銅晶片打線接合構裝技術
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技術名稱-中文銅晶片打線接合構裝技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫, 技術規格是Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同, 潛力預估是Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond quality 經HTS Reliability驗證_x000D_.

序號1004
產出年度94
技術名稱-中文銅晶片打線接合構裝技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於銅導線能符合IC線路設計高速化與體積縮小化的需求,而有銅晶片的開發。從最早商品化的IBM Power PC750開始,就有廠商陸續宣佈加入銅晶片的戰場。由於打線接合為目前台灣普遍使用之封裝方式,因此建立銅晶片打線接合構裝技術相當重要。為了解銅晶片構裝之可靠度受pad cap 材質、barrier layer 選擇、介金屬形成狀況、以及打線參數之影響,因此電子所積極投入銅晶片打線接合的技術之研究及製程之開發,目前已有顯著成果,可以技術移轉業界,項目包括:Cu Chip 之 Pad Metallization for Wire Bonding製程開發、Effects of caps on copper pads 、Application of aluminum caps 、Effects of copper pad barrier types_x000D_、Application of electroless nickel/gold caps_x000D_、Cu Chip 之Wire Bonding 製程參數開發、田口品質工程實驗參數調整、Reliability驗證及failure mode analysis_x000D_
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同
技術成熟度量產
可應用範圍應用於所有銅晶片需打線接合之產品。
潛力預估Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond quality 經HTS Reliability驗證_x000D_
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備構裝廠、IC廠封裝部門。
需具備之專業人才Wire Bonding Technology
同步更新日期2023-07-22

序號

1004

產出年度

94

技術名稱-中文

銅晶片打線接合構裝技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

由於銅導線能符合IC線路設計高速化與體積縮小化的需求,而有銅晶片的開發。從最早商品化的IBM Power PC750開始,就有廠商陸續宣佈加入銅晶片的戰場。由於打線接合為目前台灣普遍使用之封裝方式,因此建立銅晶片打線接合構裝技術相當重要。為了解銅晶片構裝之可靠度受pad cap 材質、barrier layer 選擇、介金屬形成狀況、以及打線參數之影響,因此電子所積極投入銅晶片打線接合的技術之研究及製程之開發,目前已有顯著成果,可以技術移轉業界,項目包括:Cu Chip 之 Pad Metallization for Wire Bonding製程開發、Effects of caps on copper pads 、Application of aluminum caps 、Effects of copper pad barrier types_x000D_、Application of electroless nickel/gold caps_x000D_、Cu Chip 之Wire Bonding 製程參數開發、田口品質工程實驗參數調整、Reliability驗證及failure mode analysis_x000D_

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同

技術成熟度

量產

可應用範圍

應用於所有銅晶片需打線接合之產品。

潛力預估

Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond quality 經HTS Reliability驗證_x000D_

聯絡人員

溫國城

電話

03-5915654

傳真

03-5820412

電子信箱

kcwen@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

構裝廠、IC廠封裝部門。

需具備之專業人才

Wire Bonding Technology

同步更新日期

2023-07-22

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# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號18293
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文面光源以及可撓性面光源
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人許詔開 ,陳裕華 ,駱韋仲
核准國家中國大陸
獲證日期105/03/15
證書號碼ZL201210282372.9
專利期間起105/02/09
專利期間訖122/09/22
專利性質發明
技術摘要-中文一種面光源,其包括一線路基板、一反射層、多組側向發光源、一導光擴散層以及一光學膜片。反射層配置於線路基板上,側向發光源陣列排列於線路基板上,並與線路基板電性連接。導光擴散層覆蓋反射層以及側向發光源,其中導光擴散層包括多個陣列排列且彼此連接之導光擴散單元,各個導光擴散單元分別對應於其中一組側向發光源之照明範圍,各組側向發光源至少包括二側向發光源,而此二側向發光源分別沿著二不同方向提供光線至其中一個導光擴散單元中,且各側向發光源係分別朝向單一個導光擴散單元發光。此外,光學膜片配置於導光擴散層上。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5917193
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51000167CN
特殊情形(空)
序號: 18293
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 面光源以及可撓性面光源
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院電光系統所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 許詔開 ,陳裕華 ,駱韋仲
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 105/03/15
證書號碼: ZL201210282372.9
專利期間起: 105/02/09
專利期間訖: 122/09/22
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種面光源,其包括一線路基板、一反射層、多組側向發光源、一導光擴散層以及一光學膜片。反射層配置於線路基板上,側向發光源陣列排列於線路基板上,並與線路基板電性連接。導光擴散層覆蓋反射層以及側向發光源,其中導光擴散層包括多個陣列排列且彼此連接之導光擴散單元,各個導光擴散單元分別對應於其中一組側向發光源之照明範圍,各組側向發光源至少包括二側向發光源,而此二側向發光源分別沿著二不同方向提供光線至其中一個導光擴散單元中,且各側向發光源係分別朝向單一個導光擴散單元發光。此外,光學膜片配置於導光擴散層上。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5917193
電子信箱: kcwen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P51000167CN
特殊情形: (空)

