WiFi multicast streaming 技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文WiFi multicast streaming 技術的執行單位是工研院資通所, 產出年度是102, 計畫名稱是寬頻網路系統與匯流技術發展計畫, 技術規格是系統元件包括 streaming server 及支援各種作業系統平 台的 streaming client。目前 streaming client 所 支援的作業系統平台包括: Win32 (Windows XP、 Windows 7、Windows 8 Desktop mode)、Android..., 潛力預估是可有效提升廠商產品競爭力.

序號6295
產出年度102
技術名稱-中文WiFi multicast streaming 技術
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱寬頻網路系統與匯流技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文支援 fully scalable 的 WiFi multicast streaming，可同時支援大量的 streaming client。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格系統元件包括 streaming server 及支援各種作業系統平 台的 streaming client。目前 streaming client 所 支援的作業系統平台包括: Win32 (Windows XP、 Windows 7、Windows 8 Desktop mode)、Android (2.3 版以上)、iOS (iOS 3 以上)。支援 SD (600 Kbps ~ 3 Mbps) 及 720P HD (3 Mbps ~ 6 Mbps) 解析度的 live TV (H.264 real-time 編碼後) 訊源。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍本技術可使用在 WiFi multicast streaming 的相關應用環境，例如: 在交通工具內、建築物內或是 operator 所提供的 WiFi 網 路上，提供以 WiFi multicast 為基礎的 streaming 服務。也可以將 Internet 或其他環境上的 live TV 節目轉送至 WiFi 網 路上，以 multicast 的方式傳送。由於本技術是以 IP-based protocol 為基礎進行開發，除可應用在 WiFi multicast 環境，亦 可應用在其他的 IP-based multicast streaming 環境，例如: wireless bro
潛力預估可有效提升廠商產品競爭力
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5820240
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址http://-
所須軟硬體設備Streaming server 支援 Windows XP、Windows server 2008…等 Win32 作業系統平台。streaming client 所支援 的作業系統平台包括: Win32 (Windows XP、Windows 7、 Windows 8 Desktop mode)、Android (2.3 版以上)、 iOS (iOS 3 以上)。
需具備之專業人才需具備網路應用程式開發經驗或多媒體通訊相關經驗
同步更新日期2023-07-22

序號

6295

產出年度

102

技術名稱-中文

WiFi multicast streaming 技術

執行單位

工研院資通所

產出單位

(空)

計畫名稱

寬頻網路系統與匯流技術發展計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

支援 fully scalable 的 WiFi multicast streaming，可同時支援大量的 streaming client。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

系統元件包括 streaming server 及支援各種作業系統平 台的 streaming client。目前 streaming client 所 支援的作業系統平台包括: Win32 (Windows XP、 Windows 7、Windows 8 Desktop mode)、Android (2.3 版以上)、iOS (iOS 3 以上)。支援 SD (600 Kbps ~ 3 Mbps) 及 720P HD (3 Mbps ~ 6 Mbps) 解析度的 live TV (H.264 real-time 編碼後) 訊源。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

本技術可使用在 WiFi multicast streaming 的相關應用環境，例如: 在交通工具內、建築物內或是 operator 所提供的 WiFi 網 路上，提供以 WiFi multicast 為基礎的 streaming 服務。也可以將 Internet 或其他環境上的 live TV 節目轉送至 WiFi 網 路上，以 multicast 的方式傳送。由於本技術是以 IP-based protocol 為基礎進行開發，除可應用在 WiFi multicast 環境，亦 可應用在其他的 IP-based multicast streaming 環境，例如: wireless bro

潛力預估

可有效提升廠商產品競爭力

聯絡人員

游淑惠

電話

03-5917135

傳真

03-5820240

電子信箱

ivyyu@itri.org.tw

參考網址

http://-

所須軟硬體設備

Streaming server 支援 Windows XP、Windows server 2008…等 Win32 作業系統平台。streaming client 所支援 的作業系統平台包括: Win32 (Windows XP、Windows 7、 Windows 8 Desktop mode)、Android (2.3 版以上)、 iOS (iOS 3 以上)。

