單石微陣列噴墨晶片技術
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技術名稱-中文單石微陣列噴墨晶片技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫, 技術規格是將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率, 潛力預估是針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利.

序號	668
產出年度	93
技術名稱-中文	單石微陣列噴墨晶片技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本技術利用高分子製程製作將高分子流道與噴孔片直接在具在微陣列噴墨加熱器之晶片完成單石微陣列噴墨晶片雛型。本技術具備1.高方向垂直性、抑制流道間干擾，2.利用第二氣泡主動加速墨水水回填的優點，以期能取代及提升傳統噴液結構技術。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率
技術成熟度	雛型
可應用範圍	噴墨頭晶片
潛力預估	針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	製作噴墨晶片所之半導體設備
需具備之專業人才	流力、機械設計模擬與製程開發背景人員
同步更新日期	2023-07-22

序號

668

產出年度

技術名稱-中文

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術利用高分子製程製作將高分子流道與噴孔片直接在具在微陣列噴墨加熱器之晶片完成單石微陣列噴墨晶片雛型。本技術具備1.高方向垂直性、抑制流道間干擾，2.利用第二氣泡主動加速墨水水回填的優點，以期能取代及提升傳統噴液結構技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率

技術成熟度

雛型

可應用範圍

噴墨頭晶片

潛力預估

針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820412

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備

製作噴墨晶片所之半導體設備

需具備之專業人才

流力、機械設計模擬與製程開發背景人員

同步更新日期

2023-07-22

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# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號	651
產出年度	93
技術名稱-中文	電化學蝕刻停止技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	懸膜厚度尺寸變化在±1μm。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。
潛力預估	有替代技術,應用潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電化學,化工或,機械背景人才。

序號: 651

產出年度: 93

技術名稱-中文: 電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。

潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號	652
產出年度	93
技術名稱-中文	鎳鈷及金微電鑄及製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。
潛力預估	應用潛力高
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電化學,化工或,機械背景人才。

序號: 652

產出年度: 93

技術名稱-中文: 鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。

潛力預估: 應用潛力高

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號	654
產出年度	93
技術名稱-中文	微鰭片散熱技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	散熱模組上之鰭片結構。
潛力預估	應用潛力中
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	須建廠, 並符合相關環保法規。
需具備之專業人才	微機電製程,機械背景人才

序號: 654

產出年度: 93

技術名稱-中文: 微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 散熱模組上之鰭片結構。

潛力預估: 應用潛力中

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 須建廠, 並符合相關環保法規。

需具備之專業人才: 微機電製程,機械背景人才

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號	655
產出年度	93
技術名稱-中文	矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估	體型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	alignment mask design / anisotropic wet etching

序號: 655

產出年度: 93

技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。

潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號	656
產出年度	93
技術名稱-中文	室溫熱像儀驅動顯示控制技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了（1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和（2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包括1616、6464以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	（1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準
技術成熟度	雛型
可應用範圍	保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。
潛力預估	應用潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	FPGA/CPLD 發展軟體、硬體
需具備之專業人才	具IC設計、影像系統設計能力。

序號: 656

產出年度: 93

技術名稱-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了（1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和（2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。

潛力預估: 應用潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: FPGA/CPLD 發展軟體、硬體

需具備之專業人才: 具IC設計、影像系統設計能力。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號	657
產出年度	93
技術名稱-中文	低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um
技術成熟度	試量產
可應用範圍	犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估	須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	半導體製程背景人才。

序號: 657

產出年度: 93

技術名稱-中文: 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料

潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號	658
產出年度	93
技術名稱-中文	利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估	單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	半導體製程背景人才。

序號: 658

產出年度: 93

技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3

技術成熟度: 實驗室階段

可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。

潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號	659
產出年度	93
技術名稱-中文	矽晶片蝕穿技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度	試量產
可應用範圍	印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估	潛力中等
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電機,半導體製程背景人才。

序號: 659

產出年度: 93

技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。

潛力預估: 潛力中等

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。

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與單石微陣列噴墨晶片技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