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號18305
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文晶片接合結構及其接合方法
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人陳尚駿 ,林哲歆 ,顧子琨
核准國家中華民國
獲證日期105/10/19
證書號碼I534973
專利期間起105/09/07
專利期間訖122/03/19
專利性質發明
技術摘要-中文一種晶片接合方法的步驟包含提供二晶片。每一晶片的製造方法包含形成一第一介電層於一基板上。嵌合多個金屬墊於第一介電層上。形成多個凹陷於至少一晶片之第一介電層上。這些凹陷分別介於這些金屬墊之間。形成一第二介電層於具有凹陷之晶片之第一介電層上,並覆蓋於此晶片之這些凹陷及這些金屬墊。接合二晶片及令其中一晶片之這些凹陷與另一晶片之表面構成多個空腔,且第二介電層位於這些空腔內。以機械驅動方式令位於空腔內之第二介電層填滿空腔。接著,壓合二晶片,並固化第二介電層,令二晶片相互固定。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5917193
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51020062TW
特殊情形(空)
序號: 18305
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 晶片接合結構及其接合方法
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院電光系統所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 陳尚駿 ,林哲歆 ,顧子琨
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/10/19
證書號碼: I534973
專利期間起: 105/09/07
專利期間訖: 122/03/19
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種晶片接合方法的步驟包含提供二晶片。每一晶片的製造方法包含形成一第一介電層於一基板上。嵌合多個金屬墊於第一介電層上。形成多個凹陷於至少一晶片之第一介電層上。這些凹陷分別介於這些金屬墊之間。形成一第二介電層於具有凹陷之晶片之第一介電層上,並覆蓋於此晶片之這些凹陷及這些金屬墊。接合二晶片及令其中一晶片之這些凹陷與另一晶片之表面構成多個空腔,且第二介電層位於這些空腔內。以機械驅動方式令位於空腔內之第二介電層填滿空腔。接著,壓合二晶片,並固化第二介電層,令二晶片相互固定。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5917193
電子信箱: kcwen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P51020062TW
特殊情形: (空)

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號653
產出年度93
技術名稱-中文厚膜光阻製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構,厚膜光阻作出結構後,再加上後續的電鑄製程,便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道,或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度試量產
可應用範圍Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估應用潛力中
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱KCWEN@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備參考資料:(如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等)熱墊板,曝光機
需具備之專業人才熟悉黃光單站製程。
序號: 653
產出年度: 93
技術名稱-中文: 厚膜光阻製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構,厚膜光阻作出結構後,再加上後續的電鑄製程,便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道,或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估: 應用潛力中
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5820412
電子信箱: KCWEN@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 參考資料:(如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等)熱墊板,曝光機
需具備之專業人才: 熟悉黃光單站製程。

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號673
產出年度93
技術名稱-中文低應力薄膜製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格SIN Film Stress
技術成熟度量產
可應用範圍氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。
潛力預估面型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱KCWEN@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備參考資料:(如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等) 1.低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發 2.面型微機電系統製程技術開發與服務
需具備之專業人才具備爐管設備維修及製程人才。
序號: 673
產出年度: 93
技術名稱-中文: 低應力薄膜製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: SIN Film Stress
技術成熟度: 量產
可應用範圍: 氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。
潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5820412
電子信箱: KCWEN@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 參考資料:(如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等) 1.低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發 2.面型微機電系統製程技術開發與服務
需具備之專業人才: 具備爐管設備維修及製程人才。

