導航顯示電腦技術
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技術名稱-中文導航顯示電腦技術的執行單位是中科院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫, 技術規格是Display Control & Processor Unit (Airborne Computer);6.4”TFT LCD Flat Panel640;480 dot RGB, Antiglare and EMI protected Front Glass( display);TFT Pane..., 潛力預估是可運用於電腦、遊艇與汽車導航顯示器。.

序號760
產出年度94
技術名稱-中文導航顯示電腦技術
執行單位中科院電子所
產出單位(空)
計畫名稱飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文國外飛航電腦與顯示器結合之產品有Rockwell Collins之pro4,21系列,Honeywell有APEX 1000等產品,在Airliner已形成壟斷,由於現貨市場單價與利潤均高,如能以工業電腦之工藝結合航空環境規範及飛航顯示與處理邏輯,在船舶領域用用機會頗大。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Display Control & Processor Unit (Airborne Computer);6.4”TFT LCD Flat Panel640;480 dot RGB, Antiglare and EMI protected Front Glass( display);TFT Panel by tube, switches dual color LED (backlight);Dual rotary switch, single rotary with Push Switch, 6 push button switches ( controls );APC1 300MHz 86 CPU, 128Mbyte RAM ( CPU );4/8 series ports RS232/422/485, ARINC 429 2TX/2RX up to 4TX/RX,CF-type 1 slot , 2 USB 1.1, IDE Memory 512Mbyte (Interfaces);DSUB (connector)
技術成熟度原型機種
可應用範圍1.船舶/車輛 Digital Data Bus 2.車用/船用數位匯流排及整合顯示器。
潛力預估可運用於電腦、遊艇與汽車導航顯示器。
聯絡人員許張原
電話03-4712201-329551
傳真(空)
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備一般發展/測試裝備
需具備之專業人才信號處理/射頻電路相關背景
同步更新日期2023-07-22

序號

760

產出年度

94

技術名稱-中文

導航顯示電腦技術

執行單位

中科院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

國外飛航電腦與顯示器結合之產品有Rockwell Collins之pro4,21系列,Honeywell有APEX 1000等產品,在Airliner已形成壟斷,由於現貨市場單價與利潤均高,如能以工業電腦之工藝結合航空環境規範及飛航顯示與處理邏輯,在船舶領域用用機會頗大。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Display Control & Processor Unit (Airborne Computer);6.4”TFT LCD Flat Panel640;480 dot RGB, Antiglare and EMI protected Front Glass( display);TFT Panel by tube, switches dual color LED (backlight);Dual rotary switch, single rotary with Push Switch, 6 push button switches ( controls );APC1 300MHz 86 CPU, 128Mbyte RAM ( CPU );4/8 series ports RS232/422/485, ARINC 429 2TX/2RX up to 4TX/RX,CF-type 1 slot , 2 USB 1.1, IDE Memory 512Mbyte (Interfaces);DSUB (connector)

技術成熟度

原型機種

可應用範圍

1.船舶/車輛 Digital Data Bus 2.車用/船用數位匯流排及整合顯示器。

潛力預估

可運用於電腦、遊艇與汽車導航顯示器。

聯絡人員

許張原

電話

03-4712201-329551

傳真

(空)

電子信箱

(空)

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

一般發展/測試裝備

需具備之專業人才

信號處理/射頻電路相關背景

同步更新日期

2023-07-22

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低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、桌上型電腦,筆記型電腦、主機板、消...

基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38; embedded into BT or other Substrate)與壓合製程驗證;2.4GHz 內藏被動元件的射頻模組為載具之設計量測驗證 ;內藏... | 潛力預估: 資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據...

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... | 潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高...

3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應...

銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

銅晶片打線接合構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同 | 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond qua...

Flip Chip CSP 設計與構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 球間距(Ball Pitch):0.8mm BGA_x000D_;球陣列(Ball Array):6-8 I/O_x000D_;構裝尺寸(Package Size):6mm-9mm_x000D_;構裝... | 潛力預估: 整個技術環節的重點,會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上,以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力,同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。

Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達30%左右) | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達50%左右)

散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard);散熱增益 35~40%,電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_,獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。

電腦輔助熱傳設計分析技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度) | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包

IC及LED熱阻量測技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard | 潛力預估: 主要設備,均是國內自行開發完成,價格較國外節省30%。

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、桌上型電腦,筆記型電腦、主機板、消...

基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38; embedded into BT or other Substrate)與壓合製程驗證;2.4GHz 內藏被動元件的射頻模組為載具之設計量測驗證 ;內藏... | 潛力預估: 資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據...

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... | 潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高...

3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應...

銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

銅晶片打線接合構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同 | 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond qua...

Flip Chip CSP 設計與構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 球間距(Ball Pitch):0.8mm BGA_x000D_;球陣列(Ball Array):6-8 I/O_x000D_;構裝尺寸(Package Size):6mm-9mm_x000D_;構裝... | 潛力預估: 整個技術環節的重點,會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上,以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力,同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。

Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達30%左右) | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達50%左右)

散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard);散熱增益 35~40%,電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_,獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。

電腦輔助熱傳設計分析技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度) | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包

IC及LED熱阻量測技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard | 潛力預估: 主要設備,均是國內自行開發完成,價格較國外節省30%。

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