300mm×300mm電子迴旋共振高密度電漿奈米碳管機台
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文300mm×300mm電子迴旋共振高密度電漿奈米碳管機台的執行單位是中科院飛彈所, 產出年度是94, 計畫名稱是新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫, 技術規格是基板大小:300mm×300mm，製程溫度低於450℃，均勻度為3%, 潛力預估是奈米碳管可用於場發射元件、奈米導線、奈米探針、儲能材料、結構複合材料等領域，為本世紀最具應用潛力的新材料，世界先進國家均積極投入研發，並列為各該國家奈米計畫研究重點項目。因此，開發大面積、高密度電漿源設備及奈米碳管低溫製程技術，一方面較具量產經濟規模，另一方面可直接在玻璃甚至塑膠基板上合成奈米碳管，....

序號	728
產出年度	94
技術名稱-中文	300mm×300mm電子迴旋共振高密度電漿奈米碳管機台
執行單位	中科院飛彈所
產出單位	(空)
計畫名稱	新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	300mm×300mm電子迴旋共振電漿機台，為一高密度大面積電漿源，已安裝於交通大學之半導體中心，進行奈米碳管成長製程之合作研究，本機台所產生之電漿為高密度、低溫奈米碳管成長製程。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	基板大小:300mm×300mm，製程溫度低於450℃，均勻度為3%
技術成熟度	試量產
可應用範圍	300mm×300mm大面積玻璃基板之奈米碳管成長
潛力預估	奈米碳管可用於場發射元件、奈米導線、奈米探針、儲能材料、結構複合材料等領域，為本世紀最具應用潛力的新材料，世界先進國家均積極投入研發，並列為各該國家奈米計畫研究重點項目。因此，開發大面積、高密度電漿源設備及奈米碳管低溫製程技術，一方面較具量產經濟規模，另一方面可直接在玻璃甚至塑膠基板上合成奈米碳管，提供未來光電產業應用。
聯絡人員	戴涪
電話	03-4452098
傳真	03-4711605
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	．2.45GHz、2.5KW、高功率微波輸送系統。．500Φ、873高斯中空電磁場，10KW、50V、直流電源供應器。．多組電漿反應氣體，質流量穩流供應控制器。．自動閥門，分子渦輪幫浦真空控制系統．電漿化學氣相沉積製程，程序自動化控制系統
需具備之專業人才	電機、電子、機械、物理、化學
同步更新日期	2023-07-22

序號

728

產出年度

技術名稱-中文

300mm×300mm電子迴旋共振高密度電漿奈米碳管機台

執行單位

中科院飛彈所

產出單位

(空)

計畫名稱

新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

300mm×300mm電子迴旋共振電漿機台，為一高密度大面積電漿源，已安裝於交通大學之半導體中心，進行奈米碳管成長製程之合作研究，本機台所產生之電漿為高密度、低溫奈米碳管成長製程。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

基板大小:300mm×300mm，製程溫度低於450℃，均勻度為3%

技術成熟度

試量產

可應用範圍

300mm×300mm大面積玻璃基板之奈米碳管成長

潛力預估

奈米碳管可用於場發射元件、奈米導線、奈米探針、儲能材料、結構複合材料等領域，為本世紀最具應用潛力的新材料，世界先進國家均積極投入研發，並列為各該國家奈米計畫研究重點項目。因此，開發大面積、高密度電漿源設備及奈米碳管低溫製程技術，一方面較具量產經濟規模，另一方面可直接在玻璃甚至塑膠基板上合成奈米碳管，提供未來光電產業應用。

聯絡人員

戴涪

電話

03-4452098

傳真

03-4711605

電子信箱

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參考網址

(空)

所須軟硬體設備

．2.45GHz、2.5KW、高功率微波輸送系統。．500Φ、873高斯中空電磁場，10KW、50V、直流電源供應器。．多組電漿反應氣體，質流量穩流供應控制器。．自動閥門，分子渦輪幫浦真空控制系統．電漿化學氣相沉積製程，程序自動化控制系統

