複雜事件處理共通架構技術
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文複雜事件處理共通架構技術的執行單位是資策會, 產出年度是100, 產出單位是資策會, 計畫名稱是先進感知平台與綠能應用系統技術計畫, 領域是電資通光, 技術規格是1.提供複雜事件處理之共通架構,具備複雜事件共通架構之高彈性事件互通介面與事件處理流程。 2.提供 Streaming-based事件處理平台。 3.提供共通化事件的syntax,讓使用者自行定義事件。 4.具備可重複組合事件條件、時序關聯性的架構。, 潛力預估是在各類能源資訊管理與服務系統中所需的能源事件辨識功能不盡相同,這套共通變式引擎可使服務建構廠商依據應用需求,描述資訊來源、事件處理單元功能、事件反應單元,使新興服務需求得以藉由重複應用此引擎,而可以快速建立的目的。.

序號5191
產出年度100
技術名稱-中文複雜事件處理共通架構技術
執行單位資策會
產出單位資策會
計畫名稱先進感知平台與綠能應用系統技術計畫
領域電資通光
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文著重於複雜事件辨識引擎核心 - 事件樣型搜尋 (event pattern matching) 演算法進行佈局;並且制定一套可擴充的共通化事件處理rule syntax,以支援各種事件處理應用情境。
技術現況敘述-英文The focus is on the core of recognition engines for complex events with the planning of algorithms for event pattern matching. Shared rule syntax is also established for the processing of various events in different scenarios.
技術規格1.提供複雜事件處理之共通架構,具備複雜事件共通架構之高彈性事件互通介面與事件處理流程。 2.提供 Streaming-based事件處理平台。 3.提供共通化事件的syntax,讓使用者自行定義事件。 4.具備可重複組合事件條件、時序關聯性的架構。
技術成熟度雛型
可應用範圍行為感知、智慧電表資料分析、負載預測、節省能源。
潛力預估在各類能源資訊管理與服務系統中所需的能源事件辨識功能不盡相同,這套共通變式引擎可使服務建構廠商依據應用需求,描述資訊來源、事件處理單元功能、事件反應單元,使新興服務需求得以藉由重複應用此引擎,而可以快速建立的目的。
聯絡人員吳建明 經理
電話02-6607-3162
傳真02-6607-1007
電子信箱ray@iii.org.tw
參考網址http://www.iii.org.tw
所須軟硬體設備個人電腦、網路通訊設備。
需具備之專業人才熟悉C程式語言、Java程式語言。

序號

5191

產出年度

100

技術名稱-中文

複雜事件處理共通架構技術

執行單位

資策會

產出單位

資策會

計畫名稱

先進感知平台與綠能應用系統技術計畫

領域

電資通光

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

著重於複雜事件辨識引擎核心 - 事件樣型搜尋 (event pattern matching) 演算法進行佈局;並且制定一套可擴充的共通化事件處理rule syntax,以支援各種事件處理應用情境。

技術現況敘述-英文

The focus is on the core of recognition engines for complex events with the planning of algorithms for event pattern matching. Shared rule syntax is also established for the processing of various events in different scenarios.

技術規格

1.提供複雜事件處理之共通架構,具備複雜事件共通架構之高彈性事件互通介面與事件處理流程。 2.提供 Streaming-based事件處理平台。 3.提供共通化事件的syntax,讓使用者自行定義事件。 4.具備可重複組合事件條件、時序關聯性的架構。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

行為感知、智慧電表資料分析、負載預測、節省能源。

潛力預估

在各類能源資訊管理與服務系統中所需的能源事件辨識功能不盡相同,這套共通變式引擎可使服務建構廠商依據應用需求,描述資訊來源、事件處理單元功能、事件反應單元,使新興服務需求得以藉由重複應用此引擎,而可以快速建立的目的。

聯絡人員

吳建明 經理

電話

02-6607-3162

傳真

02-6607-1007

電子信箱

ray@iii.org.tw

參考網址

http://www.iii.org.tw

所須軟硬體設備

個人電腦、網路通訊設備。

需具備之專業人才

熟悉C程式語言、Java程式語言。

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【台北場】人力資源管理師認證班

活動類型: 課程 | 付費方式: 收費 | 開始時間: 2024-09-15 09:00:00 | 結束時間: 2024-11-03 16:00:00 | 地區縣市: 臺北市 | 活動地點: 台北市大安區建國南路二段231號 | 地點名稱: 中國文化大學建國分部

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【台北場】人力資源管理師認證班

活動類型: 課程 | 付費方式: 收費 | 開始時間: 2024-09-15T09:00:00 | 結束時間: 2024-11-03T16:00:00 | 地區縣市: 臺北市 | 活動地點: 台北市大安區建國南路二段231號 | 地點名稱: 中國文化大學建國分部

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【台中場】人力資源管理師認證班

活動類型: 課程 | 付費方式: 收費 | 開始時間: 2024-10-05 09:00:00 | 結束時間: 2024-11-23 16:00:00 | 地區縣市: 臺中市 | 活動地點: 台中市西屯區台灣大道四段1727號 | 地點名稱: 東海大學推廣部