多點影音播放系統	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Video Codec : MPEG-1/2/4 WMV 2.Audio Codec : MP2/3 AAC AC3 \| 潛力預估: 隨著數位家庭的成熟，影音播放的DMA相關產品將成為主要的消費產品
iB3G數位電視即時串流錄影選台	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Protocol : RTSP/HTTP \| 潛力預估: 即時視訊為行動影音最有吸引力的服務，使用者可看到即時新聞或球賽，對於網路服務業者來說，存在著很大的商機
低溫共燒基材製程技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ◆ Hermetic sealing : Leak Rate < 5×10-8 atm-cc/s He (bomb condition @ 75 psi dwell 1hr )◆ cavity siz... \| 潛力預估: 目前美國、日本及歐洲的德國、比利時等均已投入此方面之研究，如美國的Sandia國家實驗室與DuPont等大廠。而歐洲則有IZM、IMEC及Infineon等大廠及一些研究單位都朝此兩技術整合發展。
積層模組EMI抑制技術技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸3.20.21.60.20.850.15(mm),截止頻率100 MHz,額定電流100 mA,額定電壓10V,串音-20dB,8信號線端,2接地端之四組型陣列LC濾波器 \| 潛力預估: 預計至96年時產能可達144KKpcs,總產值可達3億6千萬元以上,帶動投資額二億五千萬,可帶動該公司2.97之EPS
超薄壓電膜材料技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 壓電膜層具機電轉換效率40﹪，機械品質因素10，製作之振動板起始頻率低至100Hz等特性，同時具有可撓曲性。 \| 潛力預估: 壓電式聲音元件包括蜂鳴器、振鈴、收送話器、喇叭等，市場約有新台幣70億的規模，主要的材料為壓電薄片。配合寬音域與平面化的產品應用趨勢，降低壓電片厚度與直接製作於可撓基材上為關鍵性技術，超薄壓電膜材料技...
積層氧化鋅變阻器及其配方組成	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 積層氧化鋅變阻器具有吸收雷擊突波與靜電放電脈衝之功能，又由於其單層厚度較傳統變阻器小，更適用於低電壓之可攜式產品和IC元件之保護。 \| 潛力預估: 提升國內積層氧化鋅變器廠商技術與競爭力，並保護授權廠商之競爭優勢，形成更優質的投資與生產環境。目前全球市場規模約新台幣100億元/年，預估單一廠商初期年產值可達1億元。
高溫度穩定性材料技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立玻璃材料奈米微晶控制機制－經由不同升溫速率可配合Matusita & Sakka提出的計算式，計算結晶機制的各個參數，如Avrami exponent（n）及結晶活化能（E）；n值可以表示其為何... \| 潛力預估: 開發低熱膨脹係數玻璃陶瓷材料及製程技術，若順利開發及完成專利怖局，將可改善國內光電產業關鍵材料由國外進口的困境，達到關鍵性材料國產化的目的，並可改善關鍵材料及零組件掌握在國際大廠的窘境。
陶瓷薄膜整合技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度＜300℃之薄膜電晶體。源極-汲極間的電流IDS=10-9-10-6 安培 \| 潛力預估: 利用反應式濺鍍技術的自組裝奈米介面薄膜電晶體, 是種低溫並且環保的創新製程, 在能源的利用及綠色生活品質的貢獻皆遠大於現存的工業製程。本低溫製程的薄膜電晶體積體化技術的開發, 將可提升廠商在未來通訊...
埋入式電容(DK=40)基板材料技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 優良PCB製程加工性‧穩定之介電特性: DK38~42, DF185(DMA),耐銲錫288oC, >3mi \| 潛力預估: 提供高介電常數(DK40)之電容材料配方技術及材料規格給材料廠商，創造新型電路板材料，強化基板材料產業技術能力。提供本技術給國內材料商，將可以協助國內基板材料業者掌握關鍵材料技術料及提升PCB產業的...
銅箔基層材料用雙層聚亞醯胺塗膜製備專利授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高尺寸安定、適合高密度細線畫線路製作、高耐化性、優異耐熱、電性及機械性質 \| 潛力預估: 將國內原已建立之軟性基板產業推向更先進之無接著劑型軟性基板，為將來電子與光電產業所需之下游構裝基板材料產業建立基礎，支援已蓬勃發展之平面顯示器產業，使國內整個產業體系更完整，提升產業競爭力，最重要在建...
高容量複合石墨負極材料	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 利用奈米結構在石墨上形成複合石墨負極材料，達到石墨改質的目的，本技術所開發之負極材料克電容量(360 mAh/g)較傳統MCMB克電容量(320 mAh/g)高12%，材料成本降低40% \| 潛力預估: 提供高容量負極材料之合成技術及材料工程規格給電池材料製造商，掌握鋰電池關鍵原材料，預估可促進材料廠商之投資達一億元以上，年產值達三億元以上。增加國內20億與全世界200億鋰電池負極材料市場佔有率的技術...
導電高分子固態電容器及其製造方法	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達8... \| 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...
混成電能調節技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.根據電池容量狀態，自動調節燃料電池工作點。主動避免電池低容量狀態，提高燃料使用效率，並防止電池發生過度充電現象。2.標準Switching Converter電路架構，開發容易。無需微處理器，低... \| 潛力預估: 本技術可以應用在燃料電池或是太陽能電池的獨立行供電設備，未來可攜式電源的需求，包括行動資訊元件、電動交通工具、戶外緊急混成供電電源、太陽能隨身電源/充電器，太陽能路燈/號誌/警示器等，均可以選擇適當的...
微小型燃料電池堆組裝製作技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本裝置技術整體電池堆可用熱壓製程製作完成，是一種具有製作簡便、可以大量自動化生產特色的電池堆組裝方式。其優勢在於降低傳統流道對水氣以及CO2排放的阻礙，同時因為捨棄傳統使用的雙極板，改以金屬網與塑膠框... \| 潛力預估: 本技術主要應用領域是以3C產品的行動式電能供應，包括筆記型電腦，隨身影音娛樂設備等。特別是在需要長時間連續供電的隨身電子產品，燃料電池它可提供無須充電設施的電能供應，僅以補充燃料便能提供下一階段應用所...
超薄卡片型鋰高分子電池	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧目標為開發雛形超薄卡片型高分子鋰電池製造技術，厚度< 0.5mm，電容量> 50 mAh。 ‧此技術具有重量輕、大面積化、可撓式和薄型化的優勢可因應未來3C產品薄型化及形狀可變性的要求。電池壽命大... \| 潛力預估: 本計畫所產出的超薄卡片型鋰高分子電池產品，主要可應用於智慧型卡片、生理監測模組或具彎曲形狀的電子產品上，由於薄型電池的安全性及厚度將成為衡量的重要指標之一。本計畫採用高分子電解質材料﹐透過特殊封裝材料...