技術名稱-中文可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術的執行單位是工研院電光所, 產出年度是101, 計畫名稱是3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫, 技術規格是"‧Write time ? 20ns,Endurance ? 10^12 cycles@20ns or equivalent ‧?6F²/bit(F:Bitline Half-pitch),Max current ? 70 uA, ? 10^10 cycles", 潛力預估是"‧垂直式自旋傳輸記憶體技術，其研究結果已顯示極低的寫入電流密度以及國際首見對稱的寫入電壓，具有45nm以下的embedded應用潛力。 ‧電阻式記憶體是一種新興的非揮發性記憶體技術，其儲存核心是一個可以隨外加電壓改變電阻值的氧化物，其元件結構為金屬-氧化物-金屬，所以可以簡單的應用在CMOS製程技....
| 序號 | 5734 |
| 產出年度 | 101 |
| 技術名稱-中文 | 可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | "可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術乃以新型非揮發性記憶體為核心技術，主要研發項目包含垂直式STT MRAM及RRAM: ‧開發階梯狀垂直式STT元件結構，可完全消除外漏磁場效應。實驗結果證實元件可同時具有MR>80%、寫入電流密度2MA/cm2 (寫入電流<60uA)、以及對稱之STT翻轉行為，並且驗證20ns寫入特性。 ‧ RRAM元件的發展著重在操作之可靠度、穩定性以及阻值均勻度的提升，有助於推廣可做為嵌入記憶體的1T1R結構，並展現優異的記憶體特性，包含：1E10次操作次數以及小於1ns操作速度，此外，低電流操作(<50uA)使RRAM展現低功耗的潛力，應用在高密度記憶體能夠有效克服線電阻。" |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | "‧Write time ? 20ns,Endurance ? 10^12 cycles@20ns or equivalent ‧?6F²/bit(F:Bitline Half-pitch),Max current ? 70 uA, ? 10^10 cycles" |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | "‧Stand-alone RAM 獨立式記憶體 ‧Embedded Memory 嵌入式記憶體 ‧Data storage 資料存儲 ‧Hard drive replacement 硬式磁碟機代替 ‧Non-volatile logic/SRAM 非揮發邏輯/靜態隨機存儲器 " |
| 潛力預估 | "‧垂直式自旋傳輸記憶體技術，其研究結果已顯示極低的寫入電流密度以及國際首見對稱的寫入電壓，具有45nm以下的embedded應用潛力。 ‧電阻式記憶體是一種新興的非揮發性記憶體技術，其儲存核心是一個可以隨外加電壓改變電阻值的氧化物，其元件結構為金屬-氧化物-金屬，所以可以簡單的應用在CMOS製程技術中。然而電阻式記憶體在經過40多年的開發後，仍然有著操作穩定性不佳、可靠度不高、良率偏低等重大問題，因此遲遲無法實用化。本團隊過去四年藉由這個計畫的執行，成功的以創新的元件結構突破過去電阻式記憶體發展的瓶頸，除了將工研院研發電阻式記憶體的成果推向國際領先者，也讓電阻式記憶體的特性超越快閃記憶體以及 |
| 聯絡人員 | 鍾佩翰 |
| 電話 | 03-5912777 |
| 傳真 | 03-5917690 |
| 電子信箱 | stephen.chung@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://none |
| 所須軟硬體設備 | 1.MRAM PVD 2.MRAM Etcher 3.Magnetic Furnace 4.MRAM Tester 5.ALD 6.CVD 7.RTA 8.Etching設備 9.黃光設備 10.其它 CMOS 製程相關設備 |
| 需具備之專業人才 | 1.半導體製程能力 2.電機、電子、材料、物理等背景 |
序號5734 |
產出年度101 |
技術名稱-中文可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術 |
執行單位工研院電光所 |
產出單位(空) |
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文"可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術乃以新型非揮發性記憶體為核心技術，主要研發項目包含垂直式STT MRAM及RRAM: ‧開發階梯狀垂直式STT元件結構，可完全消除外漏磁場效應。實驗結果證實元件可同時具有MR>80%、寫入電流密度2MA/cm2 (寫入電流<60uA)、以及對稱之STT翻轉行為，並且驗證20ns寫入特性。 ‧ RRAM元件的發展著重在操作之可靠度、穩定性以及阻值均勻度的提升，有助於推廣可做為嵌入記憶體的1T1R結構，並展現優異的記憶體特性，包含：1E10次操作次數以及小於1ns操作速度，此外，低電流操作(<50uA)使RRAM展現低功耗的潛力，應用在高密度記憶體能夠有效克服線電阻。" |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格"‧Write time ? 20ns,Endurance ? 10^12 cycles@20ns or equivalent ‧?6F²/bit(F:Bitline Half-pitch),Max current ? 70 uA, ? 10^10 cycles" |
技術成熟度實驗室階段 |
可應用範圍"‧Stand-alone RAM 獨立式記憶體 ‧Embedded Memory 嵌入式記憶體 ‧Data storage 資料存儲 ‧Hard drive replacement 硬式磁碟機代替 ‧Non-volatile logic/SRAM 非揮發邏輯/靜態隨機存儲器 " |
