半導體前段設備標準通標模組
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技術名稱-中文半導體前段設備標準通標模組的執行單位是中科院飛彈所, 產出年度是94, 計畫名稱是新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫, 技術規格是符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準, 潛力預估是SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準,本產品為標準通訊模組,目前此類標準通訊模組多使用國外產品,國內市場廣大,可配合未來國內自製機台使用,潛力無窮。.

序號727
產出年度94
技術名稱-中文半導體前段設備標準通標模組
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文半導體標準通訊模組專為半導體廠各設備問利用SECSΙ/Ⅱ及HSMS標準進行訊息傳輸之機台所設計的通訊模組,本通訊模組具有使用容易、可快速加入設備控制器等特性,並採用目前業界通用的SML 檔案格式,相容性極高,可迅速取代現有通訊模組。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準
技術成熟度試量產
可應用範圍半導體前段製程設備
潛力預估SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準,本產品為標準通訊模組,目前此類標準通訊模組多使用國外產品,國內市場廣大,可配合未來國內自製機台使用,潛力無窮。
聯絡人員陳獻忠
電話03-4712201#356350
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備個人電腦或工業電腦,Win98、Win2000、WinXP作業平台。
需具備之專業人才電子工程相關背景
同步更新日期2023-07-22

序號

727

產出年度

94

技術名稱-中文

半導體前段設備標準通標模組

執行單位

中科院飛彈所

產出單位

(空)

計畫名稱

新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

半導體標準通訊模組專為半導體廠各設備問利用SECSΙ/Ⅱ及HSMS標準進行訊息傳輸之機台所設計的通訊模組,本通訊模組具有使用容易、可快速加入設備控制器等特性,並採用目前業界通用的SML 檔案格式,相容性極高,可迅速取代現有通訊模組。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準

技術成熟度

試量產

可應用範圍

半導體前段製程設備

潛力預估

SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準,本產品為標準通訊模組,目前此類標準通訊模組多使用國外產品,國內市場廣大,可配合未來國內自製機台使用,潛力無窮。

