利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫, 技術規格是結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3, 潛力預估是單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等.
根據名稱 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件 找到的相關資料
| 序號 | 989 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。 |
| 潛力預估 | 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 |
| 聯絡人員 | 羅政 |
| 電話 | 06-3847128 |
| 傳真 | 06-3847294 |
| 電子信箱 | chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | PVD,CVD,RIE |
| 需具備之專業人才 | 半導體製程背景人才 |
| 序號: 989 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。 |
| 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 |
| 聯絡人員: 羅政 |
| 電話: 06-3847128 |
| 傳真: 06-3847294 |
| 電子信箱: chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: PVD,CVD,RIE |
| 需具備之專業人才: 半導體製程背景人才 |
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| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 電化學蝕刻停止技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。 |
| 潛力預估 | 有替代技術,應用潛力中等 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 電化學,化工或,機械背景人才。 |
| 序號: 651 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 電化學蝕刻停止技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 |
| 技術成熟度: 實驗室階段 |
| 可應用範圍: 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。 |
| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。 |
| 序號 | 652 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 鎳鈷及金微電鑄及製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。 |
| 潛力預估 | 應用潛力高 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 電化學,化工或,機械背景人才。 |
| 序號: 652 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 鎳鈷及金微電鑄及製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω |
| 技術成熟度: 實驗室階段 |
| 可應用範圍: 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。 |
| 潛力預估: 應用潛力高 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。 |
| 序號 | 654 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 微鰭片散熱技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 微奈米系統應用技術四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 散熱模組上之鰭片結構。 |
| 潛力預估 | 應用潛力中 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 須建廠, 並符合相關環保法規。 |
| 需具備之專業人才 | 微機電製程,機械背景人才 |
| 序號: 654 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 微鰭片散熱技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 |
| 技術成熟度: 實驗室階段 |
| 可應用範圍: 散熱模組上之鰭片結構。 |
| 潛力預估: 應用潛力中 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 須建廠, 並符合相關環保法規。 |
| 需具備之專業人才: 微機電製程,機械背景人才 |
| 序號 | 655 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。 |
| 潛力預估 | 體型微加工重要技術,應用潛力高 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | alignment mask design / anisotropic wet etching |
| 序號: 655 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。 |
| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching |
| 序號 | 656 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 室溫熱像儀驅動顯示控制技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 微奈米系統應用技術四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了 （1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和 （2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。 |
| 潛力預估 | 應用潛力中等 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | FPGA/CPLD 發展軟體、硬體 |
| 需具備之專業人才 | 具IC設計、影像系統設計能力。 |
| 序號: 656 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了 （1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和 （2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。 |
