相變化薄膜製程技術
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技術名稱-中文相變化薄膜製程技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院通訊與光電領域環境建構計畫, 技術規格是薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間, 潛力預估是相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。.
序號 | 677 |
產出年度 | 93 |
技術名稱-中文 | 相變化薄膜製程技術 |
執行單位 | 工研院電子所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 相變化記憶體(Phase Change Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體,本所採用相變化薄膜作為相變化記憶體之核心,本技術具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性,是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後極有潛力的下世代記憶體。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 |
技術成熟度 | 實驗室階段 |
可應用範圍 | 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等 |
潛力預估 | 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 |
聯絡人員 | 張順賢 |
電話 | 03-5913917 |
傳真 | 03-5917690 |
電子信箱 | hchang@itri.org.tw |
參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1441 |
所須軟硬體設備 | 具備相變化薄膜成長設備與蝕刻設備 |
需具備之專業人才 | CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力 |
同步更新日期 | 2023-07-22 |
序號677 |
產出年度93 |
技術名稱-中文相變化薄膜製程技術 |
執行單位工研院電子所 |
產出單位(空) |
計畫名稱工研院通訊與光電領域環境建構計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文相變化記憶體(Phase Change Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體,本所採用相變化薄膜作為相變化記憶體之核心,本技術具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性,是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後極有潛力的下世代記憶體。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 |
技術成熟度實驗室階段 |
可應用範圍傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等 |
潛力預估相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 |
聯絡人員張順賢 |
電話03-5913917 |
傳真03-5917690 |
電子信箱hchang@itri.org.tw |
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1441 |
所須軟硬體設備具備相變化薄膜成長設備與蝕刻設備 |
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力 |
同步更新日期2023-07-22 |
根據電話 03-5913917 找到的相關資料
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產出年度 | 100 |
領域別 | 電資通光 |
專利名稱-中文 | 相變化記憶體元件及其製造方法 |
執行單位 | 工研院電光所 |
產出單位 | 工研院電光所 |
計畫名稱 | 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 |
專利發明人 | FREDERICKT.CHEN |
核准國家 | 中華民國 |
獲證日期 | 100/03/07 |
證書號碼 | I338392 |
專利期間起 | 100/03/01 |
專利期間訖 | 118/04/23 |
專利性質 | 發明 |
技術摘要-中文 | 本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括:一第一電極形成於一基板;一第一介電層形成於該第一電極之上,其中該第一介電層具有一開口,且該開口露出該第一電極之一上表面;一柱狀結構直接形成該第一電極上,並位於該開口內;一內相變化材料層環繞該柱狀結構,並直接接觸該第一電極;一第二介電層環繞該內相變化材料層;一外相變化材料層環繞該第二介電層;一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間,並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層;以及,一第二電極直接形成於該柱狀結構之上,並直接接觸該內相 |
技術摘要-英文 | (空) |
聯絡人員 | 張順賢 |
電話 | 03-5913917 |
傳真 | 03-5917690 |
電子信箱 | tephen.chung@itri.org.tw |
參考網址 | (空) |
備註 | (空) |
特殊情形 | (空) |
序號: 8331 |
產出年度: 100 |
領域別: 電資通光 |
專利名稱-中文: 相變化記憶體元件及其製造方法 |
執行單位: 工研院電光所 |
產出單位: 工研院電光所 |
計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 |
專利發明人: FREDERICKT.CHEN |
核准國家: 中華民國 |
獲證日期: 100/03/07 |
證書號碼: I338392 |
專利期間起: 100/03/01 |
專利期間訖: 118/04/23 |
專利性質: 發明 |
技術摘要-中文: 本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括:一第一電極形成於一基板;一第一介電層形成於該第一電極之上,其中該第一介電層具有一開口,且該開口露出該第一電極之一上表面;一柱狀結構直接形成該第一電極上,並位於該開口內;一內相變化材料層環繞該柱狀結構,並直接接觸該第一電極;一第二介電層環繞該內相變化材料層;一外相變化材料層環繞該第二介電層;一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間,並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層;以及,一第二電極直接形成於該柱狀結構之上,並直接接觸該內相 |