聯絡人員

陳獻忠

電話

03-4712201#356350

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所須軟硬體設備

個人電腦或工業電腦,Win98、Win2000、WinXP作業平台。

需具備之專業人才

電子工程相關背景

同步更新日期

2023-07-22

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# 半導體前段設備標準通標模組 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號422
產出年度93
技術名稱-中文半導體前段設備標準通標模組
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文半導體標準通訊模組專為半導體廠各設備問利用SECSΙ/Ⅱ及HSMS標準進行訊息傳輸之機台所設計的通訊模組,本通訊模組具有使用容易、可快速加入設備控制器等特性,並採用目前業界通用的SML 檔案格式,相容性極高,可迅速取代現有通訊模組。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準
技術成熟度試量產
可應用範圍半導體前段製程設備
潛力預估SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準,本產品為標準通訊模組,目前此類標準通訊模組多使用國外產品,國內市場廣大,可配合未來國內自製機台使用,潛力無窮。
聯絡人員陳獻忠
電話03-4712201#356350
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所須軟硬體設備個人電腦或工業電腦,Win98、Win2000、WinXP作業平台。
需具備之專業人才電子工程相關背景
序號: 422
產出年度: 93
技術名稱-中文: 半導體前段設備標準通標模組
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 半導體標準通訊模組專為半導體廠各設備問利用SECSΙ/Ⅱ及HSMS標準進行訊息傳輸之機台所設計的通訊模組,本通訊模組具有使用容易、可快速加入設備控制器等特性,並採用目前業界通用的SML 檔案格式,相容性極高,可迅速取代現有通訊模組。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 半導體前段製程設備
潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準,本產品為標準通訊模組,目前此類標準通訊模組多使用國外產品,國內市場廣大,可配合未來國內自製機台使用,潛力無窮。
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所須軟硬體設備: 個人電腦或工業電腦,Win98、Win2000、WinXP作業平台。
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# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號7535
產出年度99
領域別機械運輸
專利名稱-中文驅動晶片組
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫
專利發明人蔡金進,陳?忠,施慶隆
核准國家中華民國
獲證日期99/06/11
證書號碼M382664
專利期間起99/06/11
專利期間訖108/12/03
專利性質新型
技術摘要-中文驅動晶片組
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳?忠
電話03-4712201-356350
傳真03-4711605
電子信箱csist@csistdup.org.tw
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7535
產出年度: 99
領域別: 機械運輸
專利名稱-中文: 驅動晶片組
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫
專利發明人: 蔡金進,陳?忠,施慶隆
核准國家: 中華民國
獲證日期: 99/06/11
證書號碼: M382664
專利期間起: 99/06/11
專利期間訖: 108/12/03
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 驅動晶片組
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳?忠
電話: 03-4712201-356350
傳真: 03-4711605
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號417
產出年度93
技術名稱-中文真空機械手臂開發技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文完成高真空、高潔淨晶圓輸送機械手臂系統之開發技術,國內沒有其他廠家有此技術,本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格.晶圓大小:300mm;真空度: 1×10-7Torr;運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm;PC Based架構控制器,具離線校準教導控制器及RS232通訊介面
技術成熟度試量產
可應用範圍半導體製程設備,平面顯示器製造設備,半導體廠自動化,光電元件製程設備
潛力預估機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件,國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠,其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%,計有6,700萬美元,其中真空機械手臂188套,估計約760萬美元。
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所須軟硬體設備機械設計軟體、機械加工設備、電腦控制軟硬體、精度測試設備
需具備之專業人才機械、真空、電子、控制
序號: 417
產出年度: 93
技術名稱-中文: 真空機械手臂開發技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 完成高真空、高潔淨晶圓輸送機械手臂系統之開發技術,國內沒有其他廠家有此技術,本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: .晶圓大小:300mm;真空度: 1×10-7Torr;運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm;PC Based架構控制器,具離線校準教導控制器及RS232通訊介面
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 半導體製程設備,平面顯示器製造設備,半導體廠自動化,光電元件製程設備
潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件,國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠,其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%,計有6,700萬美元,其中真空機械手臂188套,估計約760萬美元。
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電話: 03-4712201#356350
傳真: 03-4713318
電子信箱: (空)
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所須軟硬體設備: 機械設計軟體、機械加工設備、電腦控制軟硬體、精度測試設備
需具備之專業人才: 機械、真空、電子、控制

# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號418
產出年度93
技術名稱-中文集束型製程設備真空輸送平台系統技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文開發完成200mm/300mm晶圓集束型製程設備真空輸送平台系統技術,具高潔淨度,高真空度,符合SEMI標準,國內沒有其他廠家有此技術,本院可提供技術轉移。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格.主腔型態:六面腔或八面腔,真空度: 1×10-7Torr,控制介面: RS232,硬體介面:符合SEMI標準規範,晶圓尺寸:200mm/300mm
技術成熟度雛型
可應用範圍半導體設備晶圓傳輸,半導體廠自動化,平面顯示器設備自動化
潛力預估集束型設備,具有節省空間及時間等效益,為現階段半導體廠常見之設備組態方式,而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一,目前此類設備均為外購,深具市場潛力。
聯絡人員陳獻忠
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所須軟硬體設備高真空設備及組件、精密機械加工、電腦控制軟硬體、潔淨室。
需具備之專業人才機械、真空、電子、控制
序號: 418
產出年度: 93
技術名稱-中文: 集束型製程設備真空輸送平台系統技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 開發完成200mm/300mm晶圓集束型製程設備真空輸送平台系統技術,具高潔淨度,高真空度,符合SEMI標準,國內沒有其他廠家有此技術,本院可提供技術轉移。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: .主腔型態:六面腔或八面腔,真空度: 1×10-7Torr,控制介面: RS232,硬體介面:符合SEMI標準規範,晶圓尺寸:200mm/300mm
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 半導體設備晶圓傳輸,半導體廠自動化,平面顯示器設備自動化
潛力預估: 集束型設備,具有節省空間及時間等效益,為現階段半導體廠常見之設備組態方式,而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一,目前此類設備均為外購,深具市場潛力。
聯絡人員: 陳獻忠
電話: 03-4712201#356350
傳真: 03-4713318
電子信箱: (空)
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所須軟硬體設備: 高真空設備及組件、精密機械加工、電腦控制軟硬體、潔淨室。
需具備之專業人才: 機械、真空、電子、控制

# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號419
產出年度93
技術名稱-中文半導體基材輸送設備控制器開發技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以物件導向技術完成半導體基材輸送設備控制器開發,可應用於半導體集束型設備輸送系統設備控制。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合SEMI SECS標準、元件化組裝方便
技術成熟度試量產
可應用範圍矽半導體、Ⅲ-Ⅴ族半導體、平面顯示器基材輸送平台控制
潛力預估目前國內所使用半導體設備控制器多為國外產品或由國內廠商針對單一機台所開發控制器,其架構多為封閉式架構,不易修改或維護,本產品採開放式多層架構,元件化設計,組裝方便,可依不同機台快速組裝與抽換;由於半導體機台本土化為我國未來發展趨勢,本產品深具市場潛力。
聯絡人員陳獻忠
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電子信箱(空)
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所須軟硬體設備運動控制卡、個人電腦或工業電腦,Win98、Win2000、WinXP作業平台及通訊界面設備
需具備之專業人才機械、真空、電子、控制
序號: 419
產出年度: 93
技術名稱-中文: 半導體基材輸送設備控制器開發技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 以物件導向技術完成半導體基材輸送設備控制器開發,可應用於半導體集束型設備輸送系統設備控制。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 符合SEMI SECS標準、元件化組裝方便
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 矽半導體、Ⅲ-Ⅴ族半導體、平面顯示器基材輸送平台控制
潛力預估: 目前國內所使用半導體設備控制器多為國外產品或由國內廠商針對單一機台所開發控制器,其架構多為封閉式架構,不易修改或維護,本產品採開放式多層架構,元件化設計,組裝方便,可依不同機台快速組裝與抽換;由於半導體機台本土化為我國未來發展趨勢,本產品深具市場潛力。
聯絡人員: 陳獻忠
電話: 03-4712201#356350
傳真: 03-4713318
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 運動控制卡、個人電腦或工業電腦,Win98、Win2000、WinXP作業平台及通訊界面設備
需具備之專業人才: 機械、真空、電子、控制

# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號420
產出年度93
技術名稱-中文磁性流體軸封開發技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文完成磁性流體軸封之開發技術,國內沒有其他廠家有此技術,本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格操作溫度0 ~ 80℃,耐真空度10-8Torr,洩漏速度10-10 mbar/sec,單/雙軸式磁性軸封
技術成熟度試量產
可應用範圍半導體設備真空動態軸封,真空設備,平面顯示器設備。
潛力預估磁性流體軸封為半導體設備中用以隔離運動件之真空與大氣介面不可或缺重要組件,常用於真空機械手臂之真空隔離介面,由於磁性流體具有使用期限,為定期更換件,每年約有1,000顆以上之需求量。
聯絡人員陳獻忠
電話03-4712201#356350
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備精密機械加工設備、測漏設備、磁性流體配置設備及儀器
需具備之專業人才機械、材料、物理化學
序號: 420
產出年度: 93
技術名稱-中文: 磁性流體軸封開發技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 完成磁性流體軸封之開發技術,國內沒有其他廠家有此技術,本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 操作溫度0 ~ 80℃,耐真空度10-8Torr,洩漏速度10-10 mbar/sec,單/雙軸式磁性軸封
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 半導體設備真空動態軸封,真空設備,平面顯示器設備。
潛力預估: 磁性流體軸封為半導體設備中用以隔離運動件之真空與大氣介面不可或缺重要組件,常用於真空機械手臂之真空隔離介面,由於磁性流體具有使用期限,為定期更換件,每年約有1,000顆以上之需求量。
聯絡人員: 陳獻忠
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傳真: 03-4713318
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所須軟硬體設備: 精密機械加工設備、測漏設備、磁性流體配置設備及儀器
需具備之專業人才: 機械、材料、物理化學

# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號421
產出年度93
技術名稱-中文磁性聯軸器設計開發技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文完成磁性聯軸器之開發技術,國內沒有其他廠家有此技術,本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m
技術成熟度雛型
可應用範圍半導體設備真空動態軸封,真空設備,平面顯示器設備。
潛力預估磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面,由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加,則本產品之市場潛力亦日益提升。
聯絡人員陳獻忠
電話03-4712201#356350
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備精密機械加工設備、充磁設備及檢測儀器。
需具備之專業人才機械、材料、物理
序號: 421
產出年度: 93
技術名稱-中文: 磁性聯軸器設計開發技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 完成磁性聯軸器之開發技術,國內沒有其他廠家有此技術,本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 半導體設備真空動態軸封,真空設備,平面顯示器設備。
潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面,由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加,則本產品之市場潛力亦日益提升。
聯絡人員: 陳獻忠
電話: 03-4712201#356350
傳真: 03-4713318
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 精密機械加工設備、充磁設備及檢測儀器。
需具備之專業人才: 機械、材料、物理

# 03-4712201 356350 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號722
產出年度94
技術名稱-中文真空機械手臂開發技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文完成高真空、高潔淨晶圓輸送機械手臂系統之開發技術,國內沒有其他廠家有此技術,本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格晶圓大小:300mm;真空度: 1×10-7Torr;運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm;PC Based架構控制器,具離線校準教導控制器及RS232通訊介面
技術成熟度試量產
可應用範圍半導體製程設備,平面顯示器製造設備,半導體廠自動化,光電元件製程設備
潛力預估機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件,國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠,其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%,計有6,700萬美元,其中真空機械手臂188套,估計約760萬美元。
聯絡人員陳獻忠
電話03-4712201#356350
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備機械設計軟體、機械加工設備、電腦控制軟硬體、精度測試設備
需具備之專業人才機械、真空、電子、控制
序號: 722
產出年度: 94
技術名稱-中文: 真空機械手臂開發技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 完成高真空、高潔淨晶圓輸送機械手臂系統之開發技術,國內沒有其他廠家有此技術,本院可提供技術移轉。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 晶圓大小:300mm;真空度: 1×10-7Torr;運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm;PC Based架構控制器,具離線校準教導控制器及RS232通訊介面
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 半導體製程設備,平面顯示器製造設備,半導體廠自動化,光電元件製程設備
潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件,國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠,其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%,計有6,700萬美元,其中真空機械手臂188套,估計約760萬美元。
聯絡人員: 陳獻忠
電話: 03-4712201#356350
傳真: 03-4713318
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 機械設計軟體、機械加工設備、電腦控制軟硬體、精度測試設備
需具備之專業人才: 機械、真空、電子、控制
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與半導體前段設備標準通標模組同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

DTV IPMP多媒體資源智權管理技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 此系統使用Client-Server的PC-based平台架構 2. 系統提供數位視訊內容的授權使用管理服務 3. 系統搭配Smartcard及X.509 PKI密鑰技術 4. 系統憑證相容於M... | 潛力預估: 數位內容與DRM系統建置,可控制多媒體內容及相關數位文件之權限使用管理,是數位內容服務基礎設施。相關的特定領域系統,如數位學習、數位圖書館藏,也隨之存在極大的市場契機

支援多影音格式之串流平台

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 符合RFC標準 2. 支援多種播放器及平台 | 潛力預估: 視訊串流技術幾乎無所不在,以IP為base的多媒體應用,可提供各式各樣的multimedia services,目前家庭網路的成熟及以客廳為娛樂中心的概念之形成,使得家庭影音串流平台成為當下的發展重...

