IC封裝熱阻快速量測技術
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技術名稱-中文IC封裝熱阻快速量測技術的執行單位是工研院晶片中心, 產出年度是96, 計畫名稱是無線多媒體系統晶片關鍵技術發展四年計畫, 技術規格是(1).快速量測,溫度範圍廣(5~85℃),精確度高(+/- 0.2℃) 。_x000D_(2).模組化設計,程式控制自動量測。_x000D_(3).符合JEDEC 51及SEMI38熱阻量測標準及IEC 68-2-3 穩態溼熱規範。_x000D_, 潛力預估是快速提升量產線上之製程品質.

序號2056
產出年度96
技術名稱-中文IC封裝熱阻快速量測技術
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱無線多媒體系統晶片關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於電子產品高密度整合及性能提升的趨勢造成晶片發熱問題越來越嚴重,使得性能及可靠度大下降,過熱問題已成為技術發展的瓶頸。新開發的熱阻快速量測技術利用電性的非接觸方式量測晶片溫度,搭配精密溫控模組,結合控制軟體,成功克服傳統熱阻量測系統耗時和龐大設備需求的缺點,可快速準確的量測IC及高功率LED接面溫度與熱阻。更可結合新開發的熱傳測試晶片進行量測。可應用於單一晶片封裝,異質晶片封裝及3D SiP封裝。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(1).快速量測,溫度範圍廣(5~85℃),精確度高(+/- 0.2℃) 。_x000D_(2).模組化設計,程式控制自動量測。_x000D_(3).符合JEDEC 51及SEMI38熱阻量測標準及IEC 68-2-3 穩態溼熱規範。_x000D_
技術成熟度量產
可應用範圍電子構裝產品散熱性能驗證與可靠度驗證
潛力預估快速提升量產線上之製程品質
聯絡人員陳文峰
電話03-5913314
傳真03-5917193
電子信箱chented@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備快速溫控模組、電腦訊號擷取介面、控制軟體
需具備之專業人才具備熱傳知識、實驗室操作經驗、實驗軟體撰寫能力更佳
同步更新日期2023-07-22

序號

2056

產出年度

96

技術名稱-中文

IC封裝熱阻快速量測技術

執行單位

工研院晶片中心

產出單位

(空)

計畫名稱

無線多媒體系統晶片關鍵技術發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

由於電子產品高密度整合及性能提升的趨勢造成晶片發熱問題越來越嚴重,使得性能及可靠度大下降,過熱問題已成為技術發展的瓶頸。新開發的熱阻快速量測技術利用電性的非接觸方式量測晶片溫度,搭配精密溫控模組,結合控制軟體,成功克服傳統熱阻量測系統耗時和龐大設備需求的缺點,可快速準確的量測IC及高功率LED接面溫度與熱阻。更可結合新開發的熱傳測試晶片進行量測。可應用於單一晶片封裝,異質晶片封裝及3D SiP封裝。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

(1).快速量測,溫度範圍廣(5~85℃),精確度高(+/- 0.2℃) 。_x000D_(2).模組化設計,程式控制自動量測。_x000D_(3).符合JEDEC 51及SEMI38熱阻量測標準及IEC 68-2-3 穩態溼熱規範。_x000D_

