 2.一般後果分析必須運用許多不同的數學模式來... | 潛力預估: 因應開發案的環境影響評估要求,此技術可提供其安全性評估的量化指標 ,因此除了配合業界進行量化風險評估外,並擁有廣大新興開發案件安全性評估的市場

廢電池回收處理技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可回收鐵、錳、鋅等金屬,回收率約為80﹪ | 潛力預估: 電池/環保…等相關產業皆可應用

支撐式液態膜分離系統

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 金屬選擇率達99%以上,金屬回收率達85%以上 | 潛力預估: 電子/電鍍產業之線上回收,環保產業有價金屬回收皆可應用

微量有機物質去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: TOC≦0.6 ppb, total SiO2≦1ppb, partiale≦1counts/ml, bacteria<1cfu/ml, ion | 潛力預估: 透過專利技術授權扶植國內水處理廠商,提升其能力,進而切入超純水系統設計與施工之廣大市場

含乙烯基矽氧烷主鏈劑合成

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 乙烯基:0.01~1.1mmole/g,粘度:0.001~4.0kp(25℃),比重:0.7~1.1,揮發度:<2%,顏色:透明 | 潛力預估: LSR可取代HTV,節省人工、可大量生產,隨著汽車安全氣囊之發展,市場潛力很大

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