3D MEMS pkg TSV技術
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技術名稱-中文3D MEMS pkg TSV技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是97, 計畫名稱是南部產業共同實驗室環境建構計畫, 技術規格是Via drilling : Taper Etch profile (深寬比 > 30, 潛力預估是雛型.

序號	2677
產出年度	97
技術名稱-中文	3D MEMS pkg TSV技術
執行單位	工研院南分院
產出單位	(空)
計畫名稱	南部產業共同實驗室環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	提供MEMS 元件、光電元件及電子元件等晶圓級封裝所需之製程封裝技術。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	Via drilling : Taper Etch profile (深寬比 > 30
技術成熟度	選擇比 > 60：1)， Seed layer : > 7:1 (Dia. 10mm
可應用範圍	Deep 70mm)， Wafer bonding : Copper to Copper， Temporary wafer bonding
潛力預估	雛型
聯絡人員	微機電元件，如麥克風、加速度計光電元件，如CMOS image sensor等電子產品堆疊封裝，如DRAM等
電話	應用廠商如3C電子封裝廠商、微機電代工廠商、光電元件封裝廠商
傳真	范玉玟
電子信箱	06-3847123
參考網址	http://06-3847294
所須軟硬體設備	AdyFan@itri.org.tw
需具備之專業人才	http://newwww.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
同步更新日期	2024-09-03

序號

2677

產出年度

技術名稱-中文

3D MEMS pkg TSV技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

南部產業共同實驗室環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

提供MEMS 元件、光電元件及電子元件等晶圓級封裝所需之製程封裝技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Via drilling : Taper Etch profile (深寬比 > 30

技術成熟度

選擇比 > 60：1)， Seed layer : > 7:1 (Dia. 10mm

可應用範圍

Deep 70mm)， Wafer bonding : Copper to Copper， Temporary wafer bonding

潛力預估

雛型

聯絡人員

微機電元件，如麥克風、加速度計光電元件，如CMOS image sensor等電子產品堆疊封裝，如DRAM等

電話

應用廠商如3C電子封裝廠商、微機電代工廠商、光電元件封裝廠商

傳真

范玉玟

電子信箱

06-3847123

參考網址

http://06-3847294

所須軟硬體設備

AdyFan@itri.org.tw

需具備之專業人才

http://newwww.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040

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Digital Home共通應用程式介面研發

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: Embedded Linux共通規格訂定及設計計畫 | 領域: | 技術規格: 1. GUI library含Main windows classes,dialogue,Multithreading API,Tool Bar等 2. Window system含Window LI... | 潛力預估: 開發以Embedded Linux為基礎之Digital Home Server Appliance，減少支付Microsoft Home Media Center高額權利金，提高自有技術掌握度，未...