技術摘要-英文: (空) |
聯絡人員: 張順賢 |
電話: 03-5913917 |
傳真: 03-5917690 |
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw |
參考網址: (空) |
備註: (空) |
特殊情形: (空) |
序號 | 8332 |
產出年度 | 100 |
領域別 | 電資通光 |
專利名稱-中文 | 相變化記憶體元件及其製造方法 |
執行單位 | 工研院電光所 |
產出單位 | 工研院電光所 |
計畫名稱 | 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 |
專利發明人 | FREDERICKT.CHEN |
核准國家 | 美國 |
獲證日期 | 100/03/10 |
證書號碼 | 7,888,155 |
專利期間起 | 100/02/15 |
專利期間訖 | 118/07/31 |
專利性質 | 發明 |
技術摘要-中文 | 本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括:一第一電極形成於一基板;一第一介電層形成於該第一電極之上,其中該第一介電層具有一開口,且該開口露出該第一電極之一上表面;一柱狀結構直接形成該第一電極上,並位於該開口內;一內相變化材料層環繞該柱狀結構,並直接接觸該第一電極;一第二介電層環繞該內相變化材料層;一外相變化材料層環繞該第二介電層;一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間,並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層;以及,一第二電極直接形成於該柱狀結構之上,並直接接觸該內相 |
技術摘要-英文 | (空) |
聯絡人員 | 張順賢 |
電話 | 03-5913917 |
傳真 | 03-5917690 |
電子信箱 | hchang@itri.org.tw |
參考網址 | (空) |
備註 | (空) |
特殊情形 | (空) |
序號: 8332 |
產出年度: 100 |
領域別: 電資通光 |
專利名稱-中文: 相變化記憶體元件及其製造方法 |
執行單位: 工研院電光所 |
產出單位: 工研院電光所 |
計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 |
專利發明人: FREDERICKT.CHEN |
核准國家: 美國 |
獲證日期: 100/03/10 |
證書號碼: 7,888,155 |
專利期間起: 100/02/15 |
專利期間訖: 118/07/31 |
專利性質: 發明 |
技術摘要-中文: 本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括:一第一電極形成於一基板;一第一介電層形成於該第一電極之上,其中該第一介電層具有一開口,且該開口露出該第一電極之一上表面;一柱狀結構直接形成該第一電極上,並位於該開口內;一內相變化材料層環繞該柱狀結構,並直接接觸該第一電極;一第二介電層環繞該內相變化材料層;一外相變化材料層環繞該第二介電層;一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間,並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層;以及,一第二電極直接形成於該柱狀結構之上,並直接接觸該內相 |
技術摘要-英文: (空) |
聯絡人員: 張順賢 |
電話: 03-5913917 |
傳真: 03-5917690 |
電子信箱: hchang@itri.org.tw |
參考網址: (空) |
備註: (空) |
特殊情形: (空) |
序號 | 675 |
產出年度 | 93 |
技術名稱-中文 | MRAM 元件製程技術 |
執行單位 | 工研院電子所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 奈米電子關鍵技術四年計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體,本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之核心,所呈現獨特的磁阻特性,具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性,是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後脫穎而出之終極記憶體(Ultimate Memory)。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current |
技術成熟度 | 實驗室階段 |
可應用範圍 | 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等。 |
潛力預估 | MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。 |
聯絡人員 | 張順賢 |
電話 | 03-5913917 |
傳真 | 03-5917690 |
電子信箱 | hchang@itri.org.tw |
參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1343 |
所須軟硬體設備 | 具記憶體元件開發能力之半導體廠 |
需具備之專業人才 | CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。 |
序號: 675 |
產出年度: 93 |
技術名稱-中文: MRAM 元件製程技術 |
執行單位: 工研院電子所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體,本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之核心,所呈現獨特的磁阻特性,具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性,是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後脫穎而出之終極記憶體(Ultimate Memory)。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current |
技術成熟度: 實驗室階段 |
可應用範圍: 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等。 |
潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。 |
聯絡人員: 張順賢 |
電話: 03-5913917 |
傳真: 03-5917690 |
電子信箱: hchang@itri.org.tw |
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1343 |
所須軟硬體設備: 具記憶體元件開發能力之半導體廠 |
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。 |
序號 | 676 |
產出年度 | 93 |
技術名稱-中文 | 用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技 |