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號674
產出年度93
技術名稱-中文矽晶深蝕刻製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。
潛力預估微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱KCWEN@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備參考資料:(如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等) ICP or DRIE
需具備之專業人才半導體之乾蝕刻製程為基礎。
序號: 674
產出年度: 93
技術名稱-中文: 矽晶深蝕刻製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。
潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5820412
電子信箱: KCWEN@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 參考資料:(如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等) ICP or DRIE
需具備之專業人才: 半導體之乾蝕刻製程為基礎。

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號999
產出年度94
技術名稱-中文3D基板式堆疊構裝技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以Solder Ball為Interconnection的3D堆疊構裝,可有效益的整合不同功能的晶片於同一構裝模組中,不僅能大幅減少電子構裝的尺寸,更能達到System in Package (SiP)的效能。此外,藉由Thermal Via、Thermal Ball及外露銅箔層的整合散熱設計,可使3D堆疊構裝的散熱效能,大幅提升。創新的可靠度測試設計,能同時評估Component Level 及Board Level的可靠度。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術
技術成熟度試量產
可應用範圍隨著System in Package的技術發展趨勢日漸重要,3D堆疊構裝的技術,日益受電子產品市場的矚目。
潛力預估藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Package的效益。
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備Flip chip bonder,Reflow ove
需具備之專業人才覆晶組裝製程技術
序號: 999
產出年度: 94
技術名稱-中文: 3D基板式堆疊構裝技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 以Solder Ball為Interconnection的3D堆疊構裝,可有效益的整合不同功能的晶片於同一構裝模組中,不僅能大幅減少電子構裝的尺寸,更能達到System in Package (SiP)的效能。此外,藉由Thermal Via、Thermal Ball及外露銅箔層的整合散熱設計,可使3D堆疊構裝的散熱效能,大幅提升。創新的可靠度測試設計,能同時評估Component Level 及Board Level的可靠度。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 隨著System in Package的技術發展趨勢日漸重要,3D堆疊構裝的技術,日益受電子產品市場的矚目。
潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Package的效益。
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5820412
電子信箱: kcwen@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: Flip chip bonder,Reflow ove
需具備之專業人才: 覆晶組裝製程技術

