雙三苯基矽烷衍生物及其製備方法(清華大學化學所/院)
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文雙三苯基矽烷衍生物及其製備方法(清華大學化學所/院)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是而BS主體材料搭配FIrpytz的元件在維持客體參雜的光色不變下，效率最好(EQE >10 %)的為BSB(EQE：10.50 %)、BST(EQE：10.72 %)。BS主體材料搭配FIrpic的元件效率也達到文獻報導的最佳值(14~15 %)。其中BSB搭配FIrpytz的元件1，可以得到藍色磷..., 潛力預估是提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於面板或白光照明及能源相關產業上.
| 序號 | 3848 |
| 產出年度 | 99 |
| 技術名稱-中文 | 雙三苯基矽烷衍生物及其製備方法(清華大學化學所/院) |
| 執行單位 | 學界科專辦公室 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 學界科專計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 以短步驟高產率(40 % in 3 steps)合成出BSB、BST，具有大於100 oC的玻璃轉換溫度，顯示出其薄膜高穩定性及有系統的探討其發光特性和元件效率之間的關係，找出了兩個關鍵指標：(1)單重態和三重態能隙都必須吻合客體材料(2)減少分子間作用力產生。已獲得專利。(專利名稱：雙三苯基矽烷化合物及其在有機電子元件方面之應用，台灣：申請中；美國：US 7,728,138 B2) |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 而BS主體材料搭配FIrpytz的元件在維持客體參雜的光色不變下，效率最好(EQE >10 %)的為BSB(EQE：10.50 %)、BST(EQE：10.72 %)。BS主體材料搭配FIrpic的元件效率也達到文獻報導的最佳值(14~15 %)。其中BSB搭配FIrpytz的元件1，可以得到藍色磷光元件最好的效率，驅動電壓5.1 V，最大外部放光效率為19.3 %，功率為16.8 lm/W，CIE座標(0.15, 0.32)，這個值已經接近元件外部放光效率的極限值(20 %)，表示主體材料BSB和客體材料FIrpytz可以100 %的吻合。 |
| 技術成熟度 | 雛形 |
| 可應用範圍 | 有機光電材料相關產業，如面板、照明、能源產業 |
| 潛力預估 | 提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於面板或白光照明及能源相關產業上 |
| 聯絡人員 | 周鶴修博後 |
| 電話 | 03-5715131#35654 |
| 傳真 | 03-5724698 |
| 電子信箱 | hhchou@mx.nthu.edu.tw |
| 參考網址 | http://thor.nthu.edu.tw |
| 所須軟硬體設備 | 合成設備實驗室、昇華純化設備與高真空蒸鍍設備 |
| 需具備之專業人才 | 化學、化工、材料與光電專業人員 |
| 同步更新日期 | 2019-07-24 |
序號3848 |
產出年度99 |
技術名稱-中文雙三苯基矽烷衍生物及其製備方法(清華大學化學所/院) |
執行單位學界科專辦公室 |
產出單位(空) |
計畫名稱學界科專計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文以短步驟高產率(40 % in 3 steps)合成出BSB、BST，具有大於100 oC的玻璃轉換溫度，顯示出其薄膜高穩定性及有系統的探討其發光特性和元件效率之間的關係，找出了兩個關鍵指標：(1)單重態和三重態能隙都必須吻合客體材料(2)減少分子間作用力產生。已獲得專利。(專利名稱：雙三苯基矽烷化合物及其在有機電子元件方面之應用，台灣：申請中；美國：US 7,728,138 B2) |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格而BS主體材料搭配FIrpytz的元件在維持客體參雜的光色不變下，效率最好(EQE >10 %)的為BSB(EQE：10.50 %)、BST(EQE：10.72 %)。BS主體材料搭配FIrpic的元件效率也達到文獻報導的最佳值(14~15 %)。其中BSB搭配FIrpytz的元件1，可以得到藍色磷光元件最好的效率，驅動電壓5.1 V，最大外部放光效率為19.3 %，功率為16.8 lm/W，CIE座標(0.15, 0.32)，這個值已經接近元件外部放光效率的極限值(20 %)，表示主體材料BSB和客體材料FIrpytz可以100 %的吻合。 |
技術成熟度雛形 |
可應用範圍有機光電材料相關產業，如面板、照明、能源產業 |
潛力預估提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於面板或白光照明及能源相關產業上 |
聯絡人員周鶴修博後 |
電話03-5715131#35654 |
傳真03-5724698 |
電子信箱hhchou@mx.nthu.edu.tw |
參考網址http://thor.nthu.edu.tw |
所須軟硬體設備合成設備實驗室、昇華純化設備與高真空蒸鍍設備 |
需具備之專業人才化學、化工、材料與光電專業人員 |
同步更新日期2019-07-24 |
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| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 利用砒碇與苯環之間再嵌入一個雙鍵，成功的得到銥金屬錯合物(PETP)2Ir(acac)其光色為610 nm，在元件2的表現中，驅動電壓3.8 V，最大量子效率可達7.4 %，最大亮度為34500 cd... | 潛力預估: 提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於面板或白光照明及能源相關產業上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 利用PP配位基成功的得到銥金屬錯合物(PP)2Ir(acac)，其光色為536 nm，元件結構方面，搭配CBP為主體材料，其中以7 %的(PP)2Ir(acac)效果最佳，驅動電壓2.7 V，最大量子... | 潛力預估: 提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於面板或白光照明及能源相關產業上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 以此化合物製作元件其可達到深藍色的螢光表現，其光色座標在(0.15,0.10)，此外也可作為電洞傳輸材料搭配在綠色磷光元件中，為多用途之有機發光二極體材料 | 潛力預估: 為新型結構，可用於照明或面板上的應用。