需具備之專業人才

需具備網路應用程式開發經驗或多媒體通訊相關經驗

同步更新日期

2023-07-22

根據名稱 WiFi multicast streaming 技術 找到的相關資料

# WiFi multicast streaming 技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號5740
產出年度101
技術名稱-中文無線網路多點傳送串流技術
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱寬頻網路系統與匯流技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於 WiFi multicast 缺乏類似 WiFi unicast 的 ARQ (Automatic Repeat-reQuest) reliability control 機制，使用傳統的技術方法，要做到 scalable 且畫質良好的 WiFi multicast streaming 相當的困難。為解決上述的問題，工研院資通所開發了以 AL-FEC (Application Layer – Forward Error Correction) 技術為基礎的 WiFi multicast streaming 技術；其可支援大規模的 WiFi multicast streaming 服務的傳送，並且已在高鐵上網實驗列車上的 12 節車廂內的 WiFi 網路進行過測試，確認本技術具有支援大規模 WiFi multicast streaming 的能力。本技術可使用在 WiFi multicast streaming 的相關應用環境，例如: 在交通工具內、建築物內或是 operator 所提供的 WiFi 網路上，提供以 WiFi multicast 為基礎的 streaming 服務。也可以將 Internet 或其他環境上的 live TV 節目轉送至 WiFi 網路上，以 multicast 的方式傳送。由於本技術是以 IP-based protocol 為基礎進行開發，除可應
技術現況敘述-英文(空)
技術規格系統元件包括 streaming server 及支援各種作業系統平台的 streaming client。目前 streaming client 所支援的作業系統平台包括: Win32 (Windows XP、Windows 7、Windows 8 Desktop mode)、Android (2.3 版以上)、iOS (iOS 3 以上)。支援 SD (600 Kbps ~ 3 Mbps) 及 720P HD (4 Mbps ~ 6 Mbps) 解析度的 live TV (H.264 real-time 編碼後) 訊源。
技術成熟度試量產
可應用範圍本技術可使用在 WiFi multicast streaming 的相關應用環境，例如: 在交通工具內、建築物內或是 operator 所提供的 WiFi 網路上，提供以 WiFi multicast 為基礎的 streaming 服務。也可以將 Internet 或其他環境上的 live TV 節目轉送至 WiFi 網路上，以 multicast 的方式傳送。由於本技術是以 IP-based protocol 為基礎進行開發，除可應用在 WiFi multicast 環境，亦可應用在其他的 IP-based multicast streaming 環境，例如: wireless broad
潛力預估廠商可技轉本技術開發 IP-based multicast streaming 應用，增加產品效益。
聯絡人員林維林
電話03-5912257
傳真03-5820240
電子信箱weilin@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/
所須軟硬體設備Streaming server 支援 Windows XP、Windows server 2008…等 Win32 作業系統平台。streaming client 所支援的作業系統平台包括: Win32 (Windows XP、Windows 7、Windows 8 Desktop mode)、Android (2.3 版以上)、iOS (iOS 3 以上)。
需具備之專業人才需具備網路應用程式開發經驗或多媒體通訊相關經驗。
序號: 5740
產出年度: 101
技術名稱-中文: 無線網路多點傳送串流技術
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 寬頻網路系統與匯流技術發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 由於 WiFi multicast 缺乏類似 WiFi unicast 的 ARQ (Automatic Repeat-reQuest) reliability control 機制，使用傳統的技術方法，要做到 scalable 且畫質良好的 WiFi multicast streaming 相當的困難。為解決上述的問題，工研院資通所開發了以 AL-FEC (Application Layer – Forward Error Correction) 技術為基礎的 WiFi multicast streaming 技術；其可支援大規模的 WiFi multicast streaming 服務的傳送，並且已在高鐵上網實驗列車上的 12 節車廂內的 WiFi 網路進行過測試，確認本技術具有支援大規模 WiFi multicast streaming 的能力。本技術可使用在 WiFi multicast streaming 的相關應用環境，例如: 在交通工具內、建築物內或是 operator 所提供的 WiFi 網路上，提供以 WiFi multicast 為基礎的 streaming 服務。也可以將 Internet 或其他環境上的 live TV 節目轉送至 WiFi 網路上，以 multicast 的方式傳送。由於本技術是以 IP-based protocol 為基礎進行開發，除可應
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 系統元件包括 streaming server 及支援各種作業系統平台的 streaming client。目前 streaming client 所支援的作業系統平台包括: Win32 (Windows XP、Windows 7、Windows 8 Desktop mode)、Android (2.3 版以上)、iOS (iOS 3 以上)。支援 SD (600 Kbps ~ 3 Mbps) 及 720P HD (4 Mbps ~ 6 Mbps) 解析度的 live TV (H.264 real-time 編碼後) 訊源。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 本技術可使用在 WiFi multicast streaming 的相關應用環境，例如: 在交通工具內、建築物內或是 operator 所提供的 WiFi 網路上，提供以 WiFi multicast 為基礎的 streaming 服務。也可以將 Internet 或其他環境上的 live TV 節目轉送至 WiFi 網路上，以 multicast 的方式傳送。由於本技術是以 IP-based protocol 為基礎進行開發，除可應用在 WiFi multicast 環境，亦可應用在其他的 IP-based multicast streaming 環境，例如: wireless broad
潛力預估: 廠商可技轉本技術開發 IP-based multicast streaming 應用，增加產品效益。
聯絡人員: 林維林
電話: 03-5912257
傳真: 03-5820240
電子信箱: weilin@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/
所須軟硬體設備: Streaming server 支援 Windows XP、Windows server 2008…等 Win32 作業系統平台。streaming client 所支援的作業系統平台包括: Win32 (Windows XP、Windows 7、Windows 8 Desktop mode)、Android (2.3 版以上)、iOS (iOS 3 以上)。
需具備之專業人才: 需具備網路應用程式開發經驗或多媒體通訊相關經驗。
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# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號18310
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文半導體元件堆疊結構
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院資通所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人蒯定明 ,周永發 ,龍巧玲 ,錢睿宏
核准國家中國大陸
獲證日期105/03/09
證書號碼ZL201210111141.1
專利期間起105/02/11
專利期間訖120/10/04
專利性質發明
技術摘要-中文一種半導體元件堆疊結構，包括多個半導體元件及至少一加固結構。半導體元件相互堆疊，其中至少一半導體元件具有至少一穿矽孔。各至少一加固結構圍繞相應的至少一穿矽孔，並且電性隔絕於半導體元件。至少一加固結構包括多個加固件及至少一連結件。加固件位於半導體元件之間，其中加固件在一平面上的垂直投影圍出一封閉區域，且至少一穿矽孔在平面上的投影位於封閉區域內。連結件位於加固件在平面上的垂直投影的重疊區域內，用以連接加固件，而構成至少一加固結構。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5820240
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P52000146CN
特殊情形(空)
序號: 18310
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 半導體元件堆疊結構
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 蒯定明 ,周永發 ,龍巧玲 ,錢睿宏
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 105/03/09
證書號碼: ZL201210111141.1
專利期間起: 105/02/11
專利期間訖: 120/10/04
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種半導體元件堆疊結構，包括多個半導體元件及至少一加固結構。半導體元件相互堆疊，其中至少一半導體元件具有至少一穿矽孔。各至少一加固結構圍繞相應的至少一穿矽孔，並且電性隔絕於半導體元件。至少一加固結構包括多個加固件及至少一連結件。加固件位於半導體元件之間，其中加固件在一平面上的垂直投影圍出一封閉區域，且至少一穿矽孔在平面上的投影位於封閉區域內。連結件位於加固件在平面上的垂直投影的重疊區域內，用以連接加固件，而構成至少一加固結構。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5820240
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P52000146CN
特殊情形: (空)