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號1002
產出年度94
技術名稱-中文增益型晶圓級晶方尺度構裝技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文覆晶封裝技術(Flip Chip technology, FC)需在印刷電路板與電子元件間加入轉接板(substrate),以降低電子元件與基材間因元件操作時發熱或環境變異之熱循環現象所產生之熱應力,因此需在晶粒與基板組裝時增添填膠製程來抒解應力以提高元件可靠性,除此之外,FC另因較細間距及重工性等問題更增加了覆晶技術之成本及應用推廣的阻力。晶圓級構裝技術(WLCSP)可完全解決上述之問題。電子所開發之增益型晶圓級晶方尺度構裝技術(Enhanced Wafer Level Chip Size Package;e-WLCSP),特色是在晶圓上以製作彈性體(elastomer)的方式作為應力緩衝層(stress buffer layer)來抒解應力,增益了晶圓級晶方尺度構裝(WLCSP)之可靠性,同時,電子所並完成製程改善及效能之提昇,達成真正具備薄型化、堆疊可行性、簡化製程步驟及熱增益型效果之新型態構裝。本技術因採用彈性體製程架構,在晶圓製程即可完成封裝製程,可大幅節省傳統覆晶封裝所需的繁複點膠步驟,並減少封裝後產品面積及體積。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or 8" Si wafer_x000D_;Design: Fan-i
技術成熟度量產
可應用範圍晶方尺度構裝技術目前可區分為多種不同之型態,其主要應用領域包含RAM模組(EPROM, SRAM, DRAM)、Flash Memory、DSP、Logic IC、PLD、Analog等多項領域,其市場應用量年複合成長率可達31%以上,並將集中以記憶體為主要應用範圍。電子所開發之e-WLCSP可適用於下一世代之DDR-II記憶體,針對其高速特性(800MHz、1GHz)亦能提供可靠及簡便的封裝型態,且由於晶片製作方式是以整片晶圓來進行,可提供最小的封裝後尺寸及最具潛力的低成本優勢,也因此晶圓級封裝技術未來之年複合成長率預測將達50%以上,遠高於目前其他不同型態之構裝技術。
潛力預估電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應力緩衝層(2nd compliant layer)則主要用作應力緩衝,其厚度亦較1st compliant layer為厚。此架構可有效釋放因FR4基板與晶片間,因熱膨係數之差異(CTE mismatch)造成之應力,從而提升模組組裝後之可靠性。
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備封裝相關設備
需具備之專業人才具電機電子相關知識
序號: 1002
產出年度: 94
技術名稱-中文: 增益型晶圓級晶方尺度構裝技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 覆晶封裝技術(Flip Chip technology, FC)需在印刷電路板與電子元件間加入轉接板(substrate),以降低電子元件與基材間因元件操作時發熱或環境變異之熱循環現象所產生之熱應力,因此需在晶粒與基板組裝時增添填膠製程來抒解應力以提高元件可靠性,除此之外,FC另因較細間距及重工性等問題更增加了覆晶技術之成本及應用推廣的阻力。晶圓級構裝技術(WLCSP)可完全解決上述之問題。電子所開發之增益型晶圓級晶方尺度構裝技術(Enhanced Wafer Level Chip Size Package;e-WLCSP),特色是在晶圓上以製作彈性體(elastomer)的方式作為應力緩衝層(stress buffer layer)來抒解應力,增益了晶圓級晶方尺度構裝(WLCSP)之可靠性,同時,電子所並完成製程改善及效能之提昇,達成真正具備薄型化、堆疊可行性、簡化製程步驟及熱增益型效果之新型態構裝。本技術因採用彈性體製程架構,在晶圓製程即可完成封裝製程,可大幅節省傳統覆晶封裝所需的繁複點膠步驟,並減少封裝後產品面積及體積。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or 8" Si wafer_x000D_;Design: Fan-i
技術成熟度: 量產
可應用範圍: 晶方尺度構裝技術目前可區分為多種不同之型態,其主要應用領域包含RAM模組(EPROM, SRAM, DRAM)、Flash Memory、DSP、Logic IC、PLD、Analog等多項領域,其市場應用量年複合成長率可達31%以上,並將集中以記憶體為主要應用範圍。電子所開發之e-WLCSP可適用於下一世代之DDR-II記憶體,針對其高速特性(800MHz、1GHz)亦能提供可靠及簡便的封裝型態,且由於晶片製作方式是以整片晶圓來進行,可提供最小的封裝後尺寸及最具潛力的低成本優勢,也因此晶圓級封裝技術未來之年複合成長率預測將達50%以上,遠高於目前其他不同型態之構裝技術。
潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應力緩衝層(2nd compliant layer)則主要用作應力緩衝,其厚度亦較1st compliant layer為厚。此架構可有效釋放因FR4基板與晶片間,因熱膨係數之差異(CTE mismatch)造成之應力,從而提升模組組裝後之可靠性。
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5820412
電子信箱: kcwen@itri.org.tw
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所須軟硬體設備: 封裝相關設備
需具備之專業人才: 具電機電子相關知識