需具備之專業人才

電機、電子、機械、物理、化學

同步更新日期

2023-07-22

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# 03-4452098 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號	423
產出年度	93
技術名稱-中文	300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台
執行單位	中科院飛彈所
產出單位	(空)
計畫名稱	新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	300mm 電子迴旋共振電漿機台，為一高密度大面積電漿源，已安裝於交通大學之半導體中，進行合作Poly-si及SiO2薄膜製程之研究，本機台所產生之電漿為高密度、低能量適合精密薄膜沉積製程。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3%
技術成熟度	試量產
可應用範圍	300mm 晶圓之精密薄膜沉積、TFT-LCD之薄膜沉積。
潛力預估	為我國從民國87年起，投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元，LCD全球市場在民國94年將達390億美元，而全球設備產業將達61億美元，其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體前段製程及LCD製程，預估未來每年至少有新台幣50億元之商機。
聯絡人員	戴涪
電話	03-4452098
傳真	03-4711605
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	2.45GHz、2.5KW、高功率微波輸送系統。．500Φ、873高斯中空電磁場，10KW、50V、直流電源供應器。．多組電漿反應氣體，質流量穩流供應控制器。．Barotron高真空感應，自動大閥門，分子渦輪幫浦真空控制系統．電漿化學氣相沉積製程，程序自動化控制系統
需具備之專業人才	電機、電子、機械、物理、化學

序號: 423

產出年度: 93

技術名稱-中文: 300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台

執行單位: 中科院飛彈所

產出單位: (空)

計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 300mm 電子迴旋共振電漿機台，為一高密度大面積電漿源，已安裝於交通大學之半導體中，進行合作Poly-si及SiO2薄膜製程之研究，本機台所產生之電漿為高密度、低能量適合精密薄膜沉積製程。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3%

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 300mm 晶圓之精密薄膜沉積、TFT-LCD之薄膜沉積。

潛力預估: 為我國從民國87年起，投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元，LCD全球市場在民國94年將達390億美元，而全球設備產業將達61億美元，其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體前段製程及LCD製程，預估未來每年至少有新台幣50億元之商機。

聯絡人員: 戴涪

電話: 03-4452098

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所須軟硬體設備: 2.45GHz、2.5KW、高功率微波輸送系統。．500Φ、873高斯中空電磁場，10KW、50V、直流電源供應器。．多組電漿反應氣體，質流量穩流供應控制器。．Barotron高真空感應，自動大閥門，分子渦輪幫浦真空控制系統．電漿化學氣相沉積製程，程序自動化控制系統

需具備之專業人才: 電機、電子、機械、物理、化學

# 03-4452098 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號	424
產出年度	93
技術名稱-中文	300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台
執行單位	中科院飛彈所
產出單位	(空)
計畫名稱	新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	300mm電子迴旋共振電槳機台為高密度大面積電漿源，已安裝於清華大學之半導體中心進行合作研究，本機台所產生電漿為高密度、低能量較適合製作精密次微米溝槽蝕刻或大型微電子電路製作
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	．蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線．蝕刻速率為2,500 A /min ．蝕刻均勻度小於3 %
技術成熟度	試量產
可應用範圍	300mm 晶圓之精密蝕刻、清洗; TFT-LCD之蝕刻、清洗
潛力預估	我國半導體製造已耀居全球第四位，所需求之半導體前段設備投資規格已居全球第三，於民國91年市場達34.6億美元，預計至95年我國半導體製程達56.2億美元。本機台可應用在半導體前段製程及LCD製程，預估未來每年至少有新台幣50億元之商機
聯絡人員	戴涪
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電子信箱	(空)
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所須軟硬體設備	‧2.45GHz、2.5KW、高功率微波輸送系統。．500Φ、873高斯中空電磁場，10KW、50V、直流電源供應器。．多組電漿反應氣體，質流量穩流供應控制器。．Barotron高真空感應，自動大閥門，分子渦輪幫浦真空控制系統．電漿化學氣相沉積製程，程序自動化控制系統
需具備之專業人才	電機、電子、機械、物理、化學

序號: 424

產出年度: 93

技術名稱-中文: 300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所

產出單位: (空)

計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 300mm電子迴旋共振電槳機台為高密度大面積電漿源，已安裝於清華大學之半導體中心進行合作研究，本機台所產生電漿為高密度、低能量較適合製作精密次微米溝槽蝕刻或大型微電子電路製作

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: ．蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線．蝕刻速率為2,500 A /min ．蝕刻均勻度小於3 %

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 300mm 晶圓之精密蝕刻、清洗; TFT-LCD之蝕刻、清洗

