320*240室溫bolometer焦平面陣列熱影像晶片先期合作研究
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文320*240室溫bolometer焦平面陣列熱影像晶片先期合作研究的執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是105, 計畫名稱是智慧光環境關鍵模組開發與應用計畫, 領域是綠能科技, 技術規格是35um pitch 320*240室溫VOx熱像感測焦平面陣列模組, 潛力預估是預估六年內商機新台幣10億元以上.
根據名稱 320*240室溫bolometer焦平面陣列熱影像晶片先期合作研究 找到的相關資料
| 序號 | 7305 |
| 產出年度 | 102 |
| 技術名稱-中文 | 室溫紅外線熱影像模組關鍵技術 |
| 執行單位 | 中科院材料暨光電研究所─固態元件組 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 領域 | 綠能科技 |
| 已申請專利之國家 | 無 |
| 已獲得專利之國家 | 無 |
| 技術現況敘述-中文 | 具備160*120室溫紅外線熱影像開發能力 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | (1)解析度:160*120 (2)NEDT小於100mK (3)觀測波段:8~12um |
| 技術成熟度 | 試量產等級 |
| 可應用範圍 | 車用夜視、居家安全監控、工業檢測、醫療輔助偵測等 |
| 潛力預估 | 佳 |
| 聯絡人員 | 陳信彰
湯相峰 |
| 電話 | 03-4712201#357074
03-4712201#357106 |
| 傳真 | (空) |
| 電子信箱 | hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 無塵室FAB |
| 需具備之專業人才 | 光電材料、電機電子、微機電製程經驗 |
| 序號: 7305 |
| 產出年度: 102 |
| 技術名稱-中文: 室溫紅外線熱影像模組關鍵技術 |
| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所─固態元件組 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 領域: 綠能科技 |
| 已申請專利之國家: 無 |
| 已獲得專利之國家: 無 |
| 技術現況敘述-中文: 具備160*120室溫紅外線熱影像開發能力 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: (1)解析度:160*120 (2)NEDT小於100mK (3)觀測波段:8~12um |
| 技術成熟度: 試量產等級 |
| 可應用範圍: 車用夜視、居家安全監控、工業檢測、醫療輔助偵測等 |
| 潛力預估: 佳 |
| 聯絡人員: 陳信彰
湯相峰 |
| 電話: 03-4712201#357074
03-4712201#357106 |
| 傳真: (空) |
| 電子信箱: hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: 無塵室FAB |
| 需具備之專業人才: 光電材料、電機電子、微機電製程經驗 |
| 序號 | 7307 |
| 產出年度 | 103 |
| 技術名稱-中文 | 高精度光斑定位角度感測器開發計畫 |
| 執行單位 | 中科院材料暨光電研究所─固態元件組 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 領域 | 綠能科技 |
| 已申請專利之國家 | 無 |
| 已獲得專利之國家 | 無 |
| 技術現況敘述-中文 | 開發高速CMOS影像感測器並應用於光斑解角器中 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | (1)絕對定位精度:1um (2)光斑影像感測速率:8KHz |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 識別、絕對定位、雷射光斑滑控器、光斑尺、解角器 |
| 潛力預估 | 佳 |
| 聯絡人員 | 陳信彰
黃宜裕 |
| 電話 | 03-4712201#357074
03-4712201#359354 |
| 傳真 | (空) |
| 電子信箱 | hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 電路設計軟體、多軸加工機具 |
| 需具備之專業人才 | 機械設計、電機電子、資訊軟體 |
| 序號: 7307 |
| 產出年度: 103 |
| 技術名稱-中文: 高精度光斑定位角度感測器開發計畫 |
| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所─固態元件組 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 領域: 綠能科技 |
| 已申請專利之國家: 無 |
| 已獲得專利之國家: 無 |
| 技術現況敘述-中文: 開發高速CMOS影像感測器並應用於光斑解角器中 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: (1)絕對定位精度:1um (2)光斑影像感測速率:8KHz |
| 技術成熟度: 實驗室階段 |
| 可應用範圍: 識別、絕對定位、雷射光斑滑控器、光斑尺、解角器 |
| 潛力預估: 佳 |
| 聯絡人員: 陳信彰
黃宜裕 |
| 電話: 03-4712201#357074
03-4712201#359354 |
| 傳真: (空) |
| 電子信箱: hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: 電路設計軟體、多軸加工機具 |
| 需具備之專業人才: 機械設計、電機電子、資訊軟體 |
| 序號 | 15230 |
| 產出年度 | 96 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 光斑取像裝置與方法 |
| 執行單位 | 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 專利發明人 | (空) |
| 核准國家 | 中華民國 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | I275781 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種光斑取像裝置與方法，係由光源發射一高同調性光，且高同調性光照射表面時，進而產生散射光，此散射光通過限光件，而使散射光發生繞射效應而產生繞射光，此繞射光彼此干涉而產生光斑，最後感測器擷取此光斑而成為光斑圖，所以本發明係利用了繞射與干涉效應，使光斑的尺
