低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
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技術名稱-中文低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是工研院先進製造與系統領域環境建構計畫, 技術規格是製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um, 潛力預估是製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。.

序號995
產出年度94
技術名稱-中文低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術,具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um
技術成熟度雛型
可應用範圍犧牲層製作(微鏡面,Micro Relay)_x000D_;玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才半導體製程背景人才
同步更新日期2023-07-22

序號

995

產出年度

94

技術名稱-中文

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院先進製造與系統領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術,具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um

技術成熟度

雛型

可應用範圍

犧牲層製作(微鏡面,Micro Relay)_x000D_;玻璃-玻璃接合介質材料

潛力預估

製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

聯絡人員

羅政

電話

06-3847128

傳真

06-3847294

電子信箱

chenglo@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才

半導體製程背景人才

同步更新日期

2023-07-22

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# 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號657
產出年度93
技術名稱-中文低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術,具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um
技術成熟度試量產
可應用範圍犧牲層製作(微鏡面,Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才半導體製程背景人才。
序號: 657
產出年度: 93
技術名稱-中文: 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術,具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 犧牲層製作(微鏡面,Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。
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# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號986
產出年度94
技術名稱-中文微機電共用晶片
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術建立一套微機電面型微加工標準製程,提供給微機電元件設計者作為產品原型開發製程平台。此製程可相容於與美國Cronos公司的MUMPs製程,其中包含三層多晶矽與一層金屬層,以及兩層磷矽玻璃(PSG)犧牲層,最後蝕刻釋放後將結構層懸浮出來。適合用來做微致動器、微型開關、微形馬達及光開關等微機電元件。本技術開放給不同的使用者,在單位面積(1cm2)內使用者可依據本技術的結構規範設計元件,然後整合在同一道光罩上一起製作流程,於精密控制的參數下進行製程。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格3 poly-silicon 1 Metal
技術成熟度雛型
可應用範圍MEMS processes, devices fabrication: actuator, comb driver, switch, micro motor.
潛力預估微機電面型微加工標準製程
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才半導體及微機電製程能力
序號: 986
產出年度: 94
技術名稱-中文: 微機電共用晶片
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術建立一套微機電面型微加工標準製程,提供給微機電元件設計者作為產品原型開發製程平台。此製程可相容於與美國Cronos公司的MUMPs製程,其中包含三層多晶矽與一層金屬層,以及兩層磷矽玻璃(PSG)犧牲層,最後蝕刻釋放後將結構層懸浮出來。適合用來做微致動器、微型開關、微形馬達及光開關等微機電元件。本技術開放給不同的使用者,在單位面積(1cm2)內使用者可依據本技術的結構規範設計元件,然後整合在同一道光罩上一起製作流程,於精密控制的參數下進行製程。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: MEMS processes, devices fabrication: actuator, comb driver, switch, micro motor.
潛力預估: 微機電面型微加工標準製程
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 半導體及微機電製程能力

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號987
產出年度94
技術名稱-中文無線生理訊號感測模組設計技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文技術說明:本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術,內容包含:_x000D_(1) 無線訊號傳輸平台之設計技術(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術_x000D_
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、Transmission Range: 3m。(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術:dIPD/ IPD >1.4%、高通濾波放大電路之3dB頻率:0.5Hz、高通濾波放大電路之放大倍率:2、低通濾波放大電路之3dB頻率設計:5Hz、低通濾波放大電路之放大倍率:440。(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術:Skin-electrode Interface Impedance
技術成熟度雛型
可應用範圍(1)居家照護產業(2)行動不便病人生理監控_x000D_(3)兒童/老人安全監控(4)運動參數監控_x000D_
潛力預估據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間,若依實際醫療支出推估,則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間,市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等)均看好,預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備
需具備之專業人才電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI…)機械、材料 (結構應力、有機材料…)_x000D_等相關背景人員_x000D_
序號: 987
產出年度: 94
技術名稱-中文: 無線生理訊號感測模組設計技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 技術說明:本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術,內容包含:_x000D_(1) 無線訊號傳輸平台之設計技術(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術_x000D_
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、Transmission Range: 3m。(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術:dIPD/ IPD >1.4%、高通濾波放大電路之3dB頻率:0.5Hz、高通濾波放大電路之放大倍率:2、低通濾波放大電路之3dB頻率設計:5Hz、低通濾波放大電路之放大倍率:440。(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術:Skin-electrode Interface Impedance
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: (1)居家照護產業(2)行動不便病人生理監控_x000D_(3)兒童/老人安全監控(4)運動參數監控_x000D_
潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間,若依實際醫療支出推估,則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間,市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等)均看好,預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備
需具備之專業人才: 電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI…)機械、材料 (結構應力、有機材料…)_x000D_等相關背景人員_x000D_

