磁性聯軸器設計開發技術
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技術名稱-中文磁性聯軸器設計開發技術的執行單位是中科院飛彈所, 產出年度是94, 計畫名稱是新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫, 技術規格是真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m, 潛力預估是磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面，由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加，則本產品之市場潛力亦日益提升。.

序號726
產出年度94
技術名稱-中文磁性聯軸器設計開發技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文完成磁性聯軸器之開發技術，國內沒有其他廠家有此技術，本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m
技術成熟度雛型
可應用範圍半導體設備真空動態軸封，真空設備，平面顯示器設備。
潛力預估磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面，由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加，則本產品之市場潛力亦日益提升。
聯絡人員陳獻忠
電話03-4712201#356350
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備精密機械加工設備、充磁設備及檢測儀器。
需具備之專業人才機械、材料、物理
同步更新日期2023-07-22

序號

726

產出年度

94

技術名稱-中文

磁性聯軸器設計開發技術

執行單位

中科院飛彈所

產出單位

(空)

計畫名稱

新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

完成磁性聯軸器之開發技術，國內沒有其他廠家有此技術，本院可提供技術移轉。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m

技術成熟度

雛型

可應用範圍

半導體設備真空動態軸封，真空設備，平面顯示器設備。

潛力預估

磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面，由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加，則本產品之市場潛力亦日益提升。

聯絡人員

陳獻忠

電話

03-4712201#356350

傳真

03-4713318

電子信箱

(空)

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

精密機械加工設備、充磁設備及檢測儀器。

需具備之專業人才

機械、材料、物理

同步更新日期

2023-07-22

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# 磁性聯軸器設計開發技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號421
產出年度93
技術名稱-中文磁性聯軸器設計開發技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文完成磁性聯軸器之開發技術，國內沒有其他廠家有此技術，本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m
技術成熟度雛型
可應用範圍半導體設備真空動態軸封，真空設備，平面顯示器設備。
潛力預估磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面，由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加，則本產品之市場潛力亦日益提升。
聯絡人員陳獻忠
電話03-4712201#356350
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備精密機械加工設備、充磁設備及檢測儀器。
需具備之專業人才機械、材料、物理
序號: 421
產出年度: 93
技術名稱-中文: 磁性聯軸器設計開發技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 完成磁性聯軸器之開發技術，國內沒有其他廠家有此技術，本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 半導體設備真空動態軸封，真空設備，平面顯示器設備。
潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面，由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加，則本產品之市場潛力亦日益提升。
聯絡人員: 陳獻忠
電話: 03-4712201#356350
傳真: 03-4713318
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 精密機械加工設備、充磁設備及檢測儀器。
需具備之專業人才: 機械、材料、物理
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# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號7535
產出年度99
領域別機械運輸
專利名稱-中文驅動晶片組
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫
專利發明人蔡金進,陳?忠,施慶隆
核准國家中華民國
獲證日期99/06/11
證書號碼M382664
專利期間起99/06/11
專利期間訖108/12/03
專利性質新型
技術摘要-中文驅動晶片組
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳?忠
電話03-4712201-356350
傳真03-4711605
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7535
產出年度: 99
領域別: 機械運輸
專利名稱-中文: 驅動晶片組
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫
專利發明人: 蔡金進,陳?忠,施慶隆
核准國家: 中華民國
獲證日期: 99/06/11
證書號碼: M382664
專利期間起: 99/06/11
專利期間訖: 108/12/03
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 驅動晶片組
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳?忠
電話: 03-4712201-356350
傳真: 03-4711605
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號417
產出年度93
技術名稱-中文真空機械手臂開發技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文完成高真空、高潔淨晶圓輸送機械手臂系統之開發技術，國內沒有其他廠家有此技術，本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格．晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面
技術成熟度試量產
可應用範圍半導體製程設備，平面顯示器製造設備，半導體廠自動化，光電元件製程設備
潛力預估機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。
聯絡人員陳獻忠
電話03-4712201#356350
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備機械設計軟體、機械加工設備、電腦控制軟硬體、精度測試設備
需具備之專業人才機械、真空、電子、控制
序號: 417
產出年度: 93
技術名稱-中文: 真空機械手臂開發技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 完成高真空、高潔淨晶圓輸送機械手臂系統之開發技術，國內沒有其他廠家有此技術，本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: ．晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 半導體製程設備，平面顯示器製造設備，半導體廠自動化，光電元件製程設備
潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。
聯絡人員: 陳獻忠
電話: 03-4712201#356350
傳真: 03-4713318
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 機械設計軟體、機械加工設備、電腦控制軟硬體、精度測試設備
需具備之專業人才: 機械、真空、電子、控制

# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號418
產出年度93
技術名稱-中文集束型製程設備真空輸送平台系統技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文開發完成200mm/300mm晶圓集束型製程設備真空輸送平台系統技術，具高潔淨度，高真空度，符合SEMI標準，國內沒有其他廠家有此技術，本院可提供技術轉移。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格．主腔型態:六面腔或八面腔，真空度: 1×10-7Torr，控制介面: RS232，硬體介面:符合SEMI標準規範，晶圓尺寸：200mm/300mm
技術成熟度雛型
可應用範圍半導體設備晶圓傳輸，半導體廠自動化，平面顯示器設備自動化
潛力預估集束型設備，具有節省空間及時間等效益，為現階段半導體廠常見之設備組態方式，而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一，目前此類設備均為外購，深具市場潛力。
聯絡人員陳獻忠
電話03-4712201#356350
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備高真空設備及組件、精密機械加工、電腦控制軟硬體、潔淨室。
需具備之專業人才機械、真空、電子、控制
序號: 418
產出年度: 93
技術名稱-中文: 集束型製程設備真空輸送平台系統技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 開發完成200mm/300mm晶圓集束型製程設備真空輸送平台系統技術，具高潔淨度，高真空度，符合SEMI標準，國內沒有其他廠家有此技術，本院可提供技術轉移。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: ．主腔型態:六面腔或八面腔，真空度: 1×10-7Torr，控制介面: RS232，硬體介面:符合SEMI標準規範，晶圓尺寸：200mm/300mm
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 半導體設備晶圓傳輸，半導體廠自動化，平面顯示器設備自動化
潛力預估: 集束型設備，具有節省空間及時間等效益，為現階段半導體廠常見之設備組態方式，而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一，目前此類設備均為外購，深具市場潛力。
聯絡人員: 陳獻忠
電話: 03-4712201#356350
傳真: 03-4713318
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 高真空設備及組件、精密機械加工、電腦控制軟硬體、潔淨室。
需具備之專業人才: 機械、真空、電子、控制

# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號419
產出年度93
技術名稱-中文半導體基材輸送設備控制器開發技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以物件導向技術完成半導體基材輸送設備控制器開發，可應用於半導體集束型設備輸送系統設備控制。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合SEMI SECS標準、元件化組裝方便
技術成熟度試量產
可應用範圍矽半導體、Ⅲ-Ⅴ族半導體、平面顯示器基材輸送平台控制
潛力預估目前國內所使用半導體設備控制器多為國外產品或由國內廠商針對單一機台所開發控制器，其架構多為封閉式架構，不易修改或維護，本產品採開放式多層架構，元件化設計，組裝方便，可依不同機台快速組裝與抽換;由於半導體機台本土化為我國未來發展趨勢，本產品深具市場潛力。
聯絡人員陳獻忠
電話03-4712201#356350
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備運動控制卡、個人電腦或工業電腦，Win98、Win2000、WinXP作業平台及通訊界面設備
需具備之專業人才機械、真空、電子、控制
序號: 419
產出年度: 93
技術名稱-中文: 半導體基材輸送設備控制器開發技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 以物件導向技術完成半導體基材輸送設備控制器開發，可應用於半導體集束型設備輸送系統設備控制。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 符合SEMI SECS標準、元件化組裝方便
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 矽半導體、Ⅲ-Ⅴ族半導體、平面顯示器基材輸送平台控制
潛力預估: 目前國內所使用半導體設備控制器多為國外產品或由國內廠商針對單一機台所開發控制器，其架構多為封閉式架構，不易修改或維護，本產品採開放式多層架構，元件化設計，組裝方便，可依不同機台快速組裝與抽換;由於半導體機台本土化為我國未來發展趨勢，本產品深具市場潛力。
聯絡人員: 陳獻忠
電話: 03-4712201#356350
傳真: 03-4713318
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 運動控制卡、個人電腦或工業電腦，Win98、Win2000、WinXP作業平台及通訊界面設備
需具備之專業人才: 機械、真空、電子、控制

# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號420
產出年度93
技術名稱-中文磁性流體軸封開發技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文完成磁性流體軸封之開發技術，國內沒有其他廠家有此技術，本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格操作溫度0 ~ 80℃，耐真空度10-8Torr，洩漏速度10-10 mbar/sec，單/雙軸式磁性軸封
技術成熟度試量產
可應用範圍半導體設備真空動態軸封，真空設備，平面顯示器設備。
潛力預估磁性流體軸封為半導體設備中用以隔離運動件之真空與大氣介面不可或缺重要組件，常用於真空機械手臂之真空隔離介面，由於磁性流體具有使用期限，為定期更換件，每年約有1,000顆以上之需求量。
聯絡人員陳獻忠
電話03-4712201#356350
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備精密機械加工設備、測漏設備、磁性流體配置設備及儀器
需具備之專業人才機械、材料、物理化學
序號: 420
產出年度: 93
技術名稱-中文: 磁性流體軸封開發技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 完成磁性流體軸封之開發技術，國內沒有其他廠家有此技術，本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 操作溫度0 ~ 80℃，耐真空度10-8Torr，洩漏速度10-10 mbar/sec，單/雙軸式磁性軸封
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 半導體設備真空動態軸封，真空設備，平面顯示器設備。
潛力預估: 磁性流體軸封為半導體設備中用以隔離運動件之真空與大氣介面不可或缺重要組件，常用於真空機械手臂之真空隔離介面，由於磁性流體具有使用期限，為定期更換件，每年約有1,000顆以上之需求量。
聯絡人員: 陳獻忠
電話: 03-4712201#356350
傳真: 03-4713318
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 精密機械加工設備、測漏設備、磁性流體配置設備及儀器
需具備之專業人才: 機械、材料、物理化學

# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號422
產出年度93
技術名稱-中文半導體前段設備標準通標模組
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文半導體標準通訊模組專為半導體廠各設備問利用SECSΙ/Ⅱ及HSMS標準進行訊息傳輸之機台所設計的通訊模組，本通訊模組具有使用容易、可快速加入設備控制器等特性，並採用目前業界通用的SML 檔案格式，相容性極高，可迅速取代現有通訊模組。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準
技術成熟度試量產
可應用範圍半導體前段製程設備
潛力預估SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準，本產品為標準通訊模組，目前此類標準通訊模組多使用國外產品，國內市場廣大，可配合未來國內自製機台使用，潛力無窮。
聯絡人員陳獻忠
電話03-4712201#356350
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備個人電腦或工業電腦，Win98、Win2000、WinXP作業平台。
需具備之專業人才電子工程相關背景
序號: 422
產出年度: 93
技術名稱-中文: 半導體前段設備標準通標模組
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 半導體標準通訊模組專為半導體廠各設備問利用SECSΙ/Ⅱ及HSMS標準進行訊息傳輸之機台所設計的通訊模組，本通訊模組具有使用容易、可快速加入設備控制器等特性，並採用目前業界通用的SML 檔案格式，相容性極高，可迅速取代現有通訊模組。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 半導體前段製程設備
潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準，本產品為標準通訊模組，目前此類標準通訊模組多使用國外產品，國內市場廣大，可配合未來國內自製機台使用，潛力無窮。
聯絡人員: 陳獻忠
電話: 03-4712201#356350
傳真: 03-4713318
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 個人電腦或工業電腦，Win98、Win2000、WinXP作業平台。
需具備之專業人才: 電子工程相關背景

# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號722
產出年度94
技術名稱-中文真空機械手臂開發技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文完成高真空、高潔淨晶圓輸送機械手臂系統之開發技術，國內沒有其他廠家有此技術，本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面
技術成熟度試量產
可應用範圍半導體製程設備，平面顯示器製造設備，半導體廠自動化，光電元件製程設備
潛力預估機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。
聯絡人員陳獻忠
電話03-4712201#356350
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備機械設計軟體、機械加工設備、電腦控制軟硬體、精度測試設備
需具備之專業人才機械、真空、電子、控制
序號: 722
產出年度: 94
技術名稱-中文: 真空機械手臂開發技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 完成高真空、高潔淨晶圓輸送機械手臂系統之開發技術，國內沒有其他廠家有此技術，本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 半導體製程設備，平面顯示器製造設備，半導體廠自動化，光電元件製程設備
潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。
聯絡人員: 陳獻忠
電話: 03-4712201#356350
傳真: 03-4713318
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 機械設計軟體、機械加工設備、電腦控制軟硬體、精度測試設備
需具備之專業人才: 機械、真空、電子、控制
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與磁性聯軸器設計開發技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計，包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證，內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫，提供客戶設計階段導入應用之服務，提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS; Restriction of Hazardous Substances)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用...

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發，包括下列各項軟體技術： 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台，提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發，具備完整的原始碼，除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外，將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口，降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能，以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求，進行客製化設計

行動終端垂直應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: J2ME JSR180 SIP API：1.Support peer-to-peer model、2.protocol for communication services；Responsive KV... | 潛力預估: 提升本國Smart Mobile IP Phone製造商之嵌入式軟體自製率3%，降低5%的生產成本，縮短10%的Time-to-market，提升產品出貨量達3%。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計，包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證，內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫，提供客戶設計階段導入應用之服務，提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS; Restriction of Hazardous Substances)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用...

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發，包括下列各項軟體技術： 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台，提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發，具備完整的原始碼，除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外，將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口，降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能，以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求，進行客製化設計

行動終端垂直應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: J2ME JSR180 SIP API：1.Support peer-to-peer model、2.protocol for communication services；Responsive KV... | 潛力預估: 提升本國Smart Mobile IP Phone製造商之嵌入式軟體自製率3%，降低5%的生產成本，縮短10%的Time-to-market，提升產品出貨量達3%。

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