陣列式光互連技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文陣列式光互連技術的執行單位是工研院電光所, 產出年度是98, 計畫名稱是高效能半導體光源及應用技術計畫, 技術規格是‧Optical Interconnect -Channel number:1×12 Channels。 -Data Rate =10 Gbps / Channel。 -Throughput=120 Gbps。 -Waveguide Lo, 潛力預估是未來將逐漸以光電基板之形式取代傳統電路之傳輸,產值規模預估為2565百萬美元。.

序號3275
產出年度98
技術名稱-中文陣列式光互連技術
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱高效能半導體光源及應用技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文陣列式光互連技術之開發主要是運用光學的方法連接電腦晶片、模組、電路板、底板、機殼及處理器,以高速光子方式傳輸信號,解決電子傳輸時頻寬受限等瓶頸問題。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格‧Optical Interconnect -Channel number:1×12 Channels。 -Data Rate =10 Gbps / Channel。 -Throughput=120 Gbps。 -Waveguide Lo
技術成熟度其他
可應用範圍可應用於系統之資料傳輸[Rack to Rack]、主機板之訊號傳輸[Board to Board]與主機板上晶片之互連[Chip to Chip]…等。
潛力預估未來將逐漸以光電基板之形式取代傳統電路之傳輸,產值規模預估為2565百萬美元。
聯絡人員張弘文
電話03-591-8018
傳真03-591-5138
電子信箱hwchang@itri.org.tw
參考網址http://
所須軟硬體設備具有與Print Circuit Board 相關製程設備或PCB板材壓合設備
需具備之專業人才具有與Print Circuit Board 相關製程技術或PCB板材壓合技術者。
同步更新日期2019-07-24

序號

3275

產出年度

98

技術名稱-中文

陣列式光互連技術

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

高效能半導體光源及應用技術計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

陣列式光互連技術之開發主要是運用光學的方法連接電腦晶片、模組、電路板、底板、機殼及處理器,以高速光子方式傳輸信號,解決電子傳輸時頻寬受限等瓶頸問題。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

‧Optical Interconnect -Channel number:1×12 Channels。 -Data Rate =10 Gbps / Channel。 -Throughput=120 Gbps。 -Waveguide Lo

技術成熟度

其他

可應用範圍

可應用於系統之資料傳輸[Rack to Rack]、主機板之訊號傳輸[Board to Board]與主機板上晶片之互連[Chip to Chip]…等。

潛力預估

未來將逐漸以光電基板之形式取代傳統電路之傳輸,產值規模預估為2565百萬美元。

聯絡人員

張弘文

電話

03-591-8018

傳真

03-591-5138

電子信箱

hwchang@itri.org.tw

參考網址

http://

所須軟硬體設備

具有與Print Circuit Board 相關製程設備或PCB板材壓合設備

需具備之專業人才

具有與Print Circuit Board 相關製程技術或PCB板材壓合技術者。

同步更新日期

2019-07-24

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陣列式光互連技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Channel number:1×12 Channels;Data Rate =10 Gbps / Channel;Throughput=120 Gbps;Waveguide Loss | 潛力預估: 目前應用於主機板之高速傳輸訊號線無法因應CPU之發展趨勢,以現今之第三代PCI Express架構尚無法達到10Gbps/channel 的情況,因此利用光傳輸的架構取代電是未來之趨勢。

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陣列式光互連技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 半導體光源及應用關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧12 x 2.5Gb/s Optical Interconnection via OECB高速光電轉換技術_x000D_‧Throughput = 30Gb/s, RS < -15dBm, Tx E... | 潛力預估: 電子產品功能愈來愈複雜,體積朝可攜與小型化發展,頻寬與電磁干擾的問題愈來愈嚴重。傳統印刷電路板受到電性連接物理特性的限制,傳輸速度的增長幾乎已達極限,運用光學的方法連接電腦晶片、模組、電路板、底板、機...