潛力預估: 我國半導體製造已耀居全球第四位，所需求之半導體前段設備投資規格已居全球第三，於民國91年市場達34.6億美元，預計至95年我國半導體製程達56.2億美元。本機台可應用在半導體前段製程及LCD製程，預估未來每年至少有新台幣50億元之商機

聯絡人員: 戴涪

電話: 03-4452098

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需具備之專業人才: 電機、電子、機械、物理、化學

# 03-4452098 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號	729
產出年度	94
技術名稱-中文	300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台
執行單位	中科院飛彈所
產出單位	(空)
計畫名稱	新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	300mm 電子迴旋共振電漿機台，為一高密度大面積電漿源，已安裝於交通大學之半導體中，進行合作Poly-si及SiO2薄膜製程之研究，本機台所產生之電漿為高密度、低能量適合精密薄膜沉積製程。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3%
技術成熟度	試量產
可應用範圍	300mm 晶圓之精密薄膜沉積、TFT-LCD之薄膜沉積。
潛力預估	為我國從民國87年起，投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元，LCD全球市場在民國94年將達390億美元，而全球設備產業將達61億美元，其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體前段製程及LCD製程，預估未來每年至少有新台幣50億元之商機。
聯絡人員	戴涪
電話	03-4452098
傳真	03-4711605
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	2.45GHz、2.5KW、高功率微波輸送系統。．500Φ、873高斯中空電磁場，10KW、50V、直流電源供應器。．多組電漿反應氣體，質流量穩流供應控制器。．Barotron高真空感應，自動大閥門，分子渦輪幫浦真空控制系統．電漿化學氣相沉積製程，程序自動化控制系統
需具備之專業人才	電機、電子、機械、物理、化學

序號: 729

產出年度: 94

技術名稱-中文: 300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台

執行單位: 中科院飛彈所

產出單位: (空)

計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3%

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 300mm 晶圓之精密薄膜沉積、TFT-LCD之薄膜沉積。

聯絡人員: 戴涪

電話: 03-4452098

傳真: 03-4711605

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需具備之專業人才: 電機、電子、機械、物理、化學

# 03-4452098 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號	730
產出年度	94
技術名稱-中文	300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台
執行單位	中科院飛彈所
產出單位	(空)
計畫名稱	新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	300mm電子迴旋共振電槳機台為高密度大面積電漿源，已安裝於清華大學之半導體中心進行合作研究，本機台所產生電漿為高密度、低能量較適合製作精密次微米溝槽蝕刻或大型微電子電路製作
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線；蝕刻速率為2,500 A /min ；蝕刻均勻度小於3 %
技術成熟度	試量產
可應用範圍	300mm 晶圓之精密蝕刻、清洗; TFT-LCD之蝕刻、清洗
潛力預估	我國半導體製造已耀居全球第四位，所需求之半導體前段設備投資規格已居全球第三，於民國91年市場達34.6億美元，預計至95年我國半導體製程達56.2億美元。本機台可應用在半導體前段製程及LCD製程，預估未來每年至少有新台幣50億元之商機
聯絡人員	戴涪
電話	03-4452098
傳真	03-4711605
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	‧2.45GHz、2.5KW、高功率微波輸送系統。．500Φ、873高斯中空電磁場，10KW、50V、直流電源供應器。．多組電漿反應氣體，質流量穩流供應控制器。．Barotron高真空感應，自動大閥門，分子渦輪幫浦真空控制系統．電漿化學氣相沉積製程，程序自動化控制系統
需具備之專業人才	電機、電子、機械、物理、化學

序號: 730

產出年度: 94

技術名稱-中文: 300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所

產出單位: (空)

計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線；蝕刻速率為2,500 A /min ；蝕刻均勻度小於3 %

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 300mm 晶圓之精密蝕刻、清洗; TFT-LCD之蝕刻、清洗

聯絡人員: 戴涪

電話: 03-4452098

傳真: 03-4711605

電子信箱: (空)

參考網址: (空)

