多層板數位電性設計及驗證技術及高可靠度工業電腦無鉛無鹵化整合製程技術開發
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文多層板數位電性設計及驗證技術及高可靠度工業電腦無鉛無鹵化整合製程技術開發的執行單位是工研院資通所, 產出年度是99, 計畫名稱是WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫, 技術規格是DK~4+/-20%, 潛力預估是.

序號3725
產出年度99
技術名稱-中文多層板數位電性設計及驗證技術及高可靠度工業電腦無鉛無鹵化整合製程技術開發
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文已建立SiP基板電性測試方法
技術現況敘述-英文(空)
技術規格DK~4+/-20%
技術成熟度其他
可應用範圍射頻與無線通訊
潛力預估
聯絡人員陳昌昇
電話03-5913312
傳真03-5820374
電子信箱Aliceflute@itri.org.tw
參考網址http://e-pkg.itri.org.tw/memb/TechServiceList.aspx
所須軟硬體設備網路分析儀,阻抗分析儀, Agilent ADS,AWR MWO,Ansoft
需具備之專業人才電機,電子,材料,化工

序號

3725

產出年度

99

技術名稱-中文

多層板數位電性設計及驗證技術及高可靠度工業電腦無鉛無鹵化整合製程技術開發

執行單位

工研院資通所

產出單位

(空)

計畫名稱

WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

已建立SiP基板電性測試方法

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

DK~4+/-20%

技術成熟度

其他

可應用範圍

射頻與無線通訊

潛力預估

聯絡人員

陳昌昇

電話

03-5913312

傳真

03-5820374

電子信箱

Aliceflute@itri.org.tw

參考網址

http://e-pkg.itri.org.tw/memb/TechServiceList.aspx

所須軟硬體設備

網路分析儀,阻抗分析儀, Agilent ADS,AWR MWO,Ansoft

需具備之專業人才

電機,電子,材料,化工

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建立SiP元件與模組電路之電性量測技術授權

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: "[S}, [Z]參數量測 On wafer Testing" | 潛力預估:

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基材寬頻電性特性驗證技術及高可靠度工業電腦無鉛無鹵化整合製程技術服務

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: DK~4+/-20% | 潛力預估:

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內藏式元件整合縮裝電性驗證技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 內藏率>10% | 潛力預估:

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SiP設計平台建置技術--SiP模組熱傳量測技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 節省量測時間50% | 潛力預估:

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熱傳與熱應力技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 節省量測時間50% | 潛力預估:

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建立SiP元件與模組電路之電性量測技術授權

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: "[S}, [Z]參數量測 On wafer Testing" | 潛力預估:

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基材寬頻電性特性驗證技術及高可靠度工業電腦無鉛無鹵化整合製程技術服務

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: DK~4+/-20% | 潛力預估:

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內藏式元件整合縮裝電性驗證技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 內藏率>10% | 潛力預估:

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SiP設計平台建置技術--SiP模組熱傳量測技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 節省量測時間50% | 潛力預估:

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熱傳與熱應力技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 節省量測時間50% | 潛力預估:

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300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 沉積率:2,500A/min,沉積溫度低於350℃,沉積均勻度為3% | 潛力預估: 為我國從民國87年起,投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元,LCD全球市場在民國94年將達390億美元,而全球設備產業將達61億美元,其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...

300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線.蝕刻速率為2,500 A /min .蝕刻均勻度小於3 % | 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗

精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .定位精度:0.5μm .馬達最快速度: 120m/min .馬達最快加速度: 1.5g .切割速度:~4000 Aperture/Hour .具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm | 潛力預估: 相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .供油壓力:20 bar .潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃) .切削力:Fa:1,000N,Ft:300N .滑軌長度:1,500mm .工作行程:750mm .工作台上最大荷重:750kg... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

奈米材料及元件檢測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。

具振動抑制複材管件結構改良

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發 被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等

輕質蜂巢聲阻結構

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色

酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃; (2)結合強度3000psi以上; (3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。

繞射光學鏡片設計與製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。

300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 沉積率:2,500A/min,沉積溫度低於350℃,沉積均勻度為3% | 潛力預估: 為我國從民國87年起,投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元,LCD全球市場在民國94年將達390億美元,而全球設備產業將達61億美元,其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...

300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線.蝕刻速率為2,500 A /min .蝕刻均勻度小於3 % | 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗

精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .定位精度:0.5μm .馬達最快速度: 120m/min .馬達最快加速度: 1.5g .切割速度:~4000 Aperture/Hour .具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm | 潛力預估: 相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .供油壓力:20 bar .潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃) .切削力:Fa:1,000N,Ft:300N .滑軌長度:1,500mm .工作行程:750mm .工作台上最大荷重:750kg... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

奈米材料及元件檢測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。

具振動抑制複材管件結構改良

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發 被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等

輕質蜂巢聲阻結構

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色

酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃; (2)結合強度3000psi以上; (3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。

繞射光學鏡片設計與製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。

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