一種用於高電漿密度、高溫半導體製程的氮化鋁靜電吸盤
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文一種用於高電漿密度、高溫半導體製程的氮化鋁靜電吸盤的執行單位是中科院化學研究所, 產出年度是104, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 領域是智慧科技, 技術規格是氮化鋁陶瓷介電模組，經內埋電極後可施加正負電壓轉換進行晶圓吸放；本發明並針對此氮化鋁材質靜電吸盤之熱傳特性於其表面溝槽層進行冷卻氣體通道設計，此溝槽經氦(He)等的惰性氣體流到陶瓷介電質基板的表面與吸附對象物之基板的背面之間，可控制吸附對象物之基板的溫度，是故冷卻氣體通過之冷卻氣體通道與接觸面的比例..., 潛力預估是市場預估30億新台幣.

序號	7654
產出年度	104
技術名稱-中文	一種用於高電漿密度、高溫半導體製程的氮化鋁靜電吸盤
執行單位	中科院化學研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域	智慧科技
已申請專利之國家	中華民國、日本、美國
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本發明並針對此氮化鋁材質靜電吸盤之熱傳特性於其表面溝槽層進行冷卻氣體通道設計，此溝槽經氦(He)等的惰性氣體流到陶瓷介電質基板的表面與吸附對象物之基板的背面之間，可控制吸附對象物之基板的溫度，是故冷卻氣體通過之冷卻氣體通道與接觸面的比例及分佈形狀經本設計後可對吸放晶圓的溫度分佈進行控制。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	氮化鋁陶瓷介電模組，經內埋電極後可施加正負電壓轉換進行晶圓吸放；本發明並針對此氮化鋁材質靜電吸盤之熱傳特性於其表面溝槽層進行冷卻氣體通道設計，此溝槽經氦(He)等的惰性氣體流到陶瓷介電質基板的表面與吸附對象物之基板的背面之間，可控制吸附對象物之基板的溫度，是故冷卻氣體通過之冷卻氣體通道與接觸面的比例及分佈形狀經本設計後可對吸放晶圓的溫度分佈進行控制。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	半導體製程
潛力預估	市場預估30億新台幣
聯絡人員	郭養國
電話	03-4712201#358172
傳真	03-4116381
電子信箱	ykkuo2002@yahoo.com.tw
參考網址	http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備	半導體製程相關設備
需具備之專業人才	材料、化學化工相關背景
同步更新日期	2024-09-03

序號

7654

產出年度

104

技術名稱-中文

一種用於高電漿密度、高溫半導體製程的氮化鋁靜電吸盤

執行單位

中科院化學研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

領域

智慧科技

已申請專利之國家

中華民國、日本、美國

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本發明並針對此氮化鋁材質靜電吸盤之熱傳特性於其表面溝槽層進行冷卻氣體通道設計，此溝槽經氦(He)等的惰性氣體流到陶瓷介電質基板的表面與吸附對象物之基板的背面之間，可控制吸附對象物之基板的溫度，是故冷卻氣體通過之冷卻氣體通道與接觸面的比例及分佈形狀經本設計後可對吸放晶圓的溫度分佈進行控制。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

氮化鋁陶瓷介電模組，經內埋電極後可施加正負電壓轉換進行晶圓吸放；本發明並針對此氮化鋁材質靜電吸盤之熱傳特性於其表面溝槽層進行冷卻氣體通道設計，此溝槽經氦(He)等的惰性氣體流到陶瓷介電質基板的表面與吸附對象物之基板的背面之間，可控制吸附對象物之基板的溫度，是故冷卻氣體通過之冷卻氣體通道與接觸面的比例及分佈形狀經本設計後可對吸放晶圓的溫度分佈進行控制。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