技術成熟度

量產

可應用範圍

電子構裝產品散熱性能驗證與可靠度驗證

潛力預估

快速提升量產線上之製程品質

聯絡人員

陳文峰

電話

03-5913314

傳真

03-5917193

電子信箱

chented@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

快速溫控模組、電腦訊號擷取介面、控制軟體

需具備之專業人才

具備熱傳知識、實驗室操作經驗、實驗軟體撰寫能力更佳

同步更新日期

2023-07-22

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# IC封裝熱阻快速量測技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號2465
產出年度97
技術名稱-中文IC封裝熱阻快速量測技術
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文電子元件體積愈來愈小,而單位體積的熱量急速增加,為避免因熱而失靈,故必須了解電子構裝之散熱能力,因此應用溫度敏感參數原理來校正與量測相關之電壓降(Voltage Drop),再轉換為元件實際之熱阻。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格依循 JEDEC Standard、SEMI Standard。
技術成熟度量產
可應用範圍●電子構裝元件之熱阻量測 .自然對流熱阻量測 .強制對流熱阻量測
潛力預估目前國外製造之設備價格較貴,且應用時較為複雜,此技術可提升國內封裝產業熱阻量測技術,對封裝設計很有幫助。
聯絡人員陳文峰
電話03-5913314
傳真03-5820412
電子信箱chented@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備資料擷取卡、電源供應器、溫控模組。
需具備之專業人才具電子、電機等相關人才。
序號: 2465
產出年度: 97
技術名稱-中文: IC封裝熱阻快速量測技術
執行單位: 工研院晶片中心
產出單位: (空)
計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 電子元件體積愈來愈小,而單位體積的熱量急速增加,為避免因熱而失靈,故必須了解電子構裝之散熱能力,因此應用溫度敏感參數原理來校正與量測相關之電壓降(Voltage Drop),再轉換為元件實際之熱阻。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 依循 JEDEC Standard、SEMI Standard。
技術成熟度: 量產
可應用範圍: ●電子構裝元件之熱阻量測 .自然對流熱阻量測 .強制對流熱阻量測
潛力預估: 目前國外製造之設備價格較貴,且應用時較為複雜,此技術可提升國內封裝產業熱阻量測技術,對封裝設計很有幫助。
聯絡人員: 陳文峰
電話: 03-5913314
傳真: 03-5820412
電子信箱: chented@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 資料擷取卡、電源供應器、溫控模組。
需具備之專業人才: 具電子、電機等相關人才。
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# 03-5913314 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號683
產出年度93
技術名稱-中文射頻內藏被動元件之模型程式庫技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文應用高介電係數(Hi-Dk, Dk>38@6.0GHz)基板材料與傳統FR4 PCB基板壓合,開發射頻(6.0GHz)內藏被動元件基板結構模型技術,包括基板內藏電容、基板內藏電感、內藏被動元件及寄生元件模型(Modeling)、被動元件程式庫(Library)、射頻基板材料評估與量測驗證。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格開發射頻內藏被動元件基板結構設計,包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證,內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model)之傳輸線高頻模型(SPICE model),調適出spice model,調適頻率至3GHz,傳輸線實際量測與模型的誤差為小於0.5%,可以供2.4GHz射頻模組內藏被動元件傳輸線類比電路模擬使用。特性:工作頻段:2.4GHz 基板材料:Hi-Dk(εr≧38) embedded into FR-4 多層(
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,例如Bluetooth、Wireless Lan、Cellular Phones等;其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據評估統計無論是手機或是單晶片的藍芽模組等射頻模組,其被動元件數量約佔系統全部元件的75%以上;將為數眾多之被動元件整合在印刷電路板(PCB)中,藉以大幅提升印刷電路板之密度,深具市場應用潛力。各公司除了自行研發或尋求國外技術外
潛力預估印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫,提供客戶設計階段導入應用之服務,提昇產業技術門檻與競爭力。
聯絡人員陳文峰
電話03-5913314
傳真03-5820412
電子信箱chented@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備個人電腦(CPU:1GHz以上;RAM:256MB以上) . 高頻高階電磁模擬軟體(如:Sonnet 或 HFSS…) . 高頻網路分析儀(6GHz以上,如:Agilent 8510C) . 晶圓級量測平台(6吋以上,probe station)
需具備之專業人才電子電路學 . 電磁學 . 高頻微波電路
序號: 683
產出年度: 93
技術名稱-中文: 射頻內藏被動元件之模型程式庫技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 應用高介電係數(Hi-Dk, Dk>38@6.0GHz)基板材料與傳統FR4 PCB基板壓合,開發射頻(6.0GHz)內藏被動元件基板結構模型技術,包括基板內藏電容、基板內藏電感、內藏被動元件及寄生元件模型(Modeling)、被動元件程式庫(Library)、射頻基板材料評估與量測驗證。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計,包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證,內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model)之傳輸線高頻模型(SPICE model),調適出spice model,調適頻率至3GHz,傳輸線實際量測與模型的誤差為小於0.5%,可以供2.4GHz射頻模組內藏被動元件傳輸線類比電路模擬使用。特性:工作頻段:2.4GHz 基板材料:Hi-Dk(εr≧38) embedded into FR-4 多層(
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,例如Bluetooth、Wireless Lan、Cellular Phones等;其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據評估統計無論是手機或是單晶片的藍芽模組等射頻模組,其被動元件數量約佔系統全部元件的75%以上;將為數眾多之被動元件整合在印刷電路板(PCB)中,藉以大幅提升印刷電路板之密度,深具市場應用潛力。各公司除了自行研發或尋求國外技術外
潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫,提供客戶設計階段導入應用之服務,提昇產業技術門檻與競爭力。
聯絡人員: 陳文峰
電話: 03-5913314
傳真: 03-5820412
電子信箱: chented@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 個人電腦(CPU:1GHz以上;RAM:256MB以上) . 高頻高階電磁模擬軟體(如:Sonnet 或 HFSS…) . 高頻網路分析儀(6GHz以上,如:Agilent 8510C) . 晶圓級量測平台(6吋以上,probe station)
需具備之專業人才: 電子電路學 . 電磁學 . 高頻微波電路

