10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 技術規格是10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm, 潛力預估是有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力.

序號650
產出年度93
技術名稱-中文10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術,開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術,具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm
技術成熟度雛型
可應用範圍車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等
潛力預估有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備電子、材料相關背景
需具備之專業人才電子、材料相關背景
同步更新日期2023-07-22

序號

650

產出年度

93

技術名稱-中文

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術,開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術,具有高解析度及高亮度的特點。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm

技術成熟度

雛型

可應用範圍

車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等

潛力預估

有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

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電子、材料相關背景

需具備之專業人才

電子、材料相關背景

同步更新日期

2023-07-22

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# 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號978
產出年度94
技術名稱-中文10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術,開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術,具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度雛型
可應用範圍車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 978
產出年度: 94
技術名稱-中文: 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術,開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術,具有高解析度及高亮度的特點。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.
潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
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參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
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# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號972
產出年度94
技術名稱-中文4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源,開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV之背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
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序號: 972
產出年度: 94
技術名稱-中文: 4"10"20" 奈米碳管背光技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程,並結合奈米碳管的電子源,開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV之背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
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# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號973
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板,以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture ratio: 30%;Brightness:> 100 nits;Gray level:4 bits;Top emission AMOLED;Strong light readable
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
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所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 973
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板,以達到低成本之目標。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture ratio: 30%;Brightness:> 100 nits;Gray level:4 bits;Top emission AMOLED;Strong light readable
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
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# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號974
產出年度94
技術名稱-中文輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於TFT液晶顯示技術已相當成熟,各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板,再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(空)
技術成熟度雛型
可應用範圍(空)
潛力預估可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
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所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 974
產出年度: 94
技術名稱-中文: 輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 由於TFT液晶顯示技術已相當成熟,各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板,再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (空)
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: (空)
潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
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需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號975
產出年度94
技術名稱-中文20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Size:20”;均勻度
技術成熟度雛型
可應用範圍戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 975
產出年度: 94
技術名稱-中文: 20吋奈米碳管場發射顯示技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Size:20”;均勻度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 戶外資訊顯示,車用顯示器
潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
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參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號976
產出年度94
技術名稱-中文CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文(空)
技術規格20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度
技術成熟度雛型
可應用範圍LCD-TV等背光源
潛力預估可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 976
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-BLU技術商品化規格驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: LCD-TV等背光源
潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號977
產出年度94
技術名稱-中文CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度雛型
可應用範圍自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 977
產出年度: 94
技術名稱-中文: CNT-FED/CNT-BLU材料驗證
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)
潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-5913551 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號979
產出年度94
技術名稱-中文LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文(空)
技術規格10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30%_x000D_;Brightness:> 300 nits;Gray level:4 bits;Vth compensation circuit
技術成熟度雛型
可應用範圍車用型顯示器。_x000D_
潛力預估可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真03-5820046
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 979
產出年度: 94
技術名稱-中文: LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 10“ LTPS AMOLED模組設計
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30%_x000D_;Brightness:> 300 nits;Gray level:4 bits;Vth compensation circuit
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 車用型顯示器。_x000D_
潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力
聯絡人員: 謝旺廷
電話: 03-5913551
傳真: 03-5820046
電子信箱: wthsieh@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j
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與10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

廢電池回收處理技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可回收鐵、錳、鋅等金屬,回收率約為80﹪ | 潛力預估: 電池/環保…等相關產業皆可應用

支撐式液態膜分離系統

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 金屬選擇率達99%以上,金屬回收率達85%以上 | 潛力預估: 電子/電鍍產業之線上回收,環保產業有價金屬回收皆可應用

微量有機物質去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: TOC≦0.6 ppb, total SiO2≦1ppb, partiale≦1counts/ml, bacteria<1cfu/ml, ion | 潛力預估: 透過專利技術授權扶植國內水處理廠商,提升其能力,進而切入超純水系統設計與施工之廣大市場

含乙烯基矽氧烷主鏈劑合成

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 乙烯基:0.01~1.1mmole/g,粘度:0.001~4.0kp(25℃),比重:0.7~1.1,揮發度:<2%,顏色:透明 | 潛力預估: LSR可取代HTV,節省人工、可大量生產,隨著汽車安全氣囊之發展,市場潛力很大

透明功能性導電樹脂研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率:大於70%(at 550nm),表面電阻:104~109Ω/sq | 潛力預估: 因應EMI管制措施等,市場年成長率可達34%

SEBS based之低煙無鹵耐燃級TPR材料性能評估

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、LOI > 28、煙濃度Dm < 300、Tb > 50 (kg/cm2)、Eb > 300 (%)、HS < 90 (Shore A)、MFI < 30 ( g/10min... | 潛力預估: 熱可塑性彈性體(TPR)為新興高分子合成材料,年成長率6-7%,以大陸用量20萬噸,將快速攀升至45萬噸,環保型難燃TPR為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限

無鹵難燃熱熔膠研製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg) > 80℃、軟化點 > 150℃、黏度(180℃) 8000 ~ 11500 mPas、接著剪斷強度(25℃) > 2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-1... | 潛力預估: 熱熔膠年產值約36100公噸,其中難燃級佔5%,年成長率6-7%,環保型熱熔膠為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限

三聚氰胺衍生物包覆聚磷酸銨研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 磷含量30-31%,聚合度n>1000 | 潛力預估: 高磷含量的無機磷化物在適當相容性材質具高使用價值,以自製三聚氰胺衍生物應用於包覆,可提升產品應用範圍與增加其效益

鄰苯酚膦化反應技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 產品磷含量>10%,酸價<0.1% | 潛力預估: 應用本技術可衍生開發新型難燃劑,或新型雙功能抗氧化劑,配合環保法規,商機無限

