軟性R2R透明導電薄膜技術 - 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部 技術名稱-中文軟性R2R透明導電薄膜技術 的執行單位是工研院電光所 , 產出年度是99 , 計畫名稱是軟性電子模組與應用技術發展計畫 , 技術規格是Rs< 10 Ohm per sq, Transmittance> 88% at 550nm on transparent polester film with transmittance > 92%, bendign radius< 3mm, > 2000 times, R2R 10m以上連續製作 , 潛力預估是由於在軟性透明導電薄膜上的要求與應用越來越高,除了觸控的透明導電膜,未來在顯示器,光源,太陽能應用領域,潛力很高,產值將持續增長,規模以數十億到數百億計 .
序號 4339 產出年度 99 技術名稱-中文 軟性R2R透明導電薄膜技術 執行單位 工研院電光所 產出單位 (空) 計畫名稱 軟性電子模組與應用技術發展計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 使用光學模擬客製化規格的光學條件,在優化的條件下先在batch coater進行實驗,驗證製程及材料條件並修正偏差後,可以導入R2R sputter做連續性製程的驗證,透過電漿監測,殘留氣體進而開發試量產的條件 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 Rs< 10 Ohm per sq, Transmittance> 88% at 550nm on transparent polester film with transmittance > 92%, bendign radius< 3mm, > 2000 times, R2R 10m以上連續製作 技術成熟度 試量產 可應用範圍 touch panel, photo-voltaic, flexible dispay, for the general purpose of low resistance and high transmittance 潛力預估 由於在軟性透明導電薄膜上的要求與應用越來越高,除了觸控的透明導電膜,未來在顯示器,光源,太陽能應用領域,潛力很高,產值將持續增長,規模以數十億到數百億計 聯絡人員 路智強 電話 03-5913386 傳真 03-5820093 電子信箱 mikelu@itri.org.tw 參考網址 http://- 所須軟硬體設備 acth coater, TFcalc simulator, R2R sputter 需具備之專業人才 碩士(含)以上化學化工背景等相關人才 同步更新日期 2023-07-22
序號 4339 產出年度 99 技術名稱-中文 軟性R2R透明導電薄膜技術 執行單位 工研院電光所 產出單位 (空) 計畫名稱 軟性電子模組與應用技術發展計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 使用光學模擬客製化規格的光學條件,在優化的條件下先在batch coater進行實驗,驗證製程及材料條件並修正偏差後,可以導入R2R sputter做連續性製程的驗證,透過電漿監測,殘留氣體進而開發試量產的條件 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 Rs< 10 Ohm per sq, Transmittance> 88% at 550nm on transparent polester film with transmittance > 92%, bendign radius< 3mm, > 2000 times, R2R 10m以上連續製作 技術成熟度 試量產 可應用範圍 touch panel, photo-voltaic, flexible dispay, for the general purpose of low resistance and high transmittance 潛力預估 由於在軟性透明導電薄膜上的要求與應用越來越高,除了觸控的透明導電膜,未來在顯示器,光源,太陽能應用領域,潛力很高,產值將持續增長,規模以數十億到數百億計 聯絡人員 路智強 電話 03-5913386 傳真 03-5820093 電子信箱 mikelu@itri.org.tw 參考網址 http://- 所須軟硬體設備 acth coater, TFcalc simulator, R2R sputter 需具備之專業人才 碩士(含)以上化學化工背景等相關人才 同步更新日期 2023-07-22
根據名稱 軟性R2R透明導電薄膜技術 找到的相關資料 序號 5105 產出年度 100 技術名稱-中文 R2R連續性製程技術 執行單位 工研院電光所 產出單位 (空) 計畫名稱 軟性電子模組與應用技術發展計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 受到手機、平板電腦以及遊戲機等產品帶動，全球觸控面板需求快速成長，2011年全球觸控面板市場規模為134億美元，預計2017年市場規模將達到239億美元。目前觸控面板製程主流技術為G-G或F-F 結構的 touch sensor 貼合表面玻璃，貼合良率關乎成本，本計畫所發展的R2R連續性製程技術，特色為low cost 與high throughput，兼具低碳與環保要求，應用於觸控面板之生產具有優勢。並成立FlexTouch SIG產業聯盟，結合產、官、學、研等機構，共同發展R2R軟性電子觸控面板技術，建構一個完整上、中、下游軟性電子觸控面板產業，創造國內軟性電子的產業效益，提升台灣軟性電子觸控面板產業之國際地位。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 －連續式R2R透明導電膜製程TCF：片電阻＝7.8 Ω/□、穿透率＝86％。 －連續式R2R電極圖案化製程（line/space解析度達20µm /20µm）。 －連續式R2R印刷製程(screen printing line解析度達100µm；fine line printing line解析度達30µm)。 技術成熟度 試量產 可應用範圍 觸控面板/ e-paper、OLED lighting/ display、FPD、BIPV 潛力預估 在R2R連續性製程技術為業界採用後，預估在未來3~5年可以為台灣相關產業帶來數十億以至上看百億的產值。 聯絡人員 路智強 電話 03-5913386 傳真 03-582093 電子信箱 mikelu@itri.org.tw 參考網址 www.flextouch.org.tw 所須軟硬體設備 硬體：R2R Sputter、R2R Laminator、R2R Exposure、R2R DES Line、R2R Web Bench、R2R Screen Printer、R2R Gravure-Offset。 需具備之專業人才 -
序號: 5105 產出年度: 100 技術名稱-中文: R2R連續性製程技術 執行單位: 工研院電光所 產出單位: (空) 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 受到手機、平板電腦以及遊戲機等產品帶動，全球觸控面板需求快速成長，2011年全球觸控面板市場規模為134億美元，預計2017年市場規模將達到239億美元。目前觸控面板製程主流技術為G-G或F-F 結構的 touch sensor 貼合表面玻璃，貼合良率關乎成本，本計畫所發展的R2R連續性製程技術，特色為low cost 與high throughput，兼具低碳與環保要求，應用於觸控面板之生產具有優勢。並成立FlexTouch SIG產業聯盟，結合產、官、學、研等機構，共同發展R2R軟性電子觸控面板技術，建構一個完整上、中、下游軟性電子觸控面板產業，創造國內軟性電子的產業效益，提升台灣軟性電子觸控面板產業之國際地位。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: －連續式R2R透明導電膜製程TCF：片電阻＝7.8 Ω/□、穿透率＝86％。 －連續式R2R電極圖案化製程（line/space解析度達20µm /20µm）。 －連續式R2R印刷製程(screen printing line解析度達100µm；fine line printing line解析度達30µm)。 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 觸控面板/ e-paper、OLED lighting/ display、FPD、BIPV 潛力預估: 在R2R連續性製程技術為業界採用後，預估在未來3~5年可以為台灣相關產業帶來數十億以至上看百億的產值。 聯絡人員: 路智強 電話: 03-5913386 傳真: 03-582093 電子信箱: mikelu@itri.org.tw 參考網址: www.flextouch.org.tw 所須軟硬體設備: 硬體：R2R Sputter、R2R Laminator、R2R Exposure、R2R DES Line、R2R Web Bench、R2R Screen Printer、R2R Gravure-Offset。 需具備之專業人才: -
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執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等