# 03-5913314 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號996
產出年度94
技術名稱-中文無鉛製程技術資訊平台建立
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院材料與化工領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文為解決日益嚴重的廢棄電子產品污染環境問題,歐盟正式頒布處理廢棄電子產品指導法令,以及電子電機設備中危害物質禁用指令,確定2006年7月1日起,禁止使用含鉛、鎘、六價鉻和其它材料之電子產品進口輸入。雖然目前也有相當多具有優異性質之無鉛銲錫(lead-free solder)與無鹵基板可供選擇,然而因無鉛銲錫普遍具有較高之熔點,在製程與相關週邊材料上之選擇亦須隨之改變,在可靠度(reliability)及其失效(或破壞)分析(failure analysis)上之相關研發資料尚稱不足,且缺乏一個廣為接受的標準,及評估無鉛技術品質。工研院電子所將透過建立無鉛產品共同技術資訊平台,協助國內廠商了解趨勢與因應之道。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義)與分析標準(分析方法與可靠度驗證)等,說明建立標準之過程與何以定義這些標準之方法與根據,最後將可優先提供國內廠商認證服務。所有包含銲錫接點之電子類產品(資訊、通訊、消費性、家電)皆有必要進行無鉛之認證,範圍與市場之大,透過共同合作訂立標準測試方法,建立無鉛產品驗證標準並進而執行認證工作。
技術成熟度量產
可應用範圍材料製造業、IC設計業、設備業、製造/加工業、測試業。
潛力預估隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、桌上型電腦,筆記型電腦、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊家電產品等等,影響非常之大。也因為如此,相關市場規模與潛力之大無庸置疑。誰能儘早準備就緒,提高自身競爭力,誰就能掌握市場先機,增加增取訂單之籌碼。
聯絡人員陳文峰
電話03-5913314
傳真03-5820412
電子信箱chented@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備SMT技術設備、波銲製程設備
需具備之專業人才SMT製程技術、Wave soldering製程技術
序號: 996
產出年度: 94
技術名稱-中文: 無鉛製程技術資訊平台建立
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 為解決日益嚴重的廢棄電子產品污染環境問題,歐盟正式頒布處理廢棄電子產品指導法令,以及電子電機設備中危害物質禁用指令,確定2006年7月1日起,禁止使用含鉛、鎘、六價鉻和其它材料之電子產品進口輸入。雖然目前也有相當多具有優異性質之無鉛銲錫(lead-free solder)與無鹵基板可供選擇,然而因無鉛銲錫普遍具有較高之熔點,在製程與相關週邊材料上之選擇亦須隨之改變,在可靠度(reliability)及其失效(或破壞)分析(failure analysis)上之相關研發資料尚稱不足,且缺乏一個廣為接受的標準,及評估無鉛技術品質。工研院電子所將透過建立無鉛產品共同技術資訊平台,協助國內廠商了解趨勢與因應之道。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義)與分析標準(分析方法與可靠度驗證)等,說明建立標準之過程與何以定義這些標準之方法與根據,最後將可優先提供國內廠商認證服務。所有包含銲錫接點之電子類產品(資訊、通訊、消費性、家電)皆有必要進行無鉛之認證,範圍與市場之大,透過共同合作訂立標準測試方法,建立無鉛產品驗證標準並進而執行認證工作。
技術成熟度: 量產
可應用範圍: 材料製造業、IC設計業、設備業、製造/加工業、測試業。
潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、桌上型電腦,筆記型電腦、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊家電產品等等,影響非常之大。也因為如此,相關市場規模與潛力之大無庸置疑。誰能儘早準備就緒,提高自身競爭力,誰就能掌握市場先機,增加增取訂單之籌碼。
聯絡人員: 陳文峰
電話: 03-5913314
傳真: 03-5820412
電子信箱: chented@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: SMT技術設備、波銲製程設備
需具備之專業人才: SMT製程技術、Wave soldering製程技術