寸可變大，並且光斑的圖像可清晰，容易辨別，因此，本發明的光斑取像裝置與方法可以很穩定，且很靈敏。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 陳信彰 |
| 電話 | 03-4712201#357074 |
| 傳真 | (空) |
| 電子信箱 | hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 15230 |
| 產出年度: 96 |
| 領域別: (空) |
| 專利名稱-中文: 光斑取像裝置與方法 |
| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 專利發明人: (空) |
| 核准國家: 中華民國 |
| 獲證日期: (空) |
| 證書號碼: I275781 |
| 專利期間起: (空) |
| 專利期間訖: (空) |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種光斑取像裝置與方法，係由光源發射一高同調性光，且高同調性光照射表面時，進而產生散射光，此散射光通過限光件，而使散射光發生繞射效應而產生繞射光，此繞射光彼此干涉而產生光斑，最後感測器擷取此光斑而成為光斑圖，所以本發明係利用了繞射與干涉效應，使光斑的尺
寸可變大，並且光斑的圖像可清晰，容易辨別，因此，本發明的光斑取像裝置與方法可以很穩定，且很靈敏。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 陳信彰 |
| 電話: 03-4712201#357074 |
| 傳真: (空) |
| 電子信箱: hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 15231 |
| 產出年度 | 98 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 光斑取像裝置與方法 |
| 執行單位 | 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 專利發明人 | (空) |
| 核准國家 | 日本 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | 特許4335218號 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種光斑取像裝置與方法，係由光源發射一高同調性光，且高同調性光照射表面時，進而產生散射光，此散射光通過限光件，而使散射光發生繞射效應而產生繞射光，此繞射光彼此干涉而產生光斑，最後感測器擷取此光斑而成為光斑圖，所以本發明係利用了繞射與干涉效應，使光斑的尺
寸可變大，並且光斑的圖像可清晰，容易辨別，因此，本發明的光斑取像裝置與方法可以很穩定，且很靈敏。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 陳信彰 |
| 電話 | 03-4712201#357074 |
| 傳真 | (空) |
| 電子信箱 | hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 15231 |
| 產出年度: 98 |
| 領域別: (空) |
| 專利名稱-中文: 光斑取像裝置與方法 |
| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 專利發明人: (空) |
| 核准國家: 日本 |
| 獲證日期: (空) |
| 證書號碼: 特許4335218號 |
| 專利期間起: (空) |
| 專利期間訖: (空) |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種光斑取像裝置與方法，係由光源發射一高同調性光，且高同調性光照射表面時，進而產生散射光，此散射光通過限光件，而使散射光發生繞射效應而產生繞射光，此繞射光彼此干涉而產生光斑，最後感測器擷取此光斑而成為光斑圖，所以本發明係利用了繞射與干涉效應，使光斑的尺
寸可變大，並且光斑的圖像可清晰，容易辨別，因此，本發明的光斑取像裝置與方法可以很穩定，且很靈敏。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 陳信彰 |
| 電話: 03-4712201#357074 |
| 傳真: (空) |
| 電子信箱: hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 15232 |
| 產出年度 | 95 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 光斑取像裝置與方法 |
| 執行單位 | 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 專利發明人 | (空) |
| 核准國家 | 歐盟 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | EP1918674 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種光斑取像裝置與方法，係由光源發射一高同調性光，且高同調性光照射表面時，進而產生散射光，此散射光通過限光件，而使散射光發生繞射效應而產生繞射光，此繞射光彼此干涉而產生光斑，最後感測器擷取此光斑而成為光斑圖，所以本發明係利用了繞射與干涉效應，使光斑的尺
寸可變大，並且光斑的圖像可清晰，容易辨別，因此，本發明的光斑取像裝置與方法可以很穩定，且很靈敏。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 陳信彰 |
| 電話 | 03-4712201#357074 |
| 傳真 | (空) |
| 電子信箱 | hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 15232 |
| 產出年度: 95 |
| 領域別: (空) |
| 專利名稱-中文: 光斑取像裝置與方法 |
| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 專利發明人: (空) |
| 核准國家: 歐盟 |
| 獲證日期: (空) |
| 證書號碼: EP1918674 |
| 專利期間起: (空) |