| 潛力預估: 應用潛力中等 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: FPGA/CPLD 發展軟體、硬體 |
| 需具備之專業人才: 具IC設計、影像系統設計能力。 |
| 序號 | 657 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料 |
| 潛力預估 | 須搭配元件技術,應用潛力低 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 半導體製程背景人才。 |
| 序號: 657 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料 |
| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。 |
| 序號 | 659 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 矽晶片蝕穿技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。 |
| 潛力預估 | 潛力中等 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 電機,半導體製程背景人才。 |
| 序號: 659 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。 |
| 潛力預估: 潛力中等 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。 |
| 序號 | 660 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 類LIGA電鑄模技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 本技術突破傳統電鑄技術以工具鋼為基材，利用類LIGA厚膜光阻製程技術及微電鑄技術定義微結構，並配合後續的厚光阻去除、電鑄金屬與工具鋼基材焊接燒結等整合製程，發展以微噴孔片結構為承載模具的電鑄金屬模仁技術，進而配合微熱壓或射出成型技術製作高分子微噴孔片。本技術產品具有高解析度的功能優勢以及適合大量製造低成本的製程優勢。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚度2 ± 0.5 μm 側向角：18°± 1° 正向角：18°± 1° 背向角：23°± 1° 針尖高度：6 ± 0.5 μm 針尖半徑：< 15 nm 探針距前緣距離：3 ± 0.5 μm 共振頻率：23 ± 4 彈 性 常 數0.2 |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | Ink Jet Head, Nozzle Plate |
| 潛力預估 | 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 電化學,化工或,機械背景人才。 |
| 序號: 660 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 類LIGA電鑄模技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 本技術突破傳統電鑄技術以工具鋼為基材，利用類LIGA厚膜光阻製程技術及微電鑄技術定義微結構，並配合後續的厚光阻去除、電鑄金屬與工具鋼基材焊接燒結等整合製程，發展以微噴孔片結構為承載模具的電鑄金屬模仁技術，進而配合微熱壓或射出成型技術製作高分子微噴孔片。本技術產品具有高解析度的功能優勢以及適合大量製造低成本的製程優勢。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚度2 ± 0.5 μm 側向角：18°± 1° 正向角：18°± 1° 背向角：23°± 1° 針尖高度：6 ± 0.5 μm 針尖半徑：< 15 nm 探針距前緣距離：3 ± 0.5 μm 共振頻率：23 ± 4 彈 性 常 數0.2 |
| 技術成熟度: 實驗室階段 |
| 可應用範圍: Ink Jet Head, Nozzle Plate |
| 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。 |
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03-5914393 ... ]
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 摔落疲勞耐久測試--
頻率:0.5Hz
摔落高度：50mm
摔落次數：6666次
*巔陂疲勞耐久測試--
車速3.6 km/hr
*測試次數200,000轉 | 潛力預估: 提供廠商輪椅產品功能之安全性測試服務及諮詢，建立品檢觀念與制度，降低不良率5%以上 |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 交流伺服馬達扭力8.4N-m，最高轉速4000rpm | 潛力預估: 應用於高單價及高附加價值的醫療級或復健用電跑機，預估可提昇產品獲利率達50%，並可促進相關產業投資 |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 磁阻最大功率1000W，轉速200rpm | 潛力預估: 提供國內健身車相關廠商自製之關鍵零組件之檢測服務 |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 跑步帶最大25N-m阻力，溫升最大120℃ | 潛力預估: 提供國內相關廠商跑步機最大跑步帶阻力25N-m之公正、客觀的檢測服務，節省測試成本每年至少100萬元 |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 20~60歲使用者分析資料 | 潛力預估: 透過此研究技術橢圓機之運動流程的時間區段與強度關係，可用於制定橢圓機運動處方，對新產品開發是相當需要的重要技術與資訊 |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 電腦3D CAD與有限元素技術，EN957-1，EN957-6測試標準 | 潛力預估: 預估可降低原使用材料成本約15％，縮短開發時程約25％，並提高產品整體之安全性與可靠度 |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 不改變橢圓機整體結構，利用電動馬達與傳動及轉動機構裝置之配置方式達到運動時之橢圓軌跡與步距可調 | 潛力預估: 可搭配運動生理學資料庫，並規劃最佳之運動程控，以進行橢圓運動軌跡與步距之最適化調整，亦可依使用者個人需求無段調整其最舒適之橢圓運動軌跡與步距；可有效提高橢圓機之功能性、使用率及整體附加價值感；並可增進... |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: DC36V、180W、9AH Ni-MH Battery驅動，最大電流12A、最大輸出功率250W，最高時速16km/h、零迴轉半徑 | 潛力預估: 降低機構設計複雜性、縮小產品體積、有效降低生產成本 |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 