# 03-5913314 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號998
產出年度94
技術名稱-中文射頻內藏被動元件之模型程式庫技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文應用高介電係數(Hi-Dk, Dk>38@6.0GHz)基板材料與傳統FR4 PCB基板壓合,開發射頻(6.0GHz)內藏被動元件基板結構模型技術,包括基板內藏電容、基板內藏電感、內藏被動元件及寄生元件模型(Modeling)、被動元件程式庫(Library)、射頻基板材料評估與量測驗證。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specification Tolerance_x000D_ Embedded inductor 1nH ~27nH
技術成熟度雛型
可應用範圍資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,例如Bluetooth、Wireless Lan、Cellular Phones等;其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據評估統計無論是手機或是單晶片的藍芽模組等射頻模組,其被動元件數量約佔系統全部元件的75%以上;將為數眾多之被動元件整合在印刷電路板(PCB)中,藉以大幅提升印刷電路板之密度,深具市場應用潛力。各公司除了自行研發或尋求國外技術外,亦可透過工研院電子所技轉相關技術,迅速建立相關設計經驗與能力。
潛力預估基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高密度封裝整合之一有效技術及必然趨勢。應用傳統PCB整合高介電係數基板來內藏被動元件,可以達到在同一基板上整合一般射頻模組及數位系統,可提昇傳統PCB產業之附加價值與競爭力。
聯絡人員陳文峰
電話03-5913314
傳真03-5820412
電子信箱chented@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備個人電腦(CPU:1GHz以上;RAM:256MB以上),高頻高階電磁模擬軟體(如:Sonnet 或 HFSS…)_x000D_,高頻網路分析儀(6GHz以上,如:Agilent 8510C)_x000D_,晶圓級量測平台(6吋以上,probe station)
需具備之專業人才電子電路學、電磁學、高頻微波電路
序號: 998
產出年度: 94
技術名稱-中文: 射頻內藏被動元件之模型程式庫技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 應用高介電係數(Hi-Dk, Dk>38@6.0GHz)基板材料與傳統FR4 PCB基板壓合,開發射頻(6.0GHz)內藏被動元件基板結構模型技術,包括基板內藏電容、基板內藏電感、內藏被動元件及寄生元件模型(Modeling)、被動元件程式庫(Library)、射頻基板材料評估與量測驗證。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specification Tolerance_x000D_ Embedded inductor 1nH ~27nH
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,例如Bluetooth、Wireless Lan、Cellular Phones等;其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據評估統計無論是手機或是單晶片的藍芽模組等射頻模組,其被動元件數量約佔系統全部元件的75%以上;將為數眾多之被動元件整合在印刷電路板(PCB)中,藉以大幅提升印刷電路板之密度,深具市場應用潛力。各公司除了自行研發或尋求國外技術外,亦可透過工研院電子所技轉相關技術,迅速建立相關設計經驗與能力。
潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高密度封裝整合之一有效技術及必然趨勢。應用傳統PCB整合高介電係數基板來內藏被動元件,可以達到在同一基板上整合一般射頻模組及數位系統,可提昇傳統PCB產業之附加價值與競爭力。
聯絡人員: 陳文峰
電話: 03-5913314
傳真: 03-5820412
電子信箱: chented@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 個人電腦(CPU:1GHz以上;RAM:256MB以上),高頻高階電磁模擬軟體(如:Sonnet 或 HFSS…)_x000D_,高頻網路分析儀(6GHz以上,如:Agilent 8510C)_x000D_,晶圓級量測平台(6吋以上,probe station)
需具備之專業人才: 電子電路學、電磁學、高頻微波電路

# 03-5913314 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號1000
產出年度94
技術名稱-中文迴路型熱管散熱技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文因應未來幾年電子元件等相關產業散熱議題,提供較現行熱管更高傳熱特性、更具彈性化之散熱模式,解決產品因熱所導致性能、可靠度等相關問題。與傳統熱管同屬被動式傳熱元件且有相同運作原理,較大差異處為工作流體處於汽液分離,故具較大熱傳輸能力且應用設計時有著彈性化,距離遠…等特性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm
技術成熟度雛型
可應用範圍筆記型電腦(預估3000萬台以上--2003年)_x000D_,其他電子元件散熱(PDP TV…)_x000D_,車用電子,熱交換器、熱回收裝置 ,航太軍事裝置與機械零組件散熱
潛力預估以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步
聯絡人員陳文峰
電話03-5913314
傳真03-5820412
電子信箱chented@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備(銅)金屬焊接設備,熱管製作裝置
需具備之專業人才機械工程等相關背景人員。
序號: 1000
產出年度: 94
技術名稱-中文: 迴路型熱管散熱技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 因應未來幾年電子元件等相關產業散熱議題,提供較現行熱管更高傳熱特性、更具彈性化之散熱模式,解決產品因熱所導致性能、可靠度等相關問題。與傳統熱管同屬被動式傳熱元件且有相同運作原理,較大差異處為工作流體處於汽液分離,故具較大熱傳輸能力且應用設計時有著彈性化,距離遠…等特性。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 筆記型電腦(預估3000萬台以上--2003年)_x000D_,其他電子元件散熱(PDP TV…)_x000D_,車用電子,熱交換器、熱回收裝置 ,航太軍事裝置與機械零組件散熱
潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步
聯絡人員: 陳文峰
電話: 03-5913314
傳真: 03-5820412
電子信箱: chented@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: (銅)金屬焊接設備,熱管製作裝置
需具備之專業人才: 機械工程等相關背景人員。