多點影音播放系統

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Video Codec : MPEG-1/2/4 WMV 2.Audio Codec : MP2/3 AAC AC3 | 潛力預估: 隨著數位家庭的成熟,影音播放的DMA相關產品將成為主要的消費產品

iB3G數位電視即時串流錄影選台

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Protocol : RTSP/HTTP | 潛力預估: 即時視訊為行動影音最有吸引力的服務,使用者可看到即時新聞或球賽,對於網路服務業者來說,存在著很大的商機

低溫共燒基材製程技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ◆ Hermetic sealing : Leak Rate < 5×10-8 atm-cc/s He (bomb condition @ 75 psi dwell 1hr )◆ cavity siz... | 潛力預估: 目前美國、日本及歐洲的德國、比利時等均已投入此方面之研究,如美國的Sandia國家實驗室與DuPont等大廠。而歐洲則有IZM、IMEC及Infineon等大廠及一些研究單位都朝此兩技術整合發展。

積層模組EMI抑制技術技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸3.20.21.60.20.850.15(mm),截止頻率100 MHz,額定電流100 mA,額定電壓10V,串音-20dB,8信號線端,2接地端之四組型陣列LC濾波器 | 潛力預估: 預計至96年時產能可達144KKpcs,總產值可達3億6千萬元以上,帶動投資額二億五千萬,可帶動該公司2.97之EPS

超薄壓電膜材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 壓電膜層具機電轉換效率40﹪,機械品質因素10,製作之振動板起始頻率低至100Hz等特性,同時具有可撓曲性。 | 潛力預估: 壓電式聲音元件包括蜂鳴器、振鈴、收送話器、喇叭等,市場約有新台幣70億的規模,主要的材料為壓電薄片。配合寬音域與平面化的產品應用趨勢,降低壓電片厚度與直接製作於可撓基材上為關鍵性技術,超薄壓電膜材料技...

積層氧化鋅變阻器及其配方組成

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 積層氧化鋅變阻器具有吸收雷擊突波與靜電放電脈衝之功能,又由於其單層厚度較傳統變阻器小,更適用於低電壓之可攜式產品和IC元件之保護。 | 潛力預估: 提升國內積層氧化鋅變器廠商技術與競爭力,並保護授權廠商之競爭優勢,形成更優質的投資與生產環境。目前全球市場規模約新台幣100億元/年,預估單一廠商初期年產值可達1億元。

高溫度穩定性材料技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立玻璃材料奈米微晶控制機制-經由不同升溫速率可配合Matusita & Sakka提出的計算式,計算結晶機制的各個參數,如Avrami exponent(n)及結晶活化能(E);n值可以表示其為何... | 潛力預估: 開發低熱膨脹係數玻璃陶瓷材料及製程技術,若順利開發及完成專利怖局,將可改善國內光電產業關鍵材料由國外進口的困境,達到關鍵性材料國產化的目的,並可改善關鍵材料及零組件掌握在國際大廠的窘境。

陶瓷薄膜整合技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度<300℃之薄膜電晶體。 源極-汲極間的電流IDS=10-9-10-6 安培 | 潛力預估: 利用反應式濺鍍技術的自組裝奈米介面薄膜電晶體, 是種低溫並且環保的創新製程, 在能源的利用及綠色生活品質的貢獻皆遠大於現存的工業製程。本低溫製程的薄膜電晶體積體化技術的開發, 將可提升廠商在未來通訊...

埋入式電容(DK=40)基板材料技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 優良PCB製程加工性‧穩定之介電特性: DK38~42, DF185(DMA),耐銲錫288oC, >3mi | 潛力預估: 提供高介電常數(DK40)之電容材料配方技術及材料規格給材料廠商,創造新型電路板材料,強化基板材料產業技術能力。提供本技術給國內材料商,將可以協助國內基板材料業者掌握關鍵材料技術料及提升PCB產業的...

銅箔基層材料用雙層聚亞醯胺塗膜製備專利授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 高尺寸安定、適合高密度細線畫線路製作、高耐化性、優異耐熱、電性及機械性質 | 潛力預估: 將國內原已建立之軟性基板產業推向更先進之無接著劑型軟性基板,為將來電子與光電產業所需之下游構裝基板材料產業建立基礎,支援已蓬勃發展之平面顯示器產業,使國內整個產業體系更完整,提升產業競爭力,最重要在建...

