原子力顯微探針 - 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部 技術名稱-中文原子力顯微探針 的執行單位是工研院電子所 , 產出年度是93 , 計畫名稱是工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 , 技術規格是Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Cantilever beam：thickness 2μm Tip height 10~15μm Tip ... , 潛力預估是奈米技術應用,潛力高 .
序號 664 產出年度 93 技術名稱-中文 原子力顯微探針 執行單位 工研院電子所 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本技術係利用矽微加工技術製作出矽質懸臂探針，以乾式及濕式蝕刻組合製程製作懸臂樑及探針。此探針具有高深寬比之結構且探針針尖達到奈米等級，可應用於掃描式探針顯微鏡觀察奈米等級之微小結構。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Cantilever beam：thickness 2μm Tip height 10~15μm Tip Radius 50nm Spring const. - Lord force - 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 可運用於奈米物體的搬運、奈米級微影及奈米資料儲存等領域 潛力預估 奈米技術應用,潛力高 聯絡人員 楊倉錄 電話 03-5914393 傳真 03-5820412 電子信箱 yangtl@itri.org.tw 參考網址 http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才 微機電製程能力 同步更新日期 2023-07-22
序號 664 產出年度 93 技術名稱-中文 原子力顯微探針 執行單位 工研院電子所 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本技術係利用矽微加工技術製作出矽質懸臂探針，以乾式及濕式蝕刻組合製程製作懸臂樑及探針。此探針具有高深寬比之結構且探針針尖達到奈米等級，可應用於掃描式探針顯微鏡觀察奈米等級之微小結構。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Cantilever beam：thickness 2μm Tip height 10~15μm Tip Radius 50nm Spring const. - Lord force - 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 可運用於奈米物體的搬運、奈米級微影及奈米資料儲存等領域 潛力預估 奈米技術應用,潛力高 聯絡人員 楊倉錄 電話 03-5914393 傳真 03-5820412 電子信箱 yangtl@itri.org.tw 參考網址 http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才 微機電製程能力 同步更新日期 2023-07-22
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根據電話 03-5914393 找到的相關資料 (以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5914393 序號 651 產出年度 93 技術名稱-中文 電化學蝕刻停止技術 執行單位 工研院電子所 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。 潛力預估 有替代技術,應用潛力中等 聯絡人員 楊倉錄 電話 03-5914393 傳真 03-5820412 電子信箱 yangtl@itri.org.tw 參考網址 http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才 電化學,化工或,機械背景人才。
序號: 651 產出年度: 93 技術名稱-中文: 電化學蝕刻停止技術 執行單位: 工研院電子所 產出單位: (空) 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等 聯絡人員: 楊倉錄 電話: 03-5914393 傳真: 03-5820412 電子信箱: yangtl@itri.org.tw 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。
序號 652 產出年度 93 技術名稱-中文 鎳鈷及金微電鑄及製程技術 執行單位 工研院電子所 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。 潛力預估 應用潛力高 聯絡人員 楊倉錄 電話 03-5914393 傳真 03-5820412 電子信箱 yangtl@itri.org.tw 參考網址 http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才 電化學,化工或,機械背景人才。
序號: 652 產出年度: 93 技術名稱-中文: 鎳鈷及金微電鑄及製程技術 執行單位: 工研院電子所 產出單位: (空) 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。 潛力預估: 應用潛力高 聯絡人員: 楊倉錄 電話: 03-5914393 傳真: 03-5820412 電子信箱: yangtl@itri.org.tw 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。
序號 654 產出年度 93 技術名稱-中文 微鰭片散熱技術 執行單位 工研院電子所 產出單位 (空) 計畫名稱 微奈米系統應用技術四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 散熱模組上之鰭片結構。 潛力預估 應用潛力中 聯絡人員 楊倉錄 電話 03-5914393 傳真 03-5820412 電子信箱 yangtl@itri.org.tw 參考網址 http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備 須建廠, 並符合相關環保法規。 需具備之專業人才 微機電製程,機械背景人才
序號: 654 產出年度: 93 技術名稱-中文: 微鰭片散熱技術 執行單位: 工研院電子所 產出單位: (空) 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 散熱模組上之鰭片結構。 潛力預估: 應用潛力中 聯絡人員: 楊倉錄 電話: 03-5914393 傳真: 03-5820412 電子信箱: yangtl@itri.org.tw 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備: 須建廠, 並符合相關環保法規。 需具備之專業人才: 微機電製程,機械背景人才
序號 655 產出年度 93 技術名稱-中文 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術 執行單位 工研院電子所 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 技術成熟度 試量產 可應用範圍 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。 潛力預估 體型微加工重要技術,應用潛力高 聯絡人員 楊倉錄 電話 03-5914393 傳真 03-5820412 電子信箱 yangtl@itri.org.tw 參考網址 http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才 alignment mask design / anisotropic wet etching
