磊晶用基板(國立中興大學工學院材料系)
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文磊晶用基板(國立中興大學工學院材料系)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻劑藉由第一、第二通道得以快速地滲入犧牲膜中，進而快速蝕刻犧牲膜並有效地加速了移除基材的速率。, 潛力預估是具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場.

序號	3693
產出年度	99
技術名稱-中文	磊晶用基板(國立中興大學工學院材料系)
執行單位	學界科專辦公室
產出單位	(空)
計畫名稱	學界科專計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	已申請專利
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻劑藉由第一、第二通道得以快速地滲入犧牲膜中，進而快速蝕刻犧牲膜並有效地加速了移除基材的速率。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	半導體/光電
潛力預估	具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場
聯絡人員	武東星老師
電話	(04)-22851811
傳真	(04)-22851672
電子信箱	tlo@nchu.edu.tw
參考網址	http://caic.nchu.edu.tw/GroupIndex.aspx?SystemGroupCode=SG01
所須軟硬體設備	無資料
需具備之專業人才	半導體/光電元件產業製造背景
同步更新日期	2024-09-03

序號

3693

產出年度

技術名稱-中文

磊晶用基板(國立中興大學工學院材料系)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

已申請專利

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻劑藉由第一、第二通道得以快速地滲入犧牲膜中，進而快速蝕刻犧牲膜並有效地加速了移除基材的速率。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

半導體/光電

潛力預估

具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場

聯絡人員

武東星老師

電話

(04)-22851811

傳真

(04)-22851672

電子信箱

tlo@nchu.edu.tw

參考網址

http://caic.nchu.edu.tw/GroupIndex.aspx?SystemGroupCode=SG01

所須軟硬體設備

無資料

需具備之專業人才

半導體/光電元件產業製造背景

同步更新日期

2024-09-03

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磊晶用基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種磊晶用基板的製造方法，包含以下步驟製備一磊晶用基材，並自基材沉積一犧牲膜，接著自犧牲膜成長一第一半導體磊晶膜，基材在發光元件的後續製程將被移除，犧牲膜呈圖樣化且包括複數第一通道及複數分別由一奈米材... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
低表面缺陷密度之磊晶基板(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
磊晶基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
磊晶基板的製造方法<塗佈光阻>(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
磊晶基板的製造方法<雷射破壞>(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：首先形成一圖樣化膜層於一基板上，並繼續形成一第一磊晶層，接著利用雷射破壞第一磊晶層對應位於基板上方的預定區域，進而形成一液化犧牲層於第一磊晶層與基板間，再自第一磊晶... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
低表面缺陷密度之磊晶基板及其製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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光電元件的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
發光元件模組的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種發光元件模組的製作方法，包含(a)準備磊晶用基材，(b)在基材表面形成犧牲層，(c)在犧牲層上形成與犧牲層具有高蝕刻選擇比的磊晶層，(d)定義出多數彼此間隔且交錯排列並將磊晶層界定出多數發光單元的... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統(國立中興大學社管院資管系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統，利用RFID以實施盤點效率更佳、更精確、更安全的存貨監控機制。零售通路必須實施良好的存貨控管才能反應實際上的銷售利潤，本發明提出的存貨監控模式可發揮... \| 潛力預估: 就目前來說RFID仍有價格上的考量，若要推廣至較屬於低價的一般零售業，會有不少的困難，但是就長遠的市場來說，先以高價商品如3C專賣店或是精品店為現行目標，配合RFID的發展進程，逐漸朝向普遍性零售業來... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統(國立中興大學社管院資管系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統，設計了新型態的影音光碟多次傳租模式，讓消費者多了能夠方便租片與分享的管道，使租賃光碟變得更方便，解決目前線上出租服務中消費者等待光碟寄達的時間成本以及業... \| 潛力預估: 依據系統中執照所授權的播放限制，能夠成為一個合理的DRM機制設計，在現今提供影音光碟線上租賃服務之電子商務發展下具有更大的優勢，而更具特色的「影音光碟多次傳租」模式能提高影音光碟的租賃流通性，除了使業... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
氮雜環-2,4-雙酮系化合物、利用其製得的化合物及聚(醯胺-胺酯)(國立中興大學工學院化工系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種氮雜環-2,4-雙酮系化合物係具有如下式(I)所示的化學式：其中，R1與R2各自是一C1至C6的烷基；R3是 -CH3、-COOH或-COCl。此外，以本發明氮雜環-2,4-雙酮系化合物作為起始物... \| 潛力預估: 無資料 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

