環境頻譜分析及基地台整合測試技術
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技術名稱-中文環境頻譜分析及基地台整合測試技術的執行單位是中科院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫, 技術規格是適用無線通訊頻段3G/WiFi/WLAN/PHS/CDMA2000干擾量測, 潛力預估是可為未來電信營運商評估基地台設置、電信監理等服務。.

序號759
產出年度94
技術名稱-中文環境頻譜分析及基地台整合測試技術
執行單位中科院電子所
產出單位(空)
計畫名稱寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本項技術屬成熟軍用技術轉民用
技術現況敘述-英文(空)
技術規格適用無線通訊頻段3G/WiFi/WLAN/PHS/CDMA2000干擾量測
技術成熟度成熟
可應用範圍基地台環境頻譜量測
潛力預估可為未來電信營運商評估基地台設置、電信監理等服務。
聯絡人員劉畯澄
電話03-4715520
傳真03-4719841
電子信箱cdma@wice.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備硬體：工作站、量測設備；軟體：本計畫發展之測試軟體
需具備之專業人才電子相關背景
同步更新日期2023-07-22

序號

759

產出年度

94

技術名稱-中文

環境頻譜分析及基地台整合測試技術

執行單位

中科院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本項技術屬成熟軍用技術轉民用

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

適用無線通訊頻段3G/WiFi/WLAN/PHS/CDMA2000干擾量測

技術成熟度

成熟

可應用範圍

基地台環境頻譜量測

潛力預估

可為未來電信營運商評估基地台設置、電信監理等服務。

聯絡人員

劉畯澄

電話

03-4715520

傳真

03-4719841

電子信箱

cdma@wice.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

硬體：工作站、量測設備；軟體：本計畫發展之測試軟體

需具備之專業人才

電子相關背景

同步更新日期

2023-07-22

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# 03-4715520 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號540
產出年度93
技術名稱-中文3G手機/基地台檢測驗證技術
執行單位中科院電子所
產出單位(空)
計畫名稱寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文已完成測試裝備及能量建立、400Test Cases、CNLA PLM08有關3G手機之測試認證，可執行技術服務及發證作業。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格3GPP TS34.121(含RRM)及TS34.123
技術成熟度完成
可應用範圍3GW-CDMA用戶端相關產品
潛力預估3G CDMA用戶端產品開發
聯絡人員劉畯澄
電話03-4715520
傳真03-4719841
電子信箱cdma@wice.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 540
產出年度: 93
技術名稱-中文: 3G手機/基地台檢測驗證技術
執行單位: 中科院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 已完成測試裝備及能量建立、400Test Cases、CNLA PLM08有關3G手機之測試認證，可執行技術服務及發證作業。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 3GPP TS34.121(含RRM)及TS34.123
技術成熟度: 完成
可應用範圍: 3GW-CDMA用戶端相關產品
潛力預估: 3G CDMA用戶端產品開發
聯絡人員: 劉畯澄
電話: 03-4715520
傳真: 03-4719841
電子信箱: cdma@wice.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: (空)
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-4715520 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號541
產出年度93
技術名稱-中文EMI/EMC測試技術
執行單位中科院電子所
產出單位(空)
計畫名稱寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文已完成測試裝備及能量建立，可執行技術服務及發證作業。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格3GPP TS34.124
技術成熟度完成
可應用範圍3GW-CDMA用戶端相關產品
潛力預估3G CDMA用戶端產品開發
聯絡人員劉畯澄
電話03-4715520
傳真03-4719841
電子信箱cdma@wice.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電子相關背
序號: 541
產出年度: 93
技術名稱-中文: EMI/EMC測試技術
執行單位: 中科院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 已完成測試裝備及能量建立，可執行技術服務及發證作業。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 3GPP TS34.124
技術成熟度: 完成
可應用範圍: 3GW-CDMA用戶端相關產品
潛力預估: 3G CDMA用戶端產品開發
聯絡人員: 劉畯澄
電話: 03-4715520
傳真: 03-4719841
電子信箱: cdma@wice.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: (空)
需具備之專業人才: 電子相關背

