磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所)
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技術名稱-中文磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是藉由錳鉑底層膜的引入，可使鐵鉑合金之序化溫度降至300℃，並使矯頑場增加達17%, 潛力預估是鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。.
| 序號 | 4815 |
| 產出年度 | 99 |
| 技術名稱-中文 | 磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所) |
| 執行單位 | 學界科專辦公室 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 學界科專計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 鐵鉑合金擁有很高的磁晶體異向性能，被視為是下世代超高密度記錄媒體之記錄層的材料。一般鐵鉑合金需要經過高於500℃的高溫退火程序，才能顯現其磁性質。但是在經過如此高溫的熱處理後會造成晶粒成長，使得磁頭讀取信號時的雜訊增加。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 藉由錳鉑底層膜的引入，可使鐵鉑合金之序化溫度降至300℃，並使矯頑場增加達17% |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 磁記錄媒體 |
| 潛力預估 | 鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。 |
| 聯絡人員 | 賴志煌先生 |
| 電話 | (03)-5715131 ex:33822 |
| 傳真 | (03)-5722366 |
| 電子信箱 | chlai@mx.nthu.edu.tw |
| 參考網址 | http://www.mse.nthu.edu.tw/~chlai/ |
| 所須軟硬體設備 | 真空濺鍍系統 |
| 需具備之專業人才 | 真空技術、磁性材料、材料研發與分析能力 |
| 同步更新日期 | 2019-07-24 |
序號4815 |
產出年度99 |
技術名稱-中文磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所) |
執行單位學界科專辦公室 |
產出單位(空) |
計畫名稱學界科專計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文鐵鉑合金擁有很高的磁晶體異向性能，被視為是下世代超高密度記錄媒體之記錄層的材料。一般鐵鉑合金需要經過高於500℃的高溫退火程序，才能顯現其磁性質。但是在經過如此高溫的熱處理後會造成晶粒成長，使得磁頭讀取信號時的雜訊增加。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格藉由錳鉑底層膜的引入，可使鐵鉑合金之序化溫度降至300℃，並使矯頑場增加達17% |
技術成熟度實驗室階段 |
可應用範圍磁記錄媒體 |
潛力預估鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。 |
聯絡人員賴志煌先生 |
電話(03)-5715131 ex:33822 |
傳真(03)-5722366 |
電子信箱chlai@mx.nthu.edu.tw |
參考網址http://www.mse.nthu.edu.tw/~chlai/ |
所須軟硬體設備真空濺鍍系統 |
需具備之專業人才真空技術、磁性材料、材料研發與分析能力 |
同步更新日期2019-07-24 |
根據名稱 磁記錄媒體及其製作方法 國立清華大學材料所 找到的相關資料
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 藉由Cu3Si的形成，引入底層應力，使鐵鉑合金之序化溫序降低至300℃，且矯頑場增加量高達250% | 潛力預估: 鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 藉由Cu3Si的形成，引入底層應力，使鐵鉑合金之序化溫序降低至300℃，且矯頑場增加量高達250% | 潛力預估: 鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
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磁記錄媒體及其製作方法 國立清華大學材料所 ... ]
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 藉由離子佈植的方法，可使穿隧磁阻變化率增加至30%以上 | 潛力預估: 隨著穿隧磁阻變化率的提升，磁性記憶體之發展已有雛型，但因整體結構與既有之記憶體差異甚大，故仍需加以改善。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 藉由離子佈植的方法，使磁性記錄層形成多數間隔排列之非磁區域區與獨立的序化區域，且有效地降低鐵鉑合金之序化溫度 | 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 藉由離子佈植的方法，使膜間粗糙化，藉以改善記錄層之垂直異向性與矯頑場 | 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: Tb中間層的引入可使垂直／水平矯頑場之比例由2.2大幅增加至21.4 | 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 交互耦合層造成之矯頑場下降量達15%，去磁態翻轉場下降量達17% | 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 藉由離子佈植的方法，可使穿隧磁阻變化率增加至30%以上 | 潛力預估: 隨著穿隧磁阻變化率的提升，磁性記憶體之發展已有雛型，但因整體結構與既有之記憶體差異甚大，故仍需加以改善。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 藉由離子佈植的方法，使磁性記錄層形成多數間隔排列之非磁區域區與獨立的序化區域，且有效地降低鐵鉑合金之序化溫度 | 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
