卷對卷雙層濺鍍技術
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技術名稱-中文卷對卷雙層濺鍍技術的執行單位是中科院材料所, 產出年度是102, 計畫名稱是CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫, 技術規格是430SS/Mo膜層經撓曲度與550℃加熱處理測試,持溫1hr下鉬電極層尚不會剝落。片電阻值0.36Ω/□變為0.41Ω/□,變化率14%。, 潛力預估是太陽電池、顯示器、LED照明.

序號6506
產出年度102
技術名稱-中文卷對卷雙層濺鍍技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文與國內法人單位共同合作開發自製R2R濺鍍設備,背景真空<5*10-6torr@24hr,卷料寬度350mm,傳輸速度0.01~10m/min,張力控制3~50kg±0.1%
技術現況敘述-英文(空)
技術規格430SS/Mo膜層經撓曲度與550℃加熱處理測試,持溫1hr下鉬電極層尚不會剝落。片電阻值0.36Ω/□變為0.41Ω/□,變化率14%。
技術成熟度雛型
可應用範圍太陽電池光窗層濺鍍及光電半導體製程
潛力預估太陽電池、顯示器、LED照明
聯絡人員吳政翰
電話03-4712201#357258
傳真03-4711024
電子信箱hohh@csnet.gov.tw
參考網址http://www.csistdup.org.tw/cooperation_resultlist.aspx?n=7&sn=1201
所須軟硬體設備卷對卷濺鍍設備平台
需具備之專業人才電機、材料、光電
同步更新日期2024-09-03

序號

6506

產出年度

102

技術名稱-中文

卷對卷雙層濺鍍技術

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

與國內法人單位共同合作開發自製R2R濺鍍設備,背景真空<5*10-6torr@24hr,卷料寬度350mm,傳輸速度0.01~10m/min,張力控制3~50kg±0.1%

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

430SS/Mo膜層經撓曲度與550℃加熱處理測試,持溫1hr下鉬電極層尚不會剝落。片電阻值0.36Ω/□變為0.41Ω/□,變化率14%。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

太陽電池光窗層濺鍍及光電半導體製程

潛力預估

太陽電池、顯示器、LED照明

聯絡人員

吳政翰

電話

03-4712201#357258

傳真

03-4711024

電子信箱

hohh@csnet.gov.tw

參考網址

http://www.csistdup.org.tw/cooperation_resultlist.aspx?n=7&sn=1201

所須軟硬體設備

卷對卷濺鍍設備平台

需具備之專業人才

電機、材料、光電

同步更新日期

2024-09-03

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可撓式基板之銅銦鎵硒太陽電池元件驗證

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 1.以四元共蒸鍍驗證玻璃基材與可撓式金屬基材之CIGS太陽電池元件 2.可採用無鎘化物進行CIGS元件製備 3.基材尺寸8cm x 8cm 4.基材/Bi-layerMo/CIGS/Buffer la... | 潛力預估: 1.預計未來可建立4MW的試量產線 2.100MW產量且產值可達30億

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線性蒸鍍源開發技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: "Cu、Se線性蒸鍍源-縱向幅寬可達30cm,橫向寬度約10~12cm ,鍍率10nm/min,均勻度5~7% " | 潛力預估: 太陽電池、顯示器、LED照明

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線性蒸鍍模組開發技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 線性蒸鍍、CIGS製程開發。 | 潛力預估: CIGS太陽電池開發 & OLED顯示器

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CIGS可撓式太陽電池模組

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: CIGS製程 | 潛力預估: CIGS太陽電池開發。

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可撓式基板之銅銦鎵硒太陽電池元件驗證

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 1.以四元共蒸鍍驗證玻璃基材與可撓式金屬基材之CIGS太陽電池元件 2.可採用無鎘化物進行CIGS元件製備 3.基材尺寸8cm x 8cm 4.基材/Bi-layerMo/CIGS/Buffer la... | 潛力預估: 1.預計未來可建立4MW的試量產線 2.100MW產量且產值可達30億

