反射儀量測高密度高深寬比(aspect ratio 10)矽穿孔結構深度及形貌
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文反射儀量測高密度高深寬比(aspect ratio 10)矽穿孔結構深度及形貌的執行單位是工研院院本部, 產出年度是100, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 技術規格是應用近乎垂直入射式之寬波段光束入射待測晶圓,擷取TSV上/下孔徑不同深度的反射光干涉光譜訊號,透過自有專利之分析演算方法來分析TSV孔徑深度,特別適用於高密度、小尺寸(? 5 um)陣列式TSV孔徑深度量測, 潛力預估是預期未來可應用於3D IC先進製程檢測機台之核心檢測模組。.

序號5026
產出年度100
技術名稱-中文反射儀量測高密度高深寬比(aspect ratio 10)矽穿孔結構深度及形貌
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文傳統反射儀多半應用於薄膜量測,本計畫應用自建理論模型及演算方法開發高密度高深寬比矽穿孔結構深度及形貌量測技術
技術現況敘述-英文(空)
技術規格應用近乎垂直入射式之寬波段光束入射待測晶圓,擷取TSV上/下孔徑不同深度的反射光干涉光譜訊號,透過自有專利之分析演算方法來分析TSV孔徑深度,特別適用於高密度、小尺寸(? 5 um)陣列式TSV孔徑深度量測
技術成熟度試量產
可應用範圍擬授權自建理論模型及演算方法相關構想專利
潛力預估預期未來可應用於3D IC先進製程檢測機台之核心檢測模組。
聯絡人員顧逸霞
電話03-5732103
傳真03-5722383
電子信箱yku@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備反射儀及自建分析軟體
需具備之專業人才機密光學量測分析專才
同步更新日期2024-09-03

序號

5026

產出年度

100

技術名稱-中文

反射儀量測高密度高深寬比(aspect ratio 10)矽穿孔結構深度及形貌

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

傳統反射儀多半應用於薄膜量測,本計畫應用自建理論模型及演算方法開發高密度高深寬比矽穿孔結構深度及形貌量測技術

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

應用近乎垂直入射式之寬波段光束入射待測晶圓,擷取TSV上/下孔徑不同深度的反射光干涉光譜訊號,透過自有專利之分析演算方法來分析TSV孔徑深度,特別適用於高密度、小尺寸(? 5 um)陣列式TSV孔徑深度量測

技術成熟度

試量產

可應用範圍

擬授權自建理論模型及演算方法相關構想專利

潛力預估

預期未來可應用於3D IC先進製程檢測機台之核心檢測模組。

聯絡人員

顧逸霞

電話

03-5732103

傳真

03-5722383

電子信箱

yku@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

所須軟硬體設備

反射儀及自建分析軟體

需具備之專業人才

機密光學量測分析專才

同步更新日期

2024-09-03

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TSV檢測技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: CD?3 um,aspect ratio ?16 | 潛力預估: 應用性高

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紅外共焦顯微鏡技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 建立彩色紅外共焦顯微檢測技術完整色散模型,應用於1-775 um薄化晶圓製程厚度/對位誤差量測,量測準確度? 0.1 um | 潛力預估: 預期未來可應用於3D IC先進製程檢測機台之核心檢測模組。

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micro-bump形貌檢測技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Ball size > 40 mm | 潛力預估: 擬包含硬體架構及分析軟體整機技轉。

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光學顯微鏡嵌入技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 100X螢光顯微鏡以及30X-10000X高解析電鏡 | 潛力預估: 材料及生醫領域研究需求大

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極紫外線散射數

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 三維奈米結構量測解析度達 1奈米 | 潛力預估: 先進半導體製程參數檢測應用

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次世代微影疊對量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Accuracy<3nm | 潛力預估: 可搶攻半導體檢測

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TSV檢測技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: CD?3 um,aspect ratio ?16 | 潛力預估: 應用性高

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紅外共焦顯微鏡技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 建立彩色紅外共焦顯微檢測技術完整色散模型,應用於1-775 um薄化晶圓製程厚度/對位誤差量測,量測準確度? 0.1 um | 潛力預估: 預期未來可應用於3D IC先進製程檢測機台之核心檢測模組。

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micro-bump形貌檢測技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Ball size > 40 mm | 潛力預估: 擬包含硬體架構及分析軟體整機技轉。