潛力預估"‧垂直式自旋傳輸記憶體技術，其研究結果已顯示極低的寫入電流密度以及國際首見對稱的寫入電壓，具有45nm以下的embedded應用潛力。 ‧電阻式記憶體是一種新興的非揮發性記憶體技術，其儲存核心是一個可以隨外加電壓改變電阻值的氧化物，其元件結構為金屬-氧化物-金屬，所以可以簡單的應用在CMOS製程技術中。然而電阻式記憶體在經過40多年的開發後，仍然有著操作穩定性不佳、可靠度不高、良率偏低等重大問題，因此遲遲無法實用化。本團隊過去四年藉由這個計畫的執行，成功的以創新的元件結構突破過去電阻式記憶體發展的瓶頸，除了將工研院研發電阻式記憶體的成果推向國際領先者，也讓電阻式記憶體的特性超越快閃記憶體以及 |
聯絡人員鍾佩翰 |
電話03-5912777 |
傳真03-5917690 |
電子信箱stephen.chung@itri.org.tw |
參考網址http://none |
所須軟硬體設備1.MRAM PVD 2.MRAM Etcher 3.Magnetic Furnace 4.MRAM Tester 5.ALD 6.CVD 7.RTA 8.Etching設備 9.黃光設備 10.其它 CMOS 製程相關設備 |
需具備之專業人才1.半導體製程能力 2.電機、電子、材料、物理等背景 |
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| 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1. MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns，Vc≦0.6V，Ic≦80uA 2. I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA，Cell size≦4F^2，Half pitch... | 潛力預估: 1. 垂直式自旋磁性記憶體技術」(MRAM)成功解決元件變小時容易導致記憶體失效的技術瓶頸，具有非揮發性、讀寫速度快、無限次讀寫、低耗能等優點，是工研院為台灣ICT產業在記憶體技術保留的火種之一，將協... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1. MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns，Vc≦0.6V，Ic≦80uA 2. I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA，Cell size≦4F^2，Half pitch... | 潛力預估: 1. 垂直式自旋磁性記憶體技術」(MRAM)成功解決元件變小時容易導致記憶體失效的技術瓶頸，具有非揮發性、讀寫速度快、無限次讀寫、低耗能等優點，是工研院為台灣ICT產業在記憶體技術保留的火種之一，將協... @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,397,584 | 專利期間起: 102/03/19 | 專利期間訖: 120/03/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 8397584 | 專利期間起: 102/03/19 | 專利期間訖: 120/03/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200610071485.9 | 專利期間起: 1999/5/12 | 專利期間訖: 115/03/23 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 張嘉伯 | 林志昇 | 蘇耿立 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,577,017 | 專利期間起: 98/08/18 | 專利期間訖: 115/10/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 李元仁 | 高明哲 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,646,635 | 專利期間起: 99/01/12 | 專利期間訖: 117/08/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥 | 王丁勇 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I330844 | 專利期間起: 1999/9/21 | 專利期間訖: 116/05/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 李元仁 | 高明哲 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I343574 | 專利期間起: 100/06/11 | 專利期間訖: 115/03/02 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 李元仁 | 王連昌 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200610058803.8 | 專利期間起: 1999/5/12 | 專利期間訖: 115/03/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 李元仁 | 王連昌 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,397,584 | 專利期間起: 102/03/19 | 專利期間訖: 120/03/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 8397584 | 專利期間起: 102/03/19 | 專利期間訖: 120/03/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200610071485.9 | 專利期間起: 1999/5/12 | 專利期間訖: 115/03/23 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 張嘉伯 | 林志昇 | 蘇耿立 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,577,017 | 專利期間起: 98/08/18 | 專利期間訖: 115/10/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 李元仁 | 高明哲 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,646,635 | 專利期間起: 99/01/12 | 專利期間訖: 117/08/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥 | 王丁勇 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I330844 | 專利期間起: 1999/9/21 | 專利期間訖: 116/05/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 李元仁 | 高明哲 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I343574 | 專利期間起: 100/06/11 | 專利期間訖: 115/03/02 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 李元仁 | 王連昌 @ 技術司專利資料集 |
