DRAM設計輔助軟體
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技術名稱-中文DRAM設計輔助軟體的執行單位是工研院電光系統所, 產出年度是105, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 領域是智慧科技, 技術規格是完整的DRAM電路模型,包含記憶體陣列、資料路徑、延遲模型與周邊控制電路的等效數學模型。目前所提供的功能有:(1)組態設定:a.設定製程b.設定DRAM架構。(2)檔案操作:提供各種模型檔案、技術檔案、架構檔案與輸出組態檔案的存取。(3)DRAM晶片布局設計(4)圖形操作介面(5)DArT執行環境(..., 潛力預估是可進行高效能電子產品開發.

序號8295
產出年度105
技術名稱-中文DRAM設計輔助軟體
執行單位工研院電光系統所
產出單位(空)
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文DRAM設計輔助軟體(DArT)是一套用來設計客製化DRAM的軟體,使用者可以根據系統所需要的規格,以晶片面積、存取功耗、存取速度作為輸入參數,軟體即可利用內建的DRAM模型計算出符合條件的所有DRAM組態,使用者可以進一步挑選適合的組態來進行實際的DRAM電路設計。 使用DArT進行客製化DRAM設計,可以在設計初期就得到適合的DRAM組態,減少後續的設計失誤。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格完整的DRAM電路模型,包含記憶體陣列、資料路徑、延遲模型與周邊控制電路的等效數學模型。目前所提供的功能有:(1)組態設定:a.設定製程b.設定DRAM架構。(2)檔案操作:提供各種模型檔案、技術檔案、架構檔案與輸出組態檔案的存取。(3)DRAM晶片布局設計(4)圖形操作介面(5)DArT執行環境(6)Excel檔案產生:DArT可將所有的DRAM組態匯入成Excel檔案格式,使用者可輕易地由Excel分析這些DRAM組態,進一步挑選適合的DRAM設計。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍客製化DRAM設計、2.1-D/2.5-D/3-D IC與DRAM整合、利基型DRAM產品
潛力預估可進行高效能電子產品開發
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5820462
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_portal.aspx?SiteID=1&MmmID=620621110650707703
所須軟硬體設備Windows/Linux
需具備之專業人才熟悉DRAM或記憶體架構與電路設計者
同步更新日期2023-07-22

序號

8295

產出年度

105

技術名稱-中文

DRAM設計輔助軟體

執行單位

工研院電光系統所

產出單位

(空)

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

領域

智慧科技

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

DRAM設計輔助軟體(DArT)是一套用來設計客製化DRAM的軟體,使用者可以根據系統所需要的規格,以晶片面積、存取功耗、存取速度作為輸入參數,軟體即可利用內建的DRAM模型計算出符合條件的所有DRAM組態,使用者可以進一步挑選適合的組態來進行實際的DRAM電路設計。 使用DArT進行客製化DRAM設計,可以在設計初期就得到適合的DRAM組態,減少後續的設計失誤。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

完整的DRAM電路模型,包含記憶體陣列、資料路徑、延遲模型與周邊控制電路的等效數學模型。目前所提供的功能有:(1)組態設定:a.設定製程b.設定DRAM架構。(2)檔案操作:提供各種模型檔案、技術檔案、架構檔案與輸出組態檔案的存取。(3)DRAM晶片布局設計(4)圖形操作介面(5)DArT執行環境(6)Excel檔案產生:DArT可將所有的DRAM組態匯入成Excel檔案格式,使用者可輕易地由Excel分析這些DRAM組態,進一步挑選適合的DRAM設計。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

客製化DRAM設計、2.1-D/2.5-D/3-D IC與DRAM整合、利基型DRAM產品

潛力預估

可進行高效能電子產品開發

聯絡人員

游淑惠

電話

03-5917135

傳真

03-5820462

電子信箱

ivyyu@itri.org.tw

參考網址

https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_portal.aspx?SiteID=1&MmmID=620621110650707703