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號988
產出年度94
技術名稱-中文厚膜光阻製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構,厚膜光阻作出結構後,再加上後續的電鑄製程,便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道,或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度雛型
可應用範圍Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估成本低、製程簡單之高深寬比結構。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備熱墊板,曝光機
需具備之專業人才熟悉黃光單站製程
序號: 988
產出年度: 94
技術名稱-中文: 厚膜光阻製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構,厚膜光阻作出結構後,再加上後續的電鑄製程,便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道,或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 熱墊板,曝光機
需具備之專業人才: 熟悉黃光單站製程

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號989
產出年度94
技術名稱-中文利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用矽單晶片來當作微結構之本體,可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3
技術成熟度雛型
可應用範圍微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備PVD,CVD,RIE
需具備之專業人才半導體製程背景人才
序號: 989
產出年度: 94
技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體,可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: PVD,CVD,RIE
需具備之專業人才: 半導體製程背景人才

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號990
產出年度94
技術名稱-中文低應力薄膜製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格SIN Film Stress
技術成熟度雛型
可應用範圍氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。
潛力預估穩定可量產
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發_x000D_;面型微機電系統製程技術開發與服務
需具備之專業人才具備爐管設備維修及製程人才
序號: 990
產出年度: 94
技術名稱-中文: 低應力薄膜製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: SIN Film Stress
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。
潛力預估: 穩定可量產
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發_x000D_;面型微機電系統製程技術開發與服務
需具備之專業人才: 具備爐管設備維修及製程人才

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號991
產出年度94
技術名稱-中文矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項,其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性,我們必須能精確的控制蝕刻過程,並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性,本實驗室同仁通力合作,全力開發,並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。
技術成熟度雛型
可應用範圍壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估本製程可提升產品良率,降低生產成本
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才alignment mask design / anisotropic wet etching
序號: 991
產出年度: 94
技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項,其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性,我們必須能精確的控制蝕刻過程,並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性,本實驗室同仁通力合作,全力開發,並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號992
產出年度94
技術名稱-中文微氣體感測器
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文技術說明:本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度,因偵測氣體與感測材料反應,致使電阻產生變化,而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電(MEMS)技術和互補式金氧半導體積體電路(CMOS IC)技術在未來將兩者整合為一感測系統。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、
技術成熟度雛型
可應用範圍此產品可應用於感測有毒害氣體濃度,如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。
潛力預估應用微機電製程製作氣體感測器
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才化工,機械背景及半導體製程人才
序號: 992
產出年度: 94
技術名稱-中文: 微氣體感測器
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 技術說明:本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度,因偵測氣體與感測材料反應,致使電阻產生變化,而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電(MEMS)技術和互補式金氧半導體積體電路(CMOS IC)技術在未來將兩者整合為一感測系統。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 此產品可應用於感測有毒害氣體濃度,如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。
潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 化工,機械背景及半導體製程人才

# 06-3847128 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號993
產出年度94
技術名稱-中文矽晶片蝕穿技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30
技術成熟度雛型
可應用範圍印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。
聯絡人員羅政
電話06-3847128
傳真06-3847294
電子信箱chenglo@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電機,半導體製程背景人才。
序號: 993
產出年度: 94
技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。
聯絡人員: 羅政
電話: 06-3847128
傳真: 06-3847294
電子信箱: chenglo@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。
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與低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

積層氧化鋅變阻器及其配方組成

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 積層氧化鋅變阻器具有吸收雷擊突波與靜電放電脈衝之功能,又由於其單層厚度較傳統變阻器小,更適用於低電壓之可攜式產品和IC元件之保護。 | 潛力預估: 提升國內積層氧化鋅變器廠商技術與競爭力,並保護授權廠商之競爭優勢,形成更優質的投資與生產環境。目前全球市場規模約新台幣100億元/年,預估單一廠商初期年產值可達1億元。

高溫度穩定性材料技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立玻璃材料奈米微晶控制機制-經由不同升溫速率可配合Matusita & Sakka提出的計算式,計算結晶機制的各個參數,如Avrami exponent(n)及結晶活化能(E);n值可以表示其為何... | 潛力預估: 開發低熱膨脹係數玻璃陶瓷材料及製程技術,若順利開發及完成專利怖局,將可改善國內光電產業關鍵材料由國外進口的困境,達到關鍵性材料國產化的目的,並可改善關鍵材料及零組件掌握在國際大廠的窘境。

陶瓷薄膜整合技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度<300℃之薄膜電晶體。 源極-汲極間的電流IDS=10-9-10-6 安培 | 潛力預估: 利用反應式濺鍍技術的自組裝奈米介面薄膜電晶體, 是種低溫並且環保的創新製程, 在能源的利用及綠色生活品質的貢獻皆遠大於現存的工業製程。本低溫製程的薄膜電晶體積體化技術的開發, 將可提升廠商在未來通訊...

