技術名稱-中文Slim Type 動壓主軸馬達技術的執行單位是工研院光電所, 產出年度是94, 計畫名稱是前瞻光資訊系統技術發展計畫, 技術規格是馬達型式:三相直流無刷_x000D_;直徑≦30mm_x000D_;高度≦6.1mm_x000D_;額定電壓:5VDC_x000D_;額定電流≦0.6Amp_x000D_;最大負載轉速>5000 rpm@0.6g-cm Disk_x000D_;Turntable Runout≦20 μm _x000....
序號 | 1210 |
產出年度 | 94 |
技術名稱-中文 | Slim Type 動壓主軸馬達技術 |
執行單位 | 工研院光電所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 前瞻光資訊系統技術發展計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 關鍵技術:1.動壓軸承動壓溝槽參數設計_x000D_2.動壓溝槽檢測技術_x000D_3.低頓轉扭矩之磁路設計技術_x000D_;優異特性:1.Turntable Runout≦20 μm _x000D_2.Tilt ≦6分_x000D_ |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 馬達型式:三相直流無刷_x000D_;直徑≦30mm_x000D_;高度≦6.1mm_x000D_;額定電壓:5VDC_x000D_;額定電流≦0.6Amp_x000D_;最大負載轉速>5000 rpm@0.6g-cm Disk_x000D_;Turntable Runout≦20 μm _x000D_;Tilt ≦6分_x000D_ |
技術成熟度 | 其他 |
可應用範圍 | NB DVD主軸馬達_x000D_、NB 光碟機主軸馬達_x000D_、HDD主軸馬達_x000D_、MPU&CPU風扇馬達_x000D_、中、高速polygon馬達_x000D_ |
潛力預估 | (空) |
聯絡人員 | 鄭必章 |
電話 | 06-5089053 |
傳真 | 06-5089059 |
電子信箱 | Chengbicha@itri.org.tw |
參考網址 | http://www.itri.org.tw/ |
所須軟硬體設備 | (空) |
需具備之專業人才 | 具影像處理基本知識、具系統整合能力 |
序號1210 |
產出年度94 |
技術名稱-中文Slim Type 動壓主軸馬達技術 |
執行單位工研院光電所 |
產出單位(空) |
計畫名稱前瞻光資訊系統技術發展計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文關鍵技術:1.動壓軸承動壓溝槽參數設計_x000D_2.動壓溝槽檢測技術_x000D_3.低頓轉扭矩之磁路設計技術_x000D_;優異特性:1.Turntable Runout≦20 μm _x000D_2.Tilt ≦6分_x000D_ |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格馬達型式:三相直流無刷_x000D_;直徑≦30mm_x000D_;高度≦6.1mm_x000D_;額定電壓:5VDC_x000D_;額定電流≦0.6Amp_x000D_;最大負載轉速>5000 rpm@0.6g-cm Disk_x000D_;Turntable Runout≦20 μm _x000D_;Tilt ≦6分_x000D_ |
技術成熟度其他 |
可應用範圍NB DVD主軸馬達_x000D_、NB 光碟機主軸馬達_x000D_、HDD主軸馬達_x000D_、MPU&CPU風扇馬達_x000D_、中、高速polygon馬達_x000D_ |
潛力預估(空) |
聯絡人員鄭必章 |
電話06-5089053 |
傳真06-5089059 |
電子信箱Chengbicha@itri.org.tw |
參考網址http://www.itri.org.tw/ |
所須軟硬體設備(空) |
需具備之專業人才具影像處理基本知識、具系統整合能力 |
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| 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 馬達型式:三相直流無刷_x000D_;直徑≦30mm_x000D_;高度≦22mm_x000D_;額定電壓:12VDC_x000D_;額定電流≦0.16Amp;最大負載轉速>5000 rpm@0.6g... | 潛力預估: @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 環型:直徑Φ20~Φ50mm、Zero close pole pitch可為100μm~1000μm、量測距離為10μm,磁場強度可達60~100Gauss、Pole Pitch 500±10μm應用... | 潛力預估: @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 低溫製程(製程溫度約700°C) | 潛力預估: @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Base Diameter: 100~1500 m_x000D_、 Radius(R): 60~1200 m_x000D_、 Focal Length(f): 110~1600 m、 Lens thi... | 潛力預估: @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Center Wavelength : 1480nm_x000D_;Center Wavelength Range : ±40nm_x000D_;Insertion Loss : 55dB_x000D... | 潛力預估: 本技術包括光學設計、封裝技術、環境測試等技術,本所開發的光電元件,能夠與世界大廠同步,極具產品競爭力。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Wavelength Locker;Channel Spacing : 100 GHz_x000D_;Center Wavelength : ITU grid (1530nm~1560nm)_x000... | 潛力預估: 本技術包括波長鎖器的組裝與設計技術、電路控制技術與自動量測技術,技術涵蓋完整,並可於0 ~ 70 ℃間,完全在規格內穩定工作,技術規格已與世界大廠JDSU同步,並通過250小時85℃高溫測試與-40... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 像素大小:pitch 0.110mm×0.110mm或customer _x000D_design。顏色:RGB三色。耐熱性:250℃×1hr。耐化性:5% KOH, 40℃×10min; Aceto... | 潛力預估: 噴墨法彩色濾光片製程/噴墨頭設計/設備整合技術,建立國內新一代科技技術自主開發能力,更可大幅降低耗材使用量。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 馬達型式:三相直流無刷_x000D_;直徑≦30mm_x000D_;高度≦22mm_x000D_;額定電壓:12VDC_x000D_;額定電流≦0.16Amp;最大負載轉速>5000 rpm@0.6g... | 潛力預估: @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 環型:直徑Φ20~Φ50mm、Zero close pole pitch可為100μm~1000μm、量測距離為10μm,磁場強度可達60~100Gauss、Pole Pitch 500±10μm應用... | 潛力預估: @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 低溫製程(製程溫度約700°C) | 潛力預估: @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Base Diameter: 100~1500 m_x000D_、 Radius(R): 60~1200 m_x000D_、 Focal Length(f): 110~1600 m、 Lens thi... | 潛力預估: @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Center Wavelength : 1480nm_x000D_;Center Wavelength Range : ±40nm_x000D_;Insertion Loss : 55dB_x000D... | 潛力預估: 本技術包括光學設計、封裝技術、環境測試等技術,本所開發的光電元件,能夠與世界大廠同步,極具產品競爭力。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Wavelength Locker;Channel Spacing : 100 GHz_x000D_;Center Wavelength : ITU grid (1530nm~1560nm)_x000... | 潛力預估: 本技術包括波長鎖器的組裝與設計技術、電路控制技術與自動量測技術,技術涵蓋完整,並可於0 ~ 70 ℃間,完全在規格內穩定工作,技術規格已與世界大廠JDSU同步,並通過250小時85℃高溫測試與-40... @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發
被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色 |
| 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣 |
| 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃;
(2)結合強度3000psi以上;
(3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE(Packet PC)或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制,以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能,創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I... |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像,可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組,預估其生產成本的降低後,可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台,創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會,亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯... |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米;厚度可達500微米;平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場,極具市場潛力 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發
被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色 |
執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣 |
執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃;
(2)結合強度3000psi以上;
(3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE(Packet PC)或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制,以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能,創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I... |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像,可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組,預估其生產成本的降低後,可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台,創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會,亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯... |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米;厚度可達500微米;平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場,極具市場潛力 |
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