所須軟硬體設備

Windows/Linux

需具備之專業人才

熟悉DRAM或記憶體架構與電路設計者

同步更新日期

2023-07-22

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# DRAM設計輔助軟體 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號7573
產出年度104
技術名稱-中文DRAM設計輔助軟體
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文DRAM設計輔助軟體(DArT)是一套用來設計客製化DRAM的軟體,使用者可以根據系統所需要的規格,以晶片面積、存取功耗、存取速度作為輸入參數,軟體即可利用內建的DRAM模型計算出符合條件的所有DRAM組態,使用者可以進一步挑選適合的組態來進行實際的DRAM電路設計。 使用DArT進行客製化DRAM設計,可以在設計初期就得到適合的DRAM組態,減少後續的設計失誤。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格完整的DRAM電路模型,包含記憶體陣列(memory array)、資料路徑(data path)、延遲模型(delay model)與周邊控制電路的等效數學模型。目前所提供的功能有: (1)組態設定:a.設定製程(process technology),目前預先載入的範本支援68nm、63nm與45nm DRAM製程,使用者也可以自行撰寫製程檔案供DArT載入。b.設定DRAM架構,目前預先載入的範本支援SDRAM、DDR DRAM、DDR2 DRAM、3-D DRAM、HBLL DRAM,使用者也可以自行定義架構。 (2)檔案操作:a.提供各種模型檔案、技術檔案、架構檔案與輸出組態檔案的存取。 (3)DRAM晶片布局設計:a.依據DRAM設計架構,提供記憶體階層設計,使用者也可以自行組合。b.Level 0:最高階層,稱為tier,由次一級的channel組成。c.Level 1:次高階層,稱為channel,由下一級的quadrant組成。d.Level 2:稱為quadrant,由下一級的bank group組成。e.Level 3:稱為bank group,由下一級的memory bank組成。f.Level 4:稱為memory bank,由下一級的memory block組成。g.Level 5:稱為memory block,由基本的unit array組成。h.Level 6:稱為unit array,是基本的記憶體儲存結構。 (4)圖形操作介面:a.圖形操作介面為是定義DRAM模型的數學公式,使用者可以根據未來電路的設計,在DArT裡定義或修改數學公式,以達到最準確的結果。b.內建的公式有?READ、?WRITE、?ACTIVATE、?RL、?tRP、?tWTP、?tRCD ?tRAS…等DRAM規格書內通用的DRAM參數公式。 (5)DArT執行環境:a.DArT依據所套用的資料與公式,便會開始計算可能的DRAM組態,並依序列出DRAM架構內所規範的DRAM規格參數。使用者可預先查看這些輸出值,再決定是否修改輸入。 (6)Excel檔案產生:a.DArT可將所有的DRAM組態匯入成Excel檔案格式,使用者可輕易地由Excel分析這些DRAM組態,進一步挑選適合的DRAM設計。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍客製化DRAM設計、2.1-D/2.5-D/3-D IC與DRAM整合、利基型DRAM產品
潛力預估可進行高效能電子產品開發
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5820462
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_portal.aspx?SiteID=1&MmmID=620621110650707703
所須軟硬體設備Windows/Linux
需具備之專業人才熟悉DRAM或記憶體架構與電路設計者
序號: 7573
產出年度: 104
技術名稱-中文: DRAM設計輔助軟體
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域: 智慧科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: DRAM設計輔助軟體(DArT)是一套用來設計客製化DRAM的軟體,使用者可以根據系統所需要的規格,以晶片面積、存取功耗、存取速度作為輸入參數,軟體即可利用內建的DRAM模型計算出符合條件的所有DRAM組態,使用者可以進一步挑選適合的組態來進行實際的DRAM電路設計。 使用DArT進行客製化DRAM設計,可以在設計初期就得到適合的DRAM組態,減少後續的設計失誤。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 完整的DRAM電路模型,包含記憶體陣列(memory array)、資料路徑(data path)、延遲模型(delay model)與周邊控制電路的等效數學模型。目前所提供的功能有: (1)組態設定:a.設定製程(process technology),目前預先載入的範本支援68nm、63nm與45nm DRAM製程,使用者也可以自行撰寫製程檔案供DArT載入。b.設定DRAM架構,目前預先載入的範本支援SDRAM、DDR DRAM、DDR2 DRAM、3-D DRAM、HBLL DRAM,使用者也可以自行定義架構。 (2)檔案操作:a.提供各種模型檔案、技術檔案、架構檔案與輸出組態檔案的存取。 (3)DRAM晶片布局設計:a.依據DRAM設計架構,提供記憶體階層設計,使用者也可以自行組合。b.Level 0:最高階層,稱為tier,由次一級的channel組成。c.Level 1:次高階層,稱為channel,由下一級的quadrant組成。d.Level 2:稱為quadrant,由下一級的bank group組成。e.Level 3:稱為bank group,由下一級的memory bank組成。f.Level 4:稱為memory bank,由下一級的memory block組成。g.Level 5:稱為memory block,由基本的unit array組成。h.Level 6:稱為unit array,是基本的記憶體儲存結構。 (4)圖形操作介面:a.圖形操作介面為是定義DRAM模型的數學公式,使用者可以根據未來電路的設計,在DArT裡定義或修改數學公式,以達到最準確的結果。b.內建的公式有?READ、?WRITE、?ACTIVATE、?RL、?tRP、?tWTP、?tRCD ?tRAS…等DRAM規格書內通用的DRAM參數公式。 (5)DArT執行環境:a.DArT依據所套用的資料與公式,便會開始計算可能的DRAM組態,並依序列出DRAM架構內所規範的DRAM規格參數。使用者可預先查看這些輸出值,再決定是否修改輸入。 (6)Excel檔案產生:a.DArT可將所有的DRAM組態匯入成Excel檔案格式,使用者可輕易地由Excel分析這些DRAM組態,進一步挑選適合的DRAM設計。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 客製化DRAM設計、2.1-D/2.5-D/3-D IC與DRAM整合、利基型DRAM產品
潛力預估: 可進行高效能電子產品開發
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5820462
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_portal.aspx?SiteID=1&MmmID=620621110650707703
所須軟硬體設備: Windows/Linux
需具備之專業人才: 熟悉DRAM或記憶體架構與電路設計者
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# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號18310
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文半導體元件堆疊結構
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院資通所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人蒯定明 ,周永發 ,龍巧玲 ,錢睿宏
核准國家中國大陸
獲證日期105/03/09
證書號碼ZL201210111141.1
專利期間起105/02/11
專利期間訖120/10/04
專利性質發明
技術摘要-中文一種半導體元件堆疊結構,包括多個半導體元件及至少一加固結構。半導體元件相互堆疊,其中至少一半導體元件具有至少一穿矽孔。各至少一加固結構圍繞相應的至少一穿矽孔,並且電性隔絕於半導體元件。至少一加固結構包括多個加固件及至少一連結件。加固件位於半導體元件之間,其中加固件在一平面上的垂直投影圍出一封閉區域,且至少一穿矽孔在平面上的投影位於封閉區域內。連結件位於加固件在平面上的垂直投影的重疊區域內,用以連接加固件,而構成至少一加固結構。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5820240
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P52000146CN
特殊情形(空)
序號: 18310
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 半導體元件堆疊結構
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 蒯定明 ,周永發 ,龍巧玲 ,錢睿宏
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 105/03/09
證書號碼: ZL201210111141.1
專利期間起: 105/02/11
專利期間訖: 120/10/04
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種半導體元件堆疊結構,包括多個半導體元件及至少一加固結構。半導體元件相互堆疊,其中至少一半導體元件具有至少一穿矽孔。各至少一加固結構圍繞相應的至少一穿矽孔,並且電性隔絕於半導體元件。至少一加固結構包括多個加固件及至少一連結件。加固件位於半導體元件之間,其中加固件在一平面上的垂直投影圍出一封閉區域,且至少一穿矽孔在平面上的投影位於封閉區域內。連結件位於加固件在平面上的垂直投影的重疊區域內,用以連接加固件,而構成至少一加固結構。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5820240
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P52000146CN
特殊情形: (空)