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號18311
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文三維記憶體與其內建自我測試電路
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院資通所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人駱致彥 ,蒯定明 ,李進福 ,游雲超 ,周哲緯
核准國家美國
獲證日期105/03/15
證書號碼9,406,401
專利期間起105/02/09
專利期間訖122/08/13
專利性質發明
技術摘要-中文三維記憶體包括：複數記憶體晶粒層，各記憶體晶粒層包括至少一記憶體區塊與一內建自我測試電路；以及複數通道，用以電性連接該些記憶體晶粒層。於同步測試時，選擇該些記憶體晶粒層之一為一主要層，由該主要層之該內建自我測試電路透過該些通道而送出一致能信號給受測的該些記憶體晶粒層，該些記憶體晶粒層之各該內建自我測試電路用以測試同一記憶體晶粒層或不同記憶體晶粒層之該些記憶體區塊。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5820240
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P52010012US
特殊情形(空)
序號: 18311
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 三維記憶體與其內建自我測試電路
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 駱致彥 ,蒯定明 ,李進福 ,游雲超 ,周哲緯
核准國家: 美國
獲證日期: 105/03/15
證書號碼: 9,406,401
專利期間起: 105/02/09
專利期間訖: 122/08/13
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 三維記憶體包括：複數記憶體晶粒層，各記憶體晶粒層包括至少一記憶體區塊與一內建自我測試電路；以及複數通道，用以電性連接該些記憶體晶粒層。於同步測試時，選擇該些記憶體晶粒層之一為一主要層，由該主要層之該內建自我測試電路透過該些通道而送出一致能信號給受測的該些記憶體晶粒層，該些記憶體晶粒層之各該內建自我測試電路用以測試同一記憶體晶粒層或不同記憶體晶粒層之該些記憶體區塊。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5820240
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P52010012US
特殊情形: (空)