高分子型催化劑合成與分析

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 分子量:約1000g/mole,分布度:<3.0 | 潛力預估: 高分子型催化劑合成技術大大提高矽酮高分子合成之穩定性及再現性,預期將取代一般催化劑之使用

活性碳指示劑製程應用技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 指示劑PH變色範圍:3.0 ~ 4.6 | 潛力預估: 半導體製程所排放之蝕刻氣體中主要為廢酸,以此作為過濾槽穿透功能驗證之市場需求很大

TiO2 Anatase溶膠鍍膜應用技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜空氣中有機物分解能力:乙酸丁酯分解能力0.1~1.0μg / min.×W×cm2;鍍膜品質:(1)附?性:膠帶實驗不脫落;(2)硬度≧H;(3)耐刮力≧100g | 潛力預估: 約新台幣30億元/年

液晶混成溶膠技術開發-電子窗簾試製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小~1μm,電子窗簾元件具有控制透明度之功能,經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)>30%,耐用性>10,000 cycle | 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年

(ppy)2Ir(acac)及(btp)2Ir(acac)製程精進

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 昇華後之成品純度>99% | 潛力預估: 磷光OLED材料因發光效率高,未來具有強大商機,昇華純化設備可應用在多種OLED材料之純化製程

奈米銀微粒溶膠製程與應用技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立50公升批式先導工廠產能,經離心過濾與乾燥製備奈米銀微粉,配合矽烷偶合劑開發各式材料鍍膜技術,奈米銀微粒塗佈在無光照環境以(NH4)m-1(Ag)n(OH)m+n-1+1銀錯離子殺菌,殺菌能力較A... | 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年

廢電池回收處理技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可回收鐵、錳、鋅等金屬,回收率約為80﹪ | 潛力預估: 電池/環保…等相關產業皆可應用

支撐式液態膜分離系統

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 金屬選擇率達99%以上,金屬回收率達85%以上 | 潛力預估: 電子/電鍍產業之線上回收,環保產業有價金屬回收皆可應用

微量有機物質去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: TOC≦0.6 ppb, total SiO2≦1ppb, partiale≦1counts/ml, bacteria<1cfu/ml, ion | 潛力預估: 透過專利技術授權扶植國內水處理廠商,提升其能力,進而切入超純水系統設計與施工之廣大市場

含乙烯基矽氧烷主鏈劑合成

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 乙烯基:0.01~1.1mmole/g,粘度:0.001~4.0kp(25℃),比重:0.7~1.1,揮發度:<2%,顏色:透明 | 潛力預估: LSR可取代HTV,節省人工、可大量生產,隨著汽車安全氣囊之發展,市場潛力很大

透明功能性導電樹脂研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率:大於70%(at 550nm),表面電阻:104~109Ω/sq | 潛力預估: 因應EMI管制措施等,市場年成長率可達34%

SEBS based之低煙無鹵耐燃級TPR材料性能評估

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、LOI > 28、煙濃度Dm < 300、Tb > 50 (kg/cm2)、Eb > 300 (%)、HS < 90 (Shore A)、MFI < 30 ( g/10min... | 潛力預估: 熱可塑性彈性體(TPR)為新興高分子合成材料,年成長率6-7%,以大陸用量20萬噸,將快速攀升至45萬噸,環保型難燃TPR為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限

無鹵難燃熱熔膠研製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg) > 80℃、軟化點 > 150℃、黏度(180℃) 8000 ~ 11500 mPas、接著剪斷強度(25℃) > 2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-1... | 潛力預估: 熱熔膠年產值約36100公噸,其中難燃級佔5%,年成長率6-7%,環保型熱熔膠為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限

三聚氰胺衍生物包覆聚磷酸銨研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 磷含量30-31%,聚合度n>1000 | 潛力預估: 高磷含量的無機磷化物在適當相容性材質具高使用價值,以自製三聚氰胺衍生物應用於包覆,可提升產品應用範圍與增加其效益

鄰苯酚膦化反應技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 產品磷含量>10%,酸價<0.1% | 潛力預估: 應用本技術可衍生開發新型難燃劑,或新型雙功能抗氧化劑,配合環保法規,商機無限

高分子型催化劑合成與分析

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 分子量:約1000g/mole,分布度:<3.0 | 潛力預估: 高分子型催化劑合成技術大大提高矽酮高分子合成之穩定性及再現性,預期將取代一般催化劑之使用

活性碳指示劑製程應用技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 指示劑PH變色範圍:3.0 ~ 4.6 | 潛力預估: 半導體製程所排放之蝕刻氣體中主要為廢酸,以此作為過濾槽穿透功能驗證之市場需求很大

TiO2 Anatase溶膠鍍膜應用技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜空氣中有機物分解能力:乙酸丁酯分解能力0.1~1.0μg / min.×W×cm2;鍍膜品質:(1)附?性:膠帶實驗不脫落;(2)硬度≧H;(3)耐刮力≧100g | 潛力預估: 約新台幣30億元/年

液晶混成溶膠技術開發-電子窗簾試製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小~1μm,電子窗簾元件具有控制透明度之功能,經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)>30%,耐用性>10,000 cycle | 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年

(ppy)2Ir(acac)及(btp)2Ir(acac)製程精進

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 昇華後之成品純度>99% | 潛力預估: 磷光OLED材料因發光效率高,未來具有強大商機,昇華純化設備可應用在多種OLED材料之純化製程

奈米銀微粒溶膠製程與應用技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立50公升批式先導工廠產能,經離心過濾與乾燥製備奈米銀微粉,配合矽烷偶合劑開發各式材料鍍膜技術,奈米銀微粒塗佈在無光照環境以(NH4)m-1(Ag)n(OH)m+n-1+1銀錯離子殺菌,殺菌能力較A... | 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年

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