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號18311
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文三維記憶體與其內建自我測試電路
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院資通所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人駱致彥 ,蒯定明 ,李進福 ,游雲超 ,周哲緯
核准國家美國
獲證日期105/03/15
證書號碼9,406,401
專利期間起105/02/09
專利期間訖122/08/13
專利性質發明
技術摘要-中文三維記憶體包括:複數記憶體晶粒層,各記憶體晶粒層包括至少一記憶體區塊與一內建自我測試電路;以及複數通道,用以電性連接該些記憶體晶粒層。於同步測試時,選擇該些記憶體晶粒層之一為一主要層,由該主要層之該內建自我測試電路透過該些通道而送出一致能信號給受測的該些記憶體晶粒層,該些記憶體晶粒層之各該內建自我測試電路用以測試同一記憶體晶粒層或不同記憶體晶粒層之該些記憶體區塊。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5820240
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P52010012US
特殊情形(空)
序號: 18311
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 三維記憶體與其內建自我測試電路
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 駱致彥 ,蒯定明 ,李進福 ,游雲超 ,周哲緯
核准國家: 美國
獲證日期: 105/03/15
證書號碼: 9,406,401
專利期間起: 105/02/09
專利期間訖: 122/08/13
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 三維記憶體包括:複數記憶體晶粒層,各記憶體晶粒層包括至少一記憶體區塊與一內建自我測試電路;以及複數通道,用以電性連接該些記憶體晶粒層。於同步測試時,選擇該些記憶體晶粒層之一為一主要層,由該主要層之該內建自我測試電路透過該些通道而送出一致能信號給受測的該些記憶體晶粒層,該些記憶體晶粒層之各該內建自我測試電路用以測試同一記憶體晶粒層或不同記憶體晶粒層之該些記憶體區塊。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5820240
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P52010012US
特殊情形: (空)

