大面積模具抗沾黏處理技術
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技術名稱-中文大面積模具抗沾黏處理技術的執行單位是工研院機械所, 產出年度是96, 計畫名稱是機械與系統領域環境建構計畫, 技術規格是‧膜面厚度小於2um，且整面模具表面無差異，不會有白色或霧面殘留。, 潛力預估是增加模具壽命與良率，而不影響模具光學性質.

序號	2128
產出年度	96
技術名稱-中文	大面積模具抗沾黏處理技術
執行單位	工研院機械所
產出單位	(空)
計畫名稱	機械與系統領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	無論是熱壓製程或是uv-curing製程，其在翻印時，皆有可能產生膠體沾黏，而損害模具，並影響良率，故本技術可在模具表面進行抗沾黏處理，使模具壽命延長。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	‧膜面厚度小於2um，且整面模具表面無差異，不會有白色或霧面殘留。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	背光模組廠、光學模具
潛力預估	增加模具壽命與良率，而不影響模具光學性質
聯絡人員	黃萌祺
電話	03-5915841
傳真	(空)
電子信箱	ach@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	熱壓成形機
需具備之專業人才	需有抗沾黏表面處理技術之人員
同步更新日期	2024-09-03

序號

2128

產出年度

技術名稱-中文

大面積模具抗沾黏處理技術

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

機械與系統領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

無論是熱壓製程或是uv-curing製程，其在翻印時，皆有可能產生膠體沾黏，而損害模具，並影響良率，故本技術可在模具表面進行抗沾黏處理，使模具壽命延長。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

‧膜面厚度小於2um，且整面模具表面無差異，不會有白色或霧面殘留。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

背光模組廠、光學模具

潛力預估

增加模具壽命與良率，而不影響模具光學性質

聯絡人員

黃萌祺

電話

03-5915841

傳真

(空)