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光學顯微鏡嵌入技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 100X螢光顯微鏡以及30X-10000X高解析電鏡 | 潛力預估: 材料及生醫領域研究需求大

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極紫外線散射數

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 服務創新 | 技術規格: 三維奈米結構量測解析度達 1奈米 | 潛力預估: 先進半導體製程參數檢測應用

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次世代微影疊對量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Accuracy<3nm | 潛力預估: 可搶攻半導體檢測

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比較在NORV2PURO transient transfection和以2μM nociceptin 刺激後, 細胞在不同時間點及不同劑量下之pits/vesicles形成

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: G蛋白偶聯接受體藥物研發二年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 分別經由比較分析不同時間點、不同劑量,觀察NOR agonist對於NOR受體之活化狀況,可以深入分析受體對agonist之動力學資料,進而確認所構築受體之反應性,比較所構築受體與原始受體反應狀況之...

鑽石晶圓拋光技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2~4吋鑽石晶圓表面粗糙度有效降低為20nm以下 | 潛力預估: 以加工設備較為低廉及製程溫度並不高,能有效的縮短加工時間並使成本降低,不同的拋光製程及設備可使國內的產業擺脫長期依賴國外技術的現象

藍寶石基板製程技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: TTV<10μm,Ra<0.3nm,Bow\Warp<10μm | 潛力預估: 目前國內預估藍寶石晶圓年需求量約120萬片,產值約達十億元,商機值得投入

硬脆薄膜奈米製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋鑽石晶圓,鑽石膜厚度≦20μm,平均表面粗糙度(Ra) ≦20nm | 潛力預估: 攻佔TFT LCD切刀市場(兩億/年),提供鑽石厚膜協助廠商及早進入市場

微結構光學膜片製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)柱間隔5μm~100μm,棱柱高度5μm ~100μm,棱柱角度30o~150o (2)透鏡直徑2 μm~500μm,透鏡高度2 μm~100μm,最小透鏡間隙 0 μm | 潛力預估: 目前平面顯示器相關產品需求非常大而且未來照明產業的相關應用也將非常廣泛

SOI晶圓製程技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)全域厚度變異≦3μm / ψ150mm,表面粗糙度Ra≦5 A (2)絕緣層厚度 0.5μm~2μm,絕緣層膜厚均勻性≦5% (3)元件層厚度≧8μm (4)元件層厚度均勻性 ±5% | 潛力預估: SOI應用領域相當廣泛,如:微機電元件、High Power IC、光通訊元件等。以SOI晶圓取代目前微機電相關製程技術,可大幅提升產品競爭力,因此,預估在未來3年內SOI晶圓市場將會有爆炸性之成長

奈米微粒製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)研磨分散設備:研磨槽容積:1.6L,切線速度:15m/s,研磨介質粒徑:0.1mm(最小) (2)高壓均質設備:最大壓力:280MPa,流量:25L/hr | 潛力預估: 奈米微粒製造技術開發完成奈米微粒研磨分散設備及高壓均質設備,針對奈米等級微粒粉碎、分散、乳化等濕式製程均可適用,是奈米產業發展的重要設備技術。本技術完成後,可提供國內具備價格、彈性、和性能等優勢的製造...

模組化高剛性平台

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 不放大振動之頻寬為0-200Hz,剛性大於8×108 N/m(地板為完全剛性之狀況) | 潛力預估: 模組化精密高剛性平台技術之開發及應用,可以取代目前重量較重之花崗岩平台或鋼筋混凝土平台,經由平台之減重並維持更高之剛性,可以減輕廠房結構之負擔,增加廠房之使用率。適用於12吋半導體製程及平面顯示器產業...

奈米機械隔振模組技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1-400Hz以內均有減振之效果,其中垂直方向在6Hz以上之減振能力為-14dB(80%),水平方向在6Hz以上之減振能力為-12dB(75%) | 潛力預估: 隨著奈米科技及相關技術之不斷提昇,使得相關之奈米級檢測設備之應用更為普及。對於小型之奈米檢測設備如SPM及AFM,本模組可有效地與檢測設備結合,以取代大型之光學桌及氣墊隔振系統,並且能在低頻提供更好的...