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號18316
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文錯誤容忍穿矽孔介面及其控制方法
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院資通所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人駱致彥 ,蒯定明 ,楊其峻 ,吳冠德 ,游雲超 ,李進福
核准國家中華民國
獲證日期105/02/03
證書號碼I556247
專利期間起105/01/21
專利期間訖121/12/25
專利性質發明
技術摘要-中文一種錯誤容忍穿矽孔介面及其控制方法實施例之一。錯誤容忍穿矽孔介面存在於一三維隨機存取記憶體之數個記憶體層中。三維隨機存取記憶體包括此些記憶體層及數個資料存取路徑組。各個記憶體層包括數個記憶體陣列。各個資料存取路徑組包括數個穿矽孔路徑。此些穿矽孔路徑連接此些記憶體層。錯誤容忍穿矽孔介面包括一路徑控制單元及一處理單元。處理單元提供至少二容錯存取配置。此些容錯存取配置不同。於各個容錯存取配置中,此些資料存取路徑組之其中一些被開啟,以存取此些記憶體層之其中之一層的全部記憶體陣列。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5820240
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P52030034TW
特殊情形(空)
序號: 18316
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 錯誤容忍穿矽孔介面及其控制方法
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 駱致彥 ,蒯定明 ,楊其峻 ,吳冠德 ,游雲超 ,李進福
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/02/03
證書號碼: I556247
專利期間起: 105/01/21
專利期間訖: 121/12/25
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種錯誤容忍穿矽孔介面及其控制方法實施例之一。錯誤容忍穿矽孔介面存在於一三維隨機存取記憶體之數個記憶體層中。三維隨機存取記憶體包括此些記憶體層及數個資料存取路徑組。各個記憶體層包括數個記憶體陣列。各個資料存取路徑組包括數個穿矽孔路徑。此些穿矽孔路徑連接此些記憶體層。錯誤容忍穿矽孔介面包括一路徑控制單元及一處理單元。處理單元提供至少二容錯存取配置。此些容錯存取配置不同。於各個容錯存取配置中,此些資料存取路徑組之其中一些被開啟,以存取此些記憶體層之其中之一層的全部記憶體陣列。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5820240
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P52030034TW
特殊情形: (空)

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號1457
產出年度95
技術名稱-中文低壓降穩壓器
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱晶片系統關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Temperature Coefficient:-0.7 (%of VOUT (nom) )_x000D_ ;Stability:Phase Margin is Good;Efficiency or Power:148uA(VDD=5.5V,IL=150mA);Dropout Voltage:Drop Voltage =125mV;Line Regulation(VDD=3V,IL=1mA)(VDD=2.7V,IL=50mA):Error < 0.12mV/V;Max Tran=1mV _x000D_ ;PSR =54.61dB(f =1KHz) _x000D_ ;PSR =48.05dB(f=10KHz)_x000D_ ;Load Regulation:Error < 22uV/mA _x000D_ ;Max Tran = 100mV_x000D_ ;Enable Response:25usec(VDD=2.7V,4.2V)_x000D_ ;Noise(10Hz ~100KHz):Noise =25.10uV(VDD=5.5V,IL=1mA)_x000D_ ;Disable Current:0.75nA (VDD=4V)_x000D_ ;Output Capacitance:CL:0.57uF
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍可攜帶式、無線、部分電腦週邊等產品。
潛力預估
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-591-3183
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址
所須軟硬體設備
需具備之專業人才
序號: 1457
產出年度: 95
技術名稱-中文: 低壓降穩壓器
執行單位: 工研院晶片中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文:
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Temperature Coefficient:-0.7 (%of VOUT (nom) )_x000D_ ;Stability:Phase Margin is Good;Efficiency or Power:148uA(VDD=5.5V,IL=150mA);Dropout Voltage:Drop Voltage =125mV;Line Regulation(VDD=3V,IL=1mA)(VDD=2.7V,IL=50mA):Error < 0.12mV/V;Max Tran=1mV _x000D_ ;PSR =54.61dB(f =1KHz) _x000D_ ;PSR =48.05dB(f=10KHz)_x000D_ ;Load Regulation:Error < 22uV/mA _x000D_ ;Max Tran = 100mV_x000D_ ;Enable Response:25usec(VDD=2.7V,4.2V)_x000D_ ;Noise(10Hz ~100KHz):Noise =25.10uV(VDD=5.5V,IL=1mA)_x000D_ ;Disable Current:0.75nA (VDD=4V)_x000D_ ;Output Capacitance:CL:0.57uF
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 可攜帶式、無線、部分電腦週邊等產品。
潛力預估:
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-591-3183
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址:
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才:

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號2055
產出年度96
技術名稱-中文WiMAX ADC/DAC
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱無線多媒體系統晶片關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文WiMAX為全球最新的寬頻無線通訊標準之一,提供無線“最後一哩(last mile)”及行動終端寬頻接取之有效技術解決方案。工研院晶片中心自2006年開始大力投入mobile WiMAX技術研發,包含數位類比轉換電路(ADC/DAC)、基頻(Baseband)與射頻(RF)晶片。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格● ADC ‧Architecture : Pipeline ‧Resolution : 10-bit ‧Sampling Rate : 100MHz ‧ENOB : 9-bit ‧SNDR : 55.94dB ‧Power consumption : 60mW ‧Core Area : 1000*1800um2 ‧Process : TSMC Mixed signal 90nm 1P9M ● DAC ‧Architecture : Current steering ‧Resolution : 10-bit ‧Sampling Rate : 120MHz ‧SFDR : 63dB ‧Power consumption : 12mW ‧Area : 600*1000um2 ‧Process : TSMC Mixed signal 90nm 1P9M
技術成熟度雛型
可應用範圍WiMAX晶片組
潛力預估可提供國內IC設計業者符合WiMAX 802.16e規範之ADC及DAC。
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5913183
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備
需具備之專業人才具通訊系統以及IC設計相關能力
序號: 2055
產出年度: 96
技術名稱-中文: WiMAX ADC/DAC
執行單位: 工研院晶片中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 無線多媒體系統晶片關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: WiMAX為全球最新的寬頻無線通訊標準之一,提供無線“最後一哩(last mile)”及行動終端寬頻接取之有效技術解決方案。工研院晶片中心自2006年開始大力投入mobile WiMAX技術研發,包含數位類比轉換電路(ADC/DAC)、基頻(Baseband)與射頻(RF)晶片。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: ● ADC ‧Architecture : Pipeline ‧Resolution : 10-bit ‧Sampling Rate : 100MHz ‧ENOB : 9-bit ‧SNDR : 55.94dB ‧Power consumption : 60mW ‧Core Area : 1000*1800um2 ‧Process : TSMC Mixed signal 90nm 1P9M ● DAC ‧Architecture : Current steering ‧Resolution : 10-bit ‧Sampling Rate : 120MHz ‧SFDR : 63dB ‧Power consumption : 12mW ‧Area : 600*1000um2 ‧Process : TSMC Mixed signal 90nm 1P9M
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: WiMAX晶片組
潛力預估: 可提供國內IC設計業者符合WiMAX 802.16e規範之ADC及DAC。
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5913183
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才: 具通訊系統以及IC設計相關能力

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號2084
產出年度96
技術名稱-中文UWB ADC/DAC
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱資訊與通訊領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文UWB(Ultra Wideband)是一種無線通訊技術,能以極高速率傳送資料,且功耗卻非常低,最適合需要高傳輸量服務的無線通訊應用,例如高畫質影音傳送或是Wireless USB等應用。但現今能提供適用於UWB系統之高速ADC/DAC IP solution的廠家相當稀少,工研院晶片中心自2006年1月開始投入研發,至今已完成至prototype階段,可供國內IC設計業者技術移轉。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格● ADC_x000D_‧Architecture : Flash_x000D_‧Resolution : 6-bit_x000D_‧Sampling Rate : 1.2GHz_x000D_‧ENOB : 5(Bit)@Fin=251.98MHz_x000D_‧Power consumption : 70mW(ADC-core)_x000D_‧Core Area : Analog : 1450umx650um Digital : 650umx130um_x000D_‧Process : TSMC 0.13um process_x000D_● DAC_x000D_‧Architecture : Current steering_x000D_‧Resolution : 6-bit_x000D_‧Sampling Rate : 1GHz_x000D_‧SFDR=46.7dB@Fs=1GS/s,Fout=300MHz_x000D_‧Power consumption : 6.3mAx1.2V(analog);19.3mAx1.2V(digital)_x000D_‧Core Area : 900x470um_x000D_‧Process : TSMC 0.13um proce
技術成熟度雛型
可應用範圍UWB晶片組
潛力預估可提供國內IC設計業者符合UWB(MB-OFDM)規範之ADC及DAC,本技術主要特色在於Low power 及small size之電路設計know-how,相當具競爭力。
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5913183
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備
需具備之專業人才具類比IC電路設計與系統相關能力
序號: 2084
產出年度: 96
技術名稱-中文: UWB ADC/DAC
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: UWB(Ultra Wideband)是一種無線通訊技術,能以極高速率傳送資料,且功耗卻非常低,最適合需要高傳輸量服務的無線通訊應用,例如高畫質影音傳送或是Wireless USB等應用。但現今能提供適用於UWB系統之高速ADC/DAC IP solution的廠家相當稀少,工研院晶片中心自2006年1月開始投入研發,至今已完成至prototype階段,可供國內IC設計業者技術移轉。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: ● ADC_x000D_‧Architecture : Flash_x000D_‧Resolution : 6-bit_x000D_‧Sampling Rate : 1.2GHz_x000D_‧ENOB : 5(Bit)@Fin=251.98MHz_x000D_‧Power consumption : 70mW(ADC-core)_x000D_‧Core Area : Analog : 1450umx650um Digital : 650umx130um_x000D_‧Process : TSMC 0.13um process_x000D_● DAC_x000D_‧Architecture : Current steering_x000D_‧Resolution : 6-bit_x000D_‧Sampling Rate : 1GHz_x000D_‧SFDR=46.7dB@Fs=1GS/s,Fout=300MHz_x000D_‧Power consumption : 6.3mAx1.2V(analog);19.3mAx1.2V(digital)_x000D_‧Core Area : 900x470um_x000D_‧Process : TSMC 0.13um proce
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: UWB晶片組
潛力預估: 可提供國內IC設計業者符合UWB(MB-OFDM)規範之ADC及DAC,本技術主要特色在於Low power 及small size之電路設計know-how,相當具競爭力。
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5913183
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才: 具類比IC電路設計與系統相關能力

