多孔質氣靜壓主軸技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文多孔質氣靜壓主軸技術的執行單位是工研院機械所, 產出年度是103, 計畫名稱是機械與系統領域工業基礎技術研究計畫, 領域是製造精進, 技術規格是1.轉速:30,000rpm 2.功率:5KW 3.軸承剛性:徑向50N/um,軸向:80N/um(氣隙:10μm/供壓:4bar) 4.刀把:ER20, 潛力預估是本技術有助於建立多孔質氣靜壓軸承製作氣靜壓主軸，其可作為後續產品開發、性能評估、異常診斷之依據.
| 序號 | 6727 |
| 產出年度 | 103 |
| 技術名稱-中文 | 多孔質氣靜壓主軸技術 |
| 執行單位 | 工研院機械所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 |
| 領域 | 製造精進 |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 利用多孔質氣靜壓軸承製作氣靜壓主軸，增加承載負荷，消除氣槌現象，提升剛性與可靠度。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 1.轉速:30,000rpm 2.功率:5KW 3.軸承剛性:徑向50N/um,軸向:80N/um(氣隙:10μm/供壓:4bar) 4.刀把:ER20 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 精密進給平台 |
| 潛力預估 | 本技術有助於建立多孔質氣靜壓軸承製作氣靜壓主軸，其可作為後續產品開發、性能評估、異常診斷之依據 |
| 聯絡人員 | 徐紹煜 |
| 電話 | 03-5918658 |
| 傳真 | 03-5820043 |
| 電子信箱 | shaoyuhsu@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://. |
| 所須軟硬體設備 | 工具機、精密設備 |
| 需具備之專業人才 | 精密機械機設計 |
| 同步更新日期 | 2024-09-03 |
序號6727 |
產出年度103 |
技術名稱-中文多孔質氣靜壓主軸技術 |
執行單位工研院機械所 |
產出單位(空) |
計畫名稱機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 |
領域製造精進 |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文利用多孔質氣靜壓軸承製作氣靜壓主軸，增加承載負荷，消除氣槌現象，提升剛性與可靠度。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格1.轉速:30,000rpm 2.功率:5KW 3.軸承剛性:徑向50N/um,軸向:80N/um(氣隙:10μm/供壓:4bar) 4.刀把:ER20 |
技術成熟度雛型 |
可應用範圍精密進給平台 |
潛力預估本技術有助於建立多孔質氣靜壓軸承製作氣靜壓主軸，其可作為後續產品開發、性能評估、異常診斷之依據 |
聯絡人員徐紹煜 |
電話03-5918658 |
傳真03-5820043 |
電子信箱shaoyuhsu@itri.org.tw |
參考網址http://. |
所須軟硬體設備工具機、精密設備 |
需具備之專業人才精密機械機設計 |
同步更新日期2024-09-03 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 1.轉速:30,000rpm 2.功率:5KW 3.軸承剛性:徑向50N/um,軸向:80N/um(氣隙:10μm/供壓:4bar) 4.刀把:HSK-40E | 潛力預估: 各型工具機業 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 1.轉速:30,000rpm 2.功率:5KW 3.軸承剛性:徑向50N/um,軸向:80N/um(氣隙:10μm/供壓:4bar) 4.刀把:HSK-40E | 潛力預估: 各型工具機業 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
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(以下顯示 3 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5918658 ...) | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工業基礎技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1.節流器:多孔質陶瓷 2.外徑:ψ125mm 3.負荷能力:100kgf(氣隙:10μm/供壓:4bar) | 潛力預估: 本技術有助於建立次微米級陶瓷粉體之分散微細技術,孔洞生成與燒結技術,精密硬脆材料加工技術 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1.節流器:多孔質陶瓷 2.外徑:ψ125mm 3.負荷能力:100kgf(氣隙:10μm/供壓:4bar) | 潛力預估: 利用多孔質陶瓷製作節流製作氣靜壓軸承，多孔質軸承可增加承載負荷與避免氣槌現象發生。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 1.轉速:30,000rpm 2.功率:5KW 3.軸承剛性:徑向50N/um,軸向:80N/um(氣隙:10μm/供壓:4bar) 4.刀把:HSK-40E | 潛力預估: 超精密加工約100億元 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工業基礎技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1.節流器:多孔質陶瓷 2.外徑:ψ125mm 3.負荷能力:100kgf(氣隙:10μm/供壓:4bar) | 潛力預估: 本技術有助於建立次微米級陶瓷粉體之分散微細技術,孔洞生成與燒結技術,精密硬脆材料加工技術 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1.節流器:多孔質陶瓷 2.外徑:ψ125mm 3.負荷能力:100kgf(氣隙:10μm/供壓:4bar) | 潛力預估: 利用多孔質陶瓷製作節流製作氣靜壓軸承，多孔質軸承可增加承載負荷與避免氣槌現象發生。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 1.轉速:30,000rpm 2.功率:5KW 3.軸承剛性:徑向50N/um,軸向:80N/um(氣隙:10μm/供壓:4bar) 4.刀把:HSK-40E | 潛力預估: 超精密加工約100億元 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓<25V | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA<2kΩμm2, 90 nm 微縮化可行性佳 | 潛力預估: Embedded 記憶體 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 穩定可量產 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_； 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓<25V | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA<2kΩμm2, 90 nm 微縮化可行性佳 | 潛力預估: Embedded 記憶體 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 穩定可量產 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_； 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。 |
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