MBE磊晶生長太陽電池技術
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技術名稱-中文MBE磊晶生長太陽電池技術的執行單位是中科院材料所, 產出年度是96, 計畫名稱是新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫, 技術規格是工作波長為:可見光至紅外光, 潛力預估是可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池.

序號2192
產出年度96
技術名稱-中文MBE磊晶生長太陽電池技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文III-V族砷化鎵系列與II-VI族硒化鋅系列太陽電池元件磊晶生長技術開發。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格工作波長為:可見光至紅外光
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍太陽電池、藍、綠、紅光發光二極體、紅外光偵檢器、藍、綠、紅光雷射二極體、超高速電子元件等。
潛力預估可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池
聯絡人員林家慶
電話03-4712201#357082
傳真03-4711024
電子信箱csist_mrdc@csnet.gov.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備分子束磊晶系統、1萬級無塵室、黃光室及相關蝕刻設備
需具備之專業人才電子、材料、物理及光電相關背景
同步更新日期2024-09-03

序號

2192

產出年度

96

技術名稱-中文

MBE磊晶生長太陽電池技術

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

III-V族砷化鎵系列與II-VI族硒化鋅系列太陽電池元件磊晶生長技術開發。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

工作波長為:可見光至紅外光

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

太陽電池、藍、綠、紅光發光二極體、紅外光偵檢器、藍、綠、紅光雷射二極體、超高速電子元件等。

潛力預估

可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池

聯絡人員

林家慶

電話

03-4712201#357082

傳真

03-4711024

電子信箱

csist_mrdc@csnet.gov.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

分子束磊晶系統、1萬級無塵室、黃光室及相關蝕刻設備

需具備之專業人才

電子、材料、物理及光電相關背景

同步更新日期

2024-09-03

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以單一光罩多重浸入曝光產生微結構之製法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 楊錫杭,張家華,葉茂勳 | 證書號碼: 發明第I360838號

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

光斑定位方法及光斑定位系統(Methodandsystemforpositioningbyusingopticalspeckle)

核准國家: 美國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕.廖志明.黃欽德.馬心一.江廷尉.陳君豪.黃文政.王茂燃 | 證書號碼: US8144339B2

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MOCVD InN系列磊晶生長技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 氮化銦背景濃度~2E18 cm-3。電子遷移率>1200cm2/Vs。工作波長:紅外線到可見光 | 潛力預估: 可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池

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MOCVD AlGaN系列磊晶生長技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN Al含量 > 30%_x000D_波長 < 360 nm_x000D_ | 潛力預估: 可應用於高功率電子元件與高速電子元件等

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以分子束磊晶成長三五族含銦磷化物與砷化物於基板之研究

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 以分子束磊晶法成長高品質InP與InGaAs薄膜於Si基板上 | 潛力預估: 利用矽基型材料的積體電路整合特性,可發展整合式光電系統晶片

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聚光型太陽光電量測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.可量測晶片尺寸10x10mm-3x3mm 2.追日角度精確度<0.5度 3.溫度量測 4.Ⅰ-Ⅴ量測 5.可進行全日日照變化對轉換效率影響 6.聚光倍率:10-700倍 | 潛力預估: 對於CPV廠商以及晶片磊晶廠具有食用價值,可減少開發時程及經費

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用於織品及鞋具之除菌裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 光電感測辨識模組與應用技術計畫 | 專利發明人: 張國仁、吳昆家 | 證書號碼: 新型第M369349號

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一種不變形光斑的取像裝置及方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕.馬心一.王茂燃.黃文政.黃欽德.劉光新 | 證書號碼: 930446

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以單一光罩多重浸入曝光產生微結構之製法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 楊錫杭,張家華,葉茂勳 | 證書號碼: 發明第I360838號

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光斑定位方法及光斑定位系統(Methodandsystemforpositioningbyusingopticalspeckle)

核准國家: 美國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕.廖志明.黃欽德.馬心一.江廷尉.陳君豪.黃文政.王茂燃 | 證書號碼: US8144339B2