需具備之專業人才: 電機、電子、機械、物理、化學

# 03-4452098 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號	1742
產出年度	95
技術名稱-中文	大尺寸長方型高真空閘閥
執行單位	中科院飛彈所
產出單位	(空)
計畫名稱	光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	國內平面顯示器設備仰賴歐、美、日輸入進口，其中「大尺寸長方型高真空閘閥」製造技術精密度高，檢修、維修金額龐大；加上進口手續複雜，時效與成本都難以控制，產業的競爭優勢正急劇的流失中。目前國內一年進口國內平面顯示器與半導體設備約1200億元，其中，真空控制系統設備約120億元，而真空控制閘閥組件約占10﹪以上（即12億/年）。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	Leak rate: body, valve seat< 1×10^-9 mbar Pressure range1×10^-9 mbar to 3.0 bar (abs)Differential pressure on the gate3.0 bar in either directionDifferential pressure at opening≦ 40 mbarTemperatureStainless steel body≦ 200 ℃Pneumatic actuator ≦ 150 ℃Position indicator≦ 80 ℃Solenoid≦ 50 ℃
技術成熟度	試量產
可應用範圍	大面積真空製程機台。
潛力預估	從半導體、平面顯示器到薄膜太陽能電池製程設備。
聯絡人員	戴涪
電話	03-4452098
傳真	03-4713318
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	真空計
需具備之專業人才	機械控制相關背景

序號: 1742

產出年度: 95

技術名稱-中文: 大尺寸長方型高真空閘閥

執行單位: 中科院飛彈所

產出單位: (空)

計畫名稱: 光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 國內平面顯示器設備仰賴歐、美、日輸入進口，其中「大尺寸長方型高真空閘閥」製造技術精密度高，檢修、維修金額龐大；加上進口手續複雜，時效與成本都難以控制，產業的競爭優勢正急劇的流失中。目前國內一年進口國內平面顯示器與半導體設備約1200億元，其中，真空控制系統設備約120億元，而真空控制閘閥組件約占10﹪以上（即12億/年）。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: Leak rate: body, valve seat< 1×10^-9 mbar Pressure range1×10^-9 mbar to 3.0 bar (abs)Differential pressure on the gate3.0 bar in either directionDifferential pressure at opening≦ 40 mbarTemperatureStainless steel body≦ 200 ℃Pneumatic actuator ≦ 150 ℃Position indicator≦ 80 ℃Solenoid≦ 50 ℃

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 大面積真空製程機台。

潛力預估: 從半導體、平面顯示器到薄膜太陽能電池製程設備。

聯絡人員: 戴涪

電話: 03-4452098

傳真: 03-4713318

電子信箱: (空)

參考網址: (空)

所須軟硬體設備: 真空計

需具備之專業人才: 機械控制相關背景

# 03-4452098 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號	2177
產出年度	96
技術名稱-中文	大面積加熱靜電吸附承載平台
執行單位	中科院飛彈所
產出單位	(空)
計畫名稱	光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	國內平面顯示器設備仰賴歐、美、日輸入進口，其中「大面積加熱靜電吸附承載平台」製造技術精密度高，檢修、維修金額龐大；加上進口手續複雜，時效與成本都難以控制，產業的競爭優勢正急劇的流失中。目前國內一年進口國內平面顯示器與半導體設備約1200億元，其中，真空控制系統設備約120億元，而真空控制閘閥組件約占10﹪以上（即12億/年）。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	承載台加熱尺寸：1220X1400mm；材料：5083鋁合金；輸入功率：16KW；加熱方式：電熱管。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	大面積真空製程機台。
潛力預估	從半導體、平面顯示器到薄膜太陽能電池製程設備。
聯絡人員	黃重鈞
電話	03-4452098
傳真	03-4713318
電子信箱	SHEU352015@yahoo.com.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	紅外線熱影像量測系統、熱對流軟體分析軟體、AUTOCAD繪圖軟體。
需具備之專業人才	機械控制相關背景

序號: 2177

產出年度: 96

技術名稱-中文: 大面積加熱靜電吸附承載平台

執行單位: 中科院飛彈所

產出單位: (空)

計畫名稱: 光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 國內平面顯示器設備仰賴歐、美、日輸入進口，其中「大面積加熱靜電吸附承載平台」製造技術精密度高，檢修、維修金額龐大；加上進口手續複雜，時效與成本都難以控制，產業的競爭優勢正急劇的流失中。目前國內一年進口國內平面顯示器與半導體設備約1200億元，其中，真空控制系統設備約120億元，而真空控制閘閥組件約占10﹪以上（即12億/年）。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 承載台加熱尺寸：1220X1400mm；材料：5083鋁合金；輸入功率：16KW；加熱方式：電熱管。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 大面積真空製程機台。

潛力預估: 從半導體、平面顯示器到薄膜太陽能電池製程設備。

聯絡人員: 黃重鈞

電話: 03-4452098

傳真: 03-4713318

電子信箱: SHEU352015@yahoo.com.tw

參考網址: (空)