# 03-5913314 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號1001
產出年度94
技術名稱-中文無鉛製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院材料與化工領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文1. 提供無鉛銲錫現況與製程發展、品質認證及測試方法原理之教育訓練及技術輔導與諮詢服務。_x000D_2. 協助建立無鉛銲錫之SMT組裝製程技術與焊點可靠度評估資料庫。_x000D_3. 藉由焊點破壞模式之分析與探討,建立改善無鉛產品SMT組裝良率及焊點可靠度之能力。4. 無鉛銲錫材料之檢驗分析。5. 無鉛產品之高加速壽命檢測(HALT)
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準
技術成熟度量產
可應用範圍面對全球環保意識抬頭與鉛對人體危害認知之升高,使用無鉛銲錫於電子類產品也已經是箭在弦上,不得不然的趨勢了。就無鉛產品市場接受度而言,以1998年10月日本的松下公司(Panasonic)的迷你隨身聽(MiniDisk)最被注意,松下公司的這一型隨身聽主要使用Sn-Bi系統無鉛銲錫,並使用有機保護膜來做印刷電路板的的表面處理,使得整個產品的含鉛量大幅下降,並在當時造成一陣熱潮,其市場佔有率也從原本的4.7%上升到15%。接下來只是該選用何種合金,以及如何搭配相關之製程、材料與設備等問題而已。各公司除了自行研發或尋求國外技術外,亦可透過工研院電子所技轉相關技術,迅速建立相關製程經驗與能力。
潛力預估隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊家電產品等,影響非常之大。相關市場規模與潛力之大無庸置疑。誰能儘早準備就緒,提高自身競爭力,誰就能掌握市場先機,增加增取訂單之籌碼。
聯絡人員陳文峰
電話03-5913314
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參考網址(空)
所須軟硬體設備SMT製程設備、波銲製程設備、溫度循環測試設備
需具備之專業人才瞭解SMT及波銲製程
序號: 1001
產出年度: 94
技術名稱-中文: 無鉛製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 1. 提供無鉛銲錫現況與製程發展、品質認證及測試方法原理之教育訓練及技術輔導與諮詢服務。_x000D_2. 協助建立無鉛銲錫之SMT組裝製程技術與焊點可靠度評估資料庫。_x000D_3. 藉由焊點破壞模式之分析與探討,建立改善無鉛產品SMT組裝良率及焊點可靠度之能力。4. 無鉛銲錫材料之檢驗分析。5. 無鉛產品之高加速壽命檢測(HALT)
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準
技術成熟度: 量產
可應用範圍: 面對全球環保意識抬頭與鉛對人體危害認知之升高,使用無鉛銲錫於電子類產品也已經是箭在弦上,不得不然的趨勢了。就無鉛產品市場接受度而言,以1998年10月日本的松下公司(Panasonic)的迷你隨身聽(MiniDisk)最被注意,松下公司的這一型隨身聽主要使用Sn-Bi系統無鉛銲錫,並使用有機保護膜來做印刷電路板的的表面處理,使得整個產品的含鉛量大幅下降,並在當時造成一陣熱潮,其市場佔有率也從原本的4.7%上升到15%。接下來只是該選用何種合金,以及如何搭配相關之製程、材料與設備等問題而已。各公司除了自行研發或尋求國外技術外,亦可透過工研院電子所技轉相關技術,迅速建立相關製程經驗與能力。
潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊家電產品等,影響非常之大。相關市場規模與潛力之大無庸置疑。誰能儘早準備就緒,提高自身競爭力,誰就能掌握市場先機,增加增取訂單之籌碼。
聯絡人員: 陳文峰
電話: 03-5913314
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所須軟硬體設備: SMT製程設備、波銲製程設備、溫度循環測試設備
需具備之專業人才: 瞭解SMT及波銲製程

# 03-5913314 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號1008
產出年度94
技術名稱-中文電腦輔助熱傳設計分析技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文分析軟體:Flotherm、CFDesign.IDEAS-ESC_x000D_。分析模型:包括 PQFP、TQFP、SOP、TSOP、DIP、BGA及Metal Can...等封裝。分析電子及光電系統之散熱分析、溫度分佈及系統流場分佈。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度)
技術成熟度其他
可應用範圍電子構裝元件包括 PQFP、TQFP、SOP、TSOP、DIP、BGA 及 Metal Can。電子系統產品,如PC、Notebook、server。光電元件,如LED,Transceiver。
潛力預估新創公司、人才養成訓練、技術外包
聯絡人員陳文峰
電話03-5913314
傳真03-5820412
電子信箱chented@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備1.CFD Software_x000D_2.PC
需具備之專業人才熱傳學基礎
序號: 1008
產出年度: 94
技術名稱-中文: 電腦輔助熱傳設計分析技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 分析軟體:Flotherm、CFDesign.IDEAS-ESC_x000D_。分析模型:包括 PQFP、TQFP、SOP、TSOP、DIP、BGA及Metal Can...等封裝。分析電子及光電系統之散熱分析、溫度分佈及系統流場分佈。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度)
技術成熟度: 其他
可應用範圍: 電子構裝元件包括 PQFP、TQFP、SOP、TSOP、DIP、BGA 及 Metal Can。電子系統產品,如PC、Notebook、server。光電元件,如LED,Transceiver。
潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包
聯絡人員: 陳文峰
電話: 03-5913314
傳真: 03-5820412
電子信箱: chented@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 1.CFD Software_x000D_2.PC
需具備之專業人才: 熱傳學基礎