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03 -5715131 ex:33822 ... ]
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電組件先進製程自動化系統技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: RIE後殘留物去除率>95%；微粒去除率>0.5μm達98%以上 | 潛力預估: 可取代目前濕式清洗製程，減少大量使用有機溶劑，解決環保及缺水問題，創造每年約25億元的產值。 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電組件先進製程自動化系統技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.>0.5μm的particle移除率100%；2.靜電消除及表面溫度補償控制 35~ 60 ± 2°C；3.高效能噴嘴：每一噴嘴之CO2消耗量小於200g/min.，出口速度大於300m/ | 潛力預估: 可取代目前濕式清洗製程，減少大量使用有機溶劑，解決環保及缺水問題，創造每年約10億元的產值。 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1).精細線材直徑最小15mm(伸長率4%)(2).空心材外徑6mm(平均壁厚0.3mm、溝深0.1mm、內附微溝面數＝40)、實/空心材斷面減縮比為70%、實心材直徑精度±0.01mm | 潛力預估: 可使台灣進入高附加價值之半導體封裝用之線材市場，此領域在台灣尚無明顯之競爭者，可另闢金屬產業的藍海 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)ψ10mm高導電無氧銅連鑄棒材，晶粒尺寸＜50μm、材料導電率＞101 IACS、抗拉強度＞220Mpa、伸長率＞25%。(2)ψ8mm純金連鑄棒材，純度99.99%。(3)ψ8mm純銀連鑄棒... | 潛力預估: 可使台灣進入高附加價值之金屬原材料產業以及半導體封裝用之線材市場，此領域在台灣尚無明顯之競爭者，可另闢金屬產業的藍海 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 線徑：0.05~0.5mm處理速度：20~60m/mi | 潛力預估: 為綠色環保製程，具取代部份有機溶劑濕式清潔潛力，可簡化清潔流程，降低對環境衝擊。 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 內層發泡材密度可達0.7cm3/g | 潛力預估: 可搶攻休閒運動器材結構輕量化市場需求，極具市場潛力 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 鑄件長厚比250以上 | 潛力預估: 提供產品強度、剛性、輕量、環保等優點，具市場潛力 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 鋁銅複合材料厚度1mm-20mm;寬度20mm-200mm | 潛力預估: 提供散熱系統優點，具市場潛力 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 摩擦攪拌銲道鎖孔深度＜0.5mm，正向力＜500Kgf | 潛力預估: 提供產品更大強度、剛性、環保等優點，具市場潛力 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 汽車引擎關鍵零組件製造系統技術開發先期研究計畫 | 領域: | 技術規格: 適用產品尺寸：30cm×15cm×15cm; 適合材質:鑄鐵、鋁合金 | 潛力預估: 可取代進口, 年需求值預估在1,000萬元以上 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 汽車產業關鍵技術研發聯盟三年計畫 | 領域: | 技術規格: 管材STKM11A，管厚t=1~4mm，截面最小半徑/厚度比r/t≧6，減薄率≦30%。 | 潛力預估: 應用於車輛業輕量化結構件與新車種開發，因應新世代運輸工具結構零組件設計改型趨勢。 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 汽車產業關鍵技術研發聯盟三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1).內裝輕構件鋁、鎂合金比原鋼鐵件減重20%以上 (2).零組件數減少5件以上。 | 潛力預估: 可擴大鎂合金之應用領域,諸如車用底盤部份輕構件 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 直徑≦φ20mm、高度≦3.0mm(含外殼)、扭矩：≧0.3mNm/A、轉數：根據扭力額定規格需求另行訂定。 | 潛力預估: 建立國內薄型馬達開發生產能力，取代進口產品及現有薄型態之稍大尺寸馬達，創造產值10億元/年以上。 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件定位精度可達1μm、零組件接合良率可達95%。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產，預計可取代同類型之進口產品，預估量產初期年產值可達2,000萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20%。 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件接合精度可達到± 5°、洩漏檢測可達到1.2×10E(-8) atm‧cc/sec。