可重複寫入之 i2R 電子紙技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文可重複寫入之 i2R 電子紙技術的執行單位是工研院顯示中心, 產出年度是101, 計畫名稱是先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫, 技術規格是300dpi 24cmx100cm 寫入速度: 1cm/, 潛力預估是在利基巿場,如電子票卡等,具備成本與影像品質之優勢.

序號5782
產出年度101
技術名稱-中文可重複寫入之 i2R 電子紙技術
執行單位工研院顯示中心
產出單位(空)
計畫名稱先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文熱寫入 電極無須圖案化 面板穩定性已可送樣 寫入設備成熟
技術現況敘述-英文(空)
技術規格300dpi 24cmx100cm 寫入速度: 1cm/
技術成熟度試量產
可應用範圍電子票卡 來賓識別證
潛力預估在利基巿場,如電子票卡等,具備成本與影像品質之優勢
聯絡人員李中禕
電話03-5914195
傳真03-5913482
電子信箱leechungi@itri.org.tw
參考網址http://-
所須軟硬體設備R2R 生產線
需具備之專業人才顯示器製程
同步更新日期2019-07-24

序號

5782

產出年度

101

技術名稱-中文

可重複寫入之 i2R 電子紙技術

執行單位

工研院顯示中心

產出單位

(空)

計畫名稱

先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

熱寫入 電極無須圖案化 面板穩定性已可送樣 寫入設備成熟

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

300dpi 24cmx100cm 寫入速度: 1cm/

技術成熟度

試量產

可應用範圍

電子票卡 來賓識別證

潛力預估

在利基巿場,如電子票卡等,具備成本與影像品質之優勢

聯絡人員

李中禕

電話

03-5914195

傳真

03-5913482

電子信箱

leechungi@itri.org.tw

參考網址

http://-

所須軟硬體設備

R2R 生產線

需具備之專業人才

顯示器製程

同步更新日期

2019-07-24

根據名稱 可重複寫入之 i2R 電子紙技術 找到的相關資料

無其他 可重複寫入之 i2R 電子紙技術 資料。

[ 搜尋所有 可重複寫入之 i2R 電子紙技術 ... ]

根據電話 03-5914195 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5914195 ...)

軟性基板製程技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: (1)軟性基板材質︰PI;(2)規格︰厚度20~75μm,塗佈成形均勻性±3%,surface roughness≦20Å,基板翹曲量小於2mm@370mm*470mm*2.8mm玻璃載板... | 潛力預估: 2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元,此外,在IMI 2005年國際會議上,由IT Strategy公司所公布資料,全球應用於大型佈告顯示產業超過1千億...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

軟性非晶矽電晶體及顯示陣列設計技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: (1)規格︰曲率半徑≦5cm;Ion/Ioff>10(4次方);Before Debounding Vth≦5V;Under Bending △Vth≦3.5V;Saturation Mobility... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT,且無需採購新設備,減少設備資本支出,在現有之設備能力內,可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現,降低跨入軟性顯示器之門檻。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

軟性非晶矽電晶體及顯示陣列設計技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff>104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.15... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備,減少設備資本支出,在現有之設備能力內,可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現,降低跨入軟性顯示器之門檻。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

軟性矽基電晶體及顯示陣列設計技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff>104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.5c... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備,減少設備資本支出,在現有之設備能力內,可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現,降低跨入軟性顯示器之門檻。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

單基板軟性觸控薄膜

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: TCO:ITO 膜厚:< 50nm 片電阻值:< 25Ω/□ 感測模組:投射式電容 光學穿透率:85%以上 b*:≦2 | 潛力預估: 隨著電子書應用市場的興起,2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元,此外,在IMI 2005年國際會議上,由IT Strategy公司所公布資料,全球應用於...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