| 專利期間訖: (空) |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種光斑取像裝置與方法，係由光源發射一高同調性光，且高同調性光照射表面時，進而產生散射光，此散射光通過限光件，而使散射光發生繞射效應而產生繞射光，此繞射光彼此干涉而產生光斑，最後感測器擷取此光斑而成為光斑圖，所以本發明係利用了繞射與干涉效應，使光斑的尺
寸可變大，並且光斑的圖像可清晰，容易辨別，因此，本發明的光斑取像裝置與方法可以很穩定，且很靈敏。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 陳信彰 |
| 電話: 03-4712201#357074 |
| 傳真: (空) |
| 電子信箱: hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 15233 |
| 產出年度 | 97 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 一種不變形光斑的取像裝置與方法 |
| 執行單位 | 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 專利發明人 | (空) |
| 核准國家 | 中國大陸 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | CN 101751148B |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 本發明係為一種不變形光斑取像裝置及其方法，該不變形光斑取像裝置包含一光發射器、一限光模組及一感測器，該限光模組設於該感測器前，該限光模組係包含複數限光件，該些限光件係排列為一維或二維陣列，當該光發射器發射一光源至一物體表面，產生至少一散射光，通過該限光模組限制該至少一散射光，並產生複數繞射光，該些繞射光相互干涉產生複數不變形光斑，且成像於該感測器上，最後依據該些光斑得到一大面積且不變形之光斑圖。因該光斑圖為不變形的，且該光斑圖記錄了物體表面三維變化之特徵，所以該不變形光斑取像裝置可應用於電腦滑鼠、手
指導覽器、智慧卡、三維指紋身份辨識裝置或機械手臂精密定位系統等。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 陳信彰 |
| 電話 | 03-4712201#357074 |
| 傳真 | (空) |
| 電子信箱 | hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 15233 |
| 產出年度: 97 |
| 領域別: (空) |
| 專利名稱-中文: 一種不變形光斑的取像裝置與方法 |
| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 專利發明人: (空) |
| 核准國家: 中國大陸 |
| 獲證日期: (空) |
| 證書號碼: CN 101751148B |
| 專利期間起: (空) |
| 專利期間訖: (空) |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 本發明係為一種不變形光斑取像裝置及其方法，該不變形光斑取像裝置包含一光發射器、一限光模組及一感測器，該限光模組設於該感測器前，該限光模組係包含複數限光件，該些限光件係排列為一維或二維陣列，當該光發射器發射一光源至一物體表面，產生至少一散射光，通過該限光模組限制該至少一散射光，並產生複數繞射光，該些繞射光相互干涉產生複數不變形光斑，且成像於該感測器上，最後依據該些光斑得到一大面積且不變形之光斑圖。因該光斑圖為不變形的，且該光斑圖記錄了物體表面三維變化之特徵，所以該不變形光斑取像裝置可應用於電腦滑鼠、手
指導覽器、智慧卡、三維指紋身份辨識裝置或機械手臂精密定位系統等。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 陳信彰 |
| 電話: 03-4712201#357074 |
| 傳真: (空) |
| 電子信箱: hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 15234 |
| 產出年度 | 100 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 不變形光斑取像裝置及其方法 |
| 執行單位 | 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 專利發明人 | (空) |
| 核准國家 | 中華民國 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | 第I340910號 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 本發明係為一種不變形光斑取像裝置及其方法，該不變形光斑取像裝置包含一光發射器、一限光模組及一感測器，該限光模組設於該感測器前，該限光模組係包含複數限光件，該些限光件係排列為一維或二維陣列，當該光發射器發射一光源至一物體表面，產生至少一散射光，通過該限光模組限制該至少一散射光，並產生複數繞射光，該些繞射光相互干涉產生複數不變形光斑，且成像於該感測器上，最後依據該些光斑得到一大面積且不變形之光斑圖。因該光斑圖為不變形的，且該光斑圖記錄了物體表面三維變化之特徵，所以該不變形光斑取像裝置可應用於電腦滑鼠、手
指導覽器、智慧卡、三維指紋身份辨識裝置或機械手臂精密定位系統等。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 陳信彰 |
| 電話 | 03-4712201#357074 |
| 傳真 | (空) |
| 電子信箱 | hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 15234 |
| 產出年度: 100 |
| 領域別: (空) |
| 專利名稱-中文: 不變形光斑取像裝置及其方法 |
| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 專利發明人: (空) |
| 核准國家: 中華民國 |
| 獲證日期: (空) |
| 證書號碼: 第I340910號 |
| 專利期間起: (空) |
| 專利期間訖: (空) |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 本發明係為一種不變形光斑取像裝置及其方法，該不變形光斑取像裝置包含一光發射器、一限光模組及一感測器，該限光模組設於該感測器前，該限光模組係包含複數限光件，該些限光件係排列為一維或二維陣列，當該光發射器發射一光源至一物體表面，產生至少一散射光，通過該限光模組限制該至少一散射光，並產生複數繞射光，該些繞射光相互干涉產生複數不變形光斑，且成像於該感測器上，最後依據該些光斑得到一大面積且不變形之光斑圖。因該光斑圖為不變形的，且該光斑圖記錄了物體表面三維變化之特徵，所以該不變形光斑取像裝置可應用於電腦滑鼠、手