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號18316
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文錯誤容忍穿矽孔介面及其控制方法
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院資通所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人駱致彥 ,蒯定明 ,楊其峻 ,吳冠德 ,游雲超 ,李進福
核准國家中華民國
獲證日期105/02/03
證書號碼I556247
專利期間起105/01/21
專利期間訖121/12/25
專利性質發明
技術摘要-中文一種錯誤容忍穿矽孔介面及其控制方法實施例之一。錯誤容忍穿矽孔介面存在於一三維隨機存取記憶體之數個記憶體層中。三維隨機存取記憶體包括此些記憶體層及數個資料存取路徑組。各個記憶體層包括數個記憶體陣列。各個資料存取路徑組包括數個穿矽孔路徑。此些穿矽孔路徑連接此些記憶體層。錯誤容忍穿矽孔介面包括一路徑控制單元及一處理單元。處理單元提供至少二容錯存取配置。此些容錯存取配置不同。於各個容錯存取配置中，此些資料存取路徑組之其中一些被開啟，以存取此些記憶體層之其中之一層的全部記憶體陣列。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5820240
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P52030034TW
特殊情形(空)
序號: 18316
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 錯誤容忍穿矽孔介面及其控制方法
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 駱致彥 ,蒯定明 ,楊其峻 ,吳冠德 ,游雲超 ,李進福
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/02/03
證書號碼: I556247
專利期間起: 105/01/21
專利期間訖: 121/12/25
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種錯誤容忍穿矽孔介面及其控制方法實施例之一。錯誤容忍穿矽孔介面存在於一三維隨機存取記憶體之數個記憶體層中。三維隨機存取記憶體包括此些記憶體層及數個資料存取路徑組。各個記憶體層包括數個記憶體陣列。各個資料存取路徑組包括數個穿矽孔路徑。此些穿矽孔路徑連接此些記憶體層。錯誤容忍穿矽孔介面包括一路徑控制單元及一處理單元。處理單元提供至少二容錯存取配置。此些容錯存取配置不同。於各個容錯存取配置中，此些資料存取路徑組之其中一些被開啟，以存取此些記憶體層之其中之一層的全部記憶體陣列。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5820240
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P52030034TW
特殊情形: (空)

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號1457
產出年度95
技術名稱-中文低壓降穩壓器
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱晶片系統關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文無
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Temperature Coefficient：-0.7 (％of VOUT (nom) )_x000D_ ；Stability：Phase Margin is Good；Efficiency or Power：148uA(VDD=5.5V,IL=150mA)；Dropout Voltage：Drop Voltage =125mV；Line Regulation(VDD=3V,IL=1mA)(VDD=2.7V,IL=50mA)：Error < 0.12mV/V；Max Tran=1mV _x000D_ ；PSR =54.61dB(f =1KHz) _x000D_ ；PSR =48.05dB(f=10KHz)_x000D_ ；Load Regulation：Error < 22uV/mA _x000D_ ；Max Tran = 100mV_x000D_ ；Enable Response：25usec(VDD=2.7V,4.2V)_x000D_ ；Noise(10Hz ~100KHz)：Noise =25.10uV(VDD=5.5V,IL=1mA)_x000D_ ；Disable Current：0.75nA (VDD=4V)_x000D_ ；Output Capacitance：CL：0.57uF
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍可攜帶式、無線、部分電腦週邊等產品。
潛力預估無
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-591-3183
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址無
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才無
序號: 1457
產出年度: 95
技術名稱-中文: 低壓降穩壓器
執行單位: 工研院晶片中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 無
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Temperature Coefficient：-0.7 (％of VOUT (nom) )_x000D_ ；Stability：Phase Margin is Good；Efficiency or Power：148uA(VDD=5.5V,IL=150mA)；Dropout Voltage：Drop Voltage =125mV；Line Regulation(VDD=3V,IL=1mA)(VDD=2.7V,IL=50mA)：Error < 0.12mV/V；Max Tran=1mV _x000D_ ；PSR =54.61dB(f =1KHz) _x000D_ ；PSR =48.05dB(f=10KHz)_x000D_ ；Load Regulation：Error < 22uV/mA _x000D_ ；Max Tran = 100mV_x000D_ ；Enable Response：25usec(VDD=2.7V,4.2V)_x000D_ ；Noise(10Hz ~100KHz)：Noise =25.10uV(VDD=5.5V,IL=1mA)_x000D_ ；Disable Current：0.75nA (VDD=4V)_x000D_ ；Output Capacitance：CL：0.57uF
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 可攜帶式、無線、部分電腦週邊等產品。
潛力預估: 無
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-591-3183
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 無

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號2055
產出年度96
技術名稱-中文WiMAX ADC/DAC
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱無線多媒體系統晶片關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文WiMAX為全球最新的寬頻無線通訊標準之一，提供無線“最後一哩(last mile)”及行動終端寬頻接取之有效技術解決方案。工研院晶片中心自2006年開始大力投入mobile WiMAX技術研發，包含數位類比轉換電路(ADC/DAC)、基頻(Baseband)與射頻(RF)晶片。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格● ADC ‧Architecture : Pipeline ‧Resolution : 10-bit ‧Sampling Rate : 100MHz ‧ENOB : 9-bit ‧SNDR : 55.94dB ‧Power consumption : 60mW ‧Core Area : 1000*1800um2 ‧Process : TSMC Mixed signal 90nm 1P9M ● DAC ‧Architecture : Current steering ‧Resolution : 10-bit ‧Sampling Rate : 120MHz ‧SFDR : 63dB ‧Power consumption : 12mW ‧Area : 600*1000um2 ‧Process : TSMC Mixed signal 90nm 1P9M
技術成熟度雛型
可應用範圍WiMAX晶片組
潛力預估可提供國內IC設計業者符合WiMAX 802.16e規範之ADC及DAC。
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5913183
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才具通訊系統以及IC設計相關能力
序號: 2055
產出年度: 96
技術名稱-中文: WiMAX ADC/DAC
執行單位: 工研院晶片中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 無線多媒體系統晶片關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: WiMAX為全球最新的寬頻無線通訊標準之一，提供無線“最後一哩(last mile)”及行動終端寬頻接取之有效技術解決方案。工研院晶片中心自2006年開始大力投入mobile WiMAX技術研發，包含數位類比轉換電路(ADC/DAC)、基頻(Baseband)與射頻(RF)晶片。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: ● ADC ‧Architecture : Pipeline ‧Resolution : 10-bit ‧Sampling Rate : 100MHz ‧ENOB : 9-bit ‧SNDR : 55.94dB ‧Power consumption : 60mW ‧Core Area : 1000*1800um2 ‧Process : TSMC Mixed signal 90nm 1P9M ● DAC ‧Architecture : Current steering ‧Resolution : 10-bit ‧Sampling Rate : 120MHz ‧SFDR : 63dB ‧Power consumption : 12mW ‧Area : 600*1000um2 ‧Process : TSMC Mixed signal 90nm 1P9M
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: WiMAX晶片組
潛力預估: 可提供國內IC設計業者符合WiMAX 802.16e規範之ADC及DAC。
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5913183
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 具通訊系統以及IC設計相關能力