軟性基板製程技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 軟性基板材質:PI (2) 規格︰厚度15μm,塗佈成形均勻性±3%,surface roughness≦20?,基板翹曲量小於1.5mm@370mmx470mmx0.7mm玻璃載板,取下外觀... | 潛力預估: 2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元。此外,在IMI 2005年國際會議上,由IT Strategy公司所公佈資料,全球應用於大型佈告顯示產業超過1千億...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

軟性矽基電晶體及顯示陣列設計技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm,Ion/Ioff>10E4,Before De-bonding Vth≦5V,Under Bending ΔVth≦3.5V,Saturation Mobility≧0.5... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備,減少設備資本支出,在現有之設備能力內,可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現,降低跨入軟性顯示器之門檻

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

顯示互動元件與驅動技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Size:6” 2. Thickness:< 30μm 3. Transparency:≧ 85% 4. CIE: (a*,b*) < 5 5. Bending Test * Be... | 潛力預估: 為目前世界首創軟性觸控自發光顯示薄膜技術,此技術具有可大型化、輕量化及易貼合等優點。本技術可應用於高畫質彩色化捲軸式顯示器、曲面顯示器及軟性電子閱讀器等產品。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

軟性基板製程技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: (1)軟性基板材質︰PI;(2)規格︰厚度20~75μm,塗佈成形均勻性±3%,surface roughness≦20Å,基板翹曲量小於2mm@370mm*470mm*2.8mm玻璃載板... | 潛力預估: 2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元,此外,在IMI 2005年國際會議上,由IT Strategy公司所公布資料,全球應用於大型佈告顯示產業超過1千億...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

軟性非晶矽電晶體及顯示陣列設計技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: (1)規格︰曲率半徑≦5cm;Ion/Ioff>10(4次方);Before Debounding Vth≦5V;Under Bending △Vth≦3.5V;Saturation Mobility... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT,且無需採購新設備,減少設備資本支出,在現有之設備能力內,可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現,降低跨入軟性顯示器之門檻。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

軟性非晶矽電晶體及顯示陣列設計技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff>104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.15... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備,減少設備資本支出,在現有之設備能力內,可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現,降低跨入軟性顯示器之門檻。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

軟性矽基電晶體及顯示陣列設計技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff>104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.5c... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備,減少設備資本支出,在現有之設備能力內,可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現,降低跨入軟性顯示器之門檻。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

單基板軟性觸控薄膜

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: TCO:ITO 膜厚:< 50nm 片電阻值:< 25Ω/□ 感測模組:投射式電容 光學穿透率:85%以上 b*:≦2 | 潛力預估: 隨著電子書應用市場的興起,2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元,此外,在IMI 2005年國際會議上,由IT Strategy公司所公布資料,全球應用於...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

軟性基板製程技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 軟性基板材質:PI (2) 規格︰厚度15μm,塗佈成形均勻性±3%,surface roughness≦20?,基板翹曲量小於1.5mm@370mmx470mmx0.7mm玻璃載板,取下外觀... | 潛力預估: 2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元。此外,在IMI 2005年國際會議上,由IT Strategy公司所公佈資料,全球應用於大型佈告顯示產業超過1千億...

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

軟性矽基電晶體及顯示陣列設計技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm,Ion/Ioff>10E4,Before De-bonding Vth≦5V,Under Bending ΔVth≦3.5V,Saturation Mobility≧0.5... | 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備,減少設備資本支出,在現有之設備能力內,可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現,降低跨入軟性顯示器之門檻

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

顯示互動元件與驅動技術

執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Size:6” 2. Thickness:< 30μm 3. Transparency:≧ 85% 4. CIE: (a*,b*) < 5 5. Bending Test * Be... | 潛力預估: 為目前世界首創軟性觸控自發光顯示薄膜技術,此技術具有可大型化、輕量化及易貼合等優點。本技術可應用於高畫質彩色化捲軸式顯示器、曲面顯示器及軟性電子閱讀器等產品。

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
[ 搜尋所有 03-5914195 ... ]