埋入式電容(DK=40)基板材料技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 優良PCB製程加工性‧穩定之介電特性: DK38~42, DF185(DMA),耐銲錫288oC, >3mi | 潛力預估: 提供高介電常數(DK40)之電容材料配方技術及材料規格給材料廠商,創造新型電路板材料,強化基板材料產業技術能力。提供本技術給國內材料商,將可以協助國內基板材料業者掌握關鍵材料技術料及提升PCB產業的...

銅箔基層材料用雙層聚亞醯胺塗膜製備專利授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 高尺寸安定、適合高密度細線畫線路製作、高耐化性、優異耐熱、電性及機械性質 | 潛力預估: 將國內原已建立之軟性基板產業推向更先進之無接著劑型軟性基板,為將來電子與光電產業所需之下游構裝基板材料產業建立基礎,支援已蓬勃發展之平面顯示器產業,使國內整個產業體系更完整,提升產業競爭力,最重要在建...

高容量複合石墨負極材料

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用奈米結構在石墨上形成複合石墨負極材料,達到石墨改質的目的,本技術所開發之負極材料克電容量(360 mAh/g)較傳統MCMB克電容量(320 mAh/g)高12%,材料成本降低40% | 潛力預估: 提供高容量負極材料之合成技術及材料工程規格給電池材料製造商,掌握鋰電池關鍵原材料,預估可促進材料廠商之投資達一億元以上,年產值達三億元以上。增加國內20億與全世界200億鋰電池負極材料市場佔有率的技術...

導電高分子固態電容器及其製造方法

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試,使其導電度>10S/cm,並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究,並使其含浸成膜率達8... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值,除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外,全球的需求呈現穩定而大幅的成長, 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...

混成電能調節技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.根據電池容量狀態,自動調節燃料電池工作點。主動避免電池低容量狀態,提高燃料使用效率,並防止電池發生過度充電現象。2.標準Switching Converter電路架構,開發容易。無需微處理器,低... | 潛力預估: 本技術可以應用在燃料電池或是太陽能電池的獨立行供電設備,未來可攜式電源的需求,包括行動資訊元件、電動交通工具、戶外緊急混成供電電源、太陽能隨身電源/充電器,太陽能路燈/號誌/警示器等,均可以選擇適當的...

微小型燃料電池堆組裝製作技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本裝置技術整體電池堆可用熱壓製程製作完成,是一種具有製作簡便、可以大量自動化生產特色的電池堆組裝方式。其優勢在於降低傳統流道對水氣以及CO2排放的阻礙,同時因為捨棄傳統使用的雙極板,改以金屬網與塑膠框... | 潛力預估: 本技術主要應用領域是以3C產品的行動式電能供應,包括筆記型電腦,隨身影音娛樂設備等。特別是在需要長時間連續供電的隨身電子產品,燃料電池它可提供無須充電設施的電能供應,僅以補充燃料便能提供下一階段應用所...

超薄卡片型鋰高分子電池

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧目標為開發雛形超薄卡片型高分子鋰電池製造技術,厚度< 0.5mm,電容量> 50 mAh。 ‧此技術具有重量輕、大面積化、可撓式和薄型化的優勢可因應未來3C產品薄型化及形狀可變性的要求。電池壽命大... | 潛力預估: 本計畫所產出的超薄卡片型鋰高分子電池產品,主要可應用於智慧型卡片、生理監測模組或具彎曲形狀的電子產品上,由於薄型電池的安全性及厚度將成為衡量的重要指標之一。本計畫採用高分子電解質材料﹐透過特殊封裝材料...

無排氣側管35W高壓氙氣金屬鹵化物燈放電管製程技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電弧室內容積 ~ 0.1c.c,電級間距經機械定位後的距離6  1mm,放電管總長<55 mm,發光效率68 lm/W,Warm-up Time ~ 6sec,初始光衰~ 92%。 | 潛力預估: 提昇國內投射燈具照明業界的產品附加價值,並提昇投射燈具照明業界的設計能力及其產品的多樣性,最重要者為此項產品貼近汽車照明使用規範,因而此此項技術將會導引投射燈具照明業界轉型走上高附加價值之汽車照明設計...