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號2460
產出年度97
技術名稱-中文DVB-T Silicon Tuner
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文使用TSMC 0.18um技術設計的DTV Tuner,以省電、高靈敏度為設計目標,放置在手持式裝置當中,即可利用手持式裝置收看數位電視。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格‧Frequency Range:50~860 MHz ‧Input Resistance:70 Ohm‧Min Input Power:- 80 dBm ‧Max Input Power:0 dBm ‧Total Noise Figure:7~10 dB ‧Input Return Loss:10 dB ‧Dynamic Range:35~40 dB ‧Image Rejection:60 dB ‧Phase Noise@10kHz:- 80dB/Hz ‧Power Consumpution:1W
技術成熟度雛型
可應用範圍手持式裝置 (手機, Protable Multimedia Player)。
潛力預估可使得台灣系統廠商擺脫對於國外晶片廠的依賴。
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5913183
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備高頻相關儀器。
需具備之專業人才具類比IC電路設計與系統相關能力。
序號: 2460
產出年度: 97
技術名稱-中文: DVB-T Silicon Tuner
執行單位: 工研院晶片中心
產出單位: (空)
計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 使用TSMC 0.18um技術設計的DTV Tuner,以省電、高靈敏度為設計目標,放置在手持式裝置當中,即可利用手持式裝置收看數位電視。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: ‧Frequency Range:50~860 MHz ‧Input Resistance:70 Ohm‧Min Input Power:- 80 dBm ‧Max Input Power:0 dBm ‧Total Noise Figure:7~10 dB ‧Input Return Loss:10 dB ‧Dynamic Range:35~40 dB ‧Image Rejection:60 dB ‧Phase Noise@10kHz:- 80dB/Hz ‧Power Consumpution:1W
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 手持式裝置 (手機, Protable Multimedia Player)。
潛力預估: 可使得台灣系統廠商擺脫對於國外晶片廠的依賴。
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5913183
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 高頻相關儀器。
需具備之專業人才: 具類比IC電路設計與系統相關能力。

# 03-5917135 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號5091
產出年度100
技術名稱-中文3D堆疊感測晶片之設計平台與8吋晶圓3DIC設計流程
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文1. 提供適用於3DIC front-side VIA-last TSV技術的設計流程。 2. 3DIC晶片之間不等電壓之時脈同步方法。 3. 3DICEDA設計參考流程(成熟製程)。 4. 適於3DIC類比與邏輯晶片之測試技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格TSV直徑為30um;TSV pitch為60um;正面與背面RDL可製造性佈局技術;微凸塊可製造性佈局技術;「面對面&面對背」之3層晶片堆疊的佈局設計方法;類比電路的數位測試與校正技術。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍本技術可作為3DIC 設計技術開發之參考
潛力預估可進行高效能電子產品開發
聯絡人員游淑惠
電話03-5917135
傳真03-5820462
電子信箱ivyyu@itri.org.tw
參考網址one
所須軟硬體設備
需具備之專業人才電子/電機相關領域
序號: 5091
產出年度: 100
技術名稱-中文: 3D堆疊感測晶片之設計平台與8吋晶圓3DIC設計流程
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 1. 提供適用於3DIC front-side VIA-last TSV技術的設計流程。 2. 3DIC晶片之間不等電壓之時脈同步方法。 3. 3DICEDA設計參考流程(成熟製程)。 4. 適於3DIC類比與邏輯晶片之測試技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: TSV直徑為30um;TSV pitch為60um;正面與背面RDL可製造性佈局技術;微凸塊可製造性佈局技術;「面對面&面對背」之3層晶片堆疊的佈局設計方法;類比電路的數位測試與校正技術。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 本技術可作為3DIC 設計技術開發之參考
潛力預估: 可進行高效能電子產品開發
聯絡人員: 游淑惠
電話: 03-5917135
傳真: 03-5820462
電子信箱: ivyyu@itri.org.tw
參考網址: one
所須軟硬體設備:
需具備之專業人才: 電子/電機相關領域
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HD-DVD/DVD±RW光碟片

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 碟片符合DVD+RW規格。 ‧ 碟片符合DVD-RW規格。 | 潛力預估: 可調整各層材料,降低碟片成本。8x~12x DVD±RW Disc開發。

HD-DVD/DVD-R光碟片

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: .染料純度>98% .碟片符合4.7GB ,DVD-R Book | 潛力預估: OES擁有全套之DVD-R製程測試能力及新型高感度,適用於高倍速之染料。目前已開發出數支HD-DVD-R染料,碟片正在開發中,並已完成8X~16X DVD-R開發。 可規避染料權利金,並降低碟片成本...

SD Card/SD Host/SD IO驗證測試

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 依據SDA發行之規格書與測試規範執行。 | 潛力預估: 在2004年SD Card 的銷售量以極快的成長速度超越了其他規格記憶卡的銷售量,而SDA 正式會員已經達796家(台灣廠商約佔179家),全球廠商此刻均積極投入SD相關產品的研發與生產,SD相關應...