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 元件1的啟動電壓為4.6伏特，於15伏特時亮度為38727 cd/m2，最佳外部量子效率於10.5伏特時為4.8 ﹪，已接近螢光外部量子效率理論最大值。元件4: ITO/TPD (40 nm) /DO... | 潛力預估: 提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於面板或白光照明及能源相關產業上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 該元件最大外部量子效率EQE=6.5%，最大電流效率CE=6.6 Cd/A，最大能量效率PE=5.0 lm/W，最大亮度為23100Cd/m2。隨後採用固定電流22.2mA/cm2，Halt-life... | 潛力預估: 提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於面板或白光照明及能源相關產業上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 新型的phosphine含磷配他機與實驗室的(N^N)配位基結合，合成出新穎且一系列的深藍色的磷光錯合物，儘管在溶液中測得量子效率只達0.011%，但將其作為客體材料摻雜於CzSi中所量測得之量子效率... | 潛力預估: 提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於面板或白光照明及能源相關產業上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 雙極性主體材料BCPO，其HOMO為5.76 eV、LUMO為2.19 eV，三重態能階為3.01 eV。搭配FIrpic，可將最大外部量子放光效率提升至23.5%、CIE座標(0.14,0.30)且... | 潛力預估: 提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於目前最具瓶頸的藍色磷光元件中、面板或白光照明及能源相關產業上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 實驗室的元件製作、封裝、元件壽命量測之技術，為材料要量產或試量產前的重要測試，目前其中深藍色螢光測試已可達到15000小時，表現極佳。 | 潛力預估: 此元件製程、封裝與壽命量測系統為重要的產業製程，此技術可與現有的產業界銜接，提供產業界一套良好的元件製程系統，相當具有潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 利用砒碇與苯環之間再嵌入一個雙鍵，成功的得到銥金屬錯合物(PETP)2Ir(acac)其光色為610 nm，在元件2的表現中，驅動電壓3.8 V，最大量子效率可達7.4 %，最大亮度為34500 cd... | 潛力預估: 提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於面板或白光照明及能源相關產業上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 利用PP配位基成功的得到銥金屬錯合物(PP)2Ir(acac)，其光色為536 nm，元件結構方面，搭配CBP為主體材料，其中以7 %的(PP)2Ir(acac)效果最佳，驅動電壓2.7 V，最大量子... | 潛力預估: 提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於面板或白光照明及能源相關產業上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 以此化合物製作元件其可達到深藍色的螢光表現，其光色座標在(0.15,0.10)，此外也可作為電洞傳輸材料搭配在綠色磷光元件中，為多用途之有機發光二極體材料 | 潛力預估: 為新型結構，可用於照明或面板上的應用。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 元件1的啟動電壓為4.6伏特，於15伏特時亮度為38727 cd/m2，最佳外部量子效率於10.5伏特時為4.8 ﹪，已接近螢光外部量子效率理論最大值。元件4: ITO/TPD (40 nm) /DO... | 潛力預估: 提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於面板或白光照明及能源相關產業上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
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執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 新型的phosphine含磷配他機與實驗室的(N^N)配位基結合，合成出新穎且一系列的深藍色的磷光錯合物，儘管在溶液中測得量子效率只達0.011%，但將其作為客體材料摻雜於CzSi中所量測得之量子效率... | 潛力預估: 提供高效率之元件表現，並且量產容易，可應用於面板或白光照明及能源相關產業上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞， 又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
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執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
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執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
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執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞， 又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引... |
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