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號2084
產出年度96
技術名稱-中文UWB ADC/DAC
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱資訊與通訊領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文UWB(Ultra Wideband)是一種無線通訊技術，能以極高速率傳送資料，且功耗卻非常低，最適合需要高傳輸量服務的無線通訊應用，例如高畫質影音傳送或是Wireless USB等應用。但現今能提供適用於UWB系統之高速ADC/DAC IP solution的廠家相當稀少，工研院晶片中心自2006年1月開始投入研發，至今已完成至prototype階段，可供國內IC設計業者技術移轉。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格● ADC_x000D_‧Architecture : Flash_x000D_‧Resolution : 6-bit_x000D_‧Sampling Rate : 1.2GHz_x000D_‧ENOB : 5(Bit)@Fin=251.98MHz_x000D_‧Power consumption : 70mW(ADC-core)_x000D_‧Core Area : Analog : 1450umx650um Digital : 650umx130um_x000D_‧Process : TSMC 0.13um process_x000D_● DAC_x000D_‧Architecture : Current steering_x000D_‧Resolution : 6-bit_x000D_‧Sampling Rate : 1GHz_x000D_‧SFDR=46.7dB@Fs=1GS/s,Fout=300MHz_x000D_‧Power consumption : 6.3mAx1.2V(analog);19.3mAx1.2V(digital)_x000D_‧Core Area : 900x470um_x000D_‧Process : TSMC 0.13um proce
技術成熟度雛型
可應用範圍UWB晶片組
潛力預估可提供國內IC設計業者符合UWB(MB-OFDM)規範之ADC及DAC，本技術主要特色在於Low power 及small size之電路設計know-how，相當具競爭力。
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5913183
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才具類比IC電路設計與系統相關能力
序號: 2084
產出年度: 96
技術名稱-中文: UWB ADC/DAC
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: UWB(Ultra Wideband)是一種無線通訊技術，能以極高速率傳送資料，且功耗卻非常低，最適合需要高傳輸量服務的無線通訊應用，例如高畫質影音傳送或是Wireless USB等應用。但現今能提供適用於UWB系統之高速ADC/DAC IP solution的廠家相當稀少，工研院晶片中心自2006年1月開始投入研發，至今已完成至prototype階段，可供國內IC設計業者技術移轉。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: ● ADC_x000D_‧Architecture : Flash_x000D_‧Resolution : 6-bit_x000D_‧Sampling Rate : 1.2GHz_x000D_‧ENOB : 5(Bit)@Fin=251.98MHz_x000D_‧Power consumption : 70mW(ADC-core)_x000D_‧Core Area : Analog : 1450umx650um Digital : 650umx130um_x000D_‧Process : TSMC 0.13um process_x000D_● DAC_x000D_‧Architecture : Current steering_x000D_‧Resolution : 6-bit_x000D_‧Sampling Rate : 1GHz_x000D_‧SFDR=46.7dB@Fs=1GS/s,Fout=300MHz_x000D_‧Power consumption : 6.3mAx1.2V(analog);19.3mAx1.2V(digital)_x000D_‧Core Area : 900x470um_x000D_‧Process : TSMC 0.13um proce
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: UWB晶片組
潛力預估: 可提供國內IC設計業者符合UWB(MB-OFDM)規範之ADC及DAC，本技術主要特色在於Low power 及small size之電路設計know-how，相當具競爭力。
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5913183
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 具類比IC電路設計與系統相關能力