執行單位 | 工研院電子所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 奈米電子關鍵技術四年計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 本計劃利用SiGe異質接面的材料特性,來製作超高速的雙載子電晶體(hetero junction bipolar transistor),進一步應用在光偵測器(optical detector)上,以迎接光通訊時代的來臨。利用SiGe材料成本低,可整合現有BiCMOS製程且可大量生產的優勢,致力於製作出速度達160GHz的SiGe HBT。此高速雙載子電晶體特為射頻前端模組設計,可製作為單晶積體化電路或分立式電晶體,其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT):> 120 GHz · 最大操作頻率(Maxima operation frequency) :> 40 GHz · 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO):> 3.5 Volt. |
技術成熟度 | 實驗室階段 |
可應用範圍 | 矽鍺薄膜成長技術(SiGeC epitaxy growth technique) · 射頻積體電路(RFIC):應用於無線通訊系統與高速區域網路系統,提供如前端晶片組、PLL等高頻高速ICs產品製程技術 · 雙載子-金氧半積體電路(Bi-CMOS) · 光偵測器,光收發模組…等光電IC(opto-electric ICs) |
潛力預估 | 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 |
聯絡人員 | 張順賢 |
電話 | 03-5913917 |
傳真 | 03-5917690 |
電子信箱 | hchang@itri.org.tw |
參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1345 |
所須軟硬體設備 | 具矽元件開發能力之半導體廠 |
需具備之專業人才 | CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。 |
序號: 676 |
產出年度: 93 |
技術名稱-中文: 用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技 |
執行單位: 工研院電子所 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 本計劃利用SiGe異質接面的材料特性,來製作超高速的雙載子電晶體(hetero junction bipolar transistor),進一步應用在光偵測器(optical detector)上,以迎接光通訊時代的來臨。利用SiGe材料成本低,可整合現有BiCMOS製程且可大量生產的優勢,致力於製作出速度達160GHz的SiGe HBT。此高速雙載子電晶體特為射頻前端模組設計,可製作為單晶積體化電路或分立式電晶體,其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT):> 120 GHz · 最大操作頻率(Maxima operation frequency) :> 40 GHz · 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO):> 3.5 Volt. |
技術成熟度: 實驗室階段 |
可應用範圍: 矽鍺薄膜成長技術(SiGeC epitaxy growth technique) · 射頻積體電路(RFIC):應用於無線通訊系統與高速區域網路系統,提供如前端晶片組、PLL等高頻高速ICs產品製程技術 · 雙載子-金氧半積體電路(Bi-CMOS) · 光偵測器,光收發模組…等光電IC(opto-electric ICs) |
潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 |
聯絡人員: 張順賢 |
電話: 03-5913917 |
傳真: 03-5917690 |
電子信箱: hchang@itri.org.tw |
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1345 |
所須軟硬體設備: 具矽元件開發能力之半導體廠 |
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。 |
序號 | 678 |
產出年度 | 93 |
技術名稱-中文 | 高介電值閘極介電物技術 |
執行單位 | 工研院院本部 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 開發high-k (k>20)閘極介電層之薄膜材料與製程整合技術以符65nm CMOS technology node 及以下元件之需要 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | 矽半導體之互補式金氧半製程所製作之logic or memory chi |
潛力預估 | 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 |
聯絡人員 | 張順賢 |
電話 | 03-5913917 |
傳真 | 03-5917690 |
電子信箱 | hchang@itri.org.tw |
參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1833 |
所須軟硬體設備 | 具記憶體或foundry能力之半導體廠 |
需具備之專業人才 | CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力 |
序號: 678 |
產出年度: 93 |
技術名稱-中文: 高介電值閘極介電物技術 |
執行單位: 工研院院本部 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 開發high-k (k>20)閘極介電層之薄膜材料與製程整合技術以符65nm CMOS technology node 及以下元件之需要 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: 矽半導體之互補式金氧半製程所製作之logic or memory chi |
潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 |
聯絡人員: 張順賢 |
電話: 03-5913917 |
傳真: 03-5917690 |
電子信箱: hchang@itri.org.tw |
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1833 |
所須軟硬體設備: 具記憶體或foundry能力之半導體廠 |
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力 |
序號 | 679 |
產出年度 | 93 |
技術名稱-中文 | 相變化記憶體元件與製程技術 |