壓鑄非晶質合金技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.塊狀非晶質鐵基合金材料: 2φ×20mmL 棒材或OD=10, ID=6, T=1mm T- core環型鐵芯,飽和磁化強度>1T。2.塊狀非晶質鋯基合金材料: 3mmt×50mmw×90mmL板... | 潛力預估: 可創造出低成本、高性能、高附加價值及多樣化的新材料,有利於新產業版圖的開拓與機會的創造。

高密度電漿鍍膜技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 多層奈米複合薄膜之薄膜表面硬度值> 40 GPa,薄膜表面平均粗糙度Ra<0.05μm。 | 潛力預估: 改良磁濾式電弧離子被覆法蒸鍍多層氮化物薄膜製程技術可應用於PCB高速精密加工之微細鑽頭表面,此外並應用此技術製作高品質鑄幣印花模具表面之多層氮化物薄膜,磨耗壽命與傳統之電鍍硬鉻法處理相當。此物理氣相蒸...

太陽能電池極高純度矽精煉及純化技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 冶金級矽經過此一製程技術之後,其純度將由原先之99.5%到達99.999%以上。 | 潛力預估: 以單價1 USD/Kg之冶金級矽(純度99.5%)作為原料,透過製粉、浸蝕、方向性凝固等純化製程,成為30 USD/Kg高附加價值的太陽電池級多晶矽原料(純度99.999%)。

電鑄網版技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電鑄技術開發複合式網板製作技術,面積20×20cm,金屬箔厚度10~50μm,不鏽鋼網為325mesh,接合後開孔率為原開孔率的70%以上。 | 潛力預估: 可提供電鑄厚度10μm~5mm電鑄箔及複合網板,並可進行技術與設備整合輸出作業。

積層氧化鋅變阻器及其配方組成

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 積層氧化鋅變阻器具有吸收雷擊突波與靜電放電脈衝之功能,又由於其單層厚度較傳統變阻器小,更適用於低電壓之可攜式產品和IC元件之保護。 | 潛力預估: 提升國內積層氧化鋅變器廠商技術與競爭力,並保護授權廠商之競爭優勢,形成更優質的投資與生產環境。目前全球市場規模約新台幣100億元/年,預估單一廠商初期年產值可達1億元。

高溫度穩定性材料技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立玻璃材料奈米微晶控制機制-經由不同升溫速率可配合Matusita & Sakka提出的計算式,計算結晶機制的各個參數,如Avrami exponent(n)及結晶活化能(E);n值可以表示其為何... | 潛力預估: 開發低熱膨脹係數玻璃陶瓷材料及製程技術,若順利開發及完成專利怖局,將可改善國內光電產業關鍵材料由國外進口的困境,達到關鍵性材料國產化的目的,並可改善關鍵材料及零組件掌握在國際大廠的窘境。

陶瓷薄膜整合技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度<300℃之薄膜電晶體。 源極-汲極間的電流IDS=10-9-10-6 安培 | 潛力預估: 利用反應式濺鍍技術的自組裝奈米介面薄膜電晶體, 是種低溫並且環保的創新製程, 在能源的利用及綠色生活品質的貢獻皆遠大於現存的工業製程。本低溫製程的薄膜電晶體積體化技術的開發, 將可提升廠商在未來通訊...

埋入式電容(DK=40)基板材料技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 優良PCB製程加工性‧穩定之介電特性: DK38~42, DF185(DMA),耐銲錫288oC, >3mi | 潛力預估: 提供高介電常數(DK40)之電容材料配方技術及材料規格給材料廠商,創造新型電路板材料,強化基板材料產業技術能力。提供本技術給國內材料商,將可以協助國內基板材料業者掌握關鍵材料技術料及提升PCB產業的...

銅箔基層材料用雙層聚亞醯胺塗膜製備專利授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 高尺寸安定、適合高密度細線畫線路製作、高耐化性、優異耐熱、電性及機械性質 | 潛力預估: 將國內原已建立之軟性基板產業推向更先進之無接著劑型軟性基板,為將來電子與光電產業所需之下游構裝基板材料產業建立基礎,支援已蓬勃發展之平面顯示器產業,使國內整個產業體系更完整,提升產業競爭力,最重要在建...

高容量複合石墨負極材料

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用奈米結構在石墨上形成複合石墨負極材料,達到石墨改質的目的,本技術所開發之負極材料克電容量(360 mAh/g)較傳統MCMB克電容量(320 mAh/g)高12%,材料成本降低40% | 潛力預估: 提供高容量負極材料之合成技術及材料工程規格給電池材料製造商,掌握鋰電池關鍵原材料,預估可促進材料廠商之投資達一億元以上,年產值達三億元以上。增加國內20億與全世界200億鋰電池負極材料市場佔有率的技術...

