垂直記錄媒體(國立清華大學材料所)
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技術名稱-中文垂直記錄媒體(國立清華大學材料所)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是Tb中間層的引入可使垂直／水平矯頑場之比例由2.2大幅增加至21.4, 潛力預估是垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產.

序號	4380
產出年度	99
技術名稱-中文	垂直記錄媒體(國立清華大學材料所)
執行單位	學界科專辦公室
產出單位	(空)
計畫名稱	學界科專計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	垂直式記錄媒體於記錄位元體積縮小的同時，不致於影響到穩定性。然而，需具備有高矯頑磁場(Hc)的特性以維持讀寫品質的高密度記錄媒體，亦面臨到磁頭因翻轉場(switching field，簡稱Hs)過高而不易寫入的問題。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	Tb中間層的引入可使垂直／水平矯頑場之比例由2.2大幅增加至21.4
技術成熟度	雛形
可應用範圍	磁記錄媒體
潛力預估	垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產
聯絡人員	賴志煌先生
電話	(03)-5715131 ex:33822
傳真	(03)-5722366
電子信箱	chlai@mx.nthu.edu.tw
參考網址	http://www.mse.nthu.edu.tw/~chlai/
所須軟硬體設備	真空濺鍍系統
需具備之專業人才	真空技術、磁性材料、材料研發與分析能力
同步更新日期	2019-07-24

序號

4380

產出年度

技術名稱-中文

垂直記錄媒體(國立清華大學材料所)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

垂直式記錄媒體於記錄位元體積縮小的同時，不致於影響到穩定性。然而，需具備有高矯頑磁場(Hc)的特性以維持讀寫品質的高密度記錄媒體，亦面臨到磁頭因翻轉場(switching field，簡稱Hs)過高而不易寫入的問題。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Tb中間層的引入可使垂直／水平矯頑場之比例由2.2大幅增加至21.4

技術成熟度

雛形

可應用範圍

磁記錄媒體

潛力預估

垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產

聯絡人員

賴志煌先生

電話

(03)-5715131 ex:33822

傳真

(03)-5722366

電子信箱

chlai@mx.nthu.edu.tw

參考網址

http://www.mse.nthu.edu.tw/~chlai/

所須軟硬體設備

真空濺鍍系統

需具備之專業人才

真空技術、磁性材料、材料研發與分析能力

同步更新日期

2019-07-24

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垂直記錄媒體(國立清華大學材料所／和喬科技股份有限公司)