序號: 655 產出年度: 93 技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術 執行單位: 工研院電子所 產出單位: (空) 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高 聯絡人員: 楊倉錄 電話: 03-5914393 傳真: 03-5820412 電子信箱: yangtl@itri.org.tw 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching
序號 656 產出年度 93 技術名稱-中文 室溫熱像儀驅動顯示控制技術 執行單位 工研院電子所 產出單位 (空) 計畫名稱 微奈米系統應用技術四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了 （1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和 （2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 技術成熟度 雛型 可應用範圍 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。 潛力預估 應用潛力中等 聯絡人員 楊倉錄 電話 03-5914393 傳真 03-5820412 電子信箱 yangtl@itri.org.tw 參考網址 http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備 FPGA/CPLD 發展軟體、硬體 需具備之專業人才 具IC設計、影像系統設計能力。
序號: 656 產出年度: 93 技術名稱-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術 執行單位: 工研院電子所 產出單位: (空) 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了 （1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和 （2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。 潛力預估: 應用潛力中等 聯絡人員: 楊倉錄 電話: 03-5914393 傳真: 03-5820412 電子信箱: yangtl@itri.org.tw 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備: FPGA/CPLD 發展軟體、硬體 需具備之專業人才: 具IC設計、影像系統設計能力。
序號 657 產出年度 93 技術名稱-中文 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術 執行單位 工研院電子所 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um 技術成熟度 試量產 可應用範圍 犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料 潛力預估 須搭配元件技術,應用潛力低 聯絡人員 楊倉錄 電話 03-5914393 傳真 03-5820412 電子信箱 yangtl@itri.org.tw 參考網址 http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才 半導體製程背景人才。
序號: 657 產出年度: 93 技術名稱-中文: 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術 執行單位: 工研院電子所 產出單位: (空) 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低 聯絡人員: 楊倉錄 電話: 03-5914393 傳真: 03-5820412 電子信箱: yangtl@itri.org.tw 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。
序號 658 產出年度 93 技術名稱-中文 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件 執行單位 工研院電子所 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。 潛力預估 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等 聯絡人員 楊倉錄 電話 03-5914393 傳真 03-5820412 電子信箱 yangtl@itri.org.tw 參考網址 http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才 半導體製程背景人才。
序號: 658 產出年度: 93 技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件 執行單位: 工研院電子所 產出單位: (空) 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等 聯絡人員: 楊倉錄 電話: 03-5914393 傳真: 03-5820412 電子信箱: yangtl@itri.org.tw 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。
序號 659 產出年度 93 技術名稱-中文 矽晶片蝕穿技術 執行單位 工研院電子所 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 技術成熟度 試量產 可應用範圍 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。 潛力預估 潛力中等 聯絡人員 楊倉錄 電話 03-5914393 傳真 03-5820412 電子信箱 yangtl@itri.org.tw 參考網址 http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才 電機,半導體製程背景人才。
序號: 659 產出年度: 93 技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術 執行單位: 工研院電子所 產出單位: (空) 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。 潛力預估: 潛力中等 聯絡人員: 楊倉錄 電話: 03-5914393 傳真: 03-5820412 電子信箱: yangtl@itri.org.tw 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。
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執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 軍用大型化鋁合金擠型材成品公差應符合ANSI-H35.2， 擠製成品之機械性質應抗拉強度大於400MPa， 降伏強度大於350MPa伸長率大於8%以上。 | 潛力預估: 可取代傳統鋼質結構材之各種成品
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 具備鎔鑄高品質鋁擠棒鎔鑄技術，其非金屬夾雜物含量需低於0.15mm2/kgAl， 含氫量需低於0.18cc/100g Al， 成品率達80%。 | 潛力預估: 可提供高強度型材之上游原料