指導覽器、智慧卡、三維指紋身份辨識裝置或機械手臂精密定位系統等。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 陳信彰 |
| 電話: 03-4712201#357074 |
| 傳真: (空) |
| 電子信箱: hcchen0429@gmail.com |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
[ 搜尋所有
03-4712201 357074 ... ]
與320*240室溫bolometer焦平面陣列熱影像晶片先期合作研究同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 通過AMS-STD-2219銲接X-RAY之A級檢驗要求 | 潛力預估: 可搶攻國際航太工業，極具市場淺力 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 鍛造件幾何精度須達到幾何公差.15mm，須通過AMS 4079C 機械性能及超音波MIL- STD–2154 Class AA檢驗規範 | 潛力預估: 可搶攻航太工業及核電工程結構零組件市場 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.迴授精度線性：± 0.5%。2.機械行程：50 ± 2 Degrees。3.電氣行程：45±2 Degrees。4..操作電壓：18 ~ 32V。5.標準操作電壓值：24V。6.無載速度：130 ... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度：-55 ~ +85℃操作環境：-40 ~ +55℃；+70℃至少30分鐘可靠度 MT... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會 |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 ＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 D | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊頻段:S-頻段 ＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256
Pitch : 30um
RoA > 1.E5Ohm-cm2
漏電流 < 1nA (負偏壓250mV)
接合良率 > 99.9%
操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Structure : IDCA RDU
Life time > 5年
Cool-down time < 6分鐘
Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測波段 : 3-5um
量子效率 > 50%
NETD < 30mK
IDCA RDU
致冷器冷卻能力 > 0.5W
MTBF > 4000小時
訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能
輸... | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 | 潛力預估: 96-100年：陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 整體重量: | 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 通過AMS-STD-2219銲接X-RAY之A級檢驗要求 | 潛力預估: 可搶攻國際航太工業，極具市場淺力 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 鍛造件幾何精度須達到幾何公差.15mm，須通過AMS 4079C 機械性能及超音波MIL- STD–2154 Class AA檢驗規範 | 潛力預估: 可搶攻航太工業及核電工程結構零組件市場 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.迴授精度線性：± 0.5%。2.機械行程：50 ± 2 Degrees。3.電氣行程：45±2 Degrees。4..操作電壓：18 ~ 32V。5.標準操作電壓值：24V。6.無載速度：130 ... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度：-55 ~ +85℃操作環境：-40 ~ +55℃；+70℃至少30分鐘可靠度 MT... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會 |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 ＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 D | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊頻段:S-頻段 ＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256
Pitch : 30um
RoA > 1.E5Ohm-cm2
漏電流 < 1nA (負偏壓250mV)
接合良率 > 99.9%
操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Structure : IDCA RDU
Life time > 5年
Cool-down time < 6分鐘
Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測波段 : 3-5um
量子效率 > 50%
NETD < 30mK
IDCA RDU
致冷器冷卻能力 > 0.5W
MTBF > 4000小時
訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能
輸... | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 | 潛力預估: 96-100年：陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 整體重量: | 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上 |
|