# 03-5913314 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號1009
產出年度94
技術名稱-中文IC及LED熱阻量測技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文電子元件體積愈來愈小,而單位體積的熱量急速增加,為避免因熱而失靈,故必須了解電子構裝之散熱能力,因此應用溫度敏感參數原理來校正與量測相關之電壓降(Voltage Drop),再轉換為元件實際之熱阻。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格依循JEDEC Standard、SEMI Standard
技術成熟度量產
可應用範圍電子構裝及LED元件
潛力預估主要設備,均是國內自行開發完成,價格較國外節省30%。
聯絡人員陳文峰
電話03-5913314
傳真03-5820412
電子信箱chented@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備構裝廠、或IC廠封裝部門、或專業量測服務公司
需具備之專業人才熱傳學基礎、電子封裝基礎
序號: 1009
產出年度: 94
技術名稱-中文: IC及LED熱阻量測技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 電子元件體積愈來愈小,而單位體積的熱量急速增加,為避免因熱而失靈,故必須了解電子構裝之散熱能力,因此應用溫度敏感參數原理來校正與量測相關之電壓降(Voltage Drop),再轉換為元件實際之熱阻。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard
技術成熟度: 量產
可應用範圍: 電子構裝及LED元件
潛力預估: 主要設備,均是國內自行開發完成,價格較國外節省30%。
聯絡人員: 陳文峰
電話: 03-5913314
傳真: 03-5820412
電子信箱: chented@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備: 構裝廠、或IC廠封裝部門、或專業量測服務公司
需具備之專業人才: 熱傳學基礎、電子封裝基礎

# 03-5913314 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號1011
產出年度94
技術名稱-中文焊點可靠性評估技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供廠商焊點可靠性評估技術現況與發展、測試方法原理之教育訓練及技術輔導與咨詢服務。協助建立焊點可靠性評估之電腦模擬及測試結果資料庫。藉由焊點破壞模式之分析與探討,建立改善焊點可靠度之能力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格MIL-883D
技術成熟度量產
可應用範圍現今電子產品皆以焊點為組裝方式,而台灣以發展自有品牌及提高代工技術水準為目標,因此焊點可靠度評估技術,已經是國內上中下游相關電子產業必備的技術。目前焊點可靠度評估技術的需求,已經從封裝廠對本身封裝產品的焊點可靠度評估,擴散到上游IC設計、代工廠及下游的電子系統廠,所以幾乎全台灣甚至全球的電子產業都需要此一技術,正因為如此,相關市場規模與潛力之大無庸置疑。誰能儘早準備就緒,提高自身競爭力,誰就能掌握市場先機,增加增取訂單之籌碼。因此國內廠商更應積極準備好相關焊點可靠度評估技術之能力。
潛力預估面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加,特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估,衍生到系統廠組裝後的可靠度評估,及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的SiP設計的焊點可靠度評估等。焊點可靠度的需求除了擴大外,更複雜結構的焊點可靠度評估技術的需求也越來越多,顯示焊點可靠度評估的市場接受度是極高的。
聯絡人員陳文峰
電話03-5913314
傳真03-5820412
電子信箱chented@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備資料擷取系統_x000D_(Data Acquisition System) _x000D_Weibull Distribution Analysis Sofware
需具備之專業人才1.基礎統計_x000D_2.應力分析
序號: 1011
產出年度: 94
技術名稱-中文: 焊點可靠性評估技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 提供廠商焊點可靠性評估技術現況與發展、測試方法原理之教育訓練及技術輔導與咨詢服務。協助建立焊點可靠性評估之電腦模擬及測試結果資料庫。藉由焊點破壞模式之分析與探討,建立改善焊點可靠度之能力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: MIL-883D
技術成熟度: 量產
可應用範圍: 現今電子產品皆以焊點為組裝方式,而台灣以發展自有品牌及提高代工技術水準為目標,因此焊點可靠度評估技術,已經是國內上中下游相關電子產業必備的技術。目前焊點可靠度評估技術的需求,已經從封裝廠對本身封裝產品的焊點可靠度評估,擴散到上游IC設計、代工廠及下游的電子系統廠,所以幾乎全台灣甚至全球的電子產業都需要此一技術,正因為如此,相關市場規模與潛力之大無庸置疑。誰能儘早準備就緒,提高自身競爭力,誰就能掌握市場先機,增加增取訂單之籌碼。因此國內廠商更應積極準備好相關焊點可靠度評估技術之能力。
潛力預估: 面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加,特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估,衍生到系統廠組裝後的可靠度評估,及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的SiP設計的焊點可靠度評估等。焊點可靠度的需求除了擴大外,更複雜結構的焊點可靠度評估技術的需求也越來越多,顯示焊點可靠度評估的市場接受度是極高的。
聯絡人員: 陳文峰
電話: 03-5913314
傳真: 03-5820412
電子信箱: chented@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 資料擷取系統_x000D_(Data Acquisition System) _x000D_Weibull Distribution Analysis Sofware
需具備之專業人才: 1.基礎統計_x000D_2.應力分析
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與IC封裝熱阻快速量測技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

計量式精密塗佈技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度介於1~100μm之間、厚度均勻度395% | 潛力預估: 舉凡各種光學膜,如彩色光阻、廣視角膜、增亮膜、偏光膜、補償膜、擴散片、塑膠基板及電池極板之製作,皆與「精密塗佈技術」為核心之關鍵技術互相牽連在一起,如有相關技術之建立,可促成工業供應鏈的齊全