所須軟硬體設備: 紅外線熱影像量測系統、熱對流軟體分析軟體、AUTOCAD繪圖軟體。

需具備之專業人才: 機械控制相關背景

# 03-4452098 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號	2737
產出年度	97
技術名稱-中文	大面積均勻微波場形技術
執行單位	中科院飛彈所
產出單位	(空)
計畫名稱	光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	國內平面顯示器設備仰賴歐、美、日輸入進口，其中「大面積電漿設備」製造技術難度高，其中微波電漿源是大面積電漿設備的一種，本技術開發出大面積微波均勻場形產生技術，應用於電漿機台，以增進電漿解離度與均勻度。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	頻率：2.45GHz；材料：6061鋁合金；輸入功率：6KW。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	大面積電漿製程機台。
潛力預估	從半導體、平面顯示器到薄膜太陽能電池製程設備。
聯絡人員	黃重鈞
電話	03-4452098
傳真	03-4713318
電子信箱	csist@csistdup.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	HFSS (High Frequency Structure Simulator)軟體、AUTOCAD繪圖軟體。
需具備之專業人才	物理、機械相關背景

序號: 2737

產出年度: 97

技術名稱-中文: 大面積均勻微波場形技術

執行單位: 中科院飛彈所

產出單位: (空)

計畫名稱: 光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 國內平面顯示器設備仰賴歐、美、日輸入進口，其中「大面積電漿設備」製造技術難度高，其中微波電漿源是大面積電漿設備的一種，本技術開發出大面積微波均勻場形產生技術，應用於電漿機台，以增進電漿解離度與均勻度。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 頻率：2.45GHz；材料：6061鋁合金；輸入功率：6KW。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 大面積電漿製程機台。

潛力預估: 從半導體、平面顯示器到薄膜太陽能電池製程設備。

聯絡人員: 黃重鈞

電話: 03-4452098

傳真: 03-4713318

電子信箱: csist@csistdup.org.tw

參考網址: (空)