高容量複合石墨負極材料

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用奈米結構在石墨上形成複合石墨負極材料,達到石墨改質的目的,本技術所開發之負極材料克電容量(360 mAh/g)較傳統MCMB克電容量(320 mAh/g)高12%,材料成本降低40% | 潛力預估: 提供高容量負極材料之合成技術及材料工程規格給電池材料製造商,掌握鋰電池關鍵原材料,預估可促進材料廠商之投資達一億元以上,年產值達三億元以上。增加國內20億與全世界200億鋰電池負極材料市場佔有率的技術...

導電高分子固態電容器及其製造方法

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試,使其導電度>10S/cm,並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究,並使其含浸成膜率達8... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值,除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外,全球的需求呈現穩定而大幅的成長, 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...

混成電能調節技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.根據電池容量狀態,自動調節燃料電池工作點。主動避免電池低容量狀態,提高燃料使用效率,並防止電池發生過度充電現象。2.標準Switching Converter電路架構,開發容易。無需微處理器,低... | 潛力預估: 本技術可以應用在燃料電池或是太陽能電池的獨立行供電設備,未來可攜式電源的需求,包括行動資訊元件、電動交通工具、戶外緊急混成供電電源、太陽能隨身電源/充電器,太陽能路燈/號誌/警示器等,均可以選擇適當的...

DTV IPMP多媒體資源智權管理技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 此系統使用Client-Server的PC-based平台架構 2. 系統提供數位視訊內容的授權使用管理服務 3. 系統搭配Smartcard及X.509 PKI密鑰技術 4. 系統憑證相容於M... | 潛力預估: 數位內容與DRM系統建置,可控制多媒體內容及相關數位文件之權限使用管理,是數位內容服務基礎設施。相關的特定領域系統,如數位學習、數位圖書館藏,也隨之存在極大的市場契機

支援多影音格式之串流平台

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 符合RFC標準 2. 支援多種播放器及平台 | 潛力預估: 視訊串流技術幾乎無所不在,以IP為base的多媒體應用,可提供各式各樣的multimedia services,目前家庭網路的成熟及以客廳為娛樂中心的概念之形成,使得家庭影音串流平台成為當下的發展重...

多點影音播放系統

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Video Codec : MPEG-1/2/4 WMV 2.Audio Codec : MP2/3 AAC AC3 | 潛力預估: 隨著數位家庭的成熟,影音播放的DMA相關產品將成為主要的消費產品

iB3G數位電視即時串流錄影選台

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Protocol : RTSP/HTTP | 潛力預估: 即時視訊為行動影音最有吸引力的服務,使用者可看到即時新聞或球賽,對於網路服務業者來說,存在著很大的商機

低溫共燒基材製程技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ◆ Hermetic sealing : Leak Rate < 5×10-8 atm-cc/s He (bomb condition @ 75 psi dwell 1hr )◆ cavity siz... | 潛力預估: 目前美國、日本及歐洲的德國、比利時等均已投入此方面之研究,如美國的Sandia國家實驗室與DuPont等大廠。而歐洲則有IZM、IMEC及Infineon等大廠及一些研究單位都朝此兩技術整合發展。

積層模組EMI抑制技術技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸3.20.21.60.20.850.15(mm),截止頻率100 MHz,額定電流100 mA,額定電壓10V,串音-20dB,8信號線端,2接地端之四組型陣列LC濾波器 | 潛力預估: 預計至96年時產能可達144KKpcs,總產值可達3億6千萬元以上,帶動投資額二億五千萬,可帶動該公司2.97之EPS

超薄壓電膜材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 壓電膜層具機電轉換效率40﹪,機械品質因素10,製作之振動板起始頻率低至100Hz等特性,同時具有可撓曲性。 | 潛力預估: 壓電式聲音元件包括蜂鳴器、振鈴、收送話器、喇叭等,市場約有新台幣70億的規模,主要的材料為壓電薄片。配合寬音域與平面化的產品應用趨勢,降低壓電片厚度與直接製作於可撓基材上為關鍵性技術,超薄壓電膜材料技...