奈米纖維材料製造與應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 複合奈米金屬線/纖維寬徑≦100nm,線/纖維長度≧20μm,長度/寬徑比(aspect ratio)> 200 | 潛力預估: 開發複合奈米纖維材料製造技術及應用評估,以應用於儲能、微感測器、場發射平面顯示器上的材料使用,本技術包括奈米中空管、奈米金屬纖維、複合奈米金屬纖維之製造技術

奈米模板合成技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: AAO模板的均勻孔洞直徑為最小可達50 nm,最大可達120nm, 模板厚度10 mm以上;AAO模板的面積可以達到200 mm x 200 mm | 潛力預估: LCD、OLED、LED產業

功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間,比表面積可高達240 m2/g以上,而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水... | 潛力預估: 根據美國SRI Consulting報告,2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年,市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加

奈米檢測技術-表面分析檢測技術應用先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 以微區ESCA技術分析表面/薄膜深度可 | 潛力預估: 可應用在DLED開發高亮度、高發光效率

奈米導電粉體製造技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米導電/磁性粉體粒徑小於30奈米,其外披覆有機殼層而呈核殼結構 | 潛力預估: 電磁波遮蔽與高頻磁性應用之奈米粉體材料國內市場潛力約在新台幣24億元規模

軟凝態奈米混成材料分散及流變技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 塗膜厚度均勻性>90%,邊際效益< 2mm;3C放電容量維持率達94% | 潛力預估: 自2005年起鋰電池電極板需求量激增,保守估計國內每月需求量9萬米平方產值約1.3億NT$

材料高頻電磁特性量測技術開發先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 高頻測試治具與測試標準評估與開發,其電氣特性符合:測試頻率:< 65 GHz, K Value:1 | 潛力預估: 可提升廠商之高頻量測技術能力,強化對產品設計及特性之掌握度,加速產品進入市場的速度,提高競爭力

多元合金細晶及成形技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 鎂鋁合金材料晶粒尺寸﹤1mm、鎂鋁合金材料伸長率> 300%、多元合金塗層具有﹤5w /m. k之熱傳導率及Hv500以上之硬度 | 潛力預估: 3C產品鎂鋁合金外殼產值目前有80億, 預估每年有20-30%之成長率

奈米一維材料製造技術-垂直氧化鋅奈米線技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 一維氧化鋅奈米線材料之垂直有序排列的技術:氧化鋅奈米線/纖維材料之成長於Si基板角度為70o~90o;氧化鋅奈米線/纖維材料之寬徑30~300nm;氧化鋅奈米線/纖維材料長度≧2.5μm | 潛力預估: 本研究初期成果已克服了垂直氧化鋅奈米線在矽基板成長之障礙,並且成功驗證垂直氧化鋅奈米線在場發射功能,在此有利之基礎上,提高控制性與大面積之成長技術建立強化,並對於多種性質之其它光電元件用基板材之實施,...

微波材料測試治具開發技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材料K,Q量測, 測試頻率<65GHz, 1<K<100,10<Q<1’10000,誤差£±0.5% | 潛力預估: 建立壓電膜材之壓電參數量測技術,支援相關應用產品開發。提供確認壓電膜材製作技術與產品設計開發可行性評估。可以利用已有的技術開發國內還沒有的量測系統,提供壓電薄膜在wafer level階段時的定量量...

高離子導電性質子傳導膜應用評估技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧半氟系磺酸化離子高分子材料 ‧質子導電度:8*10-2 S/cm ‧甲醇穿透度:8*10-7 cm2/sec ‧膨潤性:40-60wt% ‧耐熱性:>250℃ | 潛力預估: 攜帶型產品電力消耗與日遽增,在今日電子產品小型化、多功能化的趨勢下,對電池的要求也日漸升高。目前鋰電池的能量密度已接近發展的極限(500~600Whr/l),未來高能量密度電池之開發為目前各消費電子大...

化學鍍活化液與其化學鍍技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧化學鍍速率>0.25 ug/cm2.S ‧粒子平均粒徑12個月 | 潛力預估: 化學鍍活化液及其化學鍍技術,為一針對未來實行化學鍍進行超薄薄膜製程與習用化學鍍活化液缺點所設計,是以金屬奈米粒子觀念為出發點,當隨粒子粒徑越小時,比表面積越高,催化活性也越強,再加上粒子表面有有機穩定...

MB-OFDM UWB Matlab Baseband Simulation Platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: - 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform。 - Group A,B,C,D,E ... | 潛力預估: 可搶攻UWB、Wireless USB等市場,極具市場潛力

聚合型旋光性液晶化學品開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: HTP=30.44mm-1之旋光性液晶單體,純度>98% | 潛力預估: 聚合型高螺旋扭轉力液晶單體全球市場4億日元,市場佔有率若以5%計算約為新台幣500萬元/年,增亮膜市場約新台幣3000萬/年

計量式精密塗佈技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度介於1~100μm之間、厚度均勻度395% | 潛力預估: 舉凡各種光學膜,如彩色光阻、廣視角膜、增亮膜、偏光膜、補償膜、擴散片、塑膠基板及電池極板之製作,皆與「精密塗佈技術」為核心之關鍵技術互相牽連在一起,如有相關技術之建立,可促成工業供應鏈的齊全

