水溶性導電高分子溶液
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文水溶性導電高分子溶液的執行單位是工研院材化所, 產出年度是99, 計畫名稱是行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫, 技術規格是開發具奈米尺度之水溶性導電高分子溶液合成技術，導電度>200 S/cm，平均粒徑約20-30奈米，可運用於大面積旋轉塗佈，並具有高透光度>85%, 潛力預估是隨著i-phone手機、平板電腦的熱賣，觸控面板之相關需求量大增，目前其關鍵透明電極材料仍以ITO佔8成以上。仍然隨著導電高分子的導電度不斷提升，與可撓式電子產品的需求，加上價格低廉的優勢，未來更可望取代ITO，深具極大之市場潛力。.

序號	4131
產出年度	99
技術名稱-中文	水溶性導電高分子溶液
執行單位	工研院材化所
產出單位	(空)
計畫名稱	行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	共軛型導電高分子具有優良的導電度與耐熱性，但因加工性不易而限制其應用範圍。本技術移轉項目是技轉水溶性導電高分子溶液合成技術，以導電高分子單體聚合於水可溶性高分子載體上，形成水溶性導電高分子溶液，有利於旋轉塗佈之大面積加工
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	開發具奈米尺度之水溶性導電高分子溶液合成技術，導電度>200 S/cm，平均粒徑約20-30奈米，可運用於大面積旋轉塗佈，並具有高透光度>85%
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	透明電極、抗靜電塗層、固態電容器、太陽能電池、電磁波屏蔽
潛力預估	隨著i-phone手機、平板電腦的熱賣，觸控面板之相關需求量大增，目前其關鍵透明電極材料仍以ITO佔8成以上。仍然隨著導電高分子的導電度不斷提升，與可撓式電子產品的需求，加上價格低廉的優勢，未來更可望取代ITO，深具極大之市場潛力。
聯絡人員	蔡麗端
電話	03-5915310
傳真	03-5820442
電子信箱	LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址	http://-
所須軟硬體設備	高分子/有機合成與分析設備
需具備之專業人才	化學、化工、材料等相關科系背景
同步更新日期	2024-09-03

序號

4131

產出年度

技術名稱-中文

水溶性導電高分子溶液

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

共軛型導電高分子具有優良的導電度與耐熱性，但因加工性不易而限制其應用範圍。本技術移轉項目是技轉水溶性導電高分子溶液合成技術，以導電高分子單體聚合於水可溶性高分子載體上，形成水溶性導電高分子溶液，有利於旋轉塗佈之大面積加工

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

開發具奈米尺度之水溶性導電高分子溶液合成技術，導電度>200 S/cm，平均粒徑約20-30奈米，可運用於大面積旋轉塗佈，並具有高透光度>85%

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

透明電極、抗靜電塗層、固態電容器、太陽能電池、電磁波屏蔽

潛力預估

隨著i-phone手機、平板電腦的熱賣，觸控面板之相關需求量大增，目前其關鍵透明電極材料仍以ITO佔8成以上。仍然隨著導電高分子的導電度不斷提升，與可撓式電子產品的需求，加上價格低廉的優勢，未來更可望取代ITO，深具極大之市場潛力。

聯絡人員

蔡麗端

電話

03-5915310

傳真

03-5820442

電子信箱

LiDuanTsai@itri.org.tw

參考網址

http://-

所須軟硬體設備

高分子/有機合成與分析設備

需具備之專業人才

化學、化工、材料等相關科系背景

同步更新日期

2024-09-03

根據名稱水溶性導電高分子溶液找到的相關資料

無其他水溶性導電高分子溶液資料。

[ 搜尋所有 水溶性導電高分子溶液 ... ]

根據電話 03-5915310 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5915310 ...)