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陣列式光互連技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Channel number:1×12 Channels;Data Rate =10 Gbps / Channel;Throughput=120 Gbps;Waveguide Loss | 潛力預估: 目前應用於主機板之高速傳輸訊號線無法因應CPU之發展趨勢,以現今之第三代PCI Express架構尚無法達到10Gbps/channel 的情況,因此利用光傳輸的架構取代電是未來之趨勢。

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陣列式光互連技術

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超薄化/軟性LED照明光源技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 高效能半導體光源及應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Optical Interconnect -Channel number:1×12 Channels。 -Data Rate =10 Gbps / Channel。 -Throughput=120 ... | 潛力預估: ‧ 目前LED光板照明業者均無法製成可彎曲化,也無AC LED的應用,且板狀LED厚度約在3~4cm,因此利用chip in film封裝技術可大幅降低光板厚度達到可撓曲,且快速植晶技術免除SMD封裝...

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氮化鎵基板

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 高效能半導體光源及應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 | 潛力預估: 低缺陷密度且Free Standing GaN基板的獲得,對於高效率UV-LED與高品質藍紫光LD元件是不可或缺的,所以此一技術在國內的開發成功,不僅能突破目前國際上對於GaN元件的專利封鎖,更能加速...

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超薄化/軟性LED照明光源技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 高效能半導體光源及應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Optical Interconnect -Channel number:1×12 Channels。 -Data Rate =10 Gbps / Channel。 -Throughput=120 ... | 潛力預估: ‧ 目前LED光板照明業者均無法製成可彎曲化,也無AC LED的應用,且板狀LED厚度約在3~4cm,因此利用chip in film封裝技術可大幅降低光板厚度達到可撓曲,且快速植晶技術免除SMD封裝...

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氮化鎵基板

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與陣列式光互連技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

兩軸旋轉主軸頭

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 主軸:功率:15 kW、最大扭力:48 Nm、最高轉速:20,000 rpm、主軸振動:3μm以內;C軸:最大扭力:1,000Nm、行程:±200°;A軸:最大扭力:800 Nm、行程:±95° | 潛力預估: 直接驅動技術結合兩軸旋轉模組技術、智能型主軸技術等關鍵技術,更進一步提昇高速與複合切削加工技術,領導業界邁向直接驅動高速五軸關聯技術領域,提昇五軸機台品級及其附加價值,增加國際競爭力

精密微量射出成型模組技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 成型位置潔淨度:Class 1,000 (U.S. Federal Standard) 、最大射速1000mm/sec、鎖模力200噸 | 潛力預估: 替代全潔淨室的局部潔淨艙設計、大功率、高射速的電氣驅動射出成型、WinCE視窗系統的PC-Based控制器設計

電子束加工及模具製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Mold size: 4 and 6 inches 2. Mold material: metal, silicon and glass 3. Minimum line width≦20nm 4... | 潛力預估: 奈米技術被喻為第四波的工業革命,其重要性不言而喻。其中,奈米模仁的製造技術對於是否能將產品商業化扮演一重要角色。而電子束微影技術與乾蝕刻是奈米模仁最重要的加工技術之一。舉凡電子、光電、生醫等領域都有其...

奈米轉印設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: H.E./UV Module; Imprinting size:6”; Max. pressure:60 Bar; Max. temperature:250℃; Microwave rapid hea... | 潛力預估: 奈米轉印技術應用領域相當廣泛,包括生醫元件、光電顯示器、資料儲存媒體以及奈米電子等領域;國際半導體技術藍圖(ITRS)已於2003年正式將轉印微影技術(Imprint Lithography)列為下...

微慣性感測技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 自由度:3維 解析度:400CPI | 潛力預估: 若能達成高解析度的滑鼠開發,將有機會成為電腦輸入裝置的另一種選擇。

微霧化器

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 霧化粒徑SMD | 潛力預估: 本技術的研發,將有助於國內吸入式藥物傳輸系統的發展,同時也促使國內在微機電相關產業之週邊技術的建立,以提高我國在生技與醫療器材領域的競爭力。

微均熱片

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 均熱片尺寸:30x30x2 mm 可耐熱通密度:100w/cm2 可耐熱功率:>50W | 潛力預估: 製造技術可完全自行掌握,規格達國際水準,具市場競爭力。