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【台中場】人力資源管理師認證班

活動類型: 課程 | 付費方式: 收費 | 開始時間: 2024-10-26 09:00:00 | 結束時間: 2024-12-14 16:00:00 | 地區縣市: 臺中市 | 活動地點: 台中市西屯區台灣大道四段1727號 | 地點名稱: 東海大學推廣部

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【台中場】人力資源管理師認證班

活動類型: 課程 | 付費方式: 收費 | 開始時間: 2024-10-26T09:00:00 | 結束時間: 2024-12-14T16:00:00 | 地區縣市: 臺中市 | 活動地點: 台中市西屯區台灣大道四段1727號 | 地點名稱: 東海大學推廣部

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建構智慧健康生活:巨量資料及ICT之加值應用(4/4)

主辦機關: 衛生福利部 | 計畫類別(次類別): 延續重點政策計畫 | 隸屬專案(子專案): | 年度: 109 | 計畫期程(起): 20170101 | 計畫期程(訖): 20201231 | 年累計實際進度: 96.03% | 年累計預定進度: 100.00% | 年累計預算執行率(%): 96.03% | 年度預算達成率(%): 96.03% | 重要執行成果: 計畫亮點:「1.「建構智慧健康城市」運用已驗證及發展之健康日誌APP、智慧大富翁集點活動、健走揪團等智慧平台、手環、扣環載具等,於16鄉鎮和38家職場推動「智慧健康職場服務模式」,共同嘗試智慧健康社區...

@ 政府科技發展計畫清單

【台北場】薪資管理師認證班

活動類型: 課程 | 付費方式: 收費 | 開始時間: 2024-11-17 09:00:00 | 結束時間: 2025-01-05 16:00:00 | 地區縣市: 臺北市 | 活動地點: 台北市大安區建國南路二段231號 | 地點名稱: 中國文化大學建國分部

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【台北場】薪資管理師認證班

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活動類型: 課程 | 付費方式: 收費 | 開始時間: 2024-09-15 09:00:00 | 結束時間: 2024-11-03 16:00:00 | 地區縣市: 臺北市 | 活動地點: 台北市大安區建國南路二段231號 | 地點名稱: 中國文化大學建國分部

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活動類型: 課程 | 付費方式: 收費 | 開始時間: 2024-10-05 09:00:00 | 結束時間: 2024-11-23 16:00:00 | 地區縣市: 臺中市 | 活動地點: 台中市西屯區台灣大道四段1727號 | 地點名稱: 東海大學推廣部

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建構智慧健康生活:巨量資料及ICT之加值應用(4/4)

主辦機關: 衛生福利部 | 計畫類別(次類別): 延續重點政策計畫 | 隸屬專案(子專案): | 年度: 109 | 計畫期程(起): 20170101 | 計畫期程(訖): 20201231 | 年累計實際進度: 96.03% | 年累計預定進度: 100.00% | 年累計預算執行率(%): 96.03% | 年度預算達成率(%): 96.03% | 重要執行成果: 計畫亮點:「1.「建構智慧健康城市」運用已驗證及發展之健康日誌APP、智慧大富翁集點活動、健走揪團等智慧平台、手環、扣環載具等,於16鄉鎮和38家職場推動「智慧健康職場服務模式」,共同嘗試智慧健康社區...

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低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等,涵蓋所有消費性家電,市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計,包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證,內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫,提供客戶設計階段導入應用之服務,提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發,包括下列各項軟體技術: 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台,提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發,具備完整的原始碼,除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外,將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口,降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能,以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求,進行客製化設計

行動終端垂直應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: J2ME JSR180 SIP API:1.Support peer-to-peer model、2.protocol for communication services;Responsive KV... | 潛力預估: 提升本國Smart Mobile IP Phone製造商之嵌入式軟體自製率3%,降低5%的生產成本,縮短10%的Time-to-market,提升產品出貨量達3%。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等,涵蓋所有消費性家電,市場影響之大無庸置疑。

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 | 領域: | 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計,包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證,內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... | 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫,提供客戶設計階段導入應用之服務,提昇產業技術門檻與競爭力。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS

加強型行動終端應用程式發展平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 適用於PDA Phone、Smart Phone等行動式終端產品之應用程式開發,包括下列各項軟體技術: 行動應用程式開發模組、行動應用開發模擬器、應用程式監控/除錯套件、行動終端環境管理工具、行動應用... | 潛力預估: 為國內少數自行開發整合之應用程式開發平台,提供包括Java、WAP WML及Native C應用程式開發,具備完整的原始碼,除配合英華達MAP業界科專第三代手機平台技術研發外,將來更可作為其它個人電...

行動服務交付平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: Compliant to OMA DRM 1.0 standard、Compliant to Nokia/Ericsson DRM spec、Support OMA DRM Delivery meth... | 潛力預估: 建立國內研發行動數位內容保護的核心技術與能量、可以有效取代進口,降低製造廠商生產成本、提供國內廠商既有產品的加值功能,以最經濟的方式升級成為具備DRM功能的終端裝置、可針對特殊應用需求,進行客製化設計

行動終端垂直應用平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: J2ME JSR180 SIP API:1.Support peer-to-peer model、2.protocol for communication services;Responsive KV... | 潛力預估: 提升本國Smart Mobile IP Phone製造商之嵌入式軟體自製率3%,降低5%的生產成本,縮短10%的Time-to-market,提升產品出貨量達3%。

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