與可重複寫入之 i2R 電子紙技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

玻璃模造硬膜製程技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 可承受模造溫度570℃以下,模造次數為2,700至5,000次。 | 潛力預估: 因硬膜壽命的增加將可大幅降低模造玻璃鏡片的成本,提高產品的市場競爭力。

LED背光模組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ RGB LED ‧ 面板尺寸:30吋 ‧ 中心點輝度:>10000 nits ‧ 照明均勻性:>85% ‧ Color Gamut:90% NTSC | 潛力預估: 傳統大面積的液晶背光模組均使用的CCFL(冷陰極管)光源,缺點是無法同時擴大液晶顯示器的色彩表現範圍和提高亮度。開發LED背光模組,其具「無汞」、「壽命長」、「高輝度」、「無水銀」、「高色再現性」等特...

IJP PLED全彩製程技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 噴墨技術:熱氣泡噴墨方式 ‧ 噴墨溶液:PEDOT水溶液、RGB LEP有機溶液 ‧ 基板大小:200mm x 200 mm ‧ 液滴體積:80 pl for 80 ppi、35 pl for 1... | 潛力預估: IJP PLED顯示技術可利用Drop on demand之噴墨方式使有機高分子成膜,具有大面積化及省材料、低污染之優勢,為目前全球研究單位及廠商積極投入之研發領域,目前已有主動式全彩之PLED顯示...

數位彩色視訊影像品質評量技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Gamma量測 ‧ 色域量測 ‧ 色彩精準度量測 (Eab) ‧ 畫面均勻度量測 ‧ 雜訊量測 (靜態影像及動態視訊) ‧ Flare特性量測 ‧ 自動曝光(AE)反應時間及精準度量測 ‧ 自動... | 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品,因此技術之潛在利用機率極高。

CCD/CMOS數位影像處理器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧8 bit Ye, Cy, Mg and G complementary color mosaic input. ‧Digital output(CCIR601 format). ‧Serial i... | 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品,總產品市場量預估可達到每年一億套以上,因此技術之潛在利用機率極高。

控制光學變焦之自動對焦/自動光圈調整技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧螺桿式光學變焦鏡頭。 ‧步進馬達控制。 ‧直流馬達控制。 ‧數位影像處理。 | 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品,總產品市場量預估可達到每年一億套以上,因此技術之潛在利用機率極高。

MPEG-2錄放影系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Embedded System Architecture -32-Bit x86 SoC. -Embedded Linux OS. -Internet accessing. ‧Video Signa... | 潛力預估: 根據Frost&Sullivan一份最新的預估顯示,未來安全監控產業每年的平均成長率至少可達12~15%左右。

人體/人臉掃描量測

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧掃描範圍:高:1900mm,寬:1000mm,深度:850mm。 ‧掃描速度:8秒完成全身掃描。 ‧ 解析度:4mm(垂直),1mm(深度)。 ‧ 樑測精度:1mm。 | 潛力預估: 此技術可以廣泛應用在醫療、美容及服飾相關領域,作為其服務的前端輸入及後端驗證,並可藉此技術建立所需之資料庫,供更多領域應用。目前已經可以作小型輕量化的產品設計,更適合ㄧ般門市商店的科技服務應用。

3D照相機

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 量測面積:360mm * 240mm ‧ 量測精度:±0.15mm ‧ 量測解析度:1.2mm ‧ 取像速度:0.2 sec/frame | 潛力預估: 由於價格極具競爭力,可成為製作客製化商品之廠商(例如雷射內雕、人像雕刻等)之快速建模工具,降低廠商成本負擔。另外可運用於數位典藏,輔助建構擬真模型,可用於虛擬博物館中典藏品展示。

3D模型建構技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧視窗操作介面:平移、放大、縮小及任意視角顯示。 ‧3D資料編輯工具:如資料平滑化、雜訊濾除、破洞填補、細分割、特徵強化等 ‧資料壓縮與重整。 ‧3D資料疊合與整合。 ‧材質整合與編輯:色彩整合、調整... | 潛力預估: 相較於ㄧ般價格昂貴的3D點群處理套裝軟體,TriD提供物超所值的功能,例如可擴充的特徵線處理功能,絕非大型套裝軟體所及,更可針對各產業的需求發展出特有功能,不失為小而美的CAD精品。

