螢光材料特性分析技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文螢光材料特性分析技術的執行單位是工研院院本部, 產出年度是96, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 技術規格是(1) 螢光粉特性分析及測試標準程序建立 (2) 螢光粉之特性分析及UV-LED封裝測試 (3) LED螢光粉之專利及技術分析, 潛力預估是衍生應用至全螢光材料適用領域 例如:solar cell light conversion layer, bio sensor 等.
| 序號 | 2043 |
| 產出年度 | 96 |
| 技術名稱-中文 | 螢光材料特性分析技術 |
| 執行單位 | 工研院院本部 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 為因應螢光材料在「照明」與「顯示」等光電領域上的快速發展需求，探討螢光材料之特性分析技術及進行實際測試，同時並瞭解螢光材料之重要品目在CCFL、LED等不同應用範疇的適用性及通用性。另一方面，亦積極蒐集螢光材料之產業資訊及專利/技術資料，並進行系統性之分析，以期暸解螢光材料之產業現況，並掌控螢光材料未來的發展趨勢。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | (1) 螢光粉特性分析及測試標準程序建立 (2) 螢光粉之特性分析及UV-LED封裝測試 (3) LED螢光粉之專利及技術分析 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 光電產業「照明(lighting)」與「顯示(Display)」相關領域. 例如液晶顯示器（Liquid crystal display；LCD）、白光發光二極體（White light emitting diode）、冷陰極管（Cold cathode fluorescent lamp；CCFL）等產業 |
| 潛力預估 | 衍生應用至全螢光材料適用領域 例如:solar cell light conversion layer, bio sensor 等 |
| 聯絡人員 | 光電,無機合成相關背景 |
| 電話 | 03-5732464 |
| 傳真 | 03-5732464 |
| 電子信箱 | harrisontung@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | X光繞射儀,目視/照相觀察箱, 螢光光譜儀, 色度座標儀, 粒徑分析儀, 掃瞄式電子顯微鏡 |
| 需具備之專業人才 | 光電,無機合成相關背景 |
| 同步更新日期 | 2024-09-03 |
序號2043 |
產出年度96 |
技術名稱-中文螢光材料特性分析技術 |
執行單位工研院院本部 |
產出單位(空) |
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文為因應螢光材料在「照明」與「顯示」等光電領域上的快速發展需求，探討螢光材料之特性分析技術及進行實際測試，同時並瞭解螢光材料之重要品目在CCFL、LED等不同應用範疇的適用性及通用性。另一方面，亦積極蒐集螢光材料之產業資訊及專利/技術資料，並進行系統性之分析，以期暸解螢光材料之產業現況，並掌控螢光材料未來的發展趨勢。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格(1) 螢光粉特性分析及測試標準程序建立 (2) 螢光粉之特性分析及UV-LED封裝測試 (3) LED螢光粉之專利及技術分析 |
技術成熟度試量產 |
可應用範圍光電產業「照明(lighting)」與「顯示(Display)」相關領域. 例如液晶顯示器（Liquid crystal display；LCD）、白光發光二極體（White light emitting diode）、冷陰極管（Cold cathode fluorescent lamp；CCFL）等產業 |
潛力預估衍生應用至全螢光材料適用領域 例如:solar cell light conversion layer, bio sensor 等 |
聯絡人員光電,無機合成相關背景 |
電話03-5732464 |
傳真03-5732464 |
電子信箱harrisontung@itri.org.tw |
參考網址(空) |
所須軟硬體設備X光繞射儀,目視/照相觀察箱, 螢光光譜儀, 色度座標儀, 粒徑分析儀, 掃瞄式電子顯微鏡 |
需具備之專業人才光電,無機合成相關背景 |
同步更新日期2024-09-03 |
在『經濟部產業技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:
| 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣 |
| 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃；
(2)結合強度3000psi以上；
(3)變形量<0.5μm/㎝。 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，市場前景可期。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm；深度1.1μm；形狀誤差<0.15μm。 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術，可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術，對降低成本提升產值，有很大助益。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA（320×240）、CIF（352×288）、VGA（640×480）、XVGA（1024×768）與1.3百萬（1280×1024）等格式，像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年，全球產量達237Mpcs。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE（Packet PC）或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I... |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像，可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組，預估其生產成本的降低後，可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台，創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會，亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯... |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米；厚度可達500微米；平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率：5GHz~6GHz，頻寬：100MHz~150MHz，插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路，通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上，現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2％。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元，並創造產值約5億元。 |
執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣 |
執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃；
(2)結合強度3000psi以上；
(3)變形量<0.5μm/㎝。 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，市場前景可期。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm；深度1.1μm；形狀誤差<0.15μm。 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術，可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術，對降低成本提升產值，有很大助益。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA（320×240）、CIF（352×288）、VGA（640×480）、XVGA（1024×768）與1.3百萬（1280×1024）等格式，像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年，全球產量達237Mpcs。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE（Packet PC）或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I... |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像，可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組，預估其生產成本的降低後，可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台，創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會，亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯... |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米；厚度可達500微米；平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率：5GHz~6GHz，頻寬：100MHz~150MHz，插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路，通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上，現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2％。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元，並創造產值約5億元。 |
|