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MOCVD InN系列磊晶生長技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 氮化銦背景濃度~2E18 cm-3。電子遷移率>1200cm2/Vs。工作波長:紅外線到可見光 | 潛力預估: 可應用於高效率太陽能電池、抗輻射及耐高溫太陽電池以及聚光型太陽能電池

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MOCVD AlGaN系列磊晶生長技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN Al含量 > 30%_x000D_波長 < 360 nm_x000D_ | 潛力預估: 可應用於高功率電子元件與高速電子元件等

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以分子束磊晶成長三五族含銦磷化物與砷化物於基板之研究

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 以分子束磊晶法成長高品質InP與InGaAs薄膜於Si基板上 | 潛力預估: 利用矽基型材料的積體電路整合特性,可發展整合式光電系統晶片

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聚光型太陽光電量測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.可量測晶片尺寸10x10mm-3x3mm 2.追日角度精確度<0.5度 3.溫度量測 4.Ⅰ-Ⅴ量測 5.可進行全日日照變化對轉換效率影響 6.聚光倍率:10-700倍 | 潛力預估: 對於CPV廠商以及晶片磊晶廠具有食用價值,可減少開發時程及經費

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用於織品及鞋具之除菌裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 光電感測辨識模組與應用技術計畫 | 專利發明人: 張國仁、吳昆家 | 證書號碼: 新型第M369349號

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一種不變形光斑的取像裝置及方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 黃宜裕.馬心一.王茂燃.黃文政.黃欽德.劉光新 | 證書號碼: 930446

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精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .定位精度:0.5μm .馬達最快速度: 120m/min .馬達最快加速度: 1.5g .切割速度:~4000 Aperture/Hour .具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量<15,000Kg、三軸加速度1.5G、三軸移動速度90m/min、主軸24,000rpm、工作台交換系統轉速33.3rpm、定位精度土0.01mm、共振頻率>70Hz、靜剛性>1μm /kg... | 潛力預估: 相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .供油壓力:20 bar .潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃) .切削力:Fa:1,000N,Ft:300N .滑軌長度:1,500mm .工作行程:750mm .工作台上最大荷重:750kg... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

奈米材料及元件檢測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。

具振動抑制複材管件結構改良

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發 被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等

輕質蜂巢聲阻結構

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 <60 mm , 面密度< 31 kg/m2,穿透損失等級:40.85dB 250Hz以上 穿透損失35dB以上 800Hz以上穿透損失40dB以上 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色

酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃; (2)結合強度3000psi以上; (3)變形量<0.5μm/㎝。 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。

繞射光學鏡片設計與製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差<0.15μm。 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。

CMOS影像IC設計及影像處理像技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。

紅外光無線數位電子錢包付款技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE(Packet PC)或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制,以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能,創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I...

精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .定位精度:0.5μm .馬達最快速度: 120m/min .馬達最快加速度: 1.5g .切割速度:~4000 Aperture/Hour .具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量<15,000Kg、三軸加速度1.5G、三軸移動速度90m/min、主軸24,000rpm、工作台交換系統轉速33.3rpm、定位精度土0.01mm、共振頻率>70Hz、靜剛性>1μm /kg... | 潛力預估: 相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .供油壓力:20 bar .潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃) .切削力:Fa:1,000N,Ft:300N .滑軌長度:1,500mm .工作行程:750mm .工作台上最大荷重:750kg... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

奈米材料及元件檢測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。

具振動抑制複材管件結構改良

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發 被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等

輕質蜂巢聲阻結構

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 <60 mm , 面密度< 31 kg/m2,穿透損失等級:40.85dB 250Hz以上 穿透損失35dB以上 800Hz以上穿透損失40dB以上 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色

酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃; (2)結合強度3000psi以上; (3)變形量<0.5μm/㎝。 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。

繞射光學鏡片設計與製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差<0.15μm。 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。

CMOS影像IC設計及影像處理像技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。

紅外光無線數位電子錢包付款技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE(Packet PC)或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制,以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能,創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I...

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