所須軟硬體設備: HFSS (High Frequency Structure Simulator)軟體、AUTOCAD繪圖軟體。

需具備之專業人才: 物理、機械相關背景

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與300mm×300mm電子迴旋共振高密度電漿奈米碳管機台同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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胰島素肺部吸入劑型開發	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常藥物技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 霧滴粒徑≦5μm，安定性於4℃下至少達2年 \| 潛力預估: 取代飯前注射胰島素市場
新穎咪唑類抗癌藥物開發	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常藥物技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藥物純度>99% \| 潛力預估: 可搶攻抗癌藥物市場，極具競爭力
硒吩類抗癌藥物開發	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 抗癌與抗代謝異常藥物技術開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藥物純度>99% \| 潛力預估: 可搶攻抗癌藥物市場，極具競爭力
抗癌蛋白質藥物－IFNα-Fc融合蛋白藥物開發	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 基因工程蛋白藥物開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 生產 IFNa-Fc對照標準品(達800 mg以上)，並將純化之IFNa-Fc進行蛋白質結構鑑定，分析項目包括：胺基酸組成分析、胺基酸序列分析、雙硫鍵位置鑑定等。針對抗病毒及抑制腫瘤細胞生長，進行IF... \| 潛力預估: 本計畫執行IFNα-Fc融合蛋白藥物開發包括：量產製程開發、製程品管及動物毒理藥理試驗以及臨床試驗所需的GMP藥品生產。預期蛋白新藥品成功開發之後，可為國內提供完整蛋白藥物開發經驗，及提供產業具有商業...
新噴鼻接種流行性感冒疫苗開發	執行單位: 生技中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 基因工程蛋白藥物開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 利用食品級乳酸菌之載體來攜帶表現外源蛋白，其篩選基因是紅黴素基因，其用來調控外源蛋白表現的啟動子是nisin A promoter。 \| 潛力預估: 利用減毒後腸毒素蛋白(mLT)或無毒性腸毒素蛋白(B subunit complex)及帶有減毒腸毒素蛋白之食品級乳酸菌，開發鼻腔接種及口服之疫苗佐劑，已藉由老鼠鼻腔接種流感抗原混合不同減毒之腸毒素蛋...
石材複合薄板切割技術	執行單位: 石資中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: 石資中心 \| 計畫名稱: 高值化石材綠色設計應用技術開發計畫 \| 領域: 機械運輸 \| 技術規格: 1.複合石板裁切： 3mm+2~5mm背襯板厚×800mm寬×800mm長; 2.石板裁切：5mm厚×800mm寬×800mm長 \| 潛力預估: 可將原20mm厚石板切成2片7~8mm厚石板，當20mm厚石材為200元/才，扣除每才75元成本(切割、複合…)，以250才/日計算，每台每月可獲利38萬以上
複合石材薄板產品應用於壁面之模組化系統	執行單位: 石資中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: 石資中心 \| 計畫名稱: 高值化石材綠色設計應用技術開發計畫 \| 領域: 機械運輸 \| 技術規格: 石材薄板厚度為2-3mm，安裝的完成厚度為38mm以上 \| 潛力預估: 可搶攻室內裝修市場市場，極具市場淺力
複合石材薄板產品應用於高架地板之模組化系統	執行單位: 石資中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: 石資中心 \| 計畫名稱: 高值化石材綠色設計應用技術開發計畫 \| 領域: 機械運輸 \| 技術規格: *石材高架地板面板大小為6060cm，完成厚度為33-35mm，符合CNS10678標準 \| 潛力預估: 可搶攻室內裝修市場，極具市場淺力**
花崗石精密平台製程技術	執行單位: 石資中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: 石資中心 \| 計畫名稱: 高值化石材綠色設計應用技術開發計畫 \| 領域: 機械運輸 \| 技術規格: 平坦度符合DIN 876 00/0/1/2級及CNS 7549(JIS) 0/1/2級，長60cm、寬60cm以下之花崗石精密平台類相關產品。 \| 潛力預估: 物化性質及長度穩定性佳，可逐漸取代傳統以鑄鐵或其他金屬材料作為平台、構件、儀器量規之最佳材料，極具市場發展淺力
電腦配色調墨處理平台	執行單位: 印研中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 數位網路配色建構技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 作業系統/windows98、windows2000、windowsXP、使用者身份認証、系統啟用機制、系統回饋Time小於5min、線上即時記錄小於5sec \| 潛力預估: 強化印刷產業配色作業之處理速度並可協助印刷產業提升產品附加價值及降低成本
環保油墨配方資料庫	執行單位: 印研中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 數位網路配色建構技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 重金屬含量小於100ppm、濃度/4 color、耐摩擦測試/30～40、乳化程度/50±15%、表面乾燥速度/8～10小時、完全乾燥速度/18～20小時、配方數大於500種 \| 潛力預估: 可做為往後油墨製造上的有利參考，並提升印刷業環保油墨的使用，減少印刷產業造成的環境污染。
電動輪椅轂式有刷馬達減速傳動及離合機構開發技術	執行單位: 自行車中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自行車暨健康系統關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電子差速動力採單邊250W直流有刷轂式馬達驅動,二級斜齒輪減速,減速比18:1,最大速度11公里/小時 \| 潛力預估: 輪轂式電動輪椅整合輪轂式馬達、減速及離合機構,為一模組化及輕量化設計,可取代市場現有之驅動傳動設計，並應用於輕量化可折收式電動輪椅
輔助動力式電動輪椅開發技術	執行單位: 自行車中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自行車暨健康系統關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 輔助動力式電動輪椅採雙馬達驅動方式,單邊動力輸出100W、扭力感測範圍由±20N-m、手推力感測誤差10%、傳動減速80%以上,並具離合裝置可於電力不足時,以手動推動,為一電動及手動雙功能之電動輪椅 \| 潛力預估: 德國 Otto Bock與日本 Yamaha已共同開發出類似之技術，但其應用之技術使產品過於昂貴，無法普及；而本技術下之產品可達相同功能，成本可降1/3以上,並提昇國產醫療代步輔具產品技術層次，增加...
永磁式磁阻系統設計開發技術	執行單位: 自行車中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 自行車暨健康系統關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立磁阻系統的設計之六個主要參數，計有永久磁鐵之磁通密度、作用面積、數量、氣隙、導磁飛輪材質及相對工程尺寸，提升磁阻系統的設計能力，建立磁阻系統控制方法和功率調整精準度達25瓦特以上，進而使磁阻功率誤... \| 潛力預估: 磁阻系統為健身復健器材之重要核心模組，推出後可提高磁阻系統輸出功率及產品等級，降低成本並提高競爭優勢。