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 25 ~ 600C範圍內之熱膨脹係數達到11um/mC， 抗拉強度達100Mpa以上。 | 潛力預估: 可提供功能性材料應用
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 玻璃纖維、碳纖維長度6-12 mm 溶劑型酚醛樹脂固含量 60-65%。 | 潛力預估: 高鐵、捷運構建之消耗性替換材料
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 一以纖維強化塑膠（FRP）一體成型所繞製而成，且內部具有四條向左旋之導軌之中空管體。 | 潛力預估: 軍用各型火箭發射器
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 複材厚積層板之板厚>35 mm、尺寸> 450 mm x 250 mm
˙複材精密加工之孔槽寬度小於2 mm，深度大於3 mm，尺寸精度高於在±0.05 mm以內，表面粗度 Ra 6.3以內
˙複材... | 潛力預估: 可應用於各式輕質複材導波零件研發，包括天線反射器、天文望遠鏡，具衍生應用價值
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 須通過20機砲砲擊驗證 | 潛力預估: 96-121年：每年產值為3億元
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 電壓：24+-2V， 功率：100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 電壓：24+-2V， 功率：100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 可量產製作，規格可依使用用途及設計不同彈性開發應用。 | 潛力預估: 可搶攻3C電子產業市場，極具市場潛力。
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 可量產製作，長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用。 | 潛力預估: 生產所需機具成本較高。
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: ．晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面 | 潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: ．主腔型態:六面腔或八面腔，真空度: 1×10-7Torr，控制介面: RS232，硬體介面:符合SEMI標準規範，晶圓尺寸：200mm/300mm | 潛力預估: 集束型設備，具有節省空間及時間等效益，為現階段半導體廠常見之設備組態方式，而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一，目前此類設備均為外購，深具市場潛力。
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: 符合SEMI SECS標準、元件化組裝方便 | 潛力預估: 目前國內所使用半導體設備控制器多為國外產品或由國內廠商針對單一機台所開發控制器，其架構多為封閉式架構，不易修改或維護，本產品採開放式多層架構，元件化設計，組裝方便，可依不同機台快速組裝與抽換;由於半導...
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 軍用大型化鋁合金擠型材成品公差應符合ANSI-H35.2， 擠製成品之機械性質應抗拉強度大於400MPa， 降伏強度大於350MPa伸長率大於8%以上。 | 潛力預估: 可取代傳統鋼質結構材之各種成品
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 具備鎔鑄高品質鋁擠棒鎔鑄技術，其非金屬夾雜物含量需低於0.15mm2/kgAl， 含氫量需低於0.18cc/100g Al， 成品率達80%。 | 潛力預估: 可提供高強度型材之上游原料
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 25 ~ 600C範圍內之熱膨脹係數達到11um/mC， 抗拉強度達100Mpa以上。 | 潛力預估: 可提供功能性材料應用
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 玻璃纖維、碳纖維長度6-12 mm 溶劑型酚醛樹脂固含量 60-65%。 | 潛力預估: 高鐵、捷運構建之消耗性替換材料
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 一以纖維強化塑膠（FRP）一體成型所繞製而成，且內部具有四條向左旋之導軌之中空管體。 | 潛力預估: 軍用各型火箭發射器
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 複材厚積層板之板厚>35 mm、尺寸> 450 mm x 250 mm
˙複材精密加工之孔槽寬度小於2 mm，深度大於3 mm，尺寸精度高於在±0.05 mm以內，表面粗度 Ra 6.3以內
˙複材... | 潛力預估: 可應用於各式輕質複材導波零件研發，包括天線反射器、天文望遠鏡，具衍生應用價值
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 須通過20機砲砲擊驗證 | 潛力預估: 96-121年：每年產值為3億元
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 電壓：24+-2V， 功率：100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 電壓：24+-2V， 功率：100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 可量產製作，規格可依使用用途及設計不同彈性開發應用。 | 潛力預估: 可搶攻3C電子產業市場，極具市場潛力。
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: 可量產製作，長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用。 | 潛力預估: 生產所需機具成本較高。
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: ．晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面 | 潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: ．主腔型態:六面腔或八面腔，真空度: 1×10-7Torr，控制介面: RS232，硬體介面:符合SEMI標準規範，晶圓尺寸：200mm/300mm | 潛力預估: 集束型設備，具有節省空間及時間等效益，為現階段半導體廠常見之設備組態方式，而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一，目前此類設備均為外購，深具市場潛力。
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: 符合SEMI SECS標準、元件化組裝方便 | 潛力預估: 目前國內所使用半導體設備控制器多為國外產品或由國內廠商針對單一機台所開發控制器，其架構多為封閉式架構，不易修改或維護，本產品採開放式多層架構，元件化設計，組裝方便，可依不同機台快速組裝與抽換;由於半導...