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產，預計可取代同類型之進口產品，預估量產初期年產值可達兩千萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20% |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電組件先進製程自動化系統技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: RIE後殘留物去除率>95%；微粒去除率>0.5μm達98%以上 | 潛力預估: 可取代目前濕式清洗製程，減少大量使用有機溶劑，解決環保及缺水問題，創造每年約25億元的產值。 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電組件先進製程自動化系統技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.>0.5μm的particle移除率100%；2.靜電消除及表面溫度補償控制 35~ 60 ± 2°C；3.高效能噴嘴：每一噴嘴之CO2消耗量小於200g/min.，出口速度大於300m/ | 潛力預估: 可取代目前濕式清洗製程，減少大量使用有機溶劑，解決環保及缺水問題，創造每年約10億元的產值。 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1).精細線材直徑最小15mm(伸長率4%)(2).空心材外徑6mm(平均壁厚0.3mm、溝深0.1mm、內附微溝面數＝40)、實/空心材斷面減縮比為70%、實心材直徑精度±0.01mm | 潛力預估: 可使台灣進入高附加價值之半導體封裝用之線材市場，此領域在台灣尚無明顯之競爭者，可另闢金屬產業的藍海 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)ψ10mm高導電無氧銅連鑄棒材，晶粒尺寸＜50μm、材料導電率＞101 IACS、抗拉強度＞220Mpa、伸長率＞25%。(2)ψ8mm純金連鑄棒材，純度99.99%。(3)ψ8mm純銀連鑄棒... | 潛力預估: 可使台灣進入高附加價值之金屬原材料產業以及半導體封裝用之線材市場，此領域在台灣尚無明顯之競爭者，可另闢金屬產業的藍海 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 線徑：0.05~0.5mm處理速度：20~60m/mi | 潛力預估: 為綠色環保製程，具取代部份有機溶劑濕式清潔潛力，可簡化清潔流程，降低對環境衝擊。 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 內層發泡材密度可達0.7cm3/g | 潛力預估: 可搶攻休閒運動器材結構輕量化市場需求，極具市場潛力 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 鑄件長厚比250以上 | 潛力預估: 提供產品強度、剛性、輕量、環保等優點，具市場潛力 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 鋁銅複合材料厚度1mm-20mm;寬度20mm-200mm | 潛力預估: 提供散熱系統優點，具市場潛力 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 輕量/高值化金屬零組件關鍵技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 摩擦攪拌銲道鎖孔深度＜0.5mm，正向力＜500Kgf | 潛力預估: 提供產品更大強度、剛性、環保等優點，具市場潛力 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 汽車引擎關鍵零組件製造系統技術開發先期研究計畫 | 領域: | 技術規格: 適用產品尺寸：30cm×15cm×15cm; 適合材質:鑄鐵、鋁合金 | 潛力預估: 可取代進口, 年需求值預估在1,000萬元以上 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 汽車產業關鍵技術研發聯盟三年計畫 | 領域: | 技術規格: 管材STKM11A，管厚t=1~4mm，截面最小半徑/厚度比r/t≧6，減薄率≦30%。 | 潛力預估: 應用於車輛業輕量化結構件與新車種開發，因應新世代運輸工具結構零組件設計改型趨勢。 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 汽車產業關鍵技術研發聯盟三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1).內裝輕構件鋁、鎂合金比原鋼鐵件減重20%以上 (2).零組件數減少5件以上。 | 潛力預估: 可擴大鎂合金之應用領域,諸如車用底盤部份輕構件 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 直徑≦φ20mm、高度≦3.0mm(含外殼)、扭矩：≧0.3mNm/A、轉數：根據扭力額定規格需求另行訂定。 | 潛力預估: 建立國內薄型馬達開發生產能力，取代進口產品及現有薄型態之稍大尺寸馬達，創造產值10億元/年以上。 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件定位精度可達1μm、零組件接合良率可達95%。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產，預計可取代同類型之進口產品，預估量產初期年產值可達2,000萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20%。 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件接合精度可達到± 5°、洩漏檢測可達到1.2×10E(-8) atm‧cc/sec。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產，預計可取代同類型之進口產品，預估量產初期年產值可達兩千萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20% |
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