執行單位 | 工研院院本部 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 相變化記憶體(Ovonic Unified Memory, OUM)具有非揮發性、高讀取訊號、高密度、高寫擦速度與次數以及低工作電流/功率的特質,是相當有潛力的非揮發性記憶體。本所的相變化記憶體元件製程技術,除了開發記憶胞的關鍵製程模組外,更具有與傳統CMOS製程之良好相容性。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等 |
潛力預估 | OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大 |
聯絡人員 | 張順賢 |
電話 | 03-5913917 |
傳真 | 03-5917690 |
電子信箱 | hchang@itri.org.tw |
參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1836 |
所須軟硬體設備 | 具記憶體元件開發能力之半導體廠 |
需具備之專業人才 | CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力 |
序號: 679 |
產出年度: 93 |
技術名稱-中文: 相變化記憶體元件與製程技術 |
執行單位: 工研院院本部 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 相變化記憶體(Ovonic Unified Memory, OUM)具有非揮發性、高讀取訊號、高密度、高寫擦速度與次數以及低工作電流/功率的特質,是相當有潛力的非揮發性記憶體。本所的相變化記憶體元件製程技術,除了開發記憶胞的關鍵製程模組外,更具有與傳統CMOS製程之良好相容性。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等 |
潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大 |
聯絡人員: 張順賢 |
電話: 03-5913917 |
傳真: 03-5917690 |
電子信箱: hchang@itri.org.tw |
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1836 |
所須軟硬體設備: 具記憶體元件開發能力之半導體廠 |
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力 |
序號 | 680 |
產出年度 | 93 |
技術名稱-中文 | 應變矽CMOS元件與製程技術 |
執行單位 | 工研院院本部 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 在同一世代技術上應變矽CMOS (Strained-Si CMOS)可克服載子移動率劣化的課題,具有提昇性能的特性,主要克服目前技術瓶頸 - 高品質矽鍺虛擬基材的形成技術、全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術,以建立起CMOS製程與元件技術平台,提昇載子移動率和元件效能,使其可應用於高階CMOS SoC產品上。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | 高效能CMOS製程技術 - 高階產品, e.g.: CPU, 繪圖晶片 |
潛力預估 | 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術 |
聯絡人員 | 張順賢 |
電話 | 03-5913917 |
傳真 | 03-5917690 |
電子信箱 | hchang@itri.org.tw |
參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1839 |
所須軟硬體設備 | 具CMOS元件開發能力之半導體廠 |
需具備之專業人才 | CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力 |
序號: 680 |
產出年度: 93 |
技術名稱-中文: 應變矽CMOS元件與製程技術 |
執行單位: 工研院院本部 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 在同一世代技術上應變矽CMOS (Strained-Si CMOS)可克服載子移動率劣化的課題,具有提昇性能的特性,主要克服目前技術瓶頸 - 高品質矽鍺虛擬基材的形成技術、全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術,以建立起CMOS製程與元件技術平台,提昇載子移動率和元件效能,使其可應用於高階CMOS SoC產品上。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: 高效能CMOS製程技術 - 高階產品, e.g.: CPU, 繪圖晶片 |
潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術 |
聯絡人員: 張順賢 |
電話: 03-5913917 |
傳真: 03-5917690 |
電子信箱: hchang@itri.org.tw |
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1839 |
所須軟硬體設備: 具CMOS元件開發能力之半導體廠 |
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力 |
序號 | 681 |
產出年度 | 93 |
技術名稱-中文 | 應變矽製程技術 |
執行單位 | 工研院院本部 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 由於在MOS電晶體通道區施予一定大小的應力可增加載子的移動率 (mobility)進而改善元件的輸出特性。本技術利用具離子佈植之氮化矽再搭配晶背高應力層的作用可有效在電晶體通道區產生一定大小的應力進而改善電晶體的特性。 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | MOS或CMOS製程 |
潛力預估 | 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術 |
聯絡人員 | 張順賢 |
電話 | 03-5913917 |
傳真 | 03-5917690 |
電子信箱 | hchang@itri.org.tw |
參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1841 |
所須軟硬體設備 | 具MOS或CMOS製程之半導體廠 |
需具備之專業人才 | CMOS製程技術相關製造能力 |
序號: 681 |
產出年度: 93 |
技術名稱-中文: 應變矽製程技術 |
執行單位: 工研院院本部 |
產出單位: (空) |
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
領域: (空) |
已申請專利之國家: (空) |
已獲得專利之國家: (空) |
技術現況敘述-中文: 由於在MOS電晶體通道區施予一定大小的應力可增加載子的移動率 (mobility)進而改善元件的輸出特性。本技術利用具離子佈植之氮化矽再搭配晶背高應力層的作用可有效在電晶體通道區產生一定大小的應力進而改善電晶體的特性。 |
技術現況敘述-英文: (空) |