# 03-5915654 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號1003
產出年度94
技術名稱-中文銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文於銅晶片上利用濺鍍/電鍍及無電鍍的方式分別製作Ti/Cu及Ni/Au UBM並分別配合錫鉛電鍍及印刷技術來完成覆晶凸塊植球技術。此二種植球技術(電鍍及印刷)已通過高溫儲存及溫度循環等可靠度測試。而後者(無電鍍Ni/Au UBM +錫鉛印刷)又稱為低成本覆晶植球技術,已將其應用於I/O數為81且為周邊排列方式的測試載具上,加以組裝於基板並已通過可靠度測試。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni/Au
技術成熟度試量產
可應用範圍以銅導線製程的高階晶片,可應用Chipset、ASIC、CPU等。
潛力預估比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內下游相關業者 ,目前尚未有明顯因應之道。 值此以銅代鋁的關鍵時刻,電光所構裝技術組發展以銅代鋁的銅晶片構裝技術,以銅為導體,可減少訊號延遲、降低electro-migration產生、增加構裝密度,並提高積體電路整體的速度,是未來構裝產業需投注高度研究的技術。
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備構裝廠、IC廠封裝部門。
需具備之專業人才機械、材料、化學(化工)
序號: 1003
產出年度: 94
技術名稱-中文: 銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 於銅晶片上利用濺鍍/電鍍及無電鍍的方式分別製作Ti/Cu及Ni/Au UBM並分別配合錫鉛電鍍及印刷技術來完成覆晶凸塊植球技術。此二種植球技術(電鍍及印刷)已通過高溫儲存及溫度循環等可靠度測試。而後者(無電鍍Ni/Au UBM +錫鉛印刷)又稱為低成本覆晶植球技術,已將其應用於I/O數為81且為周邊排列方式的測試載具上,加以組裝於基板並已通過可靠度測試。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni/Au
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 以銅導線製程的高階晶片,可應用Chipset、ASIC、CPU等。
潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內下游相關業者 ,目前尚未有明顯因應之道。 值此以銅代鋁的關鍵時刻,電光所構裝技術組發展以銅代鋁的銅晶片構裝技術,以銅為導體,可減少訊號延遲、降低electro-migration產生、增加構裝密度,並提高積體電路整體的速度,是未來構裝產業需投注高度研究的技術。
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5820412
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所須軟硬體設備: 構裝廠、IC廠封裝部門。
需具備之專業人才: 機械、材料、化學(化工)
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與銅晶片打線接合構裝技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

抗靜電織物應用技術開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 織物之表面電阻可達到2.0x108W/cm2,。水洗染色堅牢度可達4至5級。 | 潛力預估: 本技術所開發的新型抗靜電效果之織物,兼具環保、技術升級與自主性之特色,連結上(樹脂廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力,加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用開發,預估可具有7億元以上之市...

液晶純化試製技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 純化後阻值> 1.0 x 1013Ωcm | 潛力預估: 在液晶顯示器的製作上,對於液晶的純度要求相當高,所以極易因微量的污染而廢棄。然液晶為高單價特用化學品,因此、廢棄液晶的回收純化再利用是液晶產業重要的關鍵技術。工研院化工所目前已建立液晶不純物分析技術與...

製程整合分析技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.具備製程超結構最適化分析方法 2.在儘量不更動製程核心單元的情況下,達到製程減廢、節水及省能等目標 | 潛力預估: 利績市場為化學工廠的熱整合分析及汽電共生廠最佳化分析

微粒化分散技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 利用此技術已成功製備出與球磨法相同等級之氧化鋁漿料,並且減少溶劑消耗達50%以上。再者,由於製程效率高,氧化鋁漿料置備時程由原先之48小時大幅縮減至12小時以內,收率亦因無漿料附著於研磨介質上之因素而... | 潛力預估: 利績市場為陶瓷積板及陶瓷電容器製程

先進製程控制系統資訊整合平臺核心應用模組

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: APCSuite系統資訊整合平台包括APC基礎核心技術與應用函數模組(APCSuite-kernel)、線上即時統計製程管制監控應用技術模組(SPCXpert,rt-SPC)、即時製程/設備變數監視應... | 潛力預估: APCSuite 為整合性APC解決方案,可應用於製程與設備操作狀態的即時管理,有助於安全、穩定與高效率的操作生產,提升產業競爭力

ERIC應變技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.ERIC提供緊急聯絡電話(0800-055119)列於物質安全資料表中之緊急聯絡電話欄中,但僅限於說明該化學品洩漏、火災或人員中毒時使用;2. ERIC至少四位人員組成二十四小時待命諮詢(於67館... | 潛力預估: 成立國內化災緊急應變諮詢中心,並結合相關危害性化學物質運作廠址與業界,於會員廠設立支援應變隊,並給予會員廠每廠定期應變處理訓練,建置協助災害應變處理能量。儲備應變諮詢專家群,提供專業處理方式

