太陽能板廢玻璃燒製成的環保紅磚及其製作方法(宜蘭大學環境工程學系所)
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技術名稱-中文太陽能板廢玻璃燒製成的環保紅磚及其製作方法(宜蘭大學環境工程學系所)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是CNS 382 R2002 建築用普通磚, 潛力預估是能減少黏土之開採.

序號	4509
產出年度	99
技術名稱-中文	太陽能板廢玻璃燒製成的環保紅磚及其製作方法(宜蘭大學環境工程學系所)
執行單位	學界科專辦公室
產出單位	(空)
計畫名稱	學界科專計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	專利申請中
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	CNS 382 R2002 建築用普通磚
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	紅磚
潛力預估	能減少黏土之開採
聯絡人員	陳佩羚小姐
電話	(03)-9333889
傳真	(03)-9333996
電子信箱	iiic@niu.edu.tw
參考網址	http://www.niu.edu.tw/iiic/head.asp?incheak=0
所須軟硬體設備	破碎機、研磨機、油壓機、練土機及高溫爐
需具備之專業人才	資源再利用及製磚之相關知識背景
同步更新日期	2019-07-24

序號

4509

產出年度

技術名稱-中文

太陽能板廢玻璃燒製成的環保紅磚及其製作方法(宜蘭大學環境工程學系所)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

專利申請中

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

CNS 382 R2002 建築用普通磚

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

紅磚

潛力預估

能減少黏土之開採

聯絡人員

陳佩羚小姐

電話

(03)-9333889

傳真

(03)-9333996

電子信箱

iiic@niu.edu.tw

參考網址

http://www.niu.edu.tw/iiic/head.asp?incheak=0

所須軟硬體設備

破碎機、研磨機、油壓機、練土機及高溫爐

需具備之專業人才

資源再利用及製磚之相關知識背景

同步更新日期

2019-07-24

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太陽能板廢玻璃燒製成的環保地磚及其製作方法(宜蘭大學環境工程學系所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: CNS 9738 R2162 陶質地磚 \| 潛力預估: 能減少瓷土之開採 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
太陽能板廢玻璃燒製成玻璃陶瓷及其製作方法(宜蘭大學環境工程學系所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 硬度>8GPa \| 潛力預估: 玻璃製造業可進行運用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
具磁性之金屬吸附物及該吸附物的製備方法 (宜蘭大學環境工程學系所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 磁性觸媒飽和磁化量>50 emu/g 二氧化矽修飾磁性觸媒表面積高於100 m2/g \| 潛力預估: 約 1 年後可有產品上市或達成預期效果 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
具揮發性之低極性有機廢氣的處理設備(宜蘭大學環境工程學系所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: DMS去除率達90% \| 潛力預估: 約 1 年後可有產品上市或達成預期效果 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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半導體前段設備標準通標模組	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準 \| 潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準，本產品為標準通訊模組，目前此類標準通訊模組多使用國外產品，國內市場廣大，可配合未來國內自製機台使用，潛力無窮。
300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3% \| 潛力預估: 為我國從民國87年起，投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元，LCD全球市場在民國94年將達390億美元，而全球設備產業將達61億美元，其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...
300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線．蝕刻速率為2,500 A /min ．蝕刻均勻度小於3 % \| 潛力預估: 我國半導體製造已耀居全球第四位，所需求之半導體前段設備投資規格已居全球第三，於民國91年市場達34.6億美元，預計至95年我國半導體製程達56.2億美元。本機台可應用在半導體前段製程及LCD製程，預估...
精密雷射切割機	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．定位精度：0.5μm ．馬達最快速度: 120m/min ．馬達最快加速度: 1.5g ．切割速度:~4000 Aperture/Hour ．具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 \| 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元，94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元
線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm \| 潛力預估: 相關文獻顯示，預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時，以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發，預計可建立業界高速工具機...
油靜座滑軌	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．供油壓力：20 bar ．潤滑油形式：VG32(溫度20~40℃) ．切削力：Fa:1,000N,Ft:300N ．滑軌長度:1,500mm ．工作行程:750mm ．工作台上最大荷重:750kg... \| 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標，本技術在前兩項目標之達成無庸置疑，對於經濟性，就機器製造成本而言，雖然需要較高之成本，但將無磨耗、壽命長納入考量後，將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...
極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 \| 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大，如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言，民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元，預估93年達到19億美元，至99年時可達65億美元
晶圓均溫加熱調整技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) \| 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求，以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台，大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300，價格約為200 ~ 3...
微型慣性感測元件研製	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元，由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點，根據美國Honeywell公司對產品評估，與傳統機電式慣性感測單元比較，體積上可縮小90%，電源消耗上減少8... \| 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛，未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上，發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量，完成核心組件專利佈局，協助業界...
氫電關鍵元件材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm，He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒，平均粒徑3nm以下，白金含... \| 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池
奈米材料及元件檢測技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 \| 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。
具振動抑制複材管件結構改良	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) \| 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等
輕質蜂巢聲阻結構	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 厚度 \| 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色
酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 \| 潛力預估: 有賴技術推廣
電鑄模仁低溫增厚技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)接合溫度200-400℃； (2)結合強度3000psi以上； (3)變形量 \| 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，市場前景可期。