線型馬達高速切削加工機技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: X/Y/Z行程:800×600×500mm X/Y/Z‧??? 最大進給速度:120m/min X/Y/Z‧??? 最大進給加速度:2G‧???主軸最高轉速:24,000rpm | 潛力預估: 近年來高速切削之相關技術蓬勃發展,其應用範圍已從早期侷限於航太業鋁合金切削擴充至汽車業、模具業、電子業,切削材料除傳統的鋁合金切削外,亦包括鑄鐵、合金鋼、複合材料與高硬度材料。高速切削具有高切削量、低...

串列網路伺服運動控制應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ??? 串列網路伺服軸:8軸(Mitsubishi SSCNET),可擴充至16軸/泛用開迴路:4軸/泛用閉迴路:1軸,可擴充至5軸/數位轉類比:2組(16 bits),可擴充至6組/類比轉數位:2組... | 潛力預估: 可實現高速、高精度的定位控制,及多軸即時同步運動控制,在不用增加控制母板下,硬體軸數與IO點數擴充彈性大,為國內光電半導體設備與CNC工具機業,提供了一個降低系統配線複雜度與維護簡單化的有效解決方案。

光通訊TO-Can雷射銲接機

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 雷射束數目:3/雷射型式:Nd:YAG/功率:20 W/視覺與雷射頭分離/X1 軸行程: 50mm, 定位精度: 5μm, 解析度: 0.2μm/Y1軸 (手動) | 潛力預估:

光隔絕器自動對光與自動錫銲固著技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧??? 自動對光技術:單光束自動對光 < 3 分鐘/自動錫銲技術:錫銲固著後,插入損失小於0.2dB | 潛力預估: 自動對光技術為光電元件構裝相關產業之關鍵技術,未來具有廣大的市場發展潛力。自動錫銲技術可以較高的品質及穩定性來取代人工,除已被廣為使用的電子產業外,於新興的光電產業亦具有高度發產空間

平面光波導自動構裝系統

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光通訊多通道元件對光技術對光型式:Fiber Array to Fiber Array/‧ 通道數:8 | 潛力預估: 以光通訊元件的發展趨勢來看,均朝向模組化、高頻寬、多通道數、低成本、小體積發展,所以平面光波導將會是未來光通訊網路中相當重要的元件。目前日本及歐美等國正極力促成光通訊網路的建立,因此未來平面光波導元件...

晶片/晶圓鍵合技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度:±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )/大面積加熱板溫度控制技術:250± 1℃/瞬間加熱板溫度控制技術:500± 5℃/視覺對位技... | 潛力預估: 熱超音波覆晶技術具高效率及綠色製程特性,將成為覆晶技術主流製程之一/高速取放技術有效提昇設備競爭力/精密定位系統大幅提昇設備製程良率/製程設備整合開發,提供使用者統和解決方案/掌握關鍵模組開發能力,縮...

比較在NORV2PURO transient transfection和以2μM nociceptin 刺激後, 細胞在不同時間點及不同劑量下之pits/vesicles形成

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執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2~4吋鑽石晶圓表面粗糙度有效降低為20nm以下 | 潛力預估: 以加工設備較為低廉及製程溫度並不高,能有效的縮短加工時間並使成本降低,不同的拋光製程及設備可使國內的產業擺脫長期依賴國外技術的現象

藍寶石基板製程技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: TTV<10μm,Ra<0.3nm,Bow\Warp<10μm | 潛力預估: 目前國內預估藍寶石晶圓年需求量約120萬片,產值約達十億元,商機值得投入

硬脆薄膜奈米製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋鑽石晶圓,鑽石膜厚度≦20μm,平均表面粗糙度(Ra) ≦20nm | 潛力預估: 攻佔TFT LCD切刀市場(兩億/年),提供鑽石厚膜協助廠商及早進入市場

微結構光學膜片製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)柱間隔5μm~100μm,棱柱高度5μm ~100μm,棱柱角度30o~150o (2)透鏡直徑2 μm~500μm,透鏡高度2 μm~100μm,最小透鏡間隙 0 μm | 潛力預估: 目前平面顯示器相關產品需求非常大而且未來照明產業的相關應用也將非常廣泛

