低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫, 技術規格是製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um, 潛力預估是須搭配元件技術,應用潛力低.

序號	657
產出年度	93
技術名稱-中文	低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um
技術成熟度	試量產
可應用範圍	犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估	須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	半導體製程背景人才。
同步更新日期	2023-07-22

序號

657

產出年度

技術名稱-中文

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um

技術成熟度

試量產

可應用範圍

犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料

潛力預估

須搭配元件技術,應用潛力低

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820412

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備

微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才

半導體製程背景人才。

同步更新日期

2023-07-22

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# 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號	995
產出年度	94
技術名稱-中文	低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um
技術成熟度	雛型
可應用範圍	犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay)_x000D_；玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估	製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	半導體製程背景人才

序號: 995

產出年度: 94

技術名稱-中文: 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: 犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay)_x000D_；玻璃-玻璃接合介質材料

潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

聯絡人員: 羅政

電話: 06-3847128

傳真: 06-3847294

電子信箱: chenglo@itri.org.tw

參考網址: (空)

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 半導體製程背景人才

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# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號	651
產出年度	93
技術名稱-中文	電化學蝕刻停止技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	懸膜厚度尺寸變化在±1μm。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。
潛力預估	有替代技術,應用潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電化學,化工或,機械背景人才。

序號: 651

產出年度: 93

技術名稱-中文: 電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。

潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號	652
產出年度	93
技術名稱-中文	鎳鈷及金微電鑄及製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。
潛力預估	應用潛力高
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電化學,化工或,機械背景人才。

序號: 652

產出年度: 93

技術名稱-中文: 鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。

潛力預估: 應用潛力高

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號	654
產出年度	93
技術名稱-中文	微鰭片散熱技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	散熱模組上之鰭片結構。
潛力預估	應用潛力中
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	須建廠, 並符合相關環保法規。
需具備之專業人才	微機電製程,機械背景人才

序號: 654

產出年度: 93

技術名稱-中文: 微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 散熱模組上之鰭片結構。

潛力預估: 應用潛力中

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 須建廠, 並符合相關環保法規。

需具備之專業人才: 微機電製程,機械背景人才

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號	655
產出年度	93
技術名稱-中文	矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估	體型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	alignment mask design / anisotropic wet etching

序號: 655

產出年度: 93

技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。

潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號	656
產出年度	93
技術名稱-中文	室溫熱像儀驅動顯示控制技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了（1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和（2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包括1616、6464以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	（1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準
技術成熟度	雛型
可應用範圍	保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。
潛力預估	應用潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	FPGA/CPLD 發展軟體、硬體
需具備之專業人才	具IC設計、影像系統設計能力。

序號: 656

產出年度: 93

技術名稱-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了（1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和（2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。

潛力預估: 應用潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: FPGA/CPLD 發展軟體、硬體

需具備之專業人才: 具IC設計、影像系統設計能力。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號	658
產出年度	93
技術名稱-中文	利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估	單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	半導體製程背景人才。

序號: 658

產出年度: 93

技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。

潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號	659
產出年度	93
技術名稱-中文	矽晶片蝕穿技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度	試量產
可應用範圍	印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估	潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電機,半導體製程背景人才。

序號: 659

產出年度: 93

技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。

潛力預估: 潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號	660
產出年度	93
技術名稱-中文	類LIGA電鑄模技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本技術突破傳統電鑄技術以工具鋼為基材，利用類LIGA厚膜光阻製程技術及微電鑄技術定義微結構，並配合後續的厚光阻去除、電鑄金屬與工具鋼基材焊接燒結等整合製程，發展以微噴孔片結構為承載模具的電鑄金屬模仁技術，進而配合微熱壓或射出成型技術製作高分子微噴孔片。本技術產品具有高解析度的功能優勢以及適合大量製造低成本的製程優勢。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接觸式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚度2 ± 0.5 μm 側向角：18°± 1° 正向角：18°± 1° 背向角：23°± 1° 針尖高度：6 ± 0.5 μm 針尖半徑：< 15 nm 探針距前緣距離：3 ± 0.5 μm 共振頻率：23 ± 4 彈性常數0.2
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	Ink Jet Head, Nozzle Plate
潛力預估	可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電化學,化工或,機械背景人才。

序號: 660

產出年度: 93

技術名稱-中文: 類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 本技術突破傳統電鑄技術以工具鋼為基材，利用類LIGA厚膜光阻製程技術及微電鑄技術定義微結構，並配合後續的厚光阻去除、電鑄金屬與工具鋼基材焊接燒結等整合製程，發展以微噴孔片結構為承載模具的電鑄金屬模仁技術，進而配合微熱壓或射出成型技術製作高分子微噴孔片。本技術產品具有高解析度的功能優勢以及適合大量製造低成本的製程優勢。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接觸式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚度2 ± 0.5 μm 側向角：18°± 1° 正向角：18°± 1° 背向角：23°± 1° 針尖高度：6 ± 0.5 μm 針尖半徑：< 15 nm 探針距前緣距離：3 ± 0.5 μm 共振頻率：23 ± 4 彈性常數0.2

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: Ink Jet Head, Nozzle Plate

潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

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與低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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花崗石精密平台製程技術	執行單位: 石資中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: 石資中心 \| 計畫名稱: 高值化石材綠色設計應用技術開發計畫 \| 領域: 機械運輸 \| 技術規格: 平坦度符合DIN 876 00/0/1/2級及CNS 7549(JIS) 0/1/2級，長60cm、寬60cm以下之花崗石精密平台類相關產品。 \| 潛力預估: 物化性質及長度穩定性佳，可逐漸取代傳統以鑄鐵或其他金屬材料作為平台、構件、儀器量規之最佳材料，極具市場發展淺力
電腦配色調墨處理平台	執行單位: 印研中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 數位網路配色建構技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 作業系統/windows98、windows2000、windowsXP、使用者身份認証、系統啟用機制、系統回饋Time小於5min、線上即時記錄小於5sec \| 潛力預估: 強化印刷產業配色作業之處理速度並可協助印刷產業提升產品附加價值及降低成本
環保油墨配方資料庫	執行單位: 印研中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 數位網路配色建構技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 重金屬含量小於100ppm、濃度/4 color、耐摩擦測試/30～40、乳化程度/50±15%、表面乾燥速度/8～10小時、完全乾燥速度/18～20小時、配方數大於500種 \| 潛力預估: 可做為往後油墨製造上的有利參考，並提升印刷業環保油墨的使用，減少印刷產業造成的環境污染。
電動輪椅轂式有刷馬達減速傳動及離合機構開發技術	執行單位: 自行車中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自行車暨健康系統關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電子差速動力採單邊250W直流有刷轂式馬達驅動,二級斜齒輪減速,減速比18:1,最大速度11公里/小時 \| 潛力預估: 輪轂式電動輪椅整合輪轂式馬達、減速及離合機構,為一模組化及輕量化設計,可取代市場現有之驅動傳動設計，並應用於輕量化可折收式電動輪椅
輔助動力式電動輪椅開發技術	執行單位: 自行車中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自行車暨健康系統關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 輔助動力式電動輪椅採雙馬達驅動方式,單邊動力輸出100W、扭力感測範圍由±20N-m、手推力感測誤差10%、傳動減速80%以上,並具離合裝置可於電力不足時,以手動推動,為一電動及手動雙功能之電動輪椅 \| 潛力預估: 德國 Otto Bock與日本 Yamaha已共同開發出類似之技術，但其應用之技術使產品過於昂貴，無法普及；而本技術下之產品可達相同功能，成本可降1/3以上,並提昇國產醫療代步輔具產品技術層次，增加...
永磁式磁阻系統設計開發技術	執行單位: 自行車中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自行車暨健康系統關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立磁阻系統的設計之六個主要參數，計有永久磁鐵之磁通密度、作用面積、數量、氣隙、導磁飛輪材質及相對工程尺寸，提升磁阻系統的設計能力，建立磁阻系統控制方法和功率調整精準度達25瓦特以上，進而使磁阻功率誤... \| 潛力預估: 磁阻系統為健身復健器材之重要核心模組，推出後可提高磁阻系統輸出功率及產品等級，降低成本並提高競爭優勢。
橢圓機步距電動調整設計開發技術	執行單位: 自行車中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自行車暨健康系統關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 使用者適用身高範圍為150~190公分，依照不同使用者之人因尺寸與電控系統人因資料庫自動調整最適步距，或依使用者運動需求而手動調整所需之步距，以提高運動時之舒適度與增進健身效果達15%以上。 \| 潛力預估: 電動步距調整橢圓機目前為國內外商業級高單價最受歡迎的健身器材，透過相關專利的佈局，可提高其他競爭公司進入的門檻，推出後將可提高產品附加功能及價值。
互動式健身車設計開發	執行單位: 自行車中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自行車暨健康系統關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 把手端控制搖桿可模擬PC或PS2/XBOX之按鈕，方向把手可上、下、左、右控制遊戲主角，腳踩速度輸入控制速度 \| 潛力預估: 互動式虛擬實境健身車為目前國內外健身器材創新產品，推出後將可搶得市場先機及其佔有率，且透過相關專利的佈局，可提高其他競爭公司進入的門檻
情境式虛擬導覽運動器材技術	執行單位: 自行車中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自行車暨健康系統關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 畫面播放速度依跑帶速度自動調整具有互動式之變速風扇、負離子、精油水霧 \| 潛力預估: 產品創新性佳，對消費者具有相當之吸引力，市場潛力大
電動輪椅與代步車ISO7176-2動態穩定性測試技術	執行單位: 自行車中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自行車暨健康系統關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 最大斜坡角10度 \| 潛力預估: 提供相關業者之電動輪椅與電動代步車公正客觀之產品品質保證
EN957-6跑步機穩定性測試技術	執行單位: 自行車中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自行車暨健康系統關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 前進方向穩定性最大10度,其他方向最大5度 \| 潛力預估: 提供相關業者具公正客觀之電動跑步機穩定性測試, 提升產品品質
車輛動態特性量測	執行單位: 車輛中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 汽車產業關鍵技術研發聯盟三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 其它(驗證技術) \| 潛力預估: 車用資料擷取器、車速計、方向盤角度扭力計、陀螺儀、壓力計、加速規、高度計、踏力計、行程計、輪速計等
自動轉向燈控制系統開發	執行單位: 車輛中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 汽車產業關鍵技術研發聯盟三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *Outlet interface: LIN 2.0 Auto-leveling sense resolution：0.3±0.1° controlbox size：606040mm* \| 潛力預估: 以國內車燈修補市場頭燈為目標，增加其產品動態輔助照明特色，期粉幫助燈廠提升其售價與產量。日後更可應對國外燈系皆為車身網路接口之修補燈市場，若能即時掌握市場方向與關鍵技術，應有與車廠合作車燈開發設計機會...
車用馬達寬頻電磁雜訊產品改良技術	執行單位: 車輛中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 汽車產業關鍵技術研發聯盟三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 寬頻傳導干擾和輻射干擾符合CISPR 25 Level 4要求。 \| 潛力預估: 對策後之馬達可符合大部分車廠廠規EMI要求，進而提昇產品競爭力及建立自主開發技術。