技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 |
技術成熟度: 雛型 |
可應用範圍: MOS或CMOS製程 |
潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術 |
聯絡人員: 張順賢 |
電話: 03-5913917 |
傳真: 03-5917690 |
電子信箱: hchang@itri.org.tw |
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1841 |
所須軟硬體設備: 具MOS或CMOS製程之半導體廠 |
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關製造能力 |
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03-5913917 ... ]
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米;厚度可達500微米;平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率:5GHz~6GHz,頻寬:100MHz~150MHz,插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路,通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上,現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2%。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元,並創造產值約5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術,可創造年產值新台幣1.5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量,銅模速冷至批量10公斤,粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸,價格競優勢弱,磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結,結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件,需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性,並需能耐酸之腐蝕,以往下電極板表層僅以陽極處理,使用壽命僅有三個月,文獻顯示,若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁,壽命... | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋,純度3N,密度>90% | 潛力預估: 隨著新型記憶體之開發磁阻材料及靶材越形重要 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率75%以上;遮蔽效率>30 d | 潛力預估: 由PDP之抗電磁波濾板關鍵組件開發,除可以降低成本外,並可協助業者爭區台幣數十億元之商機. |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可辨識夾雜物種類、尺寸(可達1mm)及含量 | 潛力預估: 為發展高清淨鋁合金於薄壁材、感光鼓、半導體設備等高附加價值應用所必需 |
| 執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 肝病及氣喘中草藥新藥開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 300種中藥材ITS鑑定序列資料庫 | 潛力預估: 業界已逐漸接受以DNA鑑定藥材的技術,已以非專屬授權給相關廠商,並對外提供技術服務。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米;厚度可達500微米;平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場,極具市場潛力 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率:5GHz~6GHz,頻寬:100MHz~150MHz,插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路,通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上,現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2%。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元,並創造產值約5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術,可創造年產值新台幣1.5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量,銅模速冷至批量10公斤,粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸,價格競優勢弱,磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結,結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件,需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性,並需能耐酸之腐蝕,以往下電極板表層僅以陽極處理,使用壽命僅有三個月,文獻顯示,若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁,壽命... | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋,純度3N,密度>90% | 潛力預估: 隨著新型記憶體之開發磁阻材料及靶材越形重要 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率75%以上;遮蔽效率>30 d | 潛力預估: 由PDP之抗電磁波濾板關鍵組件開發,除可以降低成本外,並可協助業者爭區台幣數十億元之商機. |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可辨識夾雜物種類、尺寸(可達1mm)及含量 | 潛力預估: 為發展高清淨鋁合金於薄壁材、感光鼓、半導體設備等高附加價值應用所必需 |
執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 肝病及氣喘中草藥新藥開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 300種中藥材ITS鑑定序列資料庫 | 潛力預估: 業界已逐漸接受以DNA鑑定藥材的技術,已以非專屬授權給相關廠商,並對外提供技術服務。 |
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