TFT ARRAY製造設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 定位精度:±20mm | 潛力預估: 未來若完成電極圖案新製程設備,可大幅節省設備投資,市場需求大。

TFT CELL製造設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧電漿源: 500mm ‧ 錨定能 : >10-5 J/m2 | 潛力預估: 非接觸式配向製程及設備為未來發展趨勢,在國外亦正研發中,市場需求殷切。

前瞻性顯示器設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 捲繞速度:15~30m/min ‧ 張力誤差: ± 10% ‧ 速度誤差:± 10% | 潛力預估: 軟性顯示器是未來顯示器發展之趨勢,本技術可整合應用於軟板製程設備中,未來市場應用範圍極為廣泛。

平面顯示器瑕疵檢測系統整合應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 檢測物: TFT-LCD彩色濾光片、素玻璃 2. 元件大小: 680 mm X 880 mm 3. 檢測速率: 15000 mm2/秒 4. 最小瑕疵: 20μm | 潛力預估: 技術應用領域可擴大至LCD其他元件的瑕疵檢測

線切割機工件旋轉軸同步控制應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 旋轉軸同步控制應用技術加工,為利用XYUV與旋轉軸同步控制移動,配合放電切削形成曲面無屑加工方式。 | 潛力預估: 協助國內WEDM廠商發展智慧型控制器與放電技術,2004年國產CNC 放電加工機產量將達900台,年產值達18億元以上,在市佔率方面逐年成長。本計畫開發具複合化與精度加工性能之線切割放電加工機,並且...

放電加工創成控制器應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 創成放電加工技術間隙伺服控制、放電軌跡路徑加工控制、3D曲面放電加工控制、自動換電極功能、電極尺寸偵測及補償功能及創成放電電源(ON Time=500ns、Ip=0.5A、9段電容選擇)。 | 潛力預估: 創成放電加工控制技術便提供3D微細放電加工一種技術解決方案,應用於奈米科技、光電通訊、生醫科技在微細加工零組件或模具的需求,使得整機單價可由80萬元提昇至250萬元。

先進構裝機電控制應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶片堆疊控制,底部充填自動校正控制 | 潛力預估: 1.晶片堆疊控制增加設備性能及提高設備附加價值。2.底部充填自動校正控制,適用於覆晶製程點膠製程設備。

精密PCB鑽孔控制技術系統整合應用

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 鑽孔速度:400孔/分鐘 ‧ 檔案管理 ‧ 座標顯示 ‧ 加工路徑顯示 ‧ 翻、排版指令 ‧ 多次鑽孔功能 ‧ 擴鑽圓孔/長槽擴鑽指令 ‧ 運轉/切削時間顯示 ‧ 從中斷點重新啟動功能 ‧ 斷針... | 潛力預估: 具備畫面瀏覽器功能,可由機器製造商自由編輯設定顯示畫面以增加系統專有特色功能,提高市場競爭力。

兩軸旋轉主軸頭

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 主軸:功率:15 kW、最大扭力:48 Nm、最高轉速:20,000 rpm、主軸振動:3μm以內;C軸:最大扭力:1,000Nm、行程:±200°;A軸:最大扭力:800 Nm、行程:±95° | 潛力預估: 直接驅動技術結合兩軸旋轉模組技術、智能型主軸技術等關鍵技術,更進一步提昇高速與複合切削加工技術,領導業界邁向直接驅動高速五軸關聯技術領域,提昇五軸機台品級及其附加價值,增加國際競爭力

精密微量射出成型模組技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 成型位置潔淨度:Class 1,000 (U.S. Federal Standard) 、最大射速1000mm/sec、鎖模力200噸 | 潛力預估: 替代全潔淨室的局部潔淨艙設計、大功率、高射速的電氣驅動射出成型、WinCE視窗系統的PC-Based控制器設計

電子束加工及模具製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Mold size: 4 and 6 inches 2. Mold material: metal, silicon and glass 3. Minimum line width≦20nm 4... | 潛力預估: 奈米技術被喻為第四波的工業革命,其重要性不言而喻。其中,奈米模仁的製造技術對於是否能將產品商業化扮演一重要角色。而電子束微影技術與乾蝕刻是奈米模仁最重要的加工技術之一。舉凡電子、光電、生醫等領域都有其...