可攜式3D掃描器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧量測面積:200mm×200mm~300mm×300mm。 ‧量測精度:±0.1mm。 ‧掃描速度:60lines/sec。 | 潛力預估: 從傳統工業應用到最熱門之3D遊戲、動畫、製作,可攜式3D掃描器應用範圍廣泛,是目前彩色3D量測中最具精確度的系統。尤其多台組合後,可以同步控制作特殊的量測用途。

高速光傳接模組技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧1.25Gigabit Ethernet Transceiver:單模/Output Power>-11dBm.Sensitivity-10dBm.Sensitivity-8dBm.Sensitiv... | 潛力預估: 將可與國際模組廠商作技術競爭並符合國際系統廠商規格同時將參與國際光通訊規格制定。

高速光電元件技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 符合2.5Gigabit Ethernet要求。 ‧ 符合Bellcore 468元件環測要求。 | 潛力預估: 因應將來FTTX時機的到來,會對LD與PIN的市場需求量大增,故應提昇培養技術成熟度與量產的技巧,以符合未來市場或技轉的要求。

摻鉺光纖放大器製作技術 (Erbium-Doped Fiber Amplifier Assembling Technology)

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Operation Wavelength:1530~1560nm. ‧ Input Power:-20dBm*16chs. ‧ Gain:>22Db. ‧ Gain Stability: | 潛力預估: 將開發寬頻光放大器及小型化技術以增加放大頻寬,強化光放大器產業,支援關鍵性技術開發,以發展Metro/Access網路環境技術。

微光機電技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 1x2/2x2 MEMS Switch Insertion Loss:0.8dB max. Switching time | 潛力預估: 具高精密、批量生產及低成本之優勢,為未來製程發展之趨勢。

玻璃模造硬膜製程技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 可承受模造溫度570℃以下,模造次數為2,700至5,000次。 | 潛力預估: 因硬膜壽命的增加將可大幅降低模造玻璃鏡片的成本,提高產品的市場競爭力。

LED背光模組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ RGB LED ‧ 面板尺寸:30吋 ‧ 中心點輝度:>10000 nits ‧ 照明均勻性:>85% ‧ Color Gamut:90% NTSC | 潛力預估: 傳統大面積的液晶背光模組均使用的CCFL(冷陰極管)光源,缺點是無法同時擴大液晶顯示器的色彩表現範圍和提高亮度。開發LED背光模組,其具「無汞」、「壽命長」、「高輝度」、「無水銀」、「高色再現性」等特...

IJP PLED全彩製程技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 噴墨技術:熱氣泡噴墨方式 ‧ 噴墨溶液:PEDOT水溶液、RGB LEP有機溶液 ‧ 基板大小:200mm x 200 mm ‧ 液滴體積:80 pl for 80 ppi、35 pl for 1... | 潛力預估: IJP PLED顯示技術可利用Drop on demand之噴墨方式使有機高分子成膜,具有大面積化及省材料、低污染之優勢,為目前全球研究單位及廠商積極投入之研發領域,目前已有主動式全彩之PLED顯示...

數位彩色視訊影像品質評量技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Gamma量測 ‧ 色域量測 ‧ 色彩精準度量測 (Eab) ‧ 畫面均勻度量測 ‧ 雜訊量測 (靜態影像及動態視訊) ‧ Flare特性量測 ‧ 自動曝光(AE)反應時間及精準度量測 ‧ 自動... | 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品,因此技術之潛在利用機率極高。

CCD/CMOS數位影像處理器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧8 bit Ye, Cy, Mg and G complementary color mosaic input. ‧Digital output(CCIR601 format). ‧Serial i... | 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品,總產品市場量預估可達到每年一億套以上,因此技術之潛在利用機率極高。