風險評估技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.後果分析的主要目的係在找出設備失效後危害物的洩漏狀況(瞬間或連續)、其後續的演化過程(火災、爆炸、毒氣外洩)、可能對人員、設備所造成之危害及其影響範圍 2.一般後果分析必須運用許多不同的數學模式來... | 潛力預估: 因應開發案的環境影響評估要求,此技術可提供其安全性評估的量化指標 ,因此除了配合業界進行量化風險評估外,並擁有廣大新興開發案件安全性評估的市場

廢電池回收處理技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可回收鐵、錳、鋅等金屬,回收率約為80﹪ | 潛力預估: 電池/環保…等相關產業皆可應用

支撐式液態膜分離系統

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 金屬選擇率達99%以上,金屬回收率達85%以上 | 潛力預估: 電子/電鍍產業之線上回收,環保產業有價金屬回收皆可應用

微量有機物質去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: TOC≦0.6 ppb, total SiO2≦1ppb, partiale≦1counts/ml, bacteria<1cfu/ml, ion | 潛力預估: 透過專利技術授權扶植國內水處理廠商,提升其能力,進而切入超純水系統設計與施工之廣大市場

含乙烯基矽氧烷主鏈劑合成

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 乙烯基:0.01~1.1mmole/g,粘度:0.001~4.0kp(25℃),比重:0.7~1.1,揮發度:<2%,顏色:透明 | 潛力預估: LSR可取代HTV,節省人工、可大量生產,隨著汽車安全氣囊之發展,市場潛力很大

透明功能性導電樹脂研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率:大於70%(at 550nm),表面電阻:104~109Ω/sq | 潛力預估: 因應EMI管制措施等,市場年成長率可達34%

SEBS based之低煙無鹵耐燃級TPR材料性能評估

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、LOI > 28、煙濃度Dm < 300、Tb > 50 (kg/cm2)、Eb > 300 (%)、HS < 90 (Shore A)、MFI < 30 ( g/10min... | 潛力預估: 熱可塑性彈性體(TPR)為新興高分子合成材料,年成長率6-7%,以大陸用量20萬噸,將快速攀升至45萬噸,環保型難燃TPR為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限

無鹵難燃熱熔膠研製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg) > 80℃、軟化點 > 150℃、黏度(180℃) 8000 ~ 11500 mPas、接著剪斷強度(25℃) > 2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-1... | 潛力預估: 熱熔膠年產值約36100公噸,其中難燃級佔5%,年成長率6-7%,環保型熱熔膠為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限

三聚氰胺衍生物包覆聚磷酸銨研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 磷含量30-31%,聚合度n>1000 | 潛力預估: 高磷含量的無機磷化物在適當相容性材質具高使用價值,以自製三聚氰胺衍生物應用於包覆,可提升產品應用範圍與增加其效益

抗靜電織物應用技術開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 織物之表面電阻可達到2.0x108W/cm2,。水洗染色堅牢度可達4至5級。 | 潛力預估: 本技術所開發的新型抗靜電效果之織物,兼具環保、技術升級與自主性之特色,連結上(樹脂廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力,加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用開發,預估可具有7億元以上之市...

液晶純化試製技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 純化後阻值> 1.0 x 1013Ωcm | 潛力預估: 在液晶顯示器的製作上,對於液晶的純度要求相當高,所以極易因微量的污染而廢棄。然液晶為高單價特用化學品,因此、廢棄液晶的回收純化再利用是液晶產業重要的關鍵技術。工研院化工所目前已建立液晶不純物分析技術與...

