碳化矽粉體技術
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技術名稱(中文)碳化矽粉體技術的執行單位是工研院材化所, 產出年度是103, 計畫名稱是ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫, 領域是智慧科技, 技術規格是完成晶體級碳化矽粉體材料技術開發 碳化矽粉體純度>99.999wt%, 潛力預估是使國內廠商掌握碳化矽晶體上游關鍵材料能力。 使國內廠商可以依產品需求,設計導電型與半絕緣型不同應 用範圍之粉體原材料。 降低材料成本,增加整體產業競爭力。.

序號6788
產出年度103
技術名稱(中文)碳化矽粉體技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家
已獲得專利之國家
技術現況敘述(中文)國內元件與模組技術相對成熟,高純粉體成產業鍊發展瓶頸之一
技術現況敘述(英文)(空)
技術規格完成晶體級碳化矽粉體材料技術開發 碳化矽粉體純度>99.999wt%
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍粉體可應用於高純度需求領域,如碳化矽單晶晶體,高純度靶材,半導體與光電設備載盤等組件。
潛力預估使國內廠商掌握碳化矽晶體上游關鍵材料能力。 使國內廠商可以依產品需求,設計導電型與半絕緣型不同應 用範圍之粉體原材料。 降低材料成本,增加整體產業競爭力。
聯絡人員蕭達慶
電話03-5912201
傳真03-5912201
電子信箱TaChingHsiao@itri.org.tw
參考網址http://-
所須軟硬體設備廠商應具有高溫爐與化學酸洗等設備
需具備之專業人才廠商應具有粉體與冶金技術相關背景人才

序號

6788

產出年度

103

技術名稱(中文)

碳化矽粉體技術

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫

領域

智慧科技

已申請專利之國家

已獲得專利之國家

技術現況敘述(中文)

國內元件與模組技術相對成熟,高純粉體成產業鍊發展瓶頸之一

技術現況敘述(英文)

(空)

技術規格

完成晶體級碳化矽粉體材料技術開發 碳化矽粉體純度>99.999wt%

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

粉體可應用於高純度需求領域,如碳化矽單晶晶體,高純度靶材,半導體與光電設備載盤等組件。

潛力預估

使國內廠商掌握碳化矽晶體上游關鍵材料能力。 使國內廠商可以依產品需求,設計導電型與半絕緣型不同應 用範圍之粉體原材料。 降低材料成本,增加整體產業競爭力。

聯絡人員

蕭達慶

電話

03-5912201

傳真

03-5912201

電子信箱

TaChingHsiao@itri.org.tw

參考網址

http://-

所須軟硬體設備

廠商應具有高溫爐與化學酸洗等設備

需具備之專業人才

廠商應具有粉體與冶金技術相關背景人才

與碳化矽粉體技術同分類的經濟部技術處–可移轉技術資料集

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltage < DIV> | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Cantilever beam:thickness 2μm Tip height 10~15μm Tip Radius 50nm Spring const. - Lord force - | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,20-50um,深度20um | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序,在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後,微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例,2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元;至2008年更可望到達13.2億美元。當醫療檢驗用晶片之平均價格將降至10美元,而銷售量將到達8,200萬片。利用本晶片檢驗血液中HIV, HBV,HCB篩檢,呼吸道感染,尿道感染,菌血症之病人。在短時間內鑑定細菌種類及細菌之抗藥性。一旦晶片能被醫院或診所大量使用,市場就很可觀,甚至當生物晶片被應用於消費市

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計,可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業,此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法,本技術是現今唯一可於3~5分鐘內,精確量測出散熱模組熱性能之方法,並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz Transmission Range: 3m (2) 類比訊號處理所需之電路設計技術 dIPD/ IPD >1.4% 高通濾波放大電路之3dB頻率:0.5Hz, 高通濾波放大電路之放大倍率:2 低通濾波放大電路之3dB頻率設計:5Hz 低通濾波放大電路之放大倍率:440 (3) 親膚性生理訊號感測器整合技術 | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間,若依實際醫療支出推估,則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間,市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等…)均看好未來人口老年化之醫療市場潛力,因此,工研院電子所已及早於科專計畫佈局相關技術能量,預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver .850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) .2.5Gbps資料傳輸能力.100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) .150公尺傳輸距離(50/125um多模光纖) .LC 之SFF光纖接頭.0-70。C操作溫度.3.3V電源供應.符合Class 1雷射安全規範 (2) 4 x 2.5Gbps Transceiver .2.5 Gbps, Four channel transmitter(850nm VCSEL array) .2 | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用,2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術,也是市場的主流。據IEK的資料顯示,預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬美元,而台灣在光收發模組之產值也預估將高達54億台幣,因此本技術之應用潛力,自當不可小看之。

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltage < DIV> | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Cantilever beam:thickness 2μm Tip height 10~15μm Tip Radius 50nm Spring const. - Lord force - | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,20-50um,深度20um | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序,在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後,微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例,2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元;至2008年更可望到達13.2億美元。當醫療檢驗用晶片之平均價格將降至10美元,而銷售量將到達8,200萬片。利用本晶片檢驗血液中HIV, HBV,HCB篩檢,呼吸道感染,尿道感染,菌血症之病人。在短時間內鑑定細菌種類及細菌之抗藥性。一旦晶片能被醫院或診所大量使用,市場就很可觀,甚至當生物晶片被應用於消費市

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計,可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業,此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法,本技術是現今唯一可於3~5分鐘內,精確量測出散熱模組熱性能之方法,並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz Transmission Range: 3m (2) 類比訊號處理所需之電路設計技術 dIPD/ IPD >1.4% 高通濾波放大電路之3dB頻率:0.5Hz, 高通濾波放大電路之放大倍率:2 低通濾波放大電路之3dB頻率設計:5Hz 低通濾波放大電路之放大倍率:440 (3) 親膚性生理訊號感測器整合技術 | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間,若依實際醫療支出推估,則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間,市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等…)均看好未來人口老年化之醫療市場潛力,因此,工研院電子所已及早於科專計畫佈局相關技術能量,預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver .850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) .2.5Gbps資料傳輸能力.100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) .150公尺傳輸距離(50/125um多模光纖) .LC 之SFF光纖接頭.0-70。C操作溫度.3.3V電源供應.符合Class 1雷射安全規範 (2) 4 x 2.5Gbps Transceiver .2.5 Gbps, Four channel transmitter(850nm VCSEL array) .2 | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用,2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術,也是市場的主流。據IEK的資料顯示,預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬美元,而台灣在光收發模組之產值也預估將高達54億台幣,因此本技術之應用潛力,自當不可小看之。

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