# 03-4715520 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號758
產出年度94
技術名稱-中文用戶台及基地台Trch Codec模組技術
執行單位中科院電子所
產出單位(空)
計畫名稱寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文已完成功能驗證，成功使用於本計畫研製之W-CDMA/WLL雛型系統。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合3GPP W-CDMA R99版規範
技術成熟度雛型
可應用範圍W-CDMA晶片組設計
潛力預估可搶攻3G W-CDMA晶片市場，極具市場淺力
聯絡人員劉畯澄
電話03-4715520
傳真03-4719841
電子信箱cdma@wice.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備硬體設備：工作站（Unic OS）
需具備之專業人才電子相關背景
序號: 758
產出年度: 94
技術名稱-中文: 用戶台及基地台Trch Codec模組技術
執行單位: 中科院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 已完成功能驗證，成功使用於本計畫研製之W-CDMA/WLL雛型系統。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 符合3GPP W-CDMA R99版規範
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: W-CDMA晶片組設計
潛力預估: 可搶攻3G W-CDMA晶片市場，極具市場淺力
聯絡人員: 劉畯澄
電話: 03-4715520
傳真: 03-4719841
電子信箱: cdma@wice.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 硬體設備：工作站（Unic OS）
需具備之專業人才: 電子相關背景

# 03-4715520 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號220
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文飛機與地面地形碰撞的偵測處理方法
執行單位中科院電子所
產出單位(空)
計畫名稱飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫
專利發明人鄭世通
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼發明第191875號
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係關於一種飛機與地面地形碰撞的偵測處理方法，其分別由參數檔、數位地形資料庫、較緊急危險處理、目前非緊急危險處理及聲音與影像的警告處理等模組組成，飛機於飛行中，載入數位地形資料與目前飛機資料以三度空間比對判斷是否有碰撞的可能，為緊急狀況將進行適當處理，若無立即碰撞可能，則進行目前非緊急危險處理，相同的載入相關資料並以三度空間比較判斷，在間隔一段時間即進行載入多邊地形圖與飛行路徑位置的比較，並讓相關人員可有較充裕的緩衝時間進行適當處理，確為一可準確穩定的判斷出飛機是否存在潛在碰撞可能的處理方法。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員余秋琄
電話03-4715520
傳真(空)
電子信箱(空)
參考網址http://www.artc.org.tw/
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 220
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 飛機與地面地形碰撞的偵測處理方法
執行單位: 中科院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫
專利發明人: 鄭世通
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 發明第191875號
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係關於一種飛機與地面地形碰撞的偵測處理方法，其分別由參數檔、數位地形資料庫、較緊急危險處理、目前非緊急危險處理及聲音與影像的警告處理等模組組成，飛機於飛行中，載入數位地形資料與目前飛機資料以三度空間比對判斷是否有碰撞的可能，為緊急狀況將進行適當處理，若無立即碰撞可能，則進行目前非緊急危險處理，相同的載入相關資料並以三度空間比較判斷，在間隔一段時間即進行載入多邊地形圖與飛行路徑位置的比較，並讓相關人員可有較充裕的緩衝時間進行適當處理，確為一可準確穩定的判斷出飛機是否存在潛在碰撞可能的處理方法。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 余秋琄
電話: 03-4715520
傳真: (空)
電子信箱: (空)
參考網址: http://www.artc.org.tw/
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-4715520 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號221
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文調頻連續波雷達高度計之數位控制式線性掃頻模式
執行單位中科院電子所
產出單位(空)
計畫名稱飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫
專利發明人林鈺山, 劉鳳玲, 鄭世通
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼發明第197868號
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文摘要說明本發明係有關一種調頻連續波(FMCW)雷達高度計之數位控制式線性掃頻模式，其特徵在1)採取上掃頻及下掃頻方式以解決距離與都普勒訊號混合的現象；2)掃頻週期間加上一段隨機產生的不定時延遲的掃描形式，以克服不同高度計間的干擾，及3)依不同高度切換不同掃頻頻寬之掃頻模式。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員余秋琄
電話03-4715520
傳真(空)
電子信箱(空)
參考網址(空)
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 221
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 調頻連續波雷達高度計之數位控制式線性掃頻模式
執行單位: 中科院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫
專利發明人: 林鈺山, 劉鳳玲, 鄭世通
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 發明第197868號
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 摘要說明本發明係有關一種調頻連續波(FMCW)雷達高度計之數位控制式線性掃頻模式，其特徵在1)採取上掃頻及下掃頻方式以解決距離與都普勒訊號混合的現象；2)掃頻週期間加上一段隨機產生的不定時延遲的掃描形式，以克服不同高度計間的干擾，及3)依不同高度切換不同掃頻頻寬之掃頻模式。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 余秋琄
電話: 03-4715520
傳真: (空)
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-4715520 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號245
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文具有彈性及耐用的探針
執行單位中科院電子所
產出單位(空)
計畫名稱寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫
專利發明人鄧德生.李鴻淇
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼US-2003-0112024-A1
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文係用以量測基板上之訊號；此探針具有金屬探頭指尖．彈性軟質多層介質基板．平面傳輸結構．以及固定端，其中，彈性軟質多層介質基板係耦接至金屬探針頭指尖．平面傳輸結構耦接至金屬探針頭指尖及彈性軟質多層介質基板．而固定耦接至彈性軟質多層基板及平面傳輸結構．
技術摘要-英文(空)
聯絡人員余秋琄
電話03-4715520
傳真(空)
電子信箱(空)
參考網址(空)
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 245
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 具有彈性及耐用的探針
執行單位: 中科院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫
專利發明人: 鄧德生.李鴻淇
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: US-2003-0112024-A1
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 係用以量測基板上之訊號；此探針具有金屬探頭指尖．彈性軟質多層介質基板．平面傳輸結構．以及固定端，其中，彈性軟質多層介質基板係耦接至金屬探針頭指尖．平面傳輸結構耦接至金屬探針頭指尖及彈性軟質多層介質基板．而固定耦接至彈性軟質多層基板及平面傳輸結構．
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 余秋琄
電話: 03-4715520
傳真: (空)
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)

