平面光波導製程技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文平面光波導製程技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫, 技術規格是Thickness U%, 潛力預估是各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高.

序號	665
產出年度	93
技術名稱-中文	平面光波導製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	平面光波導技術(PLC)是運用半導體製程來大量製作功能複雜的機體光學元件的技術，可符合未來輕薄短小及低成本的趨勢，特別是在DWDM光通訊元件的製作技術上，平面光波導已逐漸成為未來光通訊元件的主導技術，而國內業界對此項技術尚處萌芽階段。高品質的折射率及尺寸控制是平面光波導技術的關鍵，本製程技術採用電漿輔助化學氣相沉積法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)，目前已建立基底層(Bottom Cladding)沉積技術外以及核心層(Core layer)沉積技術並
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	Thickness U%
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	光通訊元件:1×N Splitter 及Arrayed Waveguide Grating, AWG
潛力預估	*各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1N splitter AWG module,未來發展潛力高**
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	PECVD,AOE,爐管,prism coupler
需具備之專業人才	微機電製程能力
同步更新日期	2023-07-22

序號

665

產出年度

技術名稱-中文

平面光波導製程技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

平面光波導技術(PLC)是運用半導體製程來大量製作功能複雜的機體光學元件的技術，可符合未來輕薄短小及低成本的趨勢，特別是在DWDM光通訊元件的製作技術上，平面光波導已逐漸成為未來光通訊元件的主導技術，而國內業界對此項技術尚處萌芽階段。高品質的折射率及尺寸控制是平面光波導技術的關鍵，本製程技術採用電漿輔助化學氣相沉積法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)，目前已建立基底層(Bottom Cladding)沉積技術外以及核心層(Core layer)沉積技術並

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Thickness U%

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

光通訊元件:1×N Splitter 及Arrayed Waveguide Grating, AWG

潛力預估

各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820412

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備

PECVD,AOE,爐管,prism coupler

需具備之專業人才

微機電製程能力

同步更新日期

2023-07-22

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# 平面光波導製程技術於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號	548
產出年度	93
技術名稱-中文	平面光波導製程技術
執行單位	工研院化工所
產出單位	(空)
計畫名稱	精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	此技術乃利用具感光性有機無機材料製備之平面光波導，以旋轉塗佈及溶劑顯影之方式直接做出導光線路，省去傳統製備平面光波導利用RIE蝕刻步驟製備波導線路，提供易於製備量產光波導之方式。專利正申請當中。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	傳遞損失TE (TransverseElectric)：0.47dB TM (Transverse Magnetic) ： 0.51 dB/cm 極化損失(PDL): 0.03 dB(1.31) μm
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	光通訊中平面光波導衍生元件
潛力預估	此技術成果的最大效益在於發展低成本、高品質且易於大量生產製造的光通訊被動元件。有別於以往成本較高、製作過程繁瑣的傳統光通訊元件，如能以旋轉塗佈與黃光製程的製造方式取代以往的FHD+RIE製程，不僅可大幅縮短研發到製程的時間，更可大幅減少元件製造廠的設備投資成本。
聯絡人員	田　珮
電話	03-5732790
傳真	03-5732521
電子信箱	eitien@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	黃光實驗室
需具備之專業人才	具化工、化學經驗

序號: 548

產出年度: 93

技術名稱-中文: 平面光波導製程技術

執行單位: 工研院化工所

產出單位: (空)

計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 此技術乃利用具感光性有機無機材料製備之平面光波導，以旋轉塗佈及溶劑顯影之方式直接做出導光線路，省去傳統製備平面光波導利用RIE蝕刻步驟製備波導線路，提供易於製備量產光波導之方式。專利正申請當中。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 傳遞損失TE (TransverseElectric)：0.47dB TM (Transverse Magnetic) ： 0.51 dB/cm 極化損失(PDL): 0.03 dB(1.31) μm

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 光通訊中平面光波導衍生元件

潛力預估: 此技術成果的最大效益在於發展低成本、高品質且易於大量生產製造的光通訊被動元件。有別於以往成本較高、製作過程繁瑣的傳統光通訊元件，如能以旋轉塗佈與黃光製程的製造方式取代以往的FHD+RIE製程，不僅可大幅縮短研發到製程的時間，更可大幅減少元件製造廠的設備投資成本。

聯絡人員: 田　珮

電話: 03-5732790

傳真: 03-5732521

電子信箱: eitien@itri.org.tw

參考網址: (空)

所須軟硬體設備: 黃光實驗室

需具備之專業人才: 具化工、化學經驗

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# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號	651
產出年度	93
技術名稱-中文	電化學蝕刻停止技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	懸膜厚度尺寸變化在±1μm。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。
潛力預估	有替代技術,應用潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電化學,化工或,機械背景人才。

序號: 651

產出年度: 93

技術名稱-中文: 電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。

潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號	652
產出年度	93
技術名稱-中文	鎳鈷及金微電鑄及製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。
潛力預估	應用潛力高
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電化學,化工或,機械背景人才。

序號: 652

產出年度: 93

技術名稱-中文: 鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。

潛力預估: 應用潛力高

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號	654
產出年度	93
技術名稱-中文	微鰭片散熱技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	散熱模組上之鰭片結構。
潛力預估	應用潛力中
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	須建廠, 並符合相關環保法規。
需具備之專業人才	微機電製程,機械背景人才

序號: 654

產出年度: 93

技術名稱-中文: 微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 散熱模組上之鰭片結構。

潛力預估: 應用潛力中

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 須建廠, 並符合相關環保法規。

需具備之專業人才: 微機電製程,機械背景人才

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號	655
產出年度	93
技術名稱-中文	矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估	體型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	alignment mask design / anisotropic wet etching

序號: 655

產出年度: 93

技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。

潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號	656
產出年度	93
技術名稱-中文	室溫熱像儀驅動顯示控制技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了（1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和（2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包括1616、6464以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	（1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準
技術成熟度	雛型
可應用範圍	保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。
潛力預估	應用潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	FPGA/CPLD 發展軟體、硬體
需具備之專業人才	具IC設計、影像系統設計能力。

序號: 656

產出年度: 93

技術名稱-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了（1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和（2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。

潛力預估: 應用潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: FPGA/CPLD 發展軟體、硬體

需具備之專業人才: 具IC設計、影像系統設計能力。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號	657
產出年度	93
技術名稱-中文	低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um
技術成熟度	試量產
可應用範圍	犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估	須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	半導體製程背景人才。

序號: 657

產出年度: 93

技術名稱-中文: 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料

潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號	658
產出年度	93
技術名稱-中文	利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估	單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	半導體製程背景人才。

序號: 658

產出年度: 93

技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。

潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號	659
產出年度	93
技術名稱-中文	矽晶片蝕穿技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度	試量產
可應用範圍	印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估	潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電機,半導體製程背景人才。

序號: 659

產出年度: 93

技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。

潛力預估: 潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。

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光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um \| 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高
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超臨界點抗黏著乾燥技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length \| 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等
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