牙根尖用X光磷光板
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技術名稱-中文牙根尖用X光磷光板的執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是104, 計畫名稱是醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發, 領域是民生福祉, 技術規格是磷光板發光比相比於商用磷光板可達100%;2 lp/mm時MTF=0.7,5 lp/mm時MTF=0.3。, 潛力預估是可用於人體各部位數位X光感測器。.

序號7663
產出年度104
技術名稱-中文牙根尖用X光磷光板
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位(空)
計畫名稱醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發
領域民生福祉
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文0-4號片牙根尖用X光磷光板。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格磷光板發光比相比於商用磷光板可達100%;2 lp/mm時MTF=0.7,5 lp/mm時MTF=0.3。
技術成熟度試量產
可應用範圍應用於醫療X光影像診斷及非破壞性檢測等方面,亦普遍使用於工業管線洩漏之非破壞性檢。
潛力預估可用於人體各部位數位X光感測器。
聯絡人員黃科志
電話03-4712201轉357098
傳真03-4714368
電子信箱hohh@csnet.gov.tw
參考網址http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備高溫燒結爐、塗佈設備、封裝設備、手持式X光機、CR 讀取設備。
需具備之專業人才材料、化工、機械相關背景。
同步更新日期2024-09-03

序號

7663

產出年度

104

技術名稱-中文

牙根尖用X光磷光板

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發

領域

民生福祉

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

0-4號片牙根尖用X光磷光板。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

磷光板發光比相比於商用磷光板可達100%;2 lp/mm時MTF=0.7,5 lp/mm時MTF=0.3。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

應用於醫療X光影像診斷及非破壞性檢測等方面,亦普遍使用於工業管線洩漏之非破壞性檢。

潛力預估

可用於人體各部位數位X光感測器。

聯絡人員

黃科志

電話

03-4712201轉357098

傳真

03-4714368

電子信箱

hohh@csnet.gov.tw

參考網址

http://www.csistdup.org.tw/

所須軟硬體設備

高溫燒結爐、塗佈設備、封裝設備、手持式X光機、CR 讀取設備。

需具備之專業人才

材料、化工、機械相關背景。

同步更新日期

2024-09-03

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牙根尖用X光磷光板

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 磷光板發光比相比於商用磷光板可達100%;2 lp/mm時MTF=0.7,5 lp/mm時MTF=0.3。 | 潛力預估: 可用於人體各部位數位X光感測器。

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牙根尖用X光磷光板

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 磷光板發光比相比於商用磷光板可達100%;2 lp/mm時MTF=0.7,5 lp/mm時MTF=0.3。 | 潛力預估: 可用於人體各部位數位X光感測器。

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牙根尖用X光磷光板

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 磷光板發光比相比於商用磷光板可達100%;2 lp/mm時MTF=0.7,5 lp/mm時MTF=0.3。 | 潛力預估: 可用於人體各部位數位X光感測器。

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牙根尖用X光磷光板

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 磷光板發光比相比於商用磷光板可達100%;2 lp/mm時MTF=0.7,5 lp/mm時MTF=0.3。 | 潛力預估: 可用於人體各部位數位X光感測器。

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膠囊內視鏡三維立體影像還原建立方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 專利發明人: 吳憲明、黃科志、歐陽盟、鄭偉德 | 證書號碼: I428855

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具有次微米柱狀排列的閃爍晶體結構與製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 專利發明人: 黃科志、蔡登宏、楊燦南、陳順林、陳建仲 | 證書號碼: I476143

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磷光影像讀取技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 雷射波段:630±50 nm 掃描面積:31 mm×41 mm(CR, #2) 解析度 ≧ 18 lp/mm 掃描時間 ≦ 6秒 灰階度 ≧ 1024 影像顯示程式 多張讀取 | 潛力預估: 可應用於數位X光磷光片讀取。

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閃爍體製程技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 薄膜厚度 : ≧100μm,CTF : >25% at 10Lp/mm。 | 潛力預估: 可用於口腔和胸腔之數位X光感測器。

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閃爍體製程技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 薄膜厚度 : ≧100μm,CTF : >25% at 10Lp/mm。 | 潛力預估: 可用於口腔和胸腔之數位X光感測器。

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閃爍體製程技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 薄膜厚度 : ≧100μm,CTF : >25% at 10Lp/mm。 | 潛力預估: 可用於口腔和胸腔之數位X光感測器。