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號2460
產出年度97
技術名稱-中文DVB-T Silicon Tuner
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文使用TSMC 0.18um技術設計的DTV Tuner，以省電、高靈敏度為設計目標，放置在手持式裝置當中，即可利用手持式裝置收看數位電視。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格‧Frequency Range：50~860 MHz ‧Input Resistance：70 Ohm‧Min Input Power：- 80 dBm ‧Max Input Power：0 dBm ‧Total Noise Figure：7~10 dB ‧Input Return Loss：10 dB ‧Dynamic Range：35~40 dB ‧Image Rejection：60 dB ‧Phase Noise@10kHz：- 80dB/Hz ‧Power Consumpution：1W
技術成熟度雛型
可應用範圍手持式裝置 (手機， Protable Multimedia Player)。
潛力預估可使得台灣系統廠商擺脫對於國外晶片廠的依賴。
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5913183
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備高頻相關儀器。
需具備之專業人才具類比IC電路設計與系統相關能力。
序號: 2460
產出年度: 97
技術名稱-中文: DVB-T Silicon Tuner
執行單位: 工研院晶片中心
產出單位: (空)
計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 使用TSMC 0.18um技術設計的DTV Tuner，以省電、高靈敏度為設計目標，放置在手持式裝置當中，即可利用手持式裝置收看數位電視。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: ‧Frequency Range：50~860 MHz ‧Input Resistance：70 Ohm‧Min Input Power：- 80 dBm ‧Max Input Power：0 dBm ‧Total Noise Figure：7~10 dB ‧Input Return Loss：10 dB ‧Dynamic Range：35~40 dB ‧Image Rejection：60 dB ‧Phase Noise@10kHz：- 80dB/Hz ‧Power Consumpution：1W
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 手持式裝置 (手機， Protable Multimedia Player)。
潛力預估: 可使得台灣系統廠商擺脫對於國外晶片廠的依賴。
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5913183
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 高頻相關儀器。
需具備之專業人才: 具類比IC電路設計與系統相關能力。

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號5091
產出年度100
技術名稱-中文3D堆疊感測晶片之設計平台與8吋晶圓3DIC設計流程
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文1. 提供適用於3DIC front-side VIA-last TSV技術的設計流程。 2. 3DIC晶片之間不等電壓之時脈同步方法。 3. 3DICEDA設計參考流程(成熟製程)。 4. 適於3DIC類比與邏輯晶片之測試技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格TSV直徑為30um；TSV pitch為60um；正面與背面RDL可製造性佈局技術；微凸塊可製造性佈局技術；「面對面＆面對背」之3層晶片堆疊的佈局設計方法；類比電路的數位測試與校正技術。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍本技術可作為3DIC 設計技術開發之參考
潛力預估可進行高效能電子產品開發
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5820462
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址one
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才電子/電機相關領域
序號: 5091
產出年度: 100
技術名稱-中文: 3D堆疊感測晶片之設計平台與8吋晶圓3DIC設計流程
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 1. 提供適用於3DIC front-side VIA-last TSV技術的設計流程。 2. 3DIC晶片之間不等電壓之時脈同步方法。 3. 3DICEDA設計參考流程(成熟製程)。 4. 適於3DIC類比與邏輯晶片之測試技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: TSV直徑為30um；TSV pitch為60um；正面與背面RDL可製造性佈局技術；微凸塊可製造性佈局技術；「面對面＆面對背」之3層晶片堆疊的佈局設計方法；類比電路的數位測試與校正技術。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 本技術可作為3DIC 設計技術開發之參考
潛力預估: 可進行高效能電子產品開發
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5820462
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: one
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 電子/電機相關領域
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高導熱碳纖維強化鋁基複合材料成形技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 碳纖維強化碳基複合材料, 熱傳導率可達654 W/m.K(纖維方向)以上高於純銅, 密度在1.75 g/cm3左右，熱膨脹係數則在6.65 ppm/K(纖維方向)，其中碳纖維強化的體積分率達63%。利... | 潛力預估: 高導熱碳纖維複合材料可解決未來熱管理產業對高導熱散熱材料的需求, 同時達到輕量化小型化及構裝上低熱膨脹係數的設計需求，協助國內散熱產業切入中高階的散熱模組市場，擴大市場規模。

多元高熵合金熔鑄與鍛壓技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.設計5-7元高熵合金組成配方，以大氣感應熔煉(IF)開發10kg級鑄胚。 2.以Gleeble熱加工模擬研究最佳固熔化與熱鍛溫度(RA%>40) 3.開模鍛造可鍛造量>50% 4.冷壓可壓延量>... | 潛力預估: 可製成高強度、耐磨、耐溫、耐蝕之刀工具、模具、機件等所用新一代合金材料。

駐極體材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 直徑：＜ 50mm, Response Frequency：＞10kHz, Response Sensitivity ：＞80dB | 潛力預估: 建立駐電型複合材料結構相關製程加工技術及駐極体材料評估分析方法，以提昇電聲產品之性能以增加產品附加價值，促使我國產業能深入3C產品領域。

超高機能表面材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸24”x24” | 潛力預估: 增加廠商相關技術之進步，並提昇其產品之良率與國際競爭力。

輕量化高分子複材先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗佈技術規格：模厚40 mm ± 10%,預浸材規格：FAW = 100 g/m2，樹脂含量35~37%，耐衝擊性提升10 % | 潛力預估: 預估國內複合材料在運動器材之應用需求超過 5000噸 / 年，可增加複材相關產業產值20億台幣以上。輕量化高分子複材，可提升複材之材料性能，提高產品設計之自由度。對應用產品之輕量化及提高附加價值均有...