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| 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: ˙ 應用不織布薄膜之新型膜離生物反應器技術
˙ 薄膜孔隙大小：10- 100 μm
˙ 比通量≧0.2 m3/m2-d
˙ 薄膜模組過濾面積≧150 m2/ m3 | 潛力預估: ˙ 提昇現有生物處理程序處理效能，降低成本達20%以上。
˙ 應用本土開發膜材，將可帶動國內環保材料之生產，提高產業之國際競爭力。 |
| 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: ˙ 建立低污泥的廢水生物與物化處理技術的整合性評估方法提供業界經濟可行的廢水再生技術與設備 。
˙ 提高整廠水回收率。 | 潛力預估: 可以促使場內回收水資源達30% 以上。 |
| 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 光觸媒材料固定化技術，及光觸媒溶液配製技術。
‧光觸媒空氣淨化、滅菌、防污、自我潔淨等環境淨化技術。 | 潛力預估: 建立光觸媒塗佈產品之淨化效果驗證技術，以協助業界推廣光觸媒產品，並進入光觸媒產品市場。 |
| 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 厭氧薄膜生物處理設計技術包含積垢(fouling)與結垢(scaling)防止技術。 | 潛力預估: 結合厭氧與好氧反應於一組薄膜系統，提昇薄膜之經濟效益40％以上，且廢水濃度越高，效益越大。 |
| 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 生物安全櫃電腦輔助設計技術、場地測試技術、製程技術 | 潛力預估: ˙ 已獲得生物安全櫃專利，較國外同質產品更具價格競爭優勢。
˙ 安全櫃檢測成本低於國外30%以上。
˙ 解決生物安全場所消防難題。 |
| 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: ‧二維溫度即時監控系統
‧ 溫度監測線上補償技術
‧機電設備網路化資料庫系統 | 潛力預估: ˙ 預知機電設備失效劣化前，所產生之訊息，確立防護措施，以確保安全。
˙ 網路資料庫之建立與溫度即時監控系統，使管理階層能完全掌握及控制因溫度異常所造成之失效。 |
| 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 建立廢棄物追蹤管理制度
建立傳染性醫療院所感染預防與災害應變作業手冊 | 潛力預估: ˙ 驗證廢棄物追蹤管理技術在廢棄物處理業及醫療院所之應用。
˙ 可有效降低醫療廢棄物在儲存、運送、消毒與滅菌、最終處置過程中所可能造成之危害與風險。
˙ 確保廢棄物被安全有效地處置。 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 產品規格如下：
－泵轉速：1800~3600rpm
－輸出流量：10~40cc/rev
－輸出壓力：3,000psi
－吐出量調整：12~64 L/Min@60Hz
－出力：1.5~5.5 kw/... | 潛力預估: 可用於各類型具磁場、應力、壓力、流量…等參數分析產業之產品設計開發。 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 成型機高壓液壓動力系統規格：
－擠壓噸數：1800噸
－擠壓速度：19mm/sec
－泵：476 L/min x 210 kg/cm2 x 960 rpm 2具
－主馬達：3相 380V 250HP ... | 潛力預估: 可應用於各類型高壓機械產品之設計開發。 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧符合民航局適航指令AD 2002-09-002加壓機身修理容損評估之要求。
‧符合FAA AC 120-73加壓機身修理容損評估之要求。
‧符合FAR 25.571 結構疲勞容損評估之要求。 | 潛力預估: 可應用於各類型民航機、軍機之結構修補工程。 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧民航機結構維護管理系統之系統分析符合CAA/FAA/JAA民航法規Repair Station規定(Far 129等)。
‧符合原廠AD(Airworthiness)/SB(Service Bull... | 潛力預估: 可應用於各類型民航機、軍機之結構維護管理工程。 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 密封膠粒拉伸強度200psi、剝離強度20 lb、伸長量≧200%；於燃油環境下浸泡120小時，硬度≧35(測試依據FTMS No.601 method 3021)。 | 潛力預估: 可應用於各類型遊艇及船舶。 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 面板基材：PET、PES…等塑膠基材，可見光穿透率>80%，片電阻20~500Ω/□Ω/□，製程溫度40dB@50MHz~ 1GHz | 潛力預估: 可應用於商用顯示之電磁屏蔽面板、綠色建築材料、顯示面板透明電極材料、可撓性基板電極材料等開發。 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧完成3D?尺寸纖維預型物技術開發，結合編織套帶及多層多軸向纖維布及發泡蕊材，以提昇纖維補強效率，降低結構重量，可達20%以上。
