線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發的執行單位是中科院飛彈所, 產出年度是94, 計畫名稱是新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫, 技術規格是機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm, 潛力預估是預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機研製能力,生產單價新台幣1,200萬元以上高速機種,初估市場規模約每年新台幣10億元.

序號732
產出年度94
技術名稱-中文線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文掌握研發過程中之各項關鍵技術,包括整機佈局設計、機體結構設計、高速進給煞車安全機構設計、線性馬達介面安裝設計、結構振動測試、主軸動態迴轉精度暨溫升熱變位量測、機構動態模擬、控制系統設計,控制系統實現、調機經驗心得、小型線性馬試驗機台開發以及含變形、模態、動靜剛性、能量分佈率之有限元素結構分析項目
技術現況敘述-英文(空)
技術規格機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm
技術成熟度雛型
可應用範圍CNC工具機、模具業、國防工業、航太工業、汽車工業
潛力預估預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機研製能力,生產單價新台幣1,200萬元以上高速機種,初估市場規模約每年新台幣10億元
聯絡人員石世雄
電話03-4452197
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備線性馬達、CNC控制器
需具備之專業人才機械設計、控制
同步更新日期2023-07-22

序號

732

產出年度

94

技術名稱-中文

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位

中科院飛彈所

產出單位

(空)

計畫名稱

新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

掌握研發過程中之各項關鍵技術,包括整機佈局設計、機體結構設計、高速進給煞車安全機構設計、線性馬達介面安裝設計、結構振動測試、主軸動態迴轉精度暨溫升熱變位量測、機構動態模擬、控制系統設計,控制系統實現、調機經驗心得、小型線性馬試驗機台開發以及含變形、模態、動靜剛性、能量分佈率之有限元素結構分析項目

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm

技術成熟度

雛型

可應用範圍

CNC工具機、模具業、國防工業、航太工業、汽車工業

潛力預估

預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機研製能力,生產單價新台幣1,200萬元以上高速機種,初估市場規模約每年新台幣10億元

聯絡人員

石世雄

電話

03-4452197

傳真

03-4713318

電子信箱

(空)

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

線性馬達、CNC控制器

需具備之專業人才

機械設計、控制

同步更新日期

2023-07-22

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# 線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號426
產出年度93
技術名稱-中文線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文掌握研發過程中之各項關鍵技術,包括整機佈局設計、機體結構設計、高速進給煞車安全機構設計、線性馬達介面安裝設計、結構振動測試、主軸動態迴轉精度暨溫升熱變位量測、機構動態模擬、控制系統設計,控制系統實現、調機經驗心得、小型線性馬試驗機台開發以及含變形、模態、動靜剛性、能量分佈率之有限元素結構分析項目
技術現況敘述-英文(空)
技術規格機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm
技術成熟度雛型
可應用範圍CNC工具機、模具業、國防工業、航太工業、汽車工業
潛力預估相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機研製能力,生產單價新台幣1,200萬元以上高速機種,初估市場規模約每年新台幣10億元
聯絡人員石世雄
電話03-4452197
傳真03-4713318
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備線性馬達、CNC控制器
需具備之專業人才機械設計、控制
序號: 426
產出年度: 93
技術名稱-中文: 線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 掌握研發過程中之各項關鍵技術,包括整機佈局設計、機體結構設計、高速進給煞車安全機構設計、線性馬達介面安裝設計、結構振動測試、主軸動態迴轉精度暨溫升熱變位量測、機構動態模擬、控制系統設計,控制系統實現、調機經驗心得、小型線性馬試驗機台開發以及含變形、模態、動靜剛性、能量分佈率之有限元素結構分析項目
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: CNC工具機、模具業、國防工業、航太工業、汽車工業
潛力預估: 相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機研製能力,生產單價新台幣1,200萬元以上高速機種,初估市場規模約每年新台幣10億元
聯絡人員: 石世雄
電話: 03-4452197
傳真: 03-4713318
電子信箱: (空)
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所須軟硬體設備: 線性馬達、CNC控制器
需具備之專業人才: 機械設計、控制
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# 03-4452197 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號2178
產出年度96
技術名稱-中文超精密加工設備結構分析與結構優化設計技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文超精密加工設備結構分析與結構優化設計技術包括子結構結構分析、整機結構模態分析、整機結構靜剛性分析、整機結構動剛性分析、及整機結構各子結構能量分佈率分析等相關分析與結構優化設計技術。由整機模態分析可獲得有效提升整機模態頻率之關鍵資訊;由整機靜剛性分析可獲得整機靜剛性之特性與改善方案;依整機動剛性分析可知整機結構部位最小動剛性發生之時機,搭配整機各子結構能量分佈率分析可獲得動剛性改善確切資訊。_x000D_
技術現況敘述-英文(空)
技術規格包括超精密加工設備子結構與整機之結構分析與結構優化設計技術。超精密加工設備設計規格為:三軸控制解析度8nm;工作行程X150 mm、Y150mm、Z200mm;切削進給: 300mm/min。
技術成熟度雛型
可應用範圍可運用於各型精密加工設備與精密測試機台之結構分析與結構優化設計。
潛力預估PCB鑽孔機、超精密加工機、晶圓研磨機、與晶圓測試機等精密加工設備與精密測試機台皆為潛在使用對象,對機床與測試設備精度品質與穩定性之確保具有正向效益,亦同時提升其附加價值與競爭力。
聯絡人員黃仁明
電話03-4452197
傳真03-4713318
電子信箱SHEU352015@yahoo.com.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備電腦、有限元素分析軟體
需具備之專業人才機械結構分析背景
序號: 2178
產出年度: 96
技術名稱-中文: 超精密加工設備結構分析與結構優化設計技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 超精密加工設備結構分析與結構優化設計技術包括子結構結構分析、整機結構模態分析、整機結構靜剛性分析、整機結構動剛性分析、及整機結構各子結構能量分佈率分析等相關分析與結構優化設計技術。由整機模態分析可獲得有效提升整機模態頻率之關鍵資訊;由整機靜剛性分析可獲得整機靜剛性之特性與改善方案;依整機動剛性分析可知整機結構部位最小動剛性發生之時機,搭配整機各子結構能量分佈率分析可獲得動剛性改善確切資訊。_x000D_
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 包括超精密加工設備子結構與整機之結構分析與結構優化設計技術。超精密加工設備設計規格為:三軸控制解析度8nm;工作行程X150 mm、Y150mm、Z200mm;切削進給: 300mm/min。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 可運用於各型精密加工設備與精密測試機台之結構分析與結構優化設計。
潛力預估: PCB鑽孔機、超精密加工機、晶圓研磨機、與晶圓測試機等精密加工設備與精密測試機台皆為潛在使用對象,對機床與測試設備精度品質與穩定性之確保具有正向效益,亦同時提升其附加價值與競爭力。
聯絡人員: 黃仁明
電話: 03-4452197
傳真: 03-4713318
電子信箱: SHEU352015@yahoo.com.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 電腦、有限元素分析軟體
需具備之專業人才: 機械結構分析背景