SOI晶圓製程技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)全域厚度變異≦3μm / ψ150mm,表面粗糙度Ra≦5 A (2)絕緣層厚度 0.5μm~2μm,絕緣層膜厚均勻性≦5% (3)元件層厚度≧8μm (4)元件層厚度均勻性 ±5% | 潛力預估: SOI應用領域相當廣泛,如:微機電元件、High Power IC、光通訊元件等。以SOI晶圓取代目前微機電相關製程技術,可大幅提升產品競爭力,因此,預估在未來3年內SOI晶圓市場將會有爆炸性之成長

奈米微粒製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)研磨分散設備:研磨槽容積:1.6L,切線速度:15m/s,研磨介質粒徑:0.1mm(最小) (2)高壓均質設備:最大壓力:280MPa,流量:25L/hr | 潛力預估: 奈米微粒製造技術開發完成奈米微粒研磨分散設備及高壓均質設備,針對奈米等級微粒粉碎、分散、乳化等濕式製程均可適用,是奈米產業發展的重要設備技術。本技術完成後,可提供國內具備價格、彈性、和性能等優勢的製造...

模組化高剛性平台

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奈米機械隔振模組技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1-400Hz以內均有減振之效果,其中垂直方向在6Hz以上之減振能力為-14dB(80%),水平方向在6Hz以上之減振能力為-12dB(75%) | 潛力預估: 隨著奈米科技及相關技術之不斷提昇,使得相關之奈米級檢測設備之應用更為普及。對於小型之奈米檢測設備如SPM及AFM,本模組可有效地與檢測設備結合,以取代大型之光學桌及氣墊隔振系統,並且能在低頻提供更好的...

線型馬達高速切削加工機技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: X/Y/Z行程:800×600×500mm X/Y/Z‧??? 最大進給速度:120m/min X/Y/Z‧??? 最大進給加速度:2G‧???主軸最高轉速:24,000rpm | 潛力預估: 近年來高速切削之相關技術蓬勃發展,其應用範圍已從早期侷限於航太業鋁合金切削擴充至汽車業、模具業、電子業,切削材料除傳統的鋁合金切削外,亦包括鑄鐵、合金鋼、複合材料與高硬度材料。高速切削具有高切削量、低...

串列網路伺服運動控制應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ??? 串列網路伺服軸:8軸(Mitsubishi SSCNET),可擴充至16軸/泛用開迴路:4軸/泛用閉迴路:1軸,可擴充至5軸/數位轉類比:2組(16 bits),可擴充至6組/類比轉數位:2組... | 潛力預估: 可實現高速、高精度的定位控制,及多軸即時同步運動控制,在不用增加控制母板下,硬體軸數與IO點數擴充彈性大,為國內光電半導體設備與CNC工具機業,提供了一個降低系統配線複雜度與維護簡單化的有效解決方案。

光通訊TO-Can雷射銲接機

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 雷射束數目:3/雷射型式:Nd:YAG/功率:20 W/視覺與雷射頭分離/X1 軸行程: 50mm, 定位精度: 5μm, 解析度: 0.2μm/Y1軸 (手動) | 潛力預估:

光隔絕器自動對光與自動錫銲固著技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧??? 自動對光技術:單光束自動對光 < 3 分鐘/自動錫銲技術:錫銲固著後,插入損失小於0.2dB | 潛力預估: 自動對光技術為光電元件構裝相關產業之關鍵技術,未來具有廣大的市場發展潛力。自動錫銲技術可以較高的品質及穩定性來取代人工,除已被廣為使用的電子產業外,於新興的光電產業亦具有高度發產空間

平面光波導自動構裝系統

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光通訊多通道元件對光技術對光型式:Fiber Array to Fiber Array/‧ 通道數:8 | 潛力預估: 以光通訊元件的發展趨勢來看,均朝向模組化、高頻寬、多通道數、低成本、小體積發展,所以平面光波導將會是未來光通訊網路中相當重要的元件。目前日本及歐美等國正極力促成光通訊網路的建立,因此未來平面光波導元件...

晶片/晶圓鍵合技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度:±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )/大面積加熱板溫度控制技術:250± 1℃/瞬間加熱板溫度控制技術:500± 5℃/視覺對位技... | 潛力預估: 熱超音波覆晶技術具高效率及綠色製程特性,將成為覆晶技術主流製程之一/高速取放技術有效提昇設備競爭力/精密定位系統大幅提昇設備製程良率/製程設備整合開發,提供使用者統和解決方案/掌握關鍵模組開發能力,縮...

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