連續操作電流30A，相容電壓24V、撥桿相容訊號5V，最大瞬間電流100A，電流電壓偵測頻率100 次/秒 | 潛力預估: 藉由馬達驅動控制電路開發，將代步車行車穩度度及安全性大幅提昇，且模組化設計可降低組配及維修成本達20% |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 最大速度1.68m/s (6度下坡)，最大減加速度0.44m/s2，最大加速度0.49m/s2 | 潛力預估: 提供國內生產廠商產品品質，降低國際非關稅貿易保護障礙，同時，降低廠商檢測設備投資成本，增進產品競爭力，節省廠商每年測試成本200萬以上 |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 12V*2/36AH，電池與電能消耗偵測，電量不足警告 | 潛力預估: 有效提升產品效能與使用功能，大幅提升產品附加價值，對市場競爭力具有相當助益 |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 良率可達90%以上 | 潛力預估: 建置產品品質安全測試能力，提昇產品可靠度，有助於提升輸往歐美等大國之銷售競爭 |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 折收後尺寸24X18X10吋 | 潛力預估: 因應生活型態與人口結構改變，助行器產品的需求市場逐年大增，本產品開發過程導入3D電腦輔助工程技術，並於折收機構部分進行改良，體積輕巧方便攜帶，大幅提升市場接受度 |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 24吋淑女車車型型式，，符合CNS法規規範 | 潛力預估: 電動自行車包含儲能、傳動、控制、結構等各大系統，在產品設計開發時應全面整合設計配置，本技術依據CNS法規規範進行，產品可靠並具備安全性 |
| 執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 電動自行車無刷控制器 | 潛力預估: 在傳統自行車營利逐漸式微、利潤漸弱的情況下，大陸及歐美市場對電動自行車的潛力十分看好，本技術自行開發電動自行車無刷控制器，並確保產品品質，具備市場競爭力 |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 摔落疲勞耐久測試--
頻率:0.5Hz
摔落高度：50mm
摔落次數：6666次
*巔陂疲勞耐久測試--
車速3.6 km/hr
*測試次數200,000轉 | 潛力預估: 提供廠商輪椅產品功能之安全性測試服務及諮詢，建立品檢觀念與制度，降低不良率5%以上 |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 交流伺服馬達扭力8.4N-m，最高轉速4000rpm | 潛力預估: 應用於高單價及高附加價值的醫療級或復健用電跑機，預估可提昇產品獲利率達50%，並可促進相關產業投資 |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 磁阻最大功率1000W，轉速200rpm | 潛力預估: 提供國內健身車相關廠商自製之關鍵零組件之檢測服務 |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 跑步帶最大25N-m阻力，溫升最大120℃ | 潛力預估: 提供國內相關廠商跑步機最大跑步帶阻力25N-m之公正、客觀的檢測服務，節省測試成本每年至少100萬元 |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 20~60歲使用者分析資料 | 潛力預估: 透過此研究技術橢圓機之運動流程的時間區段與強度關係，可用於制定橢圓機運動處方，對新產品開發是相當需要的重要技術與資訊 |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 電腦3D CAD與有限元素技術，EN957-1，EN957-6測試標準 | 潛力預估: 預估可降低原使用材料成本約15％，縮短開發時程約25％，並提高產品整體之安全性與可靠度 |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 不改變橢圓機整體結構，利用電動馬達與傳動及轉動機構裝置之配置方式達到運動時之橢圓軌跡與步距可調 | 潛力預估: 可搭配運動生理學資料庫，並規劃最佳之運動程控，以進行橢圓運動軌跡與步距之最適化調整，亦可依使用者個人需求無段調整其最舒適之橢圓運動軌跡與步距；可有效提高橢圓機之功能性、使用率及整體附加價值感；並可增進... |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: DC36V、180W、9AH Ni-MH Battery驅動，最大電流12A、最大輸出功率250W，最高時速16km/h、零迴轉半徑 | 潛力預估: 降低機構設計複雜性、縮小產品體積、有效降低生產成本 |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 連續操作電流30A，相容電壓24V、撥桿相容訊號5V，最大瞬間電流100A，電流電壓偵測頻率100 次/秒 | 潛力預估: 藉由馬達驅動控制電路開發，將代步車行車穩度度及安全性大幅提昇，且模組化設計可降低組配及維修成本達20% |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 最大速度1.68m/s (6度下坡)，最大減加速度0.44m/s2，最大加速度0.49m/s2 | 潛力預估: 提供國內生產廠商產品品質，降低國際非關稅貿易保護障礙，同時，降低廠商檢測設備投資成本，增進產品競爭力，節省廠商每年測試成本200萬以上 |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 12V*2/36AH，電池與電能消耗偵測，電量不足警告 | 潛力預估: 有效提升產品效能與使用功能，大幅提升產品附加價值，對市場競爭力具有相當助益 |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 良率可達90%以上 | 潛力預估: 建置產品品質安全測試能力，提昇產品可靠度，有助於提升輸往歐美等大國之銷售競爭 |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 折收後尺寸24X18X10吋 | 潛力預估: 因應生活型態與人口結構改變，助行器產品的需求市場逐年大增，本產品開發過程導入3D電腦輔助工程技術，並於折收機構部分進行改良，體積輕巧方便攜帶，大幅提升市場接受度 |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 24吋淑女車車型型式，，符合CNS法規規範 | 潛力預估: 電動自行車包含儲能、傳動、控制、結構等各大系統，在產品設計開發時應全面整合設計配置，本技術依據CNS法規規範進行，產品可靠並具備安全性 |
執行單位: 自行車中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 電動自行車無刷控制器 | 潛力預估: 在傳統自行車營利逐漸式微、利潤漸弱的情況下，大陸及歐美市場對電動自行車的潛力十分看好，本技術自行開發電動自行車無刷控制器，並確保產品品質，具備市場競爭力 |
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