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增加穿隧磁阻變化率的方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由離子佈植的方法，可使穿隧磁阻變化率增加至30%以上 \| 潛力預估: 隨著穿隧磁阻變化率的提升，磁性記憶體之發展已有雛型，但因整體結構與既有之記憶體差異甚大，故仍需加以改善。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
磁性記錄裝置的製造方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由離子佈植的方法，使磁性記錄層形成多數間隔排列之非磁區域區與獨立的序化區域，且有效地降低鐵鉑合金之序化溫度 \| 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
磁性記錄裝置及其製造方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由離子佈植的方法，使膜間粗糙化，藉以改善記錄層之垂直異向性與矯頑場 \| 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
具有序化結構鐵鉑合金膜的磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由Cu3Si的形成，引入底層應力，使鐵鉑合金之序化溫序降低至300℃，且矯頑場增加量高達250% \| 潛力預估: 鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由錳鉑底層膜的引入，可使鐵鉑合金之序化溫度降至300℃，並使矯頑場增加達17% \| 潛力預估: 鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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自行車電動助力模組	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 無刷馬達：350W、輔助方式：比例式、純電動模式 \| 潛力預估: 多重行車輔助模式，建立整車煞車系統功能驗證技術，作為發展系統設計之基礎
375c.c.四行程稀薄燃燒引擎	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 排氣量：373c.c(Bore 60mm* Stroke 66mm)、引擎型式：四行程、汽缸數：雙缸、閥門數：4閥/缸、排列方式：V型-90、冷卻方式：水冷、燃油系統：氣道噴射、點火系統：電晶體微電腦... \| 潛力預估: 小型低速雙缸四行程噴射引擎系統設計，稀油燃燒進氣氣道設計，EMS開迴路控制、循序燃油控制與循序引擎點火控制
液滴噴射暨噴霧產生之微型泵浦	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸：15mm x 4mm x 30mm、工作頻率：12～20 kHz 、驅動電壓：27～35Vpk-pk、消耗功率：1mW以下、噴射液滴直徑：10～50μm(視設計需求而定)、噴射流量：最大2... \| 潛力預估: 薄膜隔離之腔體設計，壓電片與噴孔片間壓力室和導流構造，以及陣列微孔批量製造技術。
車載資訊系統	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 構裝:1 DIN或更小尺吋、最大消耗功率:小於3瓦、休眠消耗電流:小於20mA@12V DC、作業系統:Windows CE 4.2 core version、CPU: ARM Based 200MH... \| 潛力預估: ITS/Telematics數位內容服務整合技術、先進安全車輛整合技術
自動離合手排變速箱(AcMT)技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術可使用於300Nm以下之手排車。 \| 潛力預估: 無
兩軸旋轉主軸頭	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 主軸：功率：15 kW、最大扭力：48 Nm、最高轉速：20,000 rpm、主軸振動：3μm以內；C軸：最大扭力：1,000Nm、行程：±200°；A軸：最大扭力：800 Nm、行程：±95° \| 潛力預估: 直接驅動技術結合兩軸旋轉模組技術、智能型主軸技術等關鍵技術，更進一步提昇高速與複合切削加工技術，領導業界邁向直接驅動高速五軸關聯技術領域，提昇五軸機台品級及其附加價值，增加國際競爭力
精密微量射出成型模組技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 成型位置潔淨度：Class 1,000 (U.S. Federal Standard) 、最大射速1000mm/sec、鎖模力200噸 \| 潛力預估: 替代全潔淨室的局部潔淨艙設計、大功率、高射速的電氣驅動射出成型、WinCE視窗系統的PC-Based控制器設計
電子束加工及模具製造技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Mold size: 4 and 6 inches 2. Mold material: metal, silicon and glass 3. Minimum line width≦20nm 4... \| 潛力預估: 奈米技術被喻為第四波的工業革命，其重要性不言而喻。其中，奈米模仁的製造技術對於是否能將產品商業化扮演一重要角色。而電子束微影技術與乾蝕刻是奈米模仁最重要的加工技術之一。舉凡電子、光電、生醫等領域都有其...
奈米轉印設備技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: H.E./UV Module； Imprinting size：6”； Max. pressure：60 Bar； Max. temperature：250℃； Microwave rapid hea... \| 潛力預估: 奈米轉印技術應用領域相當廣泛，包括生醫元件、光電顯示器、資料儲存媒體以及奈米電子等領域；國際半導體技術藍圖（ITRS）已於2003年正式將轉印微影技術（Imprint Lithography）列為下...
微慣性感測技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 自由度：3維解析度：400CPI \| 潛力預估: 若能達成高解析度的滑鼠開發，將有機會成為電腦輸入裝置的另一種選擇。
微霧化器	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 霧化粒徑SMD \| 潛力預估: 本技術的研發，將有助於國內吸入式藥物傳輸系統的發展，同時也促使國內在微機電相關產業之週邊技術的建立，以提高我國在生技與醫療器材領域的競爭力。
微均熱片	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 均熱片尺寸：30x30x2 mm 可耐熱通密度：100w/cm2 可耐熱功率：>50W \| 潛力預估: 製造技術可完全自行掌握，規格達國際水準，具市場競爭力。
TFT ARRAY製造設備技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 定位精度：±20mm \| 潛力預估: 未來若完成電極圖案新製程設備，可大幅節省設備投資，市場需求大。
TFT CELL製造設備技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧電漿源： 500mm ‧ 錨定能： >10-5 J/m2 \| 潛力預估: 非接觸式配向製程及設備為未來發展趨勢，在國外亦正研發中，市場需求殷切。
前瞻性顯示器設備技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 捲繞速度：15~30m/min ‧ 張力誤差： ± 10％ ‧ 速度誤差：± 10％ \| 潛力預估: 軟性顯示器是未來顯示器發展之趨勢，本技術可整合應用於軟板製程設備中，未來市場應用範圍極為廣泛。