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線性蒸鍍源開發技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: "Cu、Se線性蒸鍍源-縱向幅寬可達30cm,橫向寬度約10~12cm ,鍍率10nm/min,均勻度5~7% " | 潛力預估: 太陽電池、顯示器、LED照明

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線性蒸鍍模組開發技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 線性蒸鍍、CIGS製程開發。 | 潛力預估: CIGS太陽電池開發 & OLED顯示器

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CIGS可撓式太陽電池模組

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: CIGS製程 | 潛力預估: CIGS太陽電池開發。

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質子交換膜燃料電池應用開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 電壓:24+-2V,功率:100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源,對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下,極具市場開拓價值。

玻璃融封零組件應用開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作,規格可依使用用途及設計不同彈性開發應用. | 潛力預估: 可搶攻3C電子產業市場,極具市場淺力

微波吸收材應用開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作,長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用. | 潛力預估: 生產所須機具成本較高

精密慣導系統研製技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 馬達啟動時間<2sec,扭矩器扭轉率250°/sec,零亂漂移率≦0.2°/hr。 | 潛力預估: 可取代外貨,極具市場潛力

伺服閥系統研製技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 12cis、3000psi | 潛力預估: 可取代外貨,極具市場潛力

鈦合金進氣道技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: AMS-STD-2219A級 | 潛力預估: 可強攻航太工業、醫療用品、3C產業、精密機械產業、工業用品、汽車產業、自行車產業

推進與伺服系統研製技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 噴嘴前段外殼:SAE4130鍛造後材質滿足AMS6370K規範,晶粒依ASTM E112B No.5或更細,強度≧100Kg/mm2,噴嘴後段外殼:6061-T6鋁合金材質符合AMS4079C規範,屈... | 潛力預估: 可取代外貨,極具市場潛力

小型軍用無人遙控靶機系統產製

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤、最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎、續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里,採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 1、可輔導國內從休閒娛樂遙控模型傳統產業,轉型國防軍用靶機產業,進行無人靶機開發,以爭取美國FCT等小靶機銷售商機,搶攻小型軍用靶機銷售市場,極具市場潛力。2、以往國軍每年數億元靶訓消耗件,皆是外購所...

數位飛控電腦設計製造技術研製

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1,儲存溫度:-55 ~ +85℃,操作環境:-40 ~ +55℃;+70℃至少30分鐘可靠度 MTBF 5000小時,輸入電壓:+22 ... | 潛力預估: 藉由「數位飛控電腦」等軍品關鍵技術,可使合作廠商投入開發高附加價值之軍用等級量測儀器、自動化測試設備(ATE)及電力電子等產品,提升從事高附加價值無人遙控產業之整體形象,有極大效益,可增加國際衍生訂單...

數位驅動控制器研製

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 1.迴授精度線性:± 0.5%。2.機械行程:50 ± 2 Degrees。3.電氣行程:45±2 Degrees。4..操作電壓:18 ~ 32V。5.標準操作電壓值:24V。6.無載速度:130 ... | 潛力預估: 可進入軍品市場,取代進口。

無人載具機體關鍵組件研製技術開發

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 低成本、複合式零件貼製與組裝檢驗模具型架開發研製技術。2. 載具結構輕量化製造及組裝整合技術。機體結構輕量化規格:尺寸:翼展:約342吋,機身長:約210吋。材料:碳纖維複合材料。重量:全重不超... | 潛力預估: 可進入軍品及民生市場,應用於航太工業、醫療用品、3C產業、汽車產業、自行車產業,進而爭取國際相關系統件承製之機會

共用型軍用發射箱架裝備研製技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 1.符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術,傳輸率1Mbits/S。2.機電系統整合技術,自測度達90%,故障隔離度達85%。3.建立軍用發射架開發技術,可在6級海象下工作。 | 潛力預估: 可進入軍品市場,進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

共用型軍用發射箱架操作控制器研製技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單一元件失效不可導致誤激發安全事故的射控介面控制電路研製技術。2.機電系統整合技術,自測度達90%,故障隔離度達85%。3.電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場,進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