半導體製程

潛力預估

市場預估30億新台幣

聯絡人員

郭養國

電話

03-4712201#358172

傳真

03-4116381

電子信箱

ykkuo2002@yahoo.com.tw

參考網址

http://www.csistdup.org.tw/

所須軟硬體設備

半導體製程相關設備

需具備之專業人才

材料、化學化工相關背景

同步更新日期

2024-09-03

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基板之熱均壓成型法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 郭養國、向嘉頤、姜林靜惠、黃福興 \| 證書號碼: I 432274 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
LED驅動晶片之整合裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 郭養國、王金鵬、呂理煌 \| 證書號碼: 發明第I 432673號 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化鋁碳素除氧法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 \| 專利發明人: 郭養國、向嘉頤、劉得鉢、姜林靜惠 \| 證書號碼: I531528 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
一種氣氛控制碳熱還原製備氮化鋁粉末的方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 \| 專利發明人: 賴冠廷、許志雄、楊旻諭 \| 證書號碼: I548591 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
溶膠-凝膠法植碳技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 民生福祉領域工業基礎技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 碳熱還原法球磨混合技術、碳熱還原法溶膠-凝膠植碳技術 \| 潛力預估: 高導熱氮化鋁基板、高導熱氮化鋁陶瓷元件 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
氮化鋁e-chuck共燒成品可靠度驗證技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 \| 領域: \| 技術規格: 氮化鋁e-chuck共燒成品的四點抗彎強度及維式硬度測試驗證技術、氮化鋁e-chuck共燒成品的電絕緣性與漏電流測試驗證技術、氮化鋁e-chuck共燒成品的散熱性能驗證技術、氮化鋁e-chuck共燒成... \| 潛力預估: 半導體製程的鍍膜、離子植入、黃光與蝕刻等製程設備 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
天線成形之製作方法	執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 103 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: 一種利用多軸機械加工之立體天線線路成型技術。 \| 潛力預估: 加工過程不需使用任何光罩，並以控制基板表面粗糙度等方式提升銅線覆蓋品質，是一種低成本與快速的加工方法。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
非平面立體天線成型之製作方法	執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 103 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: 非平面絕緣基板製作技術、立體微影技術技術等。 \| 潛力預估: 提高天線低頻的性能，同時對於天線的微小化亦有相當程度的幫助，有助於搭載之天線載具降低重量與能源的使用。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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半導體前段設備標準通標模組	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準 \| 潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準，本產品為標準通訊模組，目前此類標準通訊模組多使用國外產品，國內市場廣大，可配合未來國內自製機台使用，潛力無窮。
300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3% \| 潛力預估: 為我國從民國87年起，投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元，LCD全球市場在民國94年將達390億美元，而全球設備產業將達61億美元，其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...
300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線．蝕刻速率為2,500 A /min ．蝕刻均勻度小於3 % \| 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗
精密雷射切割機	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．定位精度：0.5μm ．馬達最快速度: 120m/min ．馬達最快加速度: 1.5g ．切割速度:~4000 Aperture/Hour ．具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 \| 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元，94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元
線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 機器重量<15,000Kg、三軸加速度1.5G、三軸移動速度90m/min、主軸24,000rpm、工作台交換系統轉速33.3rpm、定位精度土0.01mm、共振頻率>70Hz、靜剛性>1μm /kg... \| 潛力預估: 相關文獻顯示，預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時，以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發，預計可建立業界高速工具機...
油靜座滑軌	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．供油壓力：20 bar ．潤滑油形式：VG32(溫度20~40℃) ．切削力：Fa:1,000N,Ft:300N ．滑軌長度:1,500mm ．工作行程:750mm ．工作台上最大荷重:750kg... \| 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標，本技術在前兩項目標之達成無庸置疑，對於經濟性，就機器製造成本而言，雖然需要較高之成本，但將無磨耗、壽命長納入考量後，將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...
極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 \| 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大，如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言，民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元，預估93年達到19億美元，至99年時可達65億美元
晶圓均溫加熱調整技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) \| 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求，以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台，大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300，價格約為200 ~ 3...
微型慣性感測元件研製	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元，由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點，根據美國Honeywell公司對產品評估，與傳統機電式慣性感測單元比較，體積上可縮小90%，電源消耗上減少8... \| 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛，未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上，發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量，完成核心組件專利佈局，協助業界...
氫電關鍵元件材料技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm，He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒，平均粒徑3nm以下，白金含... \| 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池
奈米材料及元件檢測技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 \| 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。
具振動抑制複材管件結構改良	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) \| 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等
輕質蜂巢聲阻結構	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 厚度 <60 mm ，面密度< 31 kg/m2，穿透損失等級:40.85dB 250Hz以上穿透損失35dB以上 800Hz以上穿透損失40dB以上 \| 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色
酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 \| 潛力預估: 有賴技術推廣
電鑄模仁低溫增厚技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)接合溫度200-400℃； (2)結合強度3000psi以上； (3)變形量<0.5μm/㎝。 \| 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，市場前景可期。