製程整合分析技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.具備製程超結構最適化分析方法 2.在儘量不更動製程核心單元的情況下,達到製程減廢、節水及省能等目標 | 潛力預估: 利績市場為化學工廠的熱整合分析及汽電共生廠最佳化分析

微粒化分散技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 利用此技術已成功製備出與球磨法相同等級之氧化鋁漿料,並且減少溶劑消耗達50%以上。再者,由於製程效率高,氧化鋁漿料置備時程由原先之48小時大幅縮減至12小時以內,收率亦因無漿料附著於研磨介質上之因素而... | 潛力預估: 利績市場為陶瓷積板及陶瓷電容器製程

先進製程控制系統資訊整合平臺核心應用模組

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: APCSuite系統資訊整合平台包括APC基礎核心技術與應用函數模組(APCSuite-kernel)、線上即時統計製程管制監控應用技術模組(SPCXpert,rt-SPC)、即時製程/設備變數監視應... | 潛力預估: APCSuite 為整合性APC解決方案,可應用於製程與設備操作狀態的即時管理,有助於安全、穩定與高效率的操作生產,提升產業競爭力

ERIC應變技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.ERIC提供緊急聯絡電話(0800-055119)列於物質安全資料表中之緊急聯絡電話欄中,但僅限於說明該化學品洩漏、火災或人員中毒時使用;2. ERIC至少四位人員組成二十四小時待命諮詢(於67館... | 潛力預估: 成立國內化災緊急應變諮詢中心,並結合相關危害性化學物質運作廠址與業界,於會員廠設立支援應變隊,並給予會員廠每廠定期應變處理訓練,建置協助災害應變處理能量。儲備應變諮詢專家群,提供專業處理方式

風險評估技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.後果分析的主要目的係在找出設備失效後危害物的洩漏狀況(瞬間或連續)、其後續的演化過程(火災、爆炸、毒氣外洩)、可能對人員、設備所造成之危害及其影響範圍 2.一般後果分析必須運用許多不同的數學模式來... | 潛力預估: 因應開發案的環境影響評估要求,此技術可提供其安全性評估的量化指標 ,因此除了配合業界進行量化風險評估外,並擁有廣大新興開發案件安全性評估的市場

廢電池回收處理技術

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可回收鐵、錳、鋅等金屬,回收率約為80﹪ | 潛力預估: 電池/環保…等相關產業皆可應用

支撐式液態膜分離系統

執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 金屬選擇率達99%以上,金屬回收率達85%以上 | 潛力預估: 電子/電鍍產業之線上回收,環保產業有價金屬回收皆可應用

微量有機物質去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: TOC≦0.6 ppb, total SiO2≦1ppb, partiale≦1counts/ml, bacteria<1cfu/ml, ion | 潛力預估: 透過專利技術授權扶植國內水處理廠商,提升其能力,進而切入超純水系統設計與施工之廣大市場

含乙烯基矽氧烷主鏈劑合成

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 乙烯基:0.01~1.1mmole/g,粘度:0.001~4.0kp(25℃),比重:0.7~1.1,揮發度:<2%,顏色:透明 | 潛力預估: LSR可取代HTV,節省人工、可大量生產,隨著汽車安全氣囊之發展,市場潛力很大

透明功能性導電樹脂研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率:大於70%(at 550nm),表面電阻:104~109Ω/sq | 潛力預估: 因應EMI管制措施等,市場年成長率可達34%

SEBS based之低煙無鹵耐燃級TPR材料性能評估

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、LOI > 28、煙濃度Dm < 300、Tb > 50 (kg/cm2)、Eb > 300 (%)、HS < 90 (Shore A)、MFI < 30 ( g/10min... | 潛力預估: 熱可塑性彈性體(TPR)為新興高分子合成材料,年成長率6-7%,以大陸用量20萬噸,將快速攀升至45萬噸,環保型難燃TPR為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限

無鹵難燃熱熔膠研製

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg) > 80℃、軟化點 > 150℃、黏度(180℃) 8000 ~ 11500 mPas、接著剪斷強度(25℃) > 2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-1... | 潛力預估: 熱熔膠年產值約36100公噸,其中難燃級佔5%,年成長率6-7%,環保型熱熔膠為未來趨勢,配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規,商機無限

三聚氰胺衍生物包覆聚磷酸銨研究

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 磷含量30-31%,聚合度n>1000 | 潛力預估: 高磷含量的無機磷化物在適當相容性材質具高使用價值,以自製三聚氰胺衍生物應用於包覆,可提升產品應用範圍與增加其效益

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