氮化鋁鎵紫外線偵檢器磊晶技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN 偵檢元件鋁含量可達26%,響應波長<325nm | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

氮化鋁鎵紫外線偵檢器製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: responsivity >0.05A/W;response time <10ms;cutoff wavelength <325nm | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

質子交換膜燃料電池應用開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 電壓:24+-2V,功率:100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源,對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下,極具市場開拓價值。

玻璃融封零組件應用開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作,規格可依使用用途及設計不同彈性開發應用. | 潛力預估: 可搶攻3C電子產業市場,極具市場淺力

微波吸收材應用開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作,長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用. | 潛力預估: 生產所須機具成本較高

精密慣導系統研製技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 馬達啟動時間<2sec,扭矩器扭轉率250°/sec,零亂漂移率≦0.2°/hr。 | 潛力預估: 可取代外貨,極具市場潛力

伺服閥系統研製技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 12cis、3000psi | 潛力預估: 可取代外貨,極具市場潛力

鈦合金進氣道技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: AMS-STD-2219A級 | 潛力預估: 可強攻航太工業、醫療用品、3C產業、精密機械產業、工業用品、汽車產業、自行車產業

推進與伺服系統研製技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 噴嘴前段外殼:SAE4130鍛造後材質滿足AMS6370K規範,晶粒依ASTM E112B No.5或更細,強度≧100Kg/mm2,噴嘴後段外殼:6061-T6鋁合金材質符合AMS4079C規範,屈... | 潛力預估: 可取代外貨,極具市場潛力

小型軍用無人遙控靶機系統產製

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤、最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎、續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里,採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 1、可輔導國內從休閒娛樂遙控模型傳統產業,轉型國防軍用靶機產業,進行無人靶機開發,以爭取美國FCT等小靶機銷售商機,搶攻小型軍用靶機銷售市場,極具市場潛力。2、以往國軍每年數億元靶訓消耗件,皆是外購所...

數位飛控電腦設計製造技術研製

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1,儲存溫度:-55 ~ +85℃,操作環境:-40 ~ +55℃;+70℃至少30分鐘可靠度 MTBF 5000小時,輸入電壓:+22 ... | 潛力預估: 藉由「數位飛控電腦」等軍品關鍵技術,可使合作廠商投入開發高附加價值之軍用等級量測儀器、自動化測試設備(ATE)及電力電子等產品,提升從事高附加價值無人遙控產業之整體形象,有極大效益,可增加國際衍生訂單...

數位驅動控制器研製

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 1.迴授精度線性:± 0.5%。2.機械行程:50 ± 2 Degrees。3.電氣行程:45±2 Degrees。4..操作電壓:18 ~ 32V。5.標準操作電壓值:24V。6.無載速度:130 ... | 潛力預估: 可進入軍品市場,取代進口。

無人載具機體關鍵組件研製技術開發

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 低成本、複合式零件貼製與組裝檢驗模具型架開發研製技術。2. 載具結構輕量化製造及組裝整合技術。機體結構輕量化規格:尺寸:翼展:約342吋,機身長:約210吋。材料:碳纖維複合材料。重量:全重不超... | 潛力預估: 可進入軍品及民生市場,應用於航太工業、醫療用品、3C產業、汽車產業、自行車產業,進而爭取國際相關系統件承製之機會

共用型軍用發射箱架裝備研製技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 1.符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術,傳輸率1Mbits/S。2.機電系統整合技術,自測度達90%,故障隔離度達85%。3.建立軍用發射架開發技術,可在6級海象下工作。 | 潛力預估: 可進入軍品市場,進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

共用型軍用發射箱架操作控制器研製技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單一元件失效不可導致誤激發安全事故的射控介面控制電路研製技術。2.機電系統整合技術,自測度達90%,故障隔離度達85%。3.電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場,進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

氮化鋁鎵紫外線偵檢器磊晶技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN 偵檢元件鋁含量可達26%,響應波長<325nm | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

氮化鋁鎵紫外線偵檢器製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: responsivity >0.05A/W;response time <10ms;cutoff wavelength <325nm | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

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