奈米纖維材料製造與應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 複合奈米金屬線/纖維寬徑≦100nm,線/纖維長度≧20μm,長度/寬徑比(aspect ratio)> 200 | 潛力預估: 開發複合奈米纖維材料製造技術及應用評估,以應用於儲能、微感測器、場發射平面顯示器上的材料使用,本技術包括奈米中空管、奈米金屬纖維、複合奈米金屬纖維之製造技術

奈米模板合成技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: AAO模板的均勻孔洞直徑為最小可達50 nm,最大可達120nm, 模板厚度10 mm以上;AAO模板的面積可以達到200 mm x 200 mm | 潛力預估: LCD、OLED、LED產業

功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間,比表面積可高達240 m2/g以上,而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水... | 潛力預估: 根據美國SRI Consulting報告,2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年,市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加

奈米檢測技術-表面分析檢測技術應用先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 以微區ESCA技術分析表面/薄膜深度可 | 潛力預估: 可應用在DLED開發高亮度、高發光效率

奈米導電粉體製造技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米導電/磁性粉體粒徑小於30奈米,其外披覆有機殼層而呈核殼結構 | 潛力預估: 電磁波遮蔽與高頻磁性應用之奈米粉體材料國內市場潛力約在新台幣24億元規模

軟凝態奈米混成材料分散及流變技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 塗膜厚度均勻性>90%,邊際效益< 2mm;3C放電容量維持率達94% | 潛力預估: 自2005年起鋰電池電極板需求量激增,保守估計國內每月需求量9萬米平方產值約1.3億NT$

材料高頻電磁特性量測技術開發先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 高頻測試治具與測試標準評估與開發,其電氣特性符合:測試頻率:< 65 GHz, K Value:1 | 潛力預估: 可提升廠商之高頻量測技術能力,強化對產品設計及特性之掌握度,加速產品進入市場的速度,提高競爭力

多元合金細晶及成形技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 鎂鋁合金材料晶粒尺寸﹤1mm、鎂鋁合金材料伸長率> 300%、多元合金塗層具有﹤5w /m. k之熱傳導率及Hv500以上之硬度 | 潛力預估: 3C產品鎂鋁合金外殼產值目前有80億, 預估每年有20-30%之成長率

奈米一維材料製造技術-垂直氧化鋅奈米線技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 一維氧化鋅奈米線材料之垂直有序排列的技術:氧化鋅奈米線/纖維材料之成長於Si基板角度為70o~90o;氧化鋅奈米線/纖維材料之寬徑30~300nm;氧化鋅奈米線/纖維材料長度≧2.5μm | 潛力預估: 本研究初期成果已克服了垂直氧化鋅奈米線在矽基板成長之障礙,並且成功驗證垂直氧化鋅奈米線在場發射功能,在此有利之基礎上,提高控制性與大面積之成長技術建立強化,並對於多種性質之其它光電元件用基板材之實施,...

微波材料測試治具開發技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材料K,Q量測, 測試頻率<65GHz, 1<K<100,10<Q<1’10000,誤差£±0.5% | 潛力預估: 建立壓電膜材之壓電參數量測技術,支援相關應用產品開發。提供確認壓電膜材製作技術與產品設計開發可行性評估。可以利用已有的技術開發國內還沒有的量測系統,提供壓電薄膜在wafer level階段時的定量量...

高離子導電性質子傳導膜應用評估技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧半氟系磺酸化離子高分子材料 ‧質子導電度:8*10-2 S/cm ‧甲醇穿透度:8*10-7 cm2/sec ‧膨潤性:40-60wt% ‧耐熱性:>250℃ | 潛力預估: 攜帶型產品電力消耗與日遽增,在今日電子產品小型化、多功能化的趨勢下,對電池的要求也日漸升高。目前鋰電池的能量密度已接近發展的極限(500~600Whr/l),未來高能量密度電池之開發為目前各消費電子大...

化學鍍活化液與其化學鍍技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧化學鍍速率>0.25 ug/cm2.S ‧粒子平均粒徑12個月 | 潛力預估: 化學鍍活化液及其化學鍍技術,為一針對未來實行化學鍍進行超薄薄膜製程與習用化學鍍活化液缺點所設計,是以金屬奈米粒子觀念為出發點,當隨粒子粒徑越小時,比表面積越高,催化活性也越強,再加上粒子表面有有機穩定...

MB-OFDM UWB Matlab Baseband Simulation Platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: - 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform。 - Group A,B,C,D,E ... | 潛力預估: 可搶攻UWB、Wireless USB等市場,極具市場潛力

聚合型旋光性液晶化學品開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: HTP=30.44mm-1之旋光性液晶單體,純度>98% | 潛力預估: 聚合型高螺旋扭轉力液晶單體全球市場4億日元,市場佔有率若以5%計算約為新台幣500萬元/年,增亮膜市場約新台幣3000萬/年

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