1.0 wt% Pt/TiO2 Anatase含浸蜂巢陶瓷廢氣處理觸媒製備技術
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技術名稱-中文1.0 wt% Pt/TiO2 Anatase含浸蜂巢陶瓷廢氣處理觸媒製備技術的執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是103, 計畫名稱是奈米材料及製程技術發展第二期計畫, 領域是民生福祉, 技術規格是1.0 wt% Pt/TiO2 Anatase含浸蜂巢陶瓷，對廢氣分解能力：CO T50＝323℃，C450＝96.5﹪，Nox T50＝315℃，C450＝90.5﹪，HC T50＝328℃，C450＝90.3﹪。, 潛力預估是用於廢氣處理觸媒製備用材料，增加廢氣處理能力，降低廢氣處理溫度。.

序號	6937
產出年度	103
技術名稱-中文	1.0 wt% Pt/TiO2 Anatase含浸蜂巢陶瓷廢氣處理觸媒製備技術
執行單位	中科院材料暨光電研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米材料及製程技術發展第二期計畫
領域	民生福祉
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	奈米1.0 wt% Pt/TiO2 Anatase溶膠製備，含浸Pt/TiO2 Anatase蜂巢陶瓷，廢氣處理觸媒製備技術。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	1.0 wt% Pt/TiO2 Anatase含浸蜂巢陶瓷，對廢氣分解能力：CO T50＝323℃，C450＝96.5﹪，Nox T50＝315℃，C450＝90.5﹪，HC T50＝328℃，C450＝90.3﹪。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	具可見光光觸媒功能，用於室內奈米觸媒塗料，具空氣清淨功效。
潛力預估	用於廢氣處理觸媒製備用材料，增加廢氣處理能力，降低廢氣處理溫度。
聯絡人員	王偉洪
電話	03-4712201＃358267
傳真	03-4458233 四所四組王偉洪
電子信箱	csist@csistdup.org.tw
參考網址	http://csist@csistdup.org.tw
所須軟硬體設備	奈米結晶半導體溶膠製備、量測、鍍膜、產品製作及觸媒功能測試設備
需具備之專業人才	化學、觸媒、化工

序號

6937

產出年度

103

技術名稱-中文

1.0 wt% Pt/TiO2 Anatase含浸蜂巢陶瓷廢氣處理觸媒製備技術

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米材料及製程技術發展第二期計畫

領域

民生福祉

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

奈米1.0 wt% Pt/TiO2 Anatase溶膠製備，含浸Pt/TiO2 Anatase蜂巢陶瓷，廢氣處理觸媒製備技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.0 wt% Pt/TiO2 Anatase含浸蜂巢陶瓷，對廢氣分解能力：CO T50＝323℃，C450＝96.5﹪，Nox T50＝315℃，C450＝90.5﹪，HC T50＝328℃，C450＝90.3﹪。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

具可見光光觸媒功能，用於室內奈米觸媒塗料，具空氣清淨功效。

潛力預估

用於廢氣處理觸媒製備用材料，增加廢氣處理能力，降低廢氣處理溫度。

聯絡人員

王偉洪

電話

03-4712201＃358267

傳真

03-4458233 四所四組王偉洪

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

http://csist@csistdup.org.tw

所須軟硬體設備

奈米結晶半導體溶膠製備、量測、鍍膜、產品製作及觸媒功能測試設備

需具備之專業人才

化學、觸媒、化工

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奈米撥水自潔雷達天線設施製法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第I430959號 \| 專利期間起: 120/11/30 \| 專利期間訖: 本發明為建立一光觸媒撥水材料，應用於雷達天線自潔功能，以提升天線之效能與耐用性。 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 專利發明人: 王偉洪 \| 姚錦富 \| 邱智謀 @ 技術司專利資料集
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TiO2混成溶膠高折射率鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍍膜折射率≧1.70，單面高折射率鍍膜，消除透明導電觸控線路影像，提高觸控面板品質，鍍膜硬度率≧H。 \| 潛力預估: 開發平面電視螢幕、手機、PDA觸控螢幕背光光學鍍膜，預估市場具1億年產值。 @ 技術司可移轉技術資料集
奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達kΩ/□等級，雙面ATO鍍膜玻璃，可降低熱幅射穿透率≧50％，鍍膜硬度≧3H。 \| 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA，預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業，預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業，預估市場具1億年產值。 @ 技術司可移轉技術資料集
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奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠可見光吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 獲得SiO2/TiO2比例為0/1、1/3、2/2、3/1、1/0之奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠，進行玻璃單層雙面鍍膜，獲得透明彩色鍍膜玻璃，鍍膜硬度≧3H。 \| 潛力預估: 開發奈米金透明彩色鍍膜玻璃，用於觸控面板具抗菌功能，預估市場具2億年產值。用於建築玻璃及汽車玻璃，預估市場具1億年產值。 @ 技術司可移轉技術資料集
奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達100 Ω/□等級，微波吸收率＞50％，鍍膜硬度率≧3H。 \| 潛力預估: 開發透明微波吸收鍍膜玻璃，用於手機觸控面板，預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波，預估市場具2億年產值。 @ 技術司可移轉技術資料集
WO3奈米結晶溶膠製備技術。	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料，具空氣清淨功效，其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.003(min×WL×gcat)-1。 \| 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料，增加廢氣處理能力，降低廢氣處理溫度。 @ 技術司可移轉技術資料集

奈米撥水自潔雷達天線設施製法

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WO3奈米結晶溶膠製備技術。

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WCDMA Base-band Common IP	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合3GPP R4規格之硬體演算法設計技術、完成符合3GPP R４規格之測試驗證平台技術、進行符合3GPP R5規格之硬體演算法先期研究 \| 潛力預估: 掌握自有IP, 引導國內公司投入WCDMA行動絡終端晶片設計研發, 促進國內3G晶片設計廠商投資。
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Dual-mode Four-Band PA Module	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 包含GPRS與WLAN系統之單一功率放大器模組 2.自行新開發之2.4GHz GaAs HBT PA MMIC 3.利用LTCC內埋元件技術縮小功率放大器模組的尺寸 4.完成之模組整體體積為14... \| 潛力預估: WLAN及雙模終端應用及市場快速成長，亦相當適合我國產業切入，本技術將加強無線終端設備的小型化產品競爭力，大幅提高市場接受度。
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Telecom Enabled Platform Technology	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 研發OSA Gateway Phase 4.0，功能滿足以下規格：Multiparty Call Control SCF(TS29.198-04-3 v5.2.0)、Mobility SCF(TS29... \| 潛力預估: 提供國內content/service provider更便利的介面來開發電信相關的多媒體服務，希望豐富data service的種類以帶動mobile internet產業
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EPON Access Gateway	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合IEEE 802.3ah的EPON系統 \| 潛力預估: 非常有潛力
IPSec Engine IP	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合IETF IP Security的規範 \| 潛力預估: 非常有潛力
MPEG-4 Video Codec IP	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合ISO/IEC 14496-2 Simpl Profile標準 \| 潛力預估: 非常有潛力
遠距智慧型監控系統	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: MPEG-4 \| 潛力預估: 非常有潛力
VDSL Transceiver	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ITU-T G.993.1 \| 潛力預估: 非常有潛力
8-port Gigabit Ethernet Switch IC	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 線速第二層交換 \| 潛力預估: 可滿足未來SoC需要多個Gigabit Ethernet介面的需求, 非常有潛力