# 03-4715520 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號246
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文射頻傳輸線之參數調校的方法及其結構
執行單位中科院電子所
產出單位(空)
計畫名稱寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫
專利發明人李繼華.梁春村.葉嘉範
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼發明第197766號
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文適用於一印刷電路板，而印刷電路板於佈線階段，事先形成至少一傳輸線以及多個銅箔片，接著利用一校正金屬片直接銲接於傳輸線以及部份或至少一銅箔片上，以取代低頻所使用之電阻．電容及電感等分立元件．因此，印刷電路板上之射頻元件的參數調校工作，可利用傳輸線與銅箔片之間的開路短路線段(open stub)或短路短線段(short stub)等效應，以改變射頻傳輸線之特性參數．
技術摘要-英文(空)
聯絡人員余秋琄
電話03-4715520
傳真(空)
電子信箱(空)
參考網址(空)
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 246
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 射頻傳輸線之參數調校的方法及其結構
執行單位: 中科院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫
專利發明人: 李繼華.梁春村.葉嘉範
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 發明第197766號
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 適用於一印刷電路板，而印刷電路板於佈線階段，事先形成至少一傳輸線以及多個銅箔片，接著利用一校正金屬片直接銲接於傳輸線以及部份或至少一銅箔片上，以取代低頻所使用之電阻．電容及電感等分立元件．因此，印刷電路板上之射頻元件的參數調校工作，可利用傳輸線與銅箔片之間的開路短路線段(open stub)或短路短線段(short stub)等效應，以改變射頻傳輸線之特性參數．
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 余秋琄
電話: 03-4715520
傳真: (空)
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)

# 03-4715520 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號247
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文劃碼多工進接系統之分離式波道卡架構
執行單位中科院資通所
產出單位(空)
計畫名稱寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫
專利發明人吳匡時、林瀛寬、彭明山
核准國家中國大陸
獲證日期(空)
證書號碼175672
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一 種碼分多址系統的分離式信道卡結構，包括：有線網路接口模組、有線網路控制台的控制器、主信道卡、中頻模組接收主信道卡、射頻模組、接收信道卡、隨機存取卡、時鐘模組及小區控制器。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉維欽
電話03-4715520
傳真(空)
電子信箱(空)
參考網址(空)
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 247
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 劃碼多工進接系統之分離式波道卡架構
執行單位: 中科院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫
專利發明人: 吳匡時、林瀛寬、彭明山
核准國家: 中國大陸
獲證日期: (空)
證書號碼: 175672
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一 種碼分多址系統的分離式信道卡結構，包括：有線網路接口模組、有線網路控制台的控制器、主信道卡、中頻模組接收主信道卡、射頻模組、接收信道卡、隨機存取卡、時鐘模組及小區控制器。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉維欽
電話: 03-4715520
傳真: (空)
電子信箱: (空)
參考網址: (空)
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)
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與環境頻譜分析及基地台整合測試技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序，在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後，微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例，2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序，在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後，微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例，2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

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