積層氧化鋅變阻器及其配方組成

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 積層氧化鋅變阻器具有吸收雷擊突波與靜電放電脈衝之功能,又由於其單層厚度較傳統變阻器小,更適用於低電壓之可攜式產品和IC元件之保護。 | 潛力預估: 提升國內積層氧化鋅變器廠商技術與競爭力,並保護授權廠商之競爭優勢,形成更優質的投資與生產環境。目前全球市場規模約新台幣100億元/年,預估單一廠商初期年產值可達1億元。

高溫度穩定性材料技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立玻璃材料奈米微晶控制機制-經由不同升溫速率可配合Matusita & Sakka提出的計算式,計算結晶機制的各個參數,如Avrami exponent(n)及結晶活化能(E);n值可以表示其為何... | 潛力預估: 開發低熱膨脹係數玻璃陶瓷材料及製程技術,若順利開發及完成專利怖局,將可改善國內光電產業關鍵材料由國外進口的困境,達到關鍵性材料國產化的目的,並可改善關鍵材料及零組件掌握在國際大廠的窘境。

陶瓷薄膜整合技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度<300℃之薄膜電晶體。 源極-汲極間的電流IDS=10-9-10-6 安培 | 潛力預估: 利用反應式濺鍍技術的自組裝奈米介面薄膜電晶體, 是種低溫並且環保的創新製程, 在能源的利用及綠色生活品質的貢獻皆遠大於現存的工業製程。本低溫製程的薄膜電晶體積體化技術的開發, 將可提升廠商在未來通訊...

埋入式電容(DK=40)基板材料技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 優良PCB製程加工性‧穩定之介電特性: DK38~42, DF185(DMA),耐銲錫288oC, >3mi | 潛力預估: 提供高介電常數(DK40)之電容材料配方技術及材料規格給材料廠商,創造新型電路板材料,強化基板材料產業技術能力。提供本技術給國內材料商,將可以協助國內基板材料業者掌握關鍵材料技術料及提升PCB產業的...

銅箔基層材料用雙層聚亞醯胺塗膜製備專利授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 高尺寸安定、適合高密度細線畫線路製作、高耐化性、優異耐熱、電性及機械性質 | 潛力預估: 將國內原已建立之軟性基板產業推向更先進之無接著劑型軟性基板,為將來電子與光電產業所需之下游構裝基板材料產業建立基礎,支援已蓬勃發展之平面顯示器產業,使國內整個產業體系更完整,提升產業競爭力,最重要在建...

高容量複合石墨負極材料

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用奈米結構在石墨上形成複合石墨負極材料,達到石墨改質的目的,本技術所開發之負極材料克電容量(360 mAh/g)較傳統MCMB克電容量(320 mAh/g)高12%,材料成本降低40% | 潛力預估: 提供高容量負極材料之合成技術及材料工程規格給電池材料製造商,掌握鋰電池關鍵原材料,預估可促進材料廠商之投資達一億元以上,年產值達三億元以上。增加國內20億與全世界200億鋰電池負極材料市場佔有率的技術...

導電高分子固態電容器及其製造方法

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試,使其導電度>10S/cm,並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究,並使其含浸成膜率達8... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值,除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外,全球的需求呈現穩定而大幅的成長, 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...

混成電能調節技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.根據電池容量狀態,自動調節燃料電池工作點。主動避免電池低容量狀態,提高燃料使用效率,並防止電池發生過度充電現象。2.標準Switching Converter電路架構,開發容易。無需微處理器,低... | 潛力預估: 本技術可以應用在燃料電池或是太陽能電池的獨立行供電設備,未來可攜式電源的需求,包括行動資訊元件、電動交通工具、戶外緊急混成供電電源、太陽能隨身電源/充電器,太陽能路燈/號誌/警示器等,均可以選擇適當的...

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