控制光學變焦之自動對焦/自動光圈調整技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧螺桿式光學變焦鏡頭。 ‧步進馬達控制。 ‧直流馬達控制。 ‧數位影像處理。 | 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品,總產品市場量預估可達到每年一億套以上,因此技術之潛在利用機率極高。

MPEG-2錄放影系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Embedded System Architecture -32-Bit x86 SoC. -Embedded Linux OS. -Internet accessing. ‧Video Signa... | 潛力預估: 根據Frost&Sullivan一份最新的預估顯示,未來安全監控產業每年的平均成長率至少可達12~15%左右。

人體/人臉掃描量測

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧掃描範圍:高:1900mm,寬:1000mm,深度:850mm。 ‧掃描速度:8秒完成全身掃描。 ‧ 解析度:4mm(垂直),1mm(深度)。 ‧ 樑測精度:1mm。 | 潛力預估: 此技術可以廣泛應用在醫療、美容及服飾相關領域,作為其服務的前端輸入及後端驗證,並可藉此技術建立所需之資料庫,供更多領域應用。目前已經可以作小型輕量化的產品設計,更適合ㄧ般門市商店的科技服務應用。

3D照相機

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 量測面積:360mm * 240mm ‧ 量測精度:±0.15mm ‧ 量測解析度:1.2mm ‧ 取像速度:0.2 sec/frame | 潛力預估: 由於價格極具競爭力,可成為製作客製化商品之廠商(例如雷射內雕、人像雕刻等)之快速建模工具,降低廠商成本負擔。另外可運用於數位典藏,輔助建構擬真模型,可用於虛擬博物館中典藏品展示。

3D模型建構技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧視窗操作介面:平移、放大、縮小及任意視角顯示。 ‧3D資料編輯工具:如資料平滑化、雜訊濾除、破洞填補、細分割、特徵強化等 ‧資料壓縮與重整。 ‧3D資料疊合與整合。 ‧材質整合與編輯:色彩整合、調整... | 潛力預估: 相較於ㄧ般價格昂貴的3D點群處理套裝軟體,TriD提供物超所值的功能,例如可擴充的特徵線處理功能,絕非大型套裝軟體所及,更可針對各產業的需求發展出特有功能,不失為小而美的CAD精品。

可攜式3D掃描器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧量測面積:200mm×200mm~300mm×300mm。 ‧量測精度:±0.1mm。 ‧掃描速度:60lines/sec。 | 潛力預估: 從傳統工業應用到最熱門之3D遊戲、動畫、製作,可攜式3D掃描器應用範圍廣泛,是目前彩色3D量測中最具精確度的系統。尤其多台組合後,可以同步控制作特殊的量測用途。

高速光傳接模組技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧1.25Gigabit Ethernet Transceiver:單模/Output Power>-11dBm.Sensitivity-10dBm.Sensitivity-8dBm.Sensitiv... | 潛力預估: 將可與國際模組廠商作技術競爭並符合國際系統廠商規格同時將參與國際光通訊規格制定。

高速光電元件技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 符合2.5Gigabit Ethernet要求。 ‧ 符合Bellcore 468元件環測要求。 | 潛力預估: 因應將來FTTX時機的到來,會對LD與PIN的市場需求量大增,故應提昇培養技術成熟度與量產的技巧,以符合未來市場或技轉的要求。

摻鉺光纖放大器製作技術 (Erbium-Doped Fiber Amplifier Assembling Technology)

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Operation Wavelength:1530~1560nm. ‧ Input Power:-20dBm*16chs. ‧ Gain:>22Db. ‧ Gain Stability: | 潛力預估: 將開發寬頻光放大器及小型化技術以增加放大頻寬,強化光放大器產業,支援關鍵性技術開發,以發展Metro/Access網路環境技術。

微光機電技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 1x2/2x2 MEMS Switch Insertion Loss:0.8dB max. Switching time | 潛力預估: 具高精密、批量生產及低成本之優勢,為未來製程發展之趨勢。

 |