DVD影音碟片編輯系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 依據DVD Video Disc規格書執行 | 潛力預估: 預估年產值:100億。

多功能影音光碟即時錄影技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 依據各種影音光碟之規格書執行。 | 潛力預估: 預估年產值:100億。

高畫質影/音播放系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Video 解析度:1280x720x24p 1280x720x30p 720x480x60i 720x575x50i 320x240x60i 352x288x50i | 潛力預估: 預估年產值:100億。

鏡頭模組致動設計與控制技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 線性傳動致動模組之設計 ‧ 線性傳動致動模組之回授控制 ‧ 線性傳動致動模組之實驗與驗證平台架設 | 潛力預估: ‧預估2007年手機相機產量34,500萬台(IEK-ITIS)。 ‧預估2007年數位相機(DSC)產量9,200萬台(TI website)。 ‧預估2008年攝影機(camcorder)產量3,...

無刷馬達無感測器驅動IC設計

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 電力模組(power stage)設計 ‧ 定位、開路啟動、閉路加速、閉路定速四個驅動程序設計。 ‧ 限流(current limit)、煞車(brake)、脈波調變(PWM)驅動。 | 潛力預估: 除硬碟機主軸馬達早都改用無感測器方式驅動,現今筆記型電腦用光碟機或掌上型光碟機的主軸馬達也慢慢有這樣的趨勢。

彩色多功能噴墨事務機系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ADF:20pages。 ‧掃描方式:Color CCD。 ‧文稿實度:148~218mm。 ‧列印解析度:2400(H)×1200dpi(V)。 ‧列印速度:17ppm(Black;Draft)、... | 潛力預估: 多功能事務機在市場價格日漸降低的同時,正顯示其潛力正日漸上漲中,預期至2004年產量可達1,370萬台,成長為12.85%。

噴墨印表機/傳真機ASIC開發技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧工作頻率:48MHz。 ‧資料匯流排:32位元。 ‧電源:3.3V。 ‧DRAM控制電路:最大可控制8MB。 ‧適用噴墨頭:HP51645、C1823,Lexmark12A1970、15M0120等... | 潛力預估: 噴墨印表機價格低廉,又可滿足彩色化的列印,使用噴墨印表機來作相片的列印,受到個人及家庭市場的喜愛,且市場規模龐大,已成為市場銷售的主力產品;預計2006年產量可達6,735萬台,複合年成長率為3.2%...

單色/彩色熱氣泡噴墨式印頭

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧解析度:300dpi/600dpi。 ‧噴墨體積:5pl~120pl。 ‧工作頻率:5~12KHZ(單色):3~18KHZ(彩色)。 | 潛力預估: ‧ 目前國內噴墨印頭廠創造總產值每年新台幣16億元,持續成長中。 ‧ 可以噴墨印頭技術為基礎,開發各項工業應用及製造技術(如Color Filter、PLED、Bio Chip、Fuel Inject...

圖文分離技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Clock rate: 10MHz(Max.). ‧Scan speed: 5 ms/line(Max.). ‧Document size: B4(Max.). ‧Voltage: 5V。 ‧Hal... | 潛力預估: 在需要影像處理為基礎的產業中,本技術能夠使之具備較佳品質的關鍵角色。

色彩修正晶片模組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 圖素輸入匯流排線寬度:8Bits。 ‧ 圖素輸出匯流排線寬度:8Bits。 ‧ 每色彩圖素處理時間:20 cck cycle。 ‧ 支援RGB色座標與KCMY色座標轉換。 ‧ 使用17×17×1... | 潛力預估: 該相關技術在彩色印表機及多功能事務機領域是決定列印品質優劣的決戰項目之一。

彩色多功能事務機晶片組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 列印解析度:最高2,400×1,200dpi。 ‧ 列印速度:最快17ppm。 ‧ 列印色階:最高4,913色。 ‧ 光學解析度:Up to 1,200dpi。 ‧ CCD掃描速度:Up to 5... | 潛力預估: 配合多功能事務機,落實本土發展,技術生根的原則,能提供給國內完整的配套Solution。

工業噴印平台設計

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Drop on Demand、Step Patterning、Printing on the fly快速列印技術。 ‧ Pixel修補列印技術(Patch Process)。 ‧ 墨點自動分析系統... | 潛力預估: 本技術可應用於多種領域,如TFTs配向膜/彩色濾光片/液晶填充製程應用/PLED製程應用/印刷電路版/封裝產業/光電元件製程應用…。

HD-DVD/DVD±RW光碟片

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 碟片符合DVD+RW規格。 ‧ 碟片符合DVD-RW規格。 | 潛力預估: 可調整各層材料,降低碟片成本。8x~12x DVD±RW Disc開發。

HD-DVD/DVD-R光碟片

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: .染料純度>98% .碟片符合4.7GB ,DVD-R Book | 潛力預估: OES擁有全套之DVD-R製程測試能力及新型高感度,適用於高倍速之染料。目前已開發出數支HD-DVD-R染料,碟片正在開發中,並已完成8X~16X DVD-R開發。 可規避染料權利金,並降低碟片成本...