‧以螺旋槳引擎之複材動力葉片為載體，旋徑54英吋以上，完成樹脂轉注成型... | 潛力預估: 可應用於輕航機之螺槳葉片、各式工業用風扇葉片、水下推進器及風力機之複材葉片等項 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 模具表面粗度為63√,零件表面粗度為125√，零件可預先包覆進行成型作業 | 潛力預估: 可應用於各式複雜複材結構零件的成型模具製作 |
執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: ˙ 應用不織布薄膜之新型膜離生物反應器技術
˙ 薄膜孔隙大小：10- 100 μm
˙ 比通量≧0.2 m3/m2-d
˙ 薄膜模組過濾面積≧150 m2/ m3 | 潛力預估: ˙ 提昇現有生物處理程序處理效能，降低成本達20%以上。
˙ 應用本土開發膜材，將可帶動國內環保材料之生產，提高產業之國際競爭力。 |
執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: ˙ 建立低污泥的廢水生物與物化處理技術的整合性評估方法提供業界經濟可行的廢水再生技術與設備 。
˙ 提高整廠水回收率。 | 潛力預估: 可以促使場內回收水資源達30% 以上。 |
執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 光觸媒材料固定化技術，及光觸媒溶液配製技術。
‧光觸媒空氣淨化、滅菌、防污、自我潔淨等環境淨化技術。 | 潛力預估: 建立光觸媒塗佈產品之淨化效果驗證技術，以協助業界推廣光觸媒產品，並進入光觸媒產品市場。 |
執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 厭氧薄膜生物處理設計技術包含積垢(fouling)與結垢(scaling)防止技術。 | 潛力預估: 結合厭氧與好氧反應於一組薄膜系統，提昇薄膜之經濟效益40％以上，且廢水濃度越高，效益越大。 |
執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 生物安全櫃電腦輔助設計技術、場地測試技術、製程技術 | 潛力預估: ˙ 已獲得生物安全櫃專利，較國外同質產品更具價格競爭優勢。
˙ 安全櫃檢測成本低於國外30%以上。
˙ 解決生物安全場所消防難題。 |
執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: ‧二維溫度即時監控系統
‧ 溫度監測線上補償技術
‧機電設備網路化資料庫系統 | 潛力預估: ˙ 預知機電設備失效劣化前，所產生之訊息，確立防護措施，以確保安全。
˙ 網路資料庫之建立與溫度即時監控系統，使管理階層能完全掌握及控制因溫度異常所造成之失效。 |
執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 建立廢棄物追蹤管理制度
建立傳染性醫療院所感染預防與災害應變作業手冊 | 潛力預估: ˙ 驗證廢棄物追蹤管理技術在廢棄物處理業及醫療院所之應用。
˙ 可有效降低醫療廢棄物在儲存、運送、消毒與滅菌、最終處置過程中所可能造成之危害與風險。
˙ 確保廢棄物被安全有效地處置。 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 產品規格如下：
－泵轉速：1800~3600rpm
－輸出流量：10~40cc/rev
－輸出壓力：3,000psi
－吐出量調整：12~64 L/Min@60Hz
－出力：1.5~5.5 kw/... | 潛力預估: 可用於各類型具磁場、應力、壓力、流量…等參數分析產業之產品設計開發。 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 成型機高壓液壓動力系統規格：
－擠壓噸數：1800噸
－擠壓速度：19mm/sec
－泵：476 L/min x 210 kg/cm2 x 960 rpm 2具
－主馬達：3相 380V 250HP ... | 潛力預估: 可應用於各類型高壓機械產品之設計開發。 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧符合民航局適航指令AD 2002-09-002加壓機身修理容損評估之要求。
‧符合FAA AC 120-73加壓機身修理容損評估之要求。
‧符合FAR 25.571 結構疲勞容損評估之要求。 | 潛力預估: 可應用於各類型民航機、軍機之結構修補工程。 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧民航機結構維護管理系統之系統分析符合CAA/FAA/JAA民航法規Repair Station規定(Far 129等)。
‧符合原廠AD(Airworthiness)/SB(Service Bull... | 潛力預估: 可應用於各類型民航機、軍機之結構維護管理工程。 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 密封膠粒拉伸強度200psi、剝離強度20 lb、伸長量≧200%；於燃油環境下浸泡120小時，硬度≧35(測試依據FTMS No.601 method 3021)。 | 潛力預估: 可應用於各類型遊艇及船舶。 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 面板基材：PET、PES…等塑膠基材，可見光穿透率>80%，片電阻20~500Ω/□Ω/□，製程溫度40dB@50MHz~ 1GHz | 潛力預估: 可應用於商用顯示之電磁屏蔽面板、綠色建築材料、顯示面板透明電極材料、可撓性基板電極材料等開發。 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧完成3D?尺寸纖維預型物技術開發，結合編織套帶及多層多軸向纖維布及發泡蕊材，以提昇纖維補強效率，降低結構重量，可達20%以上。
‧以螺旋槳引擎之複材動力葉片為載體，旋徑54英吋以上，完成樹脂轉注成型... | 潛力預估: 可應用於輕航機之螺槳葉片、各式工業用風扇葉片、水下推進器及風力機之複材葉片等項 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 模具表面粗度為63√,零件表面粗度為125√，零件可預先包覆進行成型作業 | 潛力預估: 可應用於各式複雜複材結構零件的成型模具製作 |
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