奈米轉印設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: H.E./UV Module; Imprinting size:6”; Max. pressure:60 Bar; Max. temperature:250℃; Microwave rapid hea... | 潛力預估: 奈米轉印技術應用領域相當廣泛,包括生醫元件、光電顯示器、資料儲存媒體以及奈米電子等領域;國際半導體技術藍圖(ITRS)已於2003年正式將轉印微影技術(Imprint Lithography)列為下...

微慣性感測技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 自由度:3維 解析度:400CPI | 潛力預估: 若能達成高解析度的滑鼠開發,將有機會成為電腦輸入裝置的另一種選擇。

微霧化器

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 霧化粒徑SMD | 潛力預估: 本技術的研發,將有助於國內吸入式藥物傳輸系統的發展,同時也促使國內在微機電相關產業之週邊技術的建立,以提高我國在生技與醫療器材領域的競爭力。

微均熱片

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 均熱片尺寸:30x30x2 mm 可耐熱通密度:100w/cm2 可耐熱功率:>50W | 潛力預估: 製造技術可完全自行掌握,規格達國際水準,具市場競爭力。

TFT ARRAY製造設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 定位精度:±20mm | 潛力預估: 未來若完成電極圖案新製程設備,可大幅節省設備投資,市場需求大。

TFT CELL製造設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧電漿源: 500mm ‧ 錨定能 : >10-5 J/m2 | 潛力預估: 非接觸式配向製程及設備為未來發展趨勢,在國外亦正研發中,市場需求殷切。

前瞻性顯示器設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 捲繞速度:15~30m/min ‧ 張力誤差: ± 10% ‧ 速度誤差:± 10% | 潛力預估: 軟性顯示器是未來顯示器發展之趨勢,本技術可整合應用於軟板製程設備中,未來市場應用範圍極為廣泛。

平面顯示器瑕疵檢測系統整合應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 檢測物: TFT-LCD彩色濾光片、素玻璃 2. 元件大小: 680 mm X 880 mm 3. 檢測速率: 15000 mm2/秒 4. 最小瑕疵: 20μm | 潛力預估: 技術應用領域可擴大至LCD其他元件的瑕疵檢測

線切割機工件旋轉軸同步控制應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 旋轉軸同步控制應用技術加工,為利用XYUV與旋轉軸同步控制移動,配合放電切削形成曲面無屑加工方式。 | 潛力預估: 協助國內WEDM廠商發展智慧型控制器與放電技術,2004年國產CNC 放電加工機產量將達900台,年產值達18億元以上,在市佔率方面逐年成長。本計畫開發具複合化與精度加工性能之線切割放電加工機,並且...

放電加工創成控制器應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 創成放電加工技術間隙伺服控制、放電軌跡路徑加工控制、3D曲面放電加工控制、自動換電極功能、電極尺寸偵測及補償功能及創成放電電源(ON Time=500ns、Ip=0.5A、9段電容選擇)。 | 潛力預估: 創成放電加工控制技術便提供3D微細放電加工一種技術解決方案,應用於奈米科技、光電通訊、生醫科技在微細加工零組件或模具的需求,使得整機單價可由80萬元提昇至250萬元。

先進構裝機電控制應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶片堆疊控制,底部充填自動校正控制 | 潛力預估: 1.晶片堆疊控制增加設備性能及提高設備附加價值。2.底部充填自動校正控制,適用於覆晶製程點膠製程設備。

精密PCB鑽孔控制技術系統整合應用

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 鑽孔速度:400孔/分鐘 ‧ 檔案管理 ‧ 座標顯示 ‧ 加工路徑顯示 ‧ 翻、排版指令 ‧ 多次鑽孔功能 ‧ 擴鑽圓孔/長槽擴鑽指令 ‧ 運轉/切削時間顯示 ‧ 從中斷點重新啟動功能 ‧ 斷針... | 潛力預估: 具備畫面瀏覽器功能,可由機器製造商自由編輯設定顯示畫面以增加系統專有特色功能,提高市場競爭力。

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