SD Card/SD Host/SD IO驗證測試

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 依據SDA發行之規格書與測試規範執行。 | 潛力預估: 在2004年SD Card 的銷售量以極快的成長速度超越了其他規格記憶卡的銷售量,而SDA 正式會員已經達796家(台灣廠商約佔179家),全球廠商此刻均積極投入SD相關產品的研發與生產,SD相關應...

DVD影音碟片編輯系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 依據DVD Video Disc規格書執行 | 潛力預估: 預估年產值:100億。

多功能影音光碟即時錄影技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 依據各種影音光碟之規格書執行。 | 潛力預估: 預估年產值:100億。

高畫質影/音播放系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Video 解析度:1280x720x24p 1280x720x30p 720x480x60i 720x575x50i 320x240x60i 352x288x50i | 潛力預估: 預估年產值:100億。

鏡頭模組致動設計與控制技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 線性傳動致動模組之設計 ‧ 線性傳動致動模組之回授控制 ‧ 線性傳動致動模組之實驗與驗證平台架設 | 潛力預估: ‧預估2007年手機相機產量34,500萬台(IEK-ITIS)。 ‧預估2007年數位相機(DSC)產量9,200萬台(TI website)。 ‧預估2008年攝影機(camcorder)產量3,...

無刷馬達無感測器驅動IC設計

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 電力模組(power stage)設計 ‧ 定位、開路啟動、閉路加速、閉路定速四個驅動程序設計。 ‧ 限流(current limit)、煞車(brake)、脈波調變(PWM)驅動。 | 潛力預估: 除硬碟機主軸馬達早都改用無感測器方式驅動,現今筆記型電腦用光碟機或掌上型光碟機的主軸馬達也慢慢有這樣的趨勢。

彩色多功能噴墨事務機系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ADF:20pages。 ‧掃描方式:Color CCD。 ‧文稿實度:148~218mm。 ‧列印解析度:2400(H)×1200dpi(V)。 ‧列印速度:17ppm(Black;Draft)、... | 潛力預估: 多功能事務機在市場價格日漸降低的同時,正顯示其潛力正日漸上漲中,預期至2004年產量可達1,370萬台,成長為12.85%。

噴墨印表機/傳真機ASIC開發技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧工作頻率:48MHz。 ‧資料匯流排:32位元。 ‧電源:3.3V。 ‧DRAM控制電路:最大可控制8MB。 ‧適用噴墨頭:HP51645、C1823,Lexmark12A1970、15M0120等... | 潛力預估: 噴墨印表機價格低廉,又可滿足彩色化的列印,使用噴墨印表機來作相片的列印,受到個人及家庭市場的喜愛,且市場規模龐大,已成為市場銷售的主力產品;預計2006年產量可達6,735萬台,複合年成長率為3.2%...

單色/彩色熱氣泡噴墨式印頭

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧解析度:300dpi/600dpi。 ‧噴墨體積:5pl~120pl。 ‧工作頻率:5~12KHZ(單色):3~18KHZ(彩色)。 | 潛力預估: ‧ 目前國內噴墨印頭廠創造總產值每年新台幣16億元,持續成長中。 ‧ 可以噴墨印頭技術為基礎,開發各項工業應用及製造技術(如Color Filter、PLED、Bio Chip、Fuel Inject...

圖文分離技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Clock rate: 10MHz(Max.). ‧Scan speed: 5 ms/line(Max.). ‧Document size: B4(Max.). ‧Voltage: 5V。 ‧Hal... | 潛力預估: 在需要影像處理為基礎的產業中,本技術能夠使之具備較佳品質的關鍵角色。

色彩修正晶片模組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 圖素輸入匯流排線寬度:8Bits。 ‧ 圖素輸出匯流排線寬度:8Bits。 ‧ 每色彩圖素處理時間:20 cck cycle。 ‧ 支援RGB色座標與KCMY色座標轉換。 ‧ 使用17×17×1... | 潛力預估: 該相關技術在彩色印表機及多功能事務機領域是決定列印品質優劣的決戰項目之一。

彩色多功能事務機晶片組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 列印解析度:最高2,400×1,200dpi。 ‧ 列印速度:最快17ppm。 ‧ 列印色階:最高4,913色。 ‧ 光學解析度:Up to 1,200dpi。 ‧ CCD掃描速度:Up to 5... | 潛力預估: 配合多功能事務機,落實本土發展,技術生根的原則,能提供給國內完整的配套Solution。

工業噴印平台設計

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Drop on Demand、Step Patterning、Printing on the fly快速列印技術。 ‧ Pixel修補列印技術(Patch Process)。 ‧ 墨點自動分析系統... | 潛力預估: 本技術可應用於多種領域,如TFTs配向膜/彩色濾光片/液晶填充製程應用/PLED製程應用/印刷電路版/封裝產業/光電元件製程應用…。

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