# 03-4452197 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號2739
產出年度97
技術名稱-中文空氣主軸模組技術
執行單位中科院飛彈所
產出單位(空)
計畫名稱光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文第二代空氣主軸模組製作與測試驗證,包含第二代超精密工件空氣主軸與超精密刀具空氣主軸。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格超精密工件空氣主軸轉速1800rpm、軸向剛性100N/μm、外徑φ200mm、超精密刀具空氣主軸轉速60000rpm、剛性30N/μm、外徑φ64mm。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍可運用於各型超精密加工設備與精密測試機台之空氣主軸系統。
潛力預估PCB鑽孔機、超精密加工機、晶圓研磨機、與晶圓測試機等精密加工設備與精密測試機台皆為潛在使用對象,對機床與測試設備精度品質與穩定性之確保具有正向效益,亦同時提升其附加價值與競爭力。
聯絡人員黃仁明
電話03-4452197
傳真03-4713318
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備電腦、3D繪圖軟體、有限差分軟體、有限元素分析軟體、頻譜分析儀、加速度計、位移計、迴轉精度量測儀、動態擊鎚、激振器
需具備之專業人才機械結構與設計等相關背景
序號: 2739
產出年度: 97
技術名稱-中文: 空氣主軸模組技術
執行單位: 中科院飛彈所
產出單位: (空)
計畫名稱: 光電與精密機電系統關鍵技術研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 第二代空氣主軸模組製作與測試驗證,包含第二代超精密工件空氣主軸與超精密刀具空氣主軸。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 超精密工件空氣主軸轉速1800rpm、軸向剛性100N/μm、外徑φ200mm、超精密刀具空氣主軸轉速60000rpm、剛性30N/μm、外徑φ64mm。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 可運用於各型超精密加工設備與精密測試機台之空氣主軸系統。
潛力預估: PCB鑽孔機、超精密加工機、晶圓研磨機、與晶圓測試機等精密加工設備與精密測試機台皆為潛在使用對象,對機床與測試設備精度品質與穩定性之確保具有正向效益,亦同時提升其附加價值與競爭力。
聯絡人員: 黃仁明
電話: 03-4452197
傳真: 03-4713318
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 電腦、3D繪圖軟體、有限差分軟體、有限元素分析軟體、頻譜分析儀、加速度計、位移計、迴轉精度量測儀、動態擊鎚、激振器
需具備之專業人才: 機械結構與設計等相關背景
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3-Gamma 電壓驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System,極具應用潛力

3-Gamma 電流驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Proce | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

半穿透/反射式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

3-Gamma 電壓驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System,極具應用潛力

3-Gamma 電流驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Proce | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

半穿透/反射式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

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