電子信箱

ach@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

熱壓成形機

需具備之專業人才

需有抗沾黏表面處理技術之人員

同步更新日期

2024-09-03

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SUS304/430模翻鑄製程	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 母模面積60x60 cm 厚度500um以下厚度均勻度+/-5% \| 潛力預估: 具備模具翻鑄能力，可大為降低成本 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
光學級濕式鍍膜滾筒模具技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 銅滾輪模具直徑大於210 mm 長度大於350mm以上，沉積無電鍍鎳厚度小於1um \| 潛力預估: 延長增亮膜或擴散膜之銅滾輪模具壽命，可大為降低成本 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
光學級滾筒無電鍍鎳沉積技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧銅滾輪模具直徑大於210 mm ‧長度大於500mm以上 ‧沉積無電鍍鎳厚度小於0.5um \| 潛力預估: 本技術將可延長光學級銅滾輪模具之使用壽命，降低廠商之生產成本，提升國內產業競爭力 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米級光學滾筒表面處理技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 屬薄膜沉積厚度為300±100nm、滾筒模具長度≦100cm \| 潛力預估: 可應用於LCD背光模組廠，以延長模具壽命 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
3D IC高深寬比銅填孔技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.高深寬比濕式無電鍍銅晶種層沉積技術可在直徑10 um，深105 um，深寬比10：1之矽穿孔孔洞中完成厚度為216 nm~ 326 nm的晶種層沉積。 2.開發高深寬比填孔銅電鍍液，能於直徑10u... \| 潛力預估: 結合濕式晶種層與銅電鍍填孔技術，能降低3D TSV填孔製程成本之50%，並可進一步應用至LED陶瓷基板與多層PCB板上。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
3D IC高深寬比銅填孔技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.高深寬比濕式無電鍍銅晶種層沉積技術可在深寬比10之矽穿孔孔洞中完成厚度為300±100 nm的晶種層沉積。 2.開發高深寬比填孔銅電鍍液，能於深寬比大於10之孔洞內完成銅填孔沉積，而無任何孔隙或... \| 潛力預估: 於3D IC、LED陶瓷基板、PCB板具有很大應用潛力 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
LED高速自動化貼合技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 智慧自動化系統關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧固晶精度X軸誤差≦40um、Y軸誤差≦ 40um、旋轉角度誤差≦3.5度。‧製程溫度誤差≦10℃。‧下壓力範圍:100g-2000g。‧視覺精度± 1 um；視覺對位速度100ms/frame(含... \| 潛力預估: 於LED封裝、大功率半導體封裝有很大應用需求。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
雷射誘發3D天線計畫	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可於3D基板上進行金屬微結構沉積，不受限於基板材料，並能進行多層電路之製作，實現積層式3D天線製作，最小線寬可降至30μm以下 \| 潛力預估: 可製作積層式天線 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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自動離合手排變速箱(AcMT)技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術可使用於300Nm以下之手排車。 \| 潛力預估: 無
兩軸旋轉主軸頭	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 主軸：功率：15 kW、最大扭力：48 Nm、最高轉速：20,000 rpm、主軸振動：3μm以內；C軸：最大扭力：1,000Nm、行程：±200°；A軸：最大扭力：800 Nm、行程：±95° \| 潛力預估: 直接驅動技術結合兩軸旋轉模組技術、智能型主軸技術等關鍵技術，更進一步提昇高速與複合切削加工技術，領導業界邁向直接驅動高速五軸關聯技術領域，提昇五軸機台品級及其附加價值，增加國際競爭力
精密微量射出成型模組技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 成型位置潔淨度：Class 1,000 (U.S. Federal Standard) 、最大射速1000mm/sec、鎖模力200噸 \| 潛力預估: 替代全潔淨室的局部潔淨艙設計、大功率、高射速的電氣驅動射出成型、WinCE視窗系統的PC-Based控制器設計
電子束加工及模具製造技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Mold size: 4 and 6 inches 2. Mold material: metal, silicon and glass 3. Minimum line width≦20nm 4... \| 潛力預估: 奈米技術被喻為第四波的工業革命，其重要性不言而喻。其中，奈米模仁的製造技術對於是否能將產品商業化扮演一重要角色。而電子束微影技術與乾蝕刻是奈米模仁最重要的加工技術之一。舉凡電子、光電、生醫等領域都有其...
奈米轉印設備技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: H.E./UV Module； Imprinting size：6”； Max. pressure：60 Bar； Max. temperature：250℃； Microwave rapid hea... \| 潛力預估: 奈米轉印技術應用領域相當廣泛，包括生醫元件、光電顯示器、資料儲存媒體以及奈米電子等領域；國際半導體技術藍圖（ITRS）已於2003年正式將轉印微影技術（Imprint Lithography）列為下...
微慣性感測技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 自由度：3維解析度：400CPI \| 潛力預估: 若能達成高解析度的滑鼠開發，將有機會成為電腦輸入裝置的另一種選擇。
微霧化器	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 霧化粒徑SMD<5μm 霧化速率≧0.3 cc/min 耗能<1瓦特 \| 潛力預估: 本技術的研發，將有助於國內吸入式藥物傳輸系統的發展，同時也促使國內在微機電相關產業之週邊技術的建立，以提高我國在生技與醫療器材領域的競爭力。
微均熱片	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 均熱片尺寸：30x30x2 mm 可耐熱通密度：100w/cm2 可耐熱功率：>50W \| 潛力預估: 製造技術可完全自行掌握，規格達國際水準，具市場競爭力。
TFT ARRAY製造設備技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 定位精度：±20mm \| 潛力預估: 未來若完成電極圖案新製程設備，可大幅節省設備投資，市場需求大。
TFT CELL製造設備技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧電漿源： 500mm ‧ 錨定能： >10-5 J/m2 \| 潛力預估: 非接觸式配向製程及設備為未來發展趨勢，在國外亦正研發中，市場需求殷切。
前瞻性顯示器設備技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 捲繞速度：15~30m/min ‧ 張力誤差： ± 10％ ‧ 速度誤差：± 10％ \| 潛力預估: 軟性顯示器是未來顯示器發展之趨勢，本技術可整合應用於軟板製程設備中，未來市場應用範圍極為廣泛。
平面顯示器瑕疵檢測系統整合應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 檢測物： TFT-LCD彩色濾光片、素玻璃 2. 元件大小： 680 mm X 880 mm 3. 檢測速率： 15000 mm2／秒 4. 最小瑕疵： 20μm \| 潛力預估: 技術應用領域可擴大至LCD其他元件的瑕疵檢測
線切割機工件旋轉軸同步控制應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 旋轉軸同步控制應用技術加工，為利用XYUV與旋轉軸同步控制移動，配合放電切削形成曲面無屑加工方式。 \| 潛力預估: 協助國內WEDM廠商發展智慧型控制器與放電技術，2004年國產CNC 放電加工機產量將達900台，年產值達18億元以上，在市佔率方面逐年成長。本計畫開發具複合化與精度加工性能之線切割放電加工機，並且...
放電加工創成控制器應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 創成放電加工技術間隙伺服控制、放電軌跡路徑加工控制、3D曲面放電加工控制、自動換電極功能、電極尺寸偵測及補償功能及創成放電電源(ON Time=500ns、Ip=0.5A、9段電容選擇)。 \| 潛力預估: 創成放電加工控制技術便提供3D微細放電加工一種技術解決方案，應用於奈米科技、光電通訊、生醫科技在微細加工零組件或模具的需求，使得整機單價可由80萬元提昇至250萬元。
先進構裝機電控制應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 晶片堆疊控制，底部充填自動校正控制 \| 潛力預估: 1.晶片堆疊控制增加設備性能及提高設備附加價值。2.底部充填自動校正控制，適用於覆晶製程點膠製程設備。