高應答速度液晶材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 其他液晶參數:Δn = 0.1561，γ1 /κ11 =7.8 ，κ11 =1.15 e-11，γ1 = 90，FOM = 3.1，Vth = 1.74 V | 潛力預估: 建立我國液晶材料配製、光電特性量測、評估技術能力；促成國內液晶顯示器產業垂直整合的完整性、技術開發完成攻佔市場後可搶佔數10億元以上之的收益。

新型配向材料技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 水平pre-tilt photo-tuned 0~10度,垂直pre-tilt photo-tuned 80~90度 | 潛力預估: 可促進產值達50億元以上

低溫硬化互連導電材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: B-stage 反應性為 T onset= 112.6℃; gel time@150℃: 8sec;熱膨脹係數降低至43ppm/℃,Tg仍具有165℃; 接合壓力: 100-150/bump; 接合時... | 潛力預估: 15億新台幣

電容去離子奈米複合碳電極材料開發

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米複合碳電極材料具高放電電容量> 100 F/g；CDI去除率> 250 ppm/次 | 潛力預估: 以商品化電化學電容器碳材為例，其最大放電電容量僅約100 F/g，目前材料所針對商用碳材以奈米一維材料表面修飾，可得一中孔性奈米結構碳材，其電容量可增加25~40%，預期其市場接受性高，且目前並無相...

奈米可見光光觸媒材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)摻有奈米氧化鋅粉(0.2wt.%)之大腸桿菌培養液在可見光(波長543nm/強度1500Lux)照射6小時後，細菌數目減少至原來之0.1%以下；(2)根據ASTM G21-96測試對黑麴黴菌(A... | 潛力預估: 根據日本工業新聞的統計，2000年時日本光觸媒的年產值為70億日圓。預估到2005年時，日本的光觸媒產值將達100億日圓，約有新台幣28億元。 使用光觸媒作為殺菌、消臭、防污的觀念，在日本已經十分普...

超薄型塗佈技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度￡0.5μm、厚度均勻度395%, 塗佈寬度3300mm | 潛力預估: 本技術可增進國內廠商建立上游材料的製作技術，建立如觸控面板、增亮膜、廣試角膜、抗反射膜、抗炫膜與其他光學補償膜等等，如果本土材料產業成功的話，可提供下游就近的材料提供與成本競爭力，預期可以有很大的產業...

計量式精密塗佈技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度介於1~100μm之間、厚度均勻度395% | 潛力預估: 舉凡各種光學膜，如彩色光阻、廣視角膜、增亮膜、偏光膜、補償膜、擴散片、塑膠基板及電池極板之製作，皆與「精密塗佈技術」為核心之關鍵技術互相牽連在一起，如有相關技術之建立,可促成工業供應鏈的齊全

奈米纖維材料製造與應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 複合奈米金屬線/纖維寬徑≦100nm，線/纖維長度≧20μm，長度/寬徑比(aspect ratio)> 200 | 潛力預估: 開發複合奈米纖維材料製造技術及應用評估，以應用於儲能、微感測器、場發射平面顯示器上的材料使用，本技術包括奈米中空管、奈米金屬纖維、複合奈米金屬纖維之製造技術

奈米模板合成技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: AAO模板的均勻孔洞直徑為最小可達50 nm，最大可達120nm, 模板厚度10 mm以上；AAO模板的面積可以達到200 mm x 200 mm | 潛力預估: LCD、OLED、LED產業

功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間，比表面積可高達240 m2/g以上，而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水... | 潛力預估: 根據美國SRI Consulting報告，2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年，市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加

高導熱碳纖維強化鋁基複合材料成形技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 碳纖維強化碳基複合材料, 熱傳導率可達654 W/m.K(纖維方向)以上高於純銅, 密度在1.75 g/cm3左右，熱膨脹係數則在6.65 ppm/K(纖維方向)，其中碳纖維強化的體積分率達63%。利... | 潛力預估: 高導熱碳纖維複合材料可解決未來熱管理產業對高導熱散熱材料的需求, 同時達到輕量化小型化及構裝上低熱膨脹係數的設計需求，協助國內散熱產業切入中高階的散熱模組市場，擴大市場規模。

多元高熵合金熔鑄與鍛壓技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.設計5-7元高熵合金組成配方，以大氣感應熔煉(IF)開發10kg級鑄胚。 2.以Gleeble熱加工模擬研究最佳固熔化與熱鍛溫度(RA%>40) 3.開模鍛造可鍛造量>50% 4.冷壓可壓延量>... | 潛力預估: 可製成高強度、耐磨、耐溫、耐蝕之刀工具、模具、機件等所用新一代合金材料。