導電高分子固態電容器及其製造方法

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試,使其導電度>10S/cm,並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究,並使其含浸成膜率達8... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值,除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外,全球的需求呈現穩定而大幅的成長, 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...

混成電能調節技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.根據電池容量狀態,自動調節燃料電池工作點。主動避免電池低容量狀態,提高燃料使用效率,並防止電池發生過度充電現象。2.標準Switching Converter電路架構,開發容易。無需微處理器,低... | 潛力預估: 本技術可以應用在燃料電池或是太陽能電池的獨立行供電設備,未來可攜式電源的需求,包括行動資訊元件、電動交通工具、戶外緊急混成供電電源、太陽能隨身電源/充電器,太陽能路燈/號誌/警示器等,均可以選擇適當的...

微小型燃料電池堆組裝製作技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本裝置技術整體電池堆可用熱壓製程製作完成,是一種具有製作簡便、可以大量自動化生產特色的電池堆組裝方式。其優勢在於降低傳統流道對水氣以及CO2排放的阻礙,同時因為捨棄傳統使用的雙極板,改以金屬網與塑膠框... | 潛力預估: 本技術主要應用領域是以3C產品的行動式電能供應,包括筆記型電腦,隨身影音娛樂設備等。特別是在需要長時間連續供電的隨身電子產品,燃料電池它可提供無須充電設施的電能供應,僅以補充燃料便能提供下一階段應用所...

超薄卡片型鋰高分子電池

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧目標為開發雛形超薄卡片型高分子鋰電池製造技術,厚度< 0.5mm,電容量> 50 mAh。 ‧此技術具有重量輕、大面積化、可撓式和薄型化的優勢可因應未來3C產品薄型化及形狀可變性的要求。電池壽命大... | 潛力預估: 本計畫所產出的超薄卡片型鋰高分子電池產品,主要可應用於智慧型卡片、生理監測模組或具彎曲形狀的電子產品上,由於薄型電池的安全性及厚度將成為衡量的重要指標之一。本計畫採用高分子電解質材料﹐透過特殊封裝材料...

無排氣側管35W高壓氙氣金屬鹵化物燈放電管製程技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電弧室內容積 ~ 0.1c.c,電級間距經機械定位後的距離6  1mm,放電管總長<55 mm,發光效率68 lm/W,Warm-up Time ~ 6sec,初始光衰~ 92%。 | 潛力預估: 提昇國內投射燈具照明業界的產品附加價值,並提昇投射燈具照明業界的設計能力及其產品的多樣性,最重要者為此項產品貼近汽車照明使用規範,因而此此項技術將會導引投射燈具照明業界轉型走上高附加價值之汽車照明設計...

壓鑄非晶質合金技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.塊狀非晶質鐵基合金材料: 2φ×20mmL 棒材或OD=10, ID=6, T=1mm T- core環型鐵芯,飽和磁化強度>1T。2.塊狀非晶質鋯基合金材料: 3mmt×50mmw×90mmL板... | 潛力預估: 可創造出低成本、高性能、高附加價值及多樣化的新材料,有利於新產業版圖的開拓與機會的創造。

高密度電漿鍍膜技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 多層奈米複合薄膜之薄膜表面硬度值> 40 GPa,薄膜表面平均粗糙度Ra<0.05μm。 | 潛力預估: 改良磁濾式電弧離子被覆法蒸鍍多層氮化物薄膜製程技術可應用於PCB高速精密加工之微細鑽頭表面,此外並應用此技術製作高品質鑄幣印花模具表面之多層氮化物薄膜,磨耗壽命與傳統之電鍍硬鉻法處理相當。此物理氣相蒸...

太陽能電池極高純度矽精煉及純化技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 冶金級矽經過此一製程技術之後,其純度將由原先之99.5%到達99.999%以上。 | 潛力預估: 以單價1 USD/Kg之冶金級矽(純度99.5%)作為原料,透過製粉、浸蝕、方向性凝固等純化製程,成為30 USD/Kg高附加價值的太陽電池級多晶矽原料(純度99.999%)。

電鑄網版技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電鑄技術開發複合式網板製作技術,面積20×20cm,金屬箔厚度10~50μm,不鏽鋼網為325mesh,接合後開孔率為原開孔率的70%以上。 | 潛力預估: 可提供電鑄厚度10μm~5mm電鑄箔及複合網板,並可進行技術與設備整合輸出作業。

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