導電高分子固態電容器及其製造方法	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達8... \| 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之... @ 技術司可移轉技術資料集
電高分子鋁晶片電容器之電極組合設計及其封裝技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立鋁晶片電容器之電極積層化封裝技術，電容量達220μF/2V(7.3x4.3x2.8mm3)，ESR達25mΩ(100 kHz)，耐漣波電流能力達2.3Arms。並建立晶片電容老化製程條件，使LC... \| 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值， 2005年預測之全球銷售金額可達5.5億美金，Paumanok同時預測此項產品至2010年止平均年成長率超過25﹪，產值達10億美元。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心... @ 技術司可移轉技術資料集
提升觸媒利用率之組合物、複合體與方法	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 可攜式電能技術研究四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電極漿料之穩定度達24小時、觸媒漿料分散的顆粒小於200nm以下。 \| 潛力預估: 本技術利用增加觸媒漿料的分散、穩定以及開發精密之塗佈模具設計技術與塗佈技術，可提昇漿料塗佈的良率，減少製程材料成本，並可達到量產化的要求，以降低DMFC膜電極組之研發製作成本，協助國內膜電極相關產業建... @ 技術司可移轉技術資料集
鋁晶片電容器單元電極技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 目前市場上最常用的導電高分子晶片電容器規格為D3(7.3x4.3x2.8 mm3)，其所使用之鋁箔單元電極大小約為4 mm x 3mm，厚度約為150~200m，D3電容器至少需積層化6-8層，為... \| 潛力預估: 本計畫預期將在國內推動2~3家廠商投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，預期三年內將可促進投資達6億元，量產後將可增加電容器年產值達12億元。而在鋁晶片電容器之投產後，國內導電高分子產業將邁向新的里... @ 技術司可移轉技術資料集
導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸... \| 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦... @ 技術司可移轉技術資料集
導電高分子固態電容器材料及製程技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸... \| 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦... @ 技術司可移轉技術資料集
多孔性結構電極成型及其燒結技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立高CV晶片固態電容器用電極材料70KCV/g之多孔性結構電極成型及其燒結技術，電容量達470μF/2.5V(D3L)。 \| 潛力預估: 台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊... @ 技術司可移轉技術資料集
晶片電容器單元電極技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80... \| 潛力預估: 導電高分子固態電容器為全球眾所矚目之新世代電容器（被動元件之當紅炸子雞），同時也是尖端先進的電容器代名詞，市場之年成長率達25%以上，2005年預估鋁固態電容器全球市場達5.25億美元，鉭固態電容器全... @ 技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 03-5915310 ... ]

在『技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:

與水溶性導電高分子溶液同分類的技術司可移轉技術資料集

廣播型MHP Middleware平台技術	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. MHP JavaTV 相容,DSM-CC OC 解碼, DVB-SI 解碼, AWT 中文顯示 2. Java-based AV Player, 電子節目表 EPG \| 潛力預估: 廣播式數位電視多媒體應用及數位內容產業，結合LCD高畫質顯示器產業與數位家庭，將驅動新一波數位娛樂服務平台應用
DTV IPMP多媒體資源智權管理技術	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 此系統使用Client-Server的PC-based平台架構 2. 系統提供數位視訊內容的授權使用管理服務 3. 系統搭配Smartcard及X.509 PKI密鑰技術 4. 系統憑證相容於M... \| 潛力預估: 數位內容與DRM系統建置，可控制多媒體內容及相關數位文件之權限使用管理，是數位內容服務基礎設施。相關的特定領域系統，如數位學習、數位圖書館藏，也隨之存在極大的市場契機
支援多影音格式之串流平台	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 符合RFC標準 2. 支援多種播放器及平台 \| 潛力預估: 視訊串流技術幾乎無所不在，以IP為base的多媒體應用，可提供各式各樣的multimedia services，目前家庭網路的成熟及以客廳為娛樂中心的概念之形成，使得家庭影音串流平台成為當下的發展重...
多點影音播放系統	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Video Codec : MPEG-1/2/4 WMV 2.Audio Codec : MP2/3 AAC AC3 \| 潛力預估: 隨著數位家庭的成熟，影音播放的DMA相關產品將成為主要的消費產品
iB3G數位電視即時串流錄影選台	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Protocol : RTSP/HTTP \| 潛力預估: 即時視訊為行動影音最有吸引力的服務，使用者可看到即時新聞或球賽，對於網路服務業者來說，存在著很大的商機
低溫共燒基材製程技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ◆ Hermetic sealing : Leak Rate < 5×10-8 atm-cc/s He (bomb condition @ 75 psi dwell 1hr )◆ cavity siz... \| 潛力預估: 目前美國、日本及歐洲的德國、比利時等均已投入此方面之研究，如美國的Sandia國家實驗室與DuPont等大廠。而歐洲則有IZM、IMEC及Infineon等大廠及一些研究單位都朝此兩技術整合發展。
積層模組EMI抑制技術技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸3.20.21.60.20.850.15(mm),截止頻率100 MHz,額定電流100 mA,額定電壓10V,串音-20dB,8信號線端,2接地端之四組型陣列LC濾波器 \| 潛力預估: 預計至96年時產能可達144KKpcs,總產值可達3億6千萬元以上,帶動投資額二億五千萬,可帶動該公司2.97之EPS
超薄壓電膜材料技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 壓電膜層具機電轉換效率40﹪，機械品質因素10，製作之振動板起始頻率低至100Hz等特性，同時具有可撓曲性。 \| 潛力預估: 壓電式聲音元件包括蜂鳴器、振鈴、收送話器、喇叭等，市場約有新台幣70億的規模，主要的材料為壓電薄片。配合寬音域與平面化的產品應用趨勢，降低壓電片厚度與直接製作於可撓基材上為關鍵性技術，超薄壓電膜材料技...
積層氧化鋅變阻器及其配方組成	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 積層氧化鋅變阻器具有吸收雷擊突波與靜電放電脈衝之功能，又由於其單層厚度較傳統變阻器小，更適用於低電壓之可攜式產品和IC元件之保護。 \| 潛力預估: 提升國內積層氧化鋅變器廠商技術與競爭力，並保護授權廠商之競爭優勢，形成更優質的投資與生產環境。目前全球市場規模約新台幣100億元/年，預估單一廠商初期年產值可達1億元。
高溫度穩定性材料技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立玻璃材料奈米微晶控制機制－經由不同升溫速率可配合Matusita & Sakka提出的計算式，計算結晶機制的各個參數，如Avrami exponent（n）及結晶活化能（E）；n值可以表示其為何... \| 潛力預估: 開發低熱膨脹係數玻璃陶瓷材料及製程技術，若順利開發及完成專利怖局，將可改善國內光電產業關鍵材料由國外進口的困境，達到關鍵性材料國產化的目的，並可改善關鍵材料及零組件掌握在國際大廠的窘境。
陶瓷薄膜整合技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度＜300℃之薄膜電晶體。源極-汲極間的電流IDS=10-9-10-6 安培 \| 潛力預估: 利用反應式濺鍍技術的自組裝奈米介面薄膜電晶體, 是種低溫並且環保的創新製程, 在能源的利用及綠色生活品質的貢獻皆遠大於現存的工業製程。本低溫製程的薄膜電晶體積體化技術的開發, 將可提升廠商在未來通訊...
埋入式電容(DK=40)基板材料技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 優良PCB製程加工性‧穩定之介電特性: DK38~42, DF<0.03 @1MHz‧優良之耐熱性質: Tg>185(DMA),耐銲錫288oC, >3min \| 潛力預估: 提供高介電常數(DK40)之電容材料配方技術及材料規格給材料廠商，創造新型電路板材料，強化基板材料產業技術能力。提供本技術給國內材料商，將可以協助國內基板材料業者掌握關鍵材料技術料及提升PCB產業的...
銅箔基層材料用雙層聚亞醯胺塗膜製備專利授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高尺寸安定、適合高密度細線畫線路製作、高耐化性、優異耐熱、電性及機械性質 \| 潛力預估: 將國內原已建立之軟性基板產業推向更先進之無接著劑型軟性基板，為將來電子與光電產業所需之下游構裝基板材料產業建立基礎，支援已蓬勃發展之平面顯示器產業，使國內整個產業體系更完整，提升產業競爭力，最重要在建...
高容量複合石墨負極材料	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 利用奈米結構在石墨上形成複合石墨負極材料，達到石墨改質的目的，本技術所開發之負極材料克電容量(360 mAh/g)較傳統MCMB克電容量(320 mAh/g)高12%，材料成本降低40% \| 潛力預估: 提供高容量負極材料之合成技術及材料工程規格給電池材料製造商，掌握鋰電池關鍵原材料，預估可促進材料廠商之投資達一億元以上，年產值達三億元以上。增加國內20億與全世界200億鋰電池負極材料市場佔有率的技術...
導電高分子固態電容器及其製造方法	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達8... \| 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之...