光電元件的製造方法(國立中興大學工學院材料系)

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發光元件模組的製造方法(國立中興大學工學院材料系)

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結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統(國立中興大學社管院資管系)

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結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統(國立中興大學社管院資管系)

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氮雜環-2,4-雙酮系化合物、利用其製得的化合物及聚(醯胺-胺酯)(國立中興大學工學院化工系)

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QDIP 元件磊晶製程與量測分析	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 \| 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務
厚膜加工製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米；厚度可達500微米；平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) \| 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力
5GHz體聲波濾波器	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 中心頻率：5GHz~6GHz，頻寬：100MHz~150MHz，插入損失6.0dB以內 \| 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路，通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上，現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。
高清淨合金材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 \| 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。
粉末射出成型技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 尺寸精密度2％。 \| 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元，並創造產值約5億元。
鈦鋯合金熔鑄技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *非晶板材尺寸可達3mm(t) 45mm(w)* 70mm(l) \| 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術，可創造年產值新台幣1.5億元。**
超微結構粉末及成型技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量，銅模速冷至批量10公斤，粉化粒度至次微米 \| 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸，價格競優勢弱，磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大
真空電漿噴覆技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結，結合強度大於10000psi。 \| 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。
高介電塗層噴覆製作技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件，需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性，並需能耐酸之腐蝕，以往下電極板表層僅以陽極處理，使用壽命僅有三個月，文獻顯示，若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁，壽命... \| 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。
記憶體靶材製作技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4吋,純度3N,密度>90％ \| 潛力預估: 隨著新型記憶體之開發磁阻材料及靶材越形重要
PDP抗電磁波濾板製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 透光率75%以上 \| 潛力預估: PDP抗電磁波濾板
鋁嫆湯清淨度分析技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可辨識夾雜物種類、尺寸(可達1mm)及含量 \| 潛力預估: 為發展高清淨鋁合金於薄壁材、感光鼓、半導體設備等高附加價值應用所必需
藥材DNA鑑定技術及300種常用中藥材ITS鑑定序列資料庫	執行單位: 工研院生醫中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 肝病及氣喘中草藥新藥開發四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 300種中藥材ITS鑑定序列資料庫 \| 潛力預估: 業界已逐漸接受以DNA鑑定藥材的技術，已以非專屬授權給相關廠商，並對外提供技術服務。
基因重組腺相關病毒 (AAV) 顆粒大量製備與純化	執行單位: 工研院生醫中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.基因重組腺相關病毒表現DNA載體之建構。_x000D_ 2.基因重組腺相關病毒顆粒之生產。_x000D_ 3.基因重組腺相關病毒顆粒之純化。_x000D_ 4.純化後基因重組腺相關病毒顆粒力價測定... \| 潛力預估: 有希望發展此技術成為商品化應用之核酸傳送工具，供學術研究及臨床治療之用
冷光檢測微系統研發技術 - 腎功能檢測器	執行單位: 工研院生醫中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.待測物: 肌酸酐、尿素、尿酸、葡萄糖_x000D_ 2.適用之樣品: 全血及血漿_x000D_ 3.五分鐘內得知結果 \| 潛力預估: 體外檢測設備(IVDD)之市場已從1997之183億美元成長為2004年之263億美元，其中又以專供居家及照護點使用部分成長最為迅速，此項技術即為針對此市場。此外，根據美國National Kidne...