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膠囊內視鏡三維立體影像還原建立方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 專利發明人: 吳憲明、黃科志、歐陽盟、鄭偉德 | 證書號碼: I428855

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具有次微米柱狀排列的閃爍晶體結構與製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 專利發明人: 黃科志、蔡登宏、楊燦南、陳順林、陳建仲 | 證書號碼: I476143

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磷光影像讀取技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 雷射波段:630±50 nm 掃描面積:31 mm×41 mm(CR, #2) 解析度 ≧ 18 lp/mm 掃描時間 ≦ 6秒 灰階度 ≧ 1024 影像顯示程式 多張讀取 | 潛力預估: 可應用於數位X光磷光片讀取。

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閃爍體製程技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 薄膜厚度 : ≧100μm,CTF : >25% at 10Lp/mm。 | 潛力預估: 可用於口腔和胸腔之數位X光感測器。

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閃爍體製程技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 薄膜厚度 : ≧100μm,CTF : >25% at 10Lp/mm。 | 潛力預估: 可用於口腔和胸腔之數位X光感測器。

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閃爍體製程技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 薄膜厚度 : ≧100μm,CTF : >25% at 10Lp/mm。 | 潛力預估: 可用於口腔和胸腔之數位X光感測器。

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300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線.蝕刻速率為2,500 A /min .蝕刻均勻度小於3 % | 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗

精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .定位精度:0.5μm .馬達最快速度: 120m/min .馬達最快加速度: 1.5g .切割速度:~4000 Aperture/Hour .具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量<15,000Kg、三軸加速度1.5G、三軸移動速度90m/min、主軸24,000rpm、工作台交換系統轉速33.3rpm、定位精度土0.01mm、共振頻率>70Hz、靜剛性>1μm /kg... | 潛力預估: 相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .供油壓力:20 bar .潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃) .切削力:Fa:1,000N,Ft:300N .滑軌長度:1,500mm .工作行程:750mm .工作台上最大荷重:750kg... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

奈米材料及元件檢測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。

具振動抑制複材管件結構改良

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發 被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等

輕質蜂巢聲阻結構

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 <60 mm , 面密度< 31 kg/m2,穿透損失等級:40.85dB 250Hz以上 穿透損失35dB以上 800Hz以上穿透損失40dB以上 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色

酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃; (2)結合強度3000psi以上; (3)變形量<0.5μm/㎝。 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。

繞射光學鏡片設計與製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差<0.15μm。 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。

CMOS影像IC設計及影像處理像技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。

300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線.蝕刻速率為2,500 A /min .蝕刻均勻度小於3 % | 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗

精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .定位精度:0.5μm .馬達最快速度: 120m/min .馬達最快加速度: 1.5g .切割速度:~4000 Aperture/Hour .具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量<15,000Kg、三軸加速度1.5G、三軸移動速度90m/min、主軸24,000rpm、工作台交換系統轉速33.3rpm、定位精度土0.01mm、共振頻率>70Hz、靜剛性>1μm /kg... | 潛力預估: 相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .供油壓力:20 bar .潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃) .切削力:Fa:1,000N,Ft:300N .滑軌長度:1,500mm .工作行程:750mm .工作台上最大荷重:750kg... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

奈米材料及元件檢測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測設備建立與人員訓練 | 潛力預估: 可搶攻光電產業、電子封裝產業、鍍膜產業及傳統產業等需要執行奈米尺度等級檢測之市場。

具振動抑制複材管件結構改良

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 功能性專用壓電元件設計開發 被動耗能機制下減震效果10-20%(視環境受力條件而異) | 潛力預估: 可搶攻金字塔頂端專業級複材運動器材如競速型赴材自行車等

輕質蜂巢聲阻結構

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 <60 mm , 面密度< 31 kg/m2,穿透損失等級:40.85dB 250Hz以上 穿透損失35dB以上 800Hz以上穿透損失40dB以上 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色

酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃; (2)結合強度3000psi以上; (3)變形量<0.5μm/㎝。 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷,市場前景可期。

繞射光學鏡片設計與製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm;深度1.1μm;形狀誤差<0.15μm。 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術,可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術,對降低成本提升產值,有很大助益。

CMOS影像IC設計及影像處理像技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。

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