駐極體材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 直徑：＜ 50mm, Response Frequency：＞10kHz, Response Sensitivity ：＞80dB | 潛力預估: 建立駐電型複合材料結構相關製程加工技術及駐極体材料評估分析方法，以提昇電聲產品之性能以增加產品附加價值，促使我國產業能深入3C產品領域。

超高機能表面材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸24”x24” | 潛力預估: 增加廠商相關技術之進步，並提昇其產品之良率與國際競爭力。

輕量化高分子複材先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗佈技術規格：模厚40 mm ± 10%,預浸材規格：FAW = 100 g/m2，樹脂含量35~37%，耐衝擊性提升10 % | 潛力預估: 預估國內複合材料在運動器材之應用需求超過 5000噸 / 年，可增加複材相關產業產值20億台幣以上。輕量化高分子複材，可提升複材之材料性能，提高產品設計之自由度。對應用產品之輕量化及提高附加價值均有...

高應答速度液晶材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 其他液晶參數:Δn = 0.1561，γ1 /κ11 =7.8 ，κ11 =1.15 e-11，γ1 = 90，FOM = 3.1，Vth = 1.74 V | 潛力預估: 建立我國液晶材料配製、光電特性量測、評估技術能力；促成國內液晶顯示器產業垂直整合的完整性、技術開發完成攻佔市場後可搶佔數10億元以上之的收益。

新型配向材料技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 水平pre-tilt photo-tuned 0~10度,垂直pre-tilt photo-tuned 80~90度 | 潛力預估: 可促進產值達50億元以上

低溫硬化互連導電材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: B-stage 反應性為 T onset= 112.6℃; gel time@150℃: 8sec;熱膨脹係數降低至43ppm/℃,Tg仍具有165℃; 接合壓力: 100-150/bump; 接合時... | 潛力預估: 15億新台幣

電容去離子奈米複合碳電極材料開發

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米複合碳電極材料具高放電電容量> 100 F/g；CDI去除率> 250 ppm/次 | 潛力預估: 以商品化電化學電容器碳材為例，其最大放電電容量僅約100 F/g，目前材料所針對商用碳材以奈米一維材料表面修飾，可得一中孔性奈米結構碳材，其電容量可增加25~40%，預期其市場接受性高，且目前並無相...

奈米可見光光觸媒材料技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: (1)摻有奈米氧化鋅粉(0.2wt.%)之大腸桿菌培養液在可見光(波長543nm/強度1500Lux)照射6小時後，細菌數目減少至原來之0.1%以下；(2)根據ASTM G21-96測試對黑麴黴菌(A... | 潛力預估: 根據日本工業新聞的統計，2000年時日本光觸媒的年產值為70億日圓。預估到2005年時，日本的光觸媒產值將達100億日圓，約有新台幣28億元。 使用光觸媒作為殺菌、消臭、防污的觀念，在日本已經十分普...

超薄型塗佈技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度￡0.5μm、厚度均勻度395%, 塗佈寬度3300mm | 潛力預估: 本技術可增進國內廠商建立上游材料的製作技術，建立如觸控面板、增亮膜、廣試角膜、抗反射膜、抗炫膜與其他光學補償膜等等，如果本土材料產業成功的話，可提供下游就近的材料提供與成本競爭力，預期可以有很大的產業...

計量式精密塗佈技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 乾膜厚度介於1~100μm之間、厚度均勻度395% | 潛力預估: 舉凡各種光學膜，如彩色光阻、廣視角膜、增亮膜、偏光膜、補償膜、擴散片、塑膠基板及電池極板之製作，皆與「精密塗佈技術」為核心之關鍵技術互相牽連在一起，如有相關技術之建立,可促成工業供應鏈的齊全

奈米纖維材料製造與應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 複合奈米金屬線/纖維寬徑≦100nm，線/纖維長度≧20μm，長度/寬徑比(aspect ratio)> 200 | 潛力預估: 開發複合奈米纖維材料製造技術及應用評估，以應用於儲能、微感測器、場發射平面顯示器上的材料使用，本技術包括奈米中空管、奈米金屬纖維、複合奈米金屬纖維之製造技術

奈米模板合成技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: AAO模板的均勻孔洞直徑為最小可達50 nm，最大可達120nm, 模板厚度10 mm以上；AAO模板的面積可以達到200 mm x 200 mm | 潛力預估: LCD、OLED、LED產業

功能性奈米粉體製造及應用技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 粉體之平均粒徑可操控在10 ~ 200 nm間，比表面積可高達240 m2/g以上，而粉體形狀可操控為球狀、棒狀或四足錐狀。遮蔽UV(>85%)及IR(>30%)光、可見光照射下抗菌(A>2)、疏水... | 潛力預估: 根據美國SRI Consulting報告，2001年全球使用奈米粉體材料總